JPH04194738A - ヘイズと連続異物群の判別方法 - Google Patents
ヘイズと連続異物群の判別方法Info
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- JPH04194738A JPH04194738A JP2326504A JP32650490A JPH04194738A JP H04194738 A JPH04194738 A JP H04194738A JP 2326504 A JP2326504 A JP 2326504A JP 32650490 A JP32650490 A JP 32650490A JP H04194738 A JPH04194738 A JP H04194738A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ウェハなどに対する異物検査装置における
ヘイズ（曇り）と異物の連続した異物群の判別方法に関
するものである。
ヘイズ（曇り）と異物の連続した異物群の判別方法に関
するものである。
［従来の技術］
半導体ＩＣの素材のシリコンなどのウェハは、その表面
に異物などが付着すると製品の品質が低下するの！、表
面が研磨された鏡面の段階で異物検査装置により検査さ
れる。ただし鏡面には異物のほか、ヘイズとよばれる曇
り（またはもや）がやや広い範囲に付着しており、ヘイ
ズは配線パターンの形成に有害であるので同時に検査さ
れる。
に異物などが付着すると製品の品質が低下するの！、表
面が研磨された鏡面の段階で異物検査装置により検査さ
れる。ただし鏡面には異物のほか、ヘイズとよばれる曇
り（またはもや）がやや広い範囲に付着しており、ヘイ
ズは配線パターンの形成に有害であるので同時に検査さ
れる。
第４図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）により、異物とヘイズに
対する検査装置の概念と、検査方法の概要を説明する。
対する検査装置の概念と、検査方法の概要を説明する。
図（ａ）において、ウェハ１の表面には異物ｐ１’＋
ｐ２が孤立して付着し、またヘイズｂ１．−ｈ２がある
範囲に４分布して付着している。ただし、異物ｐ２はヘ
イズｈ２の範囲内に存在する。また、ヘイズｈｌ＋
ｔｌｚの濃度は位置により変化して、いわば濃度分布し
ている。図（ｂ）において、ウェハ１の表面に対して検
出光学系２の光源２ａよりレーザビームを投射して走査
し、異物またはヘイズによる散乱光を集光レンズ２ｂに
より集光して光電変換器２Ｃに受光する。なお、異物ま
たはヘイズが存在しない鏡面では、レーザビームは正反
射して光電変換器２ｃに受光されないように構成されて
いる。光電変換器２Ｃの出力は信号処理部３のアンプ３
ａにより適当なレベルに増幅され、図（ａ）の異物ｐｔ
ｔ Ｉ）２およびヘイズｈｔ ｙ ｈ２に対応して図
（ｅ）の上欄に示す受光信号ｖｒがえられる。受光信号
ｖｒはコンパレータ３ｂの子端子に入力するとともに、
ローパスフィルタ３ｃに入力して高周波数成分がカット
され、低周波数成分がコンパレータ３ｂの一端子に加え
られる。ヘイズｈｔ 、 ｈ２に対する信号（ｈｔ
）、 （ｈ２）は変化が緩慢であるのでローパスフィ
ルタ３Ｃを通過し、ヘイズの濃淡に対応した波高値のヘ
イズ信号ｖｈｌ、ｖｈ２が出力端子３ｄ−２より出力さ
れる。一方、異物ｐｌ、ｐ２に対する時間幅が短いパル
