JPH04192519A - 半導体熱処理用縦型プロセスチューブの構造 - Google Patents
半導体熱処理用縦型プロセスチューブの構造Info
- Publication number
- JPH04192519A JPH04192519A JP32481990A JP32481990A JPH04192519A JP H04192519 A JPH04192519 A JP H04192519A JP 32481990 A JP32481990 A JP 32481990A JP 32481990 A JP32481990 A JP 32481990A JP H04192519 A JPH04192519 A JP H04192519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- gas
- piping
- outer tube
- inner tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体熱処理用プロセスチューブの構造に関し
、特に縦型プロセスチューブに関する。
、特に縦型プロセスチューブに関する。
従来の縦型プロセスチューブは第２図（ａ） 、 （ｂ
）に示すように、単管のプロセスチューブ８であり、反
応ガスはガス導入管７を通ってプロセスチューブ８の外
壁に沿って垂直に上かり、前記プロセスチューブ８の上
部からプロセスチューブ８の内部に置かれた半導体基板
に供給されるというものであり、反応ガス及び未反応の
余剰ガスはプロセスチューブ８に収り付けられた排気配
管６を通って外部に放出される構造になっている。
）に示すように、単管のプロセスチューブ８であり、反
応ガスはガス導入管７を通ってプロセスチューブ８の外
壁に沿って垂直に上かり、前記プロセスチューブ８の上
部からプロセスチューブ８の内部に置かれた半導体基板
に供給されるというものであり、反応ガス及び未反応の
余剰ガスはプロセスチューブ８に収り付けられた排気配
管６を通って外部に放出される構造になっている。
この従来の縦型プロセスチューブでは、熱処理温度に比
べて室温〜６００°Ｃ程度の冷たいガスがガス導入管７
を通ってプロセスチューブ８の上部まで送られる。
べて室温〜６００°Ｃ程度の冷たいガスがガス導入管７
を通ってプロセスチューブ８の上部まで送られる。
このとき、ガス導入管側のプロセスチューブ面は、温度
が下がり、半導体基板の温度も局所的に下がるなめ、実
効的な熱処理！、さらに酸化膜厚か基板内でばらつくと
いう間駈点か発生している。
が下がり、半導体基板の温度も局所的に下がるなめ、実
効的な熱処理！、さらに酸化膜厚か基板内でばらつくと
いう間駈点か発生している。
また、従来技術においては、プロセスチューブの外側に
ガス導入管７及び排気配管６が突き出ているため、上記
縦型プロセスチューブは、洗浄を行なう際に横型用プロ
セスチューブのように回転をさせながら、エツチング、
リンス等を行なえなかった。このため、洗浄（エツチン
グ＋リンス）に時間がかかり、取り扱いが難しいという
問題点があった。
ガス導入管７及び排気配管６が突き出ているため、上記
縦型プロセスチューブは、洗浄を行なう際に横型用プロ
セスチューブのように回転をさせながら、エツチング、
リンス等を行なえなかった。このため、洗浄（エツチン
グ＋リンス）に時間がかかり、取り扱いが難しいという
問題点があった。
本発明の目的は前記課題を解決した縦型プロセスチュー
ブの構造を提供することにある。
ブの構造を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体熱処理用
縦型プロセスチューブの構造においては、内部チューブ
と、外部チューブと、配管ホルダとを有する半導体処理
用縦型プロセスチューブの構造であって、 内部チューブは、上部にガス導入用の穴を有するもので
あり、 外部チューブは、内部チューブの外周側に設置されたも
のであり、 内部チューブの外壁又は、外部チューブの内壁には、熱
交換板を有しており、 配管ホルダは、内部チューブと外部チューブとを内外２
重構造に支持するもので、ガス導入用配管および排気用
配管を備えたものである。
縦型プロセスチューブの構造においては、内部チューブ
と、外部チューブと、配管ホルダとを有する半導体処理
用縦型プロセスチューブの構造であって、 内部チューブは、上部にガス導入用の穴を有するもので
あり、 外部チューブは、内部チューブの外周側に設置されたも
のであり、 内部チューブの外壁又は、外部チューブの内壁には、熱
交換板を有しており、 配管ホルダは、内部チューブと外部チューブとを内外２
重構造に支持するもので、ガス導入用配管および排気用
配管を備えたものである。
内外２重構造の内部チューブと外部チューブとを配管ホ
ルダに支持させ、かつチューブに熱交換板を備えた構造
となっている。
ルダに支持させ、かつチューブに熱交換板を備えた構造
となっている。
内部チューブに熱交換されたガスを導入し、また、配管
ホルダから内外チューブを取り外して洗浄を行なう。
ホルダから内外チューブを取り外して洗浄を行なう。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は、本発明の実施例１を示す縦断面図、第
１図（ｂ）は、同横断面図である。
１図（ｂ）は、同横断面図である。
図において、内部チューブ１は、上部にガス導入用の穴
３を有しており、外部チューブ２は、内部チューブ１よ
り大径であり、内部チューブ１と外部チューブ２は内外
２ｇ構造に組合されて配管ホルダ５に支持されている。
３を有しており、外部チューブ２は、内部チューブ１よ
り大径であり、内部チューブ１と外部チューブ２は内外
２ｇ構造に組合されて配管ホルダ５に支持されている。
また、配管ホルダ５はガス導入管７と排気配管６とを有
している。さらに、外部チューブ２は、その内周側に熱
交換板４を有している。
している。さらに、外部チューブ２は、その内周側に熱
