JPH0419158A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH0419158A JPH0419158A JP12386990A JP12386990A JPH0419158A JP H0419158 A JPH0419158 A JP H0419158A JP 12386990 A JP12386990 A JP 12386990A JP 12386990 A JP12386990 A JP 12386990A JP H0419158 A JPH0419158 A JP H0419158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wear
- resistant layer
- target
- layer
- thermal head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐摩耗層を有するサーマルへラドに係り、特に
使用中に耐摩耗層に発生する静電気を逃げ易くするとと
もに、その機械的硬度も保持する耐摩耗層を有するサー
マルヘッドに関する。
使用中に耐摩耗層に発生する静電気を逃げ易くするとと
もに、その機械的硬度も保持する耐摩耗層を有するサー
マルヘッドに関する。
サーマルへラドは、ワードプロセッサやコンピュータの
出力装置、あるいはファクシミリの出力装置等として多
用されている。
出力装置、あるいはファクシミリの出力装置等として多
用されている。
従来のファクシミリ用のサーマルへラドでは、感熱紙が
用いられていたが、ビデオプリンタ用のサーマルヘッド
では、転写フィルムが使用されるようになった。転写フ
ィルムは、例えば、ポリエチレン・テレフタレート(P
ET)のフィルムの上に熱転写される塗料が薄く塗られ
ている。
用いられていたが、ビデオプリンタ用のサーマルヘッド
では、転写フィルムが使用されるようになった。転写フ
ィルムは、例えば、ポリエチレン・テレフタレート(P
ET)のフィルムの上に熱転写される塗料が薄く塗られ
ている。
従来のビデオプリンタ用のサーマルヘラトラ使用した印
刷時の状態を第3図に示す。
刷時の状態を第3図に示す。
第3図において、IOはアルミナ等のセラミッり製の基
板であり、上部に図示省略されたグレーズ層が形成され
、その上部にポリシリコンで構成される発熱体11が設
けられている。この発熱体11を選択発熱するため、電
極12が設けられている。電極12の上部に、耐摩耗層
13が約5μmの厚みで形成されている。
板であり、上部に図示省略されたグレーズ層が形成され
、その上部にポリシリコンで構成される発熱体11が設
けられている。この発熱体11を選択発熱するため、電
極12が設けられている。電極12の上部に、耐摩耗層
13が約5μmの厚みで形成されている。
この耐摩耗層13として、従来、Tag’s、530x
Ny、5jOC,SiAI!xoyNz −x−y(サ
イアロン)、LaSiON(ラシオン)等が捉案されて
いる。
Ny、5jOC,SiAI!xoyNz −x−y(サ
イアロン)、LaSiON(ラシオン)等が捉案されて
いる。
このようなサーマルヘッドを使用し、紙14に対し、転
写フィルム15を介して印刷するが、転写フィルム15
は例えばPET製なので、絶縁性がよく、サーマルヘッ
ド表面との摺動により、静電気が発生する。
写フィルム15を介して印刷するが、転写フィルム15
は例えばPET製なので、絶縁性がよく、サーマルヘッ
ド表面との摺動により、静電気が発生する。
従来の感熱紙は、湿気を帯びているので、この摺動によ
り静電気が耐摩耗層13に発生しても、この湿気を帯び
た紙を経由して逃げる。
り静電気が耐摩耗層13に発生しても、この湿気を帯び
た紙を経由して逃げる。
ところが、第3図に示す如く、転写フィルム15を使用
し、例えば耐摩耗層13としてラシオン層を使用する時
、このラシオンの比抵抗は10”〜10I4Ω・cm程
度で、絶縁体であり、この耐摩耗層13内に発生した静
電気16は逃げ場がない。このため、耐摩耗層13の下
側の電極3内に静電放電17を生じ耐摩耗層13に静電
破壊を起こすことがある。
し、例えば耐摩耗層13としてラシオン層を使用する時
、このラシオンの比抵抗は10”〜10I4Ω・cm程
度で、絶縁体であり、この耐摩耗層13内に発生した静
電気16は逃げ場がない。このため、耐摩耗層13の下
側の電極3内に静電放電17を生じ耐摩耗層13に静電
破壊を起こすことがある。
そのため、従来、静電放電17の発生による耐摩耗層1
3の静電破壊を防止するため、第4図に示す如く、耐摩
耗層13の上に酸化タングステンや酸化バナジウムの如
き無機材料層20を形成することが捉案されている(例
えば、特願昭63138962号明細書参照)。
3の静電破壊を防止するため、第4図に示す如く、耐摩
耗層13の上に酸化タングステンや酸化バナジウムの如