ス（ｐｓ ）、 （１）２）信号は、そのままコンパ
レータ３ｂを通して異物の大きさに対応した波高値の異
物信号ｖＰ１．ｖＰ２が出力される。
ｐ２が孤立して付着し、またヘイズｂ１．−ｈ２がある
範囲に４分布して付着している。ただし、異物ｐ２はヘ
イズｈ２の範囲内に存在する。また、ヘイズｈｌ＋
ｔｌｚの濃度は位置により変化して、いわば濃度分布し
ている。図（ｂ）において、ウェハ１の表面に対して検
出光学系２の光源２ａよりレーザビームを投射して走査
し、異物またはヘイズによる散乱光を集光レンズ２ｂに
より集光して光電変換器２Ｃに受光する。なお、異物ま
たはヘイズが存在しない鏡面では、レーザビームは正反
射して光電変換器２ｃに受光されないように構成されて
いる。光電変換器２Ｃの出力は信号処理部３のアンプ３
ａにより適当なレベルに増幅され、図（ａ）の異物ｐｔ
ｔ Ｉ）２およびヘイズｈｔ ｙ ｈ２に対応して図
（ｅ）の上欄に示す受光信号ｖｒがえられる。受光信号
ｖｒはコンパレータ３ｂの子端子に入力するとともに、
ローパスフィルタ３ｃに入力して高周波数成分がカット
され、低周波数成分がコンパレータ３ｂの一端子に加え
られる。ヘイズｈｔ 、 ｈ２に対する信号（ｈｔ
）、 （ｈ２）は変化が緩慢であるのでローパスフィ
ルタ３Ｃを通過し、ヘイズの濃淡に対応した波高値のヘ
イズ信号ｖｈｌ、ｖｈ２が出力端子３ｄ−２より出力さ
れる。一方、異物ｐｌ、ｐ２に対する時間幅が短いパル
ス（ｐｓ ）、 （１）２）信号は、そのままコンパ
レータ３ｂを通して異物の大きさに対応した波高値の異
物信号ｖＰ１．ｖＰ２が出力される。
ナオ、ローパスフィルタ３Ｃの出力カコンハレータ３ｂ
の比較電圧とされているので、ヘイズｈ２の高さを差し
引いた異物信号ｖＰ２がえられる。
の比較電圧とされているので、ヘイズｈ２の高さを差し
引いた異物信号ｖＰ２がえられる。
［解決しようとする課題］
以上における異物１）ｔ ｔ ｐ２は孤立したものであ
るが、これが連続して異物群となる場合がある。
るが、これが連続して異物群となる場合がある。
このような連続異物群は上記の検査方法では検出するこ
とが困難である。以下図により説明する。
とが困難である。以下図により説明する。
第５図（ａ）は、ヘイズのない鏡面に互いに接触、また
は近接して付着した複数ｎ個の異物ｐ１ ’＝ｐｎより
なる連続異物群を示す。これに対する受光信号ｖｒは、
図（ｂ）のように個々の異物に対する受光信号が重なり
合って波高値が僅かに変動し、異物群の長さだけ継続す
る波形となる。このような受光信号ｖｒに対する異物信
号ｖＰは図（ｅ）に示すように波高値が微小なためＳ／
Ｎ比が悪くて検出が困難である。一方、受光信号ｖｒは
ローパスフィルタ３ｃにより高周波数成分がカットされ
、これが恰もヘイズ信号ｖｈ’として出力される。
は近接して付着した複数ｎ個の異物ｐ１ ’＝ｐｎより
なる連続異物群を示す。これに対する受光信号ｖｒは、
図（ｂ）のように個々の異物に対する受光信号が重なり
合って波高値が僅かに変動し、異物群の長さだけ継続す
る波形となる。このような受光信号ｖｒに対する異物信
号ｖＰは図（ｅ）に示すように波高値が微小なためＳ／
Ｎ比が悪くて検出が困難である。一方、受光信号ｖｒは
ローパスフィルタ３ｃにより高周波数成分がカットされ
、これが恰もヘイズ信号ｖｈ’として出力される。
図（ｄ）〜（ｆ）は、異物群ｐ１−１）ｎが、ヘイズｈ