交換板４を有している。
チューブ１．２間のすき間か、配管の役目を果たし、ガ
ス導入管７から入ったガスは、内部チューブ１の外壁及
び外部チューブ２の内壁及び熱交換板４から一様に熱を
奪い、半導体基板の熱処理温度に十分達してから穴３を
通って、内部チューブｌ内の半導体基板に供給される。
ス導入管７から入ったガスは、内部チューブ１の外壁及
び外部チューブ２の内壁及び熱交換板４から一様に熱を
奪い、半導体基板の熱処理温度に十分達してから穴３を
通って、内部チューブｌ内の半導体基板に供給される。
反応ガスは排気配管６を通って外へ排気される。
内部チューブ１及び外部チューブ２は、自重で配管ホル
ダ５の中に入っている。チューブ１．２と配管ホルダ５
の間には、すき間があるが、ガス導入管７のガス圧を常
圧より高くすることで半導体基板に清浄なガスを供給で
きる。
ダ５の中に入っている。チューブ１．２と配管ホルダ５
の間には、すき間があるが、ガス導入管７のガス圧を常
圧より高くすることで半導体基板に清浄なガスを供給で
きる。
（実施例２）
第４図は、本発明の実施例２を示す縦断面図である。
実線例１においては、外部チューブ２の内壁に熱交換板
４を有しているが、本実施例では内部チューブ１の外壁
にら取付けている。さらに、配管ホルダ５に不活性ガス
導入部９を形成することにより、半導体基板が内部チュ
ーブ１に入炉する際の空気巻き込みによる火炉中の酸化
も低減できるという利点がある。
４を有しているが、本実施例では内部チューブ１の外壁
にら取付けている。さらに、配管ホルダ５に不活性ガス
導入部９を形成することにより、半導体基板が内部チュ
ーブ１に入炉する際の空気巻き込みによる火炉中の酸化
も低減できるという利点がある。
第３図は、従来く○印）及び本発明（・印）の縦型プロ
セスチューブ（内径２００ＩＷｆＩ）を用いて９５０°
Ｃで、水泉気酸化した時の半導体基板直径方向の膜厚分
布を示すグラフである７従来技術においては、ガス導入
管近くの膜厚が極端に薄くなっているか、本発明により
改善されていることが分かる。
セスチューブ（内径２００ＩＷｆＩ）を用いて９５０°
Ｃで、水泉気酸化した時の半導体基板直径方向の膜厚分
布を示すグラフである７従来技術においては、ガス導入
管近くの膜厚が極端に薄くなっているか、本発明により
改善されていることが分かる。
以上説明したように本発明は、ガス導入管から入った冷
たいガスが内部チューブの外壁に沿って流れ、熱交換板
により効率的にガス温度を上げているので、従来より流
すガスの量を増やすことができる。また、内部チューブ
■内の動径方向の温度分布は同じ円状となり、半導体基
板は面内内熱処理量及び酸化膜厚等が従来縦型プロセス
チューブより均一になる。
たいガスが内部チューブの外壁に沿って流れ、熱交換板
により効率的にガス温度を上げているので、従来より流
すガスの量を増やすことができる。また、内部チューブ
■内の動径方向の温度分布は同じ円状となり、半導体基
板は面内内熱処理量及び酸化膜厚等が従来縦型プロセス
チューブより均一になる。
さらに本発明の縦型プロセスチューブにおいては、配管
ホルダかチューブと切り離し可能であり、回転をさせな
がら、エツチング、リンスが可能となり、洗浄（エツチ
ング士リンス）を容易に行うことができるという効果か
ある。
ホルダかチューブと切り離し可能であり、回転をさせな
がら、エツチング、リンスが可能となり、洗浄（エツチ
ング士リンス）を容易に行うことができるという効果か
ある。
第１図ｆａ）は、本発明の実施例１を示す縦断面図、第
１図（ｂ）は、上部からみたときの横断面図、第２図ｆ
ａ）は、従来例を示す縦断面図、第２図（ｂ）は、同横
断面図、第３図は、膜厚分布を示す図、第４図は、本発
明の実施例２を示す縦断面図である。 １・・・内部チューブ ２・・・外部チューブ３・
・・穴 ４・・・熱交換板５・・・配管
ホルタ ６・・・排気配管７・・・ガス導入管 第１図 （ｂ） 第１図 ｒ。 第４図
１図（ｂ）は、上部からみたときの横断面図、第２図ｆ
ａ）は、従来例を示す縦断面図、第２図（ｂ）は、同横
断面図、第３図は、膜厚分布を示す図、第４図は、本発
明の実施例２を示す縦断面図である。 １・・・内部チューブ ２・・・外部チューブ３・
・・穴 ４・・・熱交換板５・・・配管
ホルタ ６・・・排気配管７・・・ガス導入管 第１図 （ｂ） 第１図 ｒ。 第４図
Claims (1)
- （１）内部チューブと、外部チューブと、配管ホルダと
を有する半導体処理用縦型プロセスチューブの構造であ
って、 内部チューブは、上部にガス導入用の穴を有するもので
あり、 外部チューブは、内部チューブの外周側に設置されたも
のであり、 内部チューブの外壁又は、外部チューブの内壁には、熱
交換板を有しており、 配管ホルダは、内部チューブと外部チューブとを内外２
重構造に支持するもので、ガス導入用配管および排気用
配管を備えたものであることを特徴とする半導体熱処理
用縦型プロセスチューブの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02324819A JP3077195B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体熱処理用縦型プロセスチューブの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02324819A JP3077195B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体熱処理用縦型プロセスチューブの構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192519A true JPH04192519A (ja) | 1992-07-10 |