き無機材料層20を形成することが捉案されている(例
えば、特願昭63138962号明細書参照)。
ところが、耐摩耗層を2層に構成すると、耐摩耗層の比
抵抗を低下させて静電破壊を防止することができるが、
第1層の耐摩耗層13の上に更に別の工程で無機材料層
20を形成するため、製造工程が1つ増加するという問
題がある。
抵抗を低下させて静電破壊を防止することができるが、
第1層の耐摩耗層13の上に更に別の工程で無機材料層
20を形成するため、製造工程が1つ増加するという問
題がある。
更に従来の構造の耐摩耗層では、転写フィルムの摺動の
繰返しに対して、その機械的硬度が十分でなく、耐摩耗
層が摩耗劣化し易いという問題点もある。
繰返しに対して、その機械的硬度が十分でなく、耐摩耗
層が摩耗劣化し易いという問題点もある。
従って、本発明の目的は前記問題点を解決するため、サ
ーマルヘッドの耐摩耗層に発生する静電気を逃げ易くす
るとともに、その機械的硬度も保持する耐摩耗層を工程
を増加することなく形成したサーマルヘッドを提供する
ものである。
ーマルヘッドの耐摩耗層に発生する静電気を逃げ易くす
るとともに、その機械的硬度も保持する耐摩耗層を工程
を増加することなく形成したサーマルヘッドを提供する
ものである。
上記目的を達成するため、本発明者等は鋭意研究の結果
、サーマルヘッド用の耐摩耗層として、シリコン(Si
)、酸素(O)、窒素(N)から成る組成物に、炭化ホ
ウ素(B4C)を添加することによって、前記問題点を
解決することを見出した。
、サーマルヘッド用の耐摩耗層として、シリコン(Si
)、酸素(O)、窒素(N)から成る組成物に、炭化ホ
ウ素(B4C)を添加することによって、前記問題点を
解決することを見出した。
即ち、サーマルヘッド用の耐摩耗層として、その組成比
が、SisN4: (20〜40)モJL/%、Sin
g = (15〜35) モル%:Si(15〜35
)モル%:84C: (8〜25)モル%の範囲にあ
る耐摩耗層を用いることによって、その比抵抗がlXl
0’〜lXl0’Ω・cmであって、ビッカース硬度1
200 Kg/mm”以上の特性を有する耐摩耗層を得
ることができる。
が、SisN4: (20〜40)モJL/%、Sin
g = (15〜35) モル%:Si(15〜35
)モル%:84C: (8〜25)モル%の範囲にあ
る耐摩耗層を用いることによって、その比抵抗がlXl
0’〜lXl0’Ω・cmであって、ビッカース硬度1
200 Kg/mm”以上の特性を有する耐摩耗層を得
ることができる。
本発明の一実施例を第1図、第2図によって説明する。
第1図は本発明のサーマルヘッドの一実施例構成図、第
2図は耐摩耗層の特性の組成による特性図である。
2図は耐摩耗層の特性の組成による特性図である。
第1図において、1は例えばアルミナのセラミックス製
の基板であって、その上部には全面的にまたは部分的に
グレーズ層(図示省略)が形成されている。2は例えば
ポリシリコンから成る発熱体、3は電極、4は本発明の
耐摩耗層である。
の基板であって、その上部には全面的にまたは部分的に
グレーズ層(図示省略)が形成されている。2は例えば
ポリシリコンから成る発熱体、3は電極、4は本発明の
耐摩耗層である。
本発明の耐摩耗層は、S i 3N4.Si02、Si
、BaCから構成される組成物から成り、Si3N4:
(20〜40)モル%、S iog :(15〜35)
モル%:Si:(15〜35)モル%、84C: (8
〜25)モル%の組成から成る。
、BaCから構成される組成物から成り、Si3N4:
(20〜40)モル%、S iog :(15〜35)
モル%:Si:(15〜35)モル%、84C: (8
〜25)モル%の組成から成る。
ところで、耐摩耗層4が転写フィルムの摺動により静電
破壊を起さないためには、lXl0’〜lXl0”Ω・
cm程度の比抵抗に押さえる必要がある。
破壊を起さないためには、lXl0’〜lXl0”Ω・
cm程度の比抵抗に押さえる必要がある。
また、転写フィルムの摺動の繰返しに対して耐摩耗層4
が摩耗劣化しないためには、その機械的硬度は、ビッカ
ース硬度で1200Kg/mm”程度以上必要である。
が摩耗劣化しないためには、その機械的硬度は、ビッカ
ース硬度で1200Kg/mm”程度以上必要である。
ここで耐摩耗層4のうち、Singは材料の焼結性をよ
くし、耐摩耗層4にかかる応力を緩和し、Siは比抵抗
(抵抗率)を下げ応力を緩和し、Si 3N4は耐摩耗
層4の硬度を増し、すべり性を良くするものである。8
4Cは材料の比抵抗を小さくするとともに硬度を増す作
用をする。これらの作用を考慮して、各りの組成物の材
料の組成比を前記の如くに求めた。
くし、耐摩耗層4にかかる応力を緩和し、Siは比抵抗
(抵抗率)を下げ応力を緩和し、Si 3N4は耐摩耗
層4の硬度を増し、すべり性を良くするものである。8
4Cは材料の比抵抗を小さくするとともに硬度を増す作
用をする。これらの作用を考慮して、各りの組成物の材