の上に乗っている場合で、異物信号ｖＰは微弱で検出さ
れず、正しいヘイズ信号ｖｈの上に誤ったヘイズ信号ｖ
ｈ’が重畳して出力される。以上により、いずれの場合
も連続異物群はヘイズとして誤検出される。なお、異物
がある距離以上離れているときは、上記した孤立異物と
して検出されることは勿論である。
の上に乗っている場合で、異物信号ｖＰは微弱で検出さ
れず、正しいヘイズ信号ｖｈの上に誤ったヘイズ信号ｖ
ｈ’が重畳して出力される。以上により、いずれの場合
も連続異物群はヘイズとして誤検出される。なお、異物
がある距離以上離れているときは、上記した孤立異物と
して検出されることは勿論である。
さて、前記したように比較的広い範囲に分布しているヘ
イズに対して、連続異物群の長さは実際問題として非常
に短い。また、たとえ異物群が長い場合でも、途中で切
れ目があっていくつかの短い連続異物群に分かれている
場合が殆どである。
イズに対して、連続異物群の長さは実際問題として非常
に短い。また、たとえ異物群が長い場合でも、途中で切
れ目があっていくつかの短い連続異物群に分かれている
場合が殆どである。
そこで、誤検出されたヘイズ信号ｖｈ’は長さがある程
度短く、かつ波高値が本来のヘイズ信号Ｖｈより大きい
ことに着眼して両者を判別することが可能と考えられる
。
度短く、かつ波高値が本来のヘイズ信号Ｖｈより大きい
ことに着眼して両者を判別することが可能と考えられる
。
この発明は以上の考え方により、異物検査装置において
ヘイズと連続異物群を判別する方法を提供することを目
的とするものである。
ヘイズと連続異物群を判別する方法を提供することを目
的とするものである。
［課題を解決するための手段］
この発明は、被検査のウェハの表面に対してレーザビー
ムを投射し、表面に付着した異物またはヘイズによる散
乱光を光電変換器により受光し、その受光信号ｖｒをコ
ンパレータの子端子およびローパスフィルタにそれぞれ
入力し、ローパスフィルタにより受光信号ｖｒに含まれ
る高周波数成分をカットしてコンパレータの一端子に入
力し、コンパレータの出力信号を異物に対する異物信号
ｖＰとし、ローパスフィルタの出力信号をヘイズに対す
るヘイズ信号ｖｈとする異物検査装置におけるヘイズと
連続異物群の判別方法であって、ヘイズ信号ｖｈを微小
な間隔Δｌでサンプリングしてデジタルのヘイズ信号［
ｖｈｌに変換する。マイクロプロセッサの処理により、
ウェハの表面を方形に区分した単位セルＳ内におけるヘ
イズ信号［ｖｈｌの平均値［ｖｈｌ−をそれぞれ計算す
る。各単位セルＳ内におけるヘイズ信号［ｖｈｌのうち
の平均値［ｖｈココ−り突出した突出信号［：ＶＯ３を
検出し、その連続する個数Ｎをカウントする。個数Ｎが
基準値Ｍより小さいとき、このＮ個の突出信号［ＶＯ３
を異物が連続した連続異物群に対する異物信号［：ｖ、
ｐ’］と判別するものである。
ムを投射し、表面に付着した異物またはヘイズによる散
乱光を光電変換器により受光し、その受光信号ｖｒをコ
ンパレータの子端子およびローパスフィルタにそれぞれ
入力し、ローパスフィルタにより受光信号ｖｒに含まれ
る高周波数成分をカットしてコンパレータの一端子に入
力し、コンパレータの出力信号を異物に対する異物信号
ｖＰとし、ローパスフィルタの出力信号をヘイズに対す
るヘイズ信号ｖｈとする異物検査装置におけるヘイズと
連続異物群の判別方法であって、ヘイズ信号ｖｈを微小