| JP3077195B2 JP3077195B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18170028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02324819A Expired - Lifetime JP3077195B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体熱処理用縦型プロセスチューブの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077195B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5782980A (en) * | 1996-05-14 | 1998-07-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem |
| KR100559198B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2006-03-10 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자 |
| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| JP2012156510A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Asm Internatl Nv | 熱処理炉およびそのライナー |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP02324819A patent/JP3077195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5782980A (en) * | 1996-05-14 | 1998-07-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem |
| KR100559198B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2006-03-10 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자 |
| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| JP2012156510A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Asm Internatl Nv | 熱処理炉およびそのライナー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3077195B2 (ja) | 2000-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08264521A (ja) | 半導体製造用反応炉 | |
| US7528347B2 (en) | Cooling device and heat treating device using the same | |
| JPWO2001003169A1 (ja) | 半導体製造設備、半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JPS63102225A (ja) | 縦形半導体熱処理装置のウエ−ハボ−ト | |
| JP3173697B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3077195B2 (ja) | 半導体熱処理用縦型プロセスチューブの構造 | |
| US20010051214A1 (en) | Apparatus and method for vapor deposition | |
| TW200837323A (en) | Heat exchanger and longitudinal-type thermal-processing device | |
| JPS6222526B2 (ja) | ||
| CN114835114A (zh) | 石墨部件净化炉 | |
| JPS61227169A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP2668019B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3420465B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2658947B2 (ja) | 縦型拡散炉 | |
| CN217972610U (zh) | 石墨部件净化炉 | |
| JPH09298164A (ja) | ウェーハ保持用ボート | |
| JPH08130190A (ja) | ウエハ縦置き型縦型炉 | |
| JPS62128524A (ja) | 多重構造の反応管を持つ縦型半導体熱処理装置 | |
| JPH09260363A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2992576B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3029953B2 (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
| JPH0714782A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2912248B2 (ja) | 横型ベーク炉装置 | |
| JPS63278226A (ja) | 基板の縦型熱処理装置 | |
| JP3076369B2 (ja) | 熱処理装置 |