料の組成比を前記の如くに求めた。
第2図にその一例として、Si3Nnの組成比を30モ
ル%で一定に保ち、(84C)x (SiO2・Si)
yの組成で、84Cの組成比を変化させた時の耐摩耗層
4のビッカース硬度(第2図Aの曲線)と比抵抗(第2
図Bの曲線)の変化を示す。
ル%で一定に保ち、(84C)x (SiO2・Si)
yの組成で、84Cの組成比を変化させた時の耐摩耗層
4のビッカース硬度(第2図Aの曲線)と比抵抗(第2
図Bの曲線)の変化を示す。
第2図から明らかな如く、84Cが8モル%より少ない
と硬度が下がり、25モル%を越えると、比抵抗が低く
なりすぎるとともに応力が大きくなり、耐摩耗層の表面
にスクラッチ傷が起こり易(なる。
と硬度が下がり、25モル%を越えると、比抵抗が低く
なりすぎるとともに応力が大きくなり、耐摩耗層の表面
にスクラッチ傷が起こり易(なる。
この耐摩耗層4は次のようにして得ることができる。
(1)第1の手法
SisNn、Sing及びSiの粉末をモル%比で(2
0〜40): (15〜35): (15〜35)
の割合で混合する。これらの混合物をプレスして、第1
のターゲットとし、第2のターゲットとして84Cの焼
結体を使用し、例えば851−X283”の大きさの基
板をこの第1のターゲットと第2のターゲット上を往復
移動させ、投入電力=5KV、Ar圧: 14.5mT
o r r、基板温度300℃で、これらの各ターゲッ
トをRFスパッタリングして、第1のターゲットにより
得られた層と、第2のターゲットの84Cの積層体を得
て、これらを約4.5μmの厚さに成膜し、熱処理して
各ターゲット成分を相互拡散して耐摩耗層4を得る。A
rガスに適宜02、N?を混合して反応性スパッタリン
グさせ、組成を図ることができる。
0〜40): (15〜35): (15〜35)
の割合で混合する。これらの混合物をプレスして、第1
のターゲットとし、第2のターゲットとして84Cの焼
結体を使用し、例えば851−X283”の大きさの基
板をこの第1のターゲットと第2のターゲット上を往復
移動させ、投入電力=5KV、Ar圧: 14.5mT
o r r、基板温度300℃で、これらの各ターゲッ
トをRFスパッタリングして、第1のターゲットにより
得られた層と、第2のターゲットの84Cの積層体を得
て、これらを約4.5μmの厚さに成膜し、熱処理して
各ターゲット成分を相互拡散して耐摩耗層4を得る。A
rガスに適宜02、N?を混合して反応性スパッタリン
グさせ、組成を図ることができる。
(2)第2の手法
SiaNn、Sing、Si、BnCの粉末をモル%比
で(20〜40): (15〜35):(15〜35
): (8〜25)の割合で混合し、これらの混合物を
プレスしてターゲットとし、例えば85″″0x283
’″1の大きさの基板上に投入型カニ5KV、Ar圧と
14.5mTo r r、基板温度300℃の条件でR
Fスパッタリングを行い、耐摩耗層を得る。
で(20〜40): (15〜35):(15〜35
): (8〜25)の割合で混合し、これらの混合物を
プレスしてターゲットとし、例えば85″″0x283
’″1の大きさの基板上に投入型カニ5KV、Ar圧と
14.5mTo r r、基板温度300℃の条件でR
Fスパッタリングを行い、耐摩耗層を得る。
本発明により、特別な導電層を設けることなく、サーマ
ルヘッドの耐摩耗層の比抵抗をある程度低下させること
によって、静電破壊を防止することができる。
ルヘッドの耐摩耗層の比抵抗をある程度低下させること
によって、静電破壊を防止することができる。
それとともに、転写フィルムの摺動の繰返しに対しても
、その摩耗劣化を十分防止できる硬度を存する耐摩耗層
を得ることができる。
、その摩耗劣化を十分防止できる硬度を存する耐摩耗層
を得ることができる。
これによりビデオプリンタ用のサーマルヘッドの耐摩耗
層として非常に有用なものが得られるようになった。
層として非常に有用なものが得られるようになった。
第1図は本発明の一実施例のサーマルヘッドの構成図、
第2図は本発明の一実施例の特性図、
第3図は従来例のサーマルへラドにおける問題点の説明
図、 第4図は従来例の構成図である。 1− 基板、 3−発熱体、 3−電極、 4−耐摩耗層。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮(外1名)IO f34C/7167 % 第2図 第4図
図、 第4図は従来例の構成図である。 1− 基板、 3−発熱体、 3−電極、 4−耐摩耗層。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮(外1名)IO f34C/7167 % 第2図 第4図
Claims (2)
- (1)絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成された発
熱体と、この発熱体上に形成された電極と、少なくとも