な間隔Δｌでサンプリングしてデジタルのヘイズ信号［
ｖｈｌに変換する。マイクロプロセッサの処理により、
ウェハの表面を方形に区分した単位セルＳ内におけるヘ
イズ信号［ｖｈｌの平均値［ｖｈｌ−をそれぞれ計算す
る。各単位セルＳ内におけるヘイズ信号［ｖｈｌのうち
の平均値［ｖｈココ−り突出した突出信号［：ＶＯ３を
検出し、その連続する個数Ｎをカウントする。個数Ｎが
基準値Ｍより小さいとき、このＮ個の突出信号［ＶＯ３
を異物が連続した連続異物群に対する異物信号［：ｖ、
ｐ’］と判別するものである。
［作用コ
以上の判別方法においては、ヘイズ信号ｖｈは微小な間
隔Δヌでサンプリング−デジタル化されてヘイズ信号［
ｖｈｌに変換され、マイクワプロセッサの処理により各
単位領域Ｓ内におけるその平均値［ｖ ｈ１ｗ＋が計算
される。各単位領域Ｓについて、ヘイズ信号［ｖ、ｈ］
のうちの平均値［ｖｈｌより突出している突出信号［Ｖ
Ｏ３を検出して、その連続個数Ｎをカウントし、これが
基準値Ｍより小さいとき、このＮ個の突出信号［Ｖｔｌ
］は連続異物群に対する異物信号［ｖｐ ’ ］と判別
される。以上において、方形の単位領域Ｓを設定し、単
位セルＳ内における平均値［ｖｈコに対してヘイズ信号
［ｖｈｌを比較して突出信号［Ｖｔｌ］を検出する理由
は、ヘイズの濃淡が場所的に大幅に変化し、これに対応
してヘイズ信号［ｖｈｌも太き（変動するので、両者の
比較が困難であるからであり、これに対して単位領域Ｓ
をヘイズの濃淡変化が比較的小さい範囲に設定し、その
範囲の平均値［ｖ ｈ］ｍをとることにより突出信号［
ＶＯ３を確実に検出するもので、従ってヘイズの濃淡分
布と、連続異物群の最大の長さを勘案して単位領域の方
形の一辺、および基準値Ｍを定めることが必要である。
隔Δヌでサンプリング−デジタル化されてヘイズ信号［
ｖｈｌに変換され、マイクワプロセッサの処理により各
単位領域Ｓ内におけるその平均値［ｖ ｈ１ｗ＋が計算
される。各単位領域Ｓについて、ヘイズ信号［ｖ、ｈ］
のうちの平均値［ｖｈｌより突出している突出信号［Ｖ
Ｏ３を検出して、その連続個数Ｎをカウントし、これが
基準値Ｍより小さいとき、このＮ個の突出信号［Ｖｔｌ
］は連続異物群に対する異物信号［ｖｐ ’ ］と判別
される。以上において、方形の単位領域Ｓを設定し、単
位セルＳ内における平均値［ｖｈコに対してヘイズ信号
［ｖｈｌを比較して突出信号［Ｖｔｌ］を検出する理由
は、ヘイズの濃淡が場所的に大幅に変化し、これに対応
してヘイズ信号［ｖｈｌも太き（変動するので、両者の
比較が困難であるからであり、これに対して単位領域Ｓ
をヘイズの濃淡変化が比較的小さい範囲に設定し、その
範囲の平均値［ｖ ｈ］ｍをとることにより突出信号［
ＶＯ３を確実に検出するもので、従ってヘイズの濃淡分
布と、連続異物群の最大の長さを勘案して単位領域の方
形の一辺、および基準値Ｍを定めることが必要である。
この場合、方形の一辺は基準値Ｍより十分太き（設定す
ることが必要条件で、さもないと平均値［ｖ ｈ］ｍに
異物群の波高値が影響するからである。
ることが必要条件で、さもないと平均値［ｖ ｈ］ｍに
異物群の波高値が影響するからである。
［実施例］
第１図は、この発明によるヘイズと連続異物群の判別方
法の実施例における概略のブロック構成図を示す。検出
光学系２は第４図（ｂ）に示した従来の構成と同一で説
明を省略する。信号処理部３のアンプ３ａより出力され
る受光信号ｖｒはコンパレータ３ｂの子端子に入力し、