発熱体と電極の一部を覆って形成された耐摩耗層を具備
するサーマルヘッドにおいて、前記耐摩耗層は、シリコ
ン(Si)、酸素(O)、窒素(N)から成る組成物に
、炭化ホウ素(B_4C)を添加したものから構成され
ることを特徴とするサーマルヘッド。 - (2)前記耐摩耗層は、Si_3N_4:(20〜40
)モル%、SiO_2:(15〜35)モル%、Si:
(15〜35)モル%、B_4C:(8〜25)モル%
であることを特徴とする請求項1記載のサーマルヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12386990A JPH0419158A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12386990A JPH0419158A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0419158A true JPH0419158A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14871392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12386990A Pending JPH0419158A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419158A (ja) |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP12386990A patent/JPH0419158A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5557313A (en) | Wear-resistant protective film for thermal head and method of producing the same | |
| JPS6290260A (ja) | サ−マルヘツド用耐摩耗性保護膜 | |
| JPH07132628A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0419158A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3205404B2 (ja) | 耐摩耗性保護膜とそれを有するサーマルヘッド | |
| JPH0419157A (ja) | サーマルヘッド | |
| US5374946A (en) | Sliding contact part for recording medium | |
| JPH05193171A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3221931B2 (ja) | サーマルヘッド用耐摩耗性保護膜とそれを有するサーマルヘッド | |
| JP3221932B2 (ja) | 耐摩耗性保護膜とそれを有するサーマルヘッド | |
| JP3107911B2 (ja) | サーマルプリントヘッド | |
| JPH0825668A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3472478B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP4925537B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH02536A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP2001191571A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP4925535B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3004093B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3545959B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH06143639A (ja) | サーマルヘッド用耐摩耗性保護膜 | |
| JPH0647940A (ja) | サーマルヘッド | |
| JP4925536B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3231233B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH02229053A (ja) | サーマルプリンタ | |
| JPH04259571A (ja) | サーマルヘッド |