その出力の異物信号ｖｐはサンプリング・デジタル化回
路（ＳＰ・Ａ／Ｄ）３ａ−ｔによりサンプリング・デジ
タル化されて異物信号［ｖｐ］に変換され、インタフェ
ース（Ｉ／Ｆ）３ｆを経てマイクロプロセッサ（ＭＰＵ
）３ｒに取り込まれ、座標値を付加してメモリ（ＭＥＭ
）３ｂに記憶される。一方、ロー！寸スフィルタ（ＬＦ
）３ｃに入力した受光信号ｖｒは、その高周波数成分が
カットされてＳＰ・Ａ／Ｄ ３ ｄ−２によりデジタル
のヘイズ信号［ｖｈｌに変換され、Ｉ／Ｆ３ｅを経てＭ
ＰＵ３ｒに取り込まれ、座標値を付加してＭＥＭ３ｇに
記憶される。
法の実施例における概略のブロック構成図を示す。検出
光学系２は第４図（ｂ）に示した従来の構成と同一で説
明を省略する。信号処理部３のアンプ３ａより出力され
る受光信号ｖｒはコンパレータ３ｂの子端子に入力し、
その出力の異物信号ｖｐはサンプリング・デジタル化回
路（ＳＰ・Ａ／Ｄ）３ａ−ｔによりサンプリング・デジ
タル化されて異物信号［ｖｐ］に変換され、インタフェ
ース（Ｉ／Ｆ）３ｆを経てマイクロプロセッサ（ＭＰＵ
）３ｒに取り込まれ、座標値を付加してメモリ（ＭＥＭ
）３ｂに記憶される。一方、ロー！寸スフィルタ（ＬＦ
）３ｃに入力した受光信号ｖｒは、その高周波数成分が
カットされてＳＰ・Ａ／Ｄ ３ ｄ−２によりデジタル
のヘイズ信号［ｖｈｌに変換され、Ｉ／Ｆ３ｅを経てＭ
ＰＵ３ｒに取り込まれ、座標値を付加してＭＥＭ３ｇに
記憶される。
第２図（ａ）〜（ｄ）により、ウェハに設定される単位
領域Ｓと、第１図の各部の動作を説明する。
領域Ｓと、第１図の各部の動作を説明する。
図（ａ）において、ウェハ１のオリエンティション・フ
ラットＯＦをＸ軸とし、これに直角なｙ軸によりｘｙ座
標系が設定され、Ｘ方向に検出光学系２のレーザビーム
を掃引し、間隔Δｌ′で表面が走査される。前記したヘ
イズの濃淡分布と連続異物群の最大の長さを勘案して、
ウェハ１の表面に２辺の長さがＬｘ、Ｌｙの方形の単位
領域Ｓがマトリックスに設定される。図（ｂ）は１個の
単位領域Ｓと走査線を示す。各走査線に対するヘイズ信
号ｖｈがΔｌの間隔でサンプリング・デジタル化され、
図（Ｃ）および（ｄ）に示すヘイズ信号［ｖｈｌがＭＥ
Ｍ３ｇに記憶される。図（ｃ）は単位領域Ｓ内にヘイズ
ｈのみが付着した場合を示し、各ヘイズ信号［ｖｈｌは
ヘイズｈの濃淡に従って緩慢に変化しており、ＭＰＵ３
ｆによりそれらの平均値［Ｖｈ］ａ＋が計算されてＭＥ
Ｍ３ｇに記憶される。この場合は、平均値［ｖ ｈｌ＋
＊に対する各ヘイズ信号［ｖｈｌの偏差は小さいので、
異物群がないものと判別される。これに対して図（ｄ）
は、平均値［ｖｔ＋］層より大きく突出した突出信号［
Ｖ旧がある場合で、これを検出してその連続した個数Ｎ
をカウントし、個数Ｎが基準値Ｍより小さいときは、こ
れを連続異物群に対する異物信号［ｖｐ ’ ］と判別
する。異物信号［ｖｐ ’ ］は、前記した孤立異物に
対する異物信号Ｃｖｐ］と併合して編集され、プリンタ
（ＰＲＴ）３ｈに出力される。ただし、個数Ｎが基準値
Ｍより大きいときは必ずしも連続異物群とはみなされず
、ヘイズの濃度がその部分で急激に変化している場合が
あり、疑異物信号［ｖｐ＃］として出力される。なお、
ヘイズ信号［Ｖｈ］は連続異物群の有無にかかわらず、
その平均値［ｖ ｈ］ｍのデータがＰＲＴ３ｈに出力さ
れる。
ラットＯＦをＸ軸とし、これに直角なｙ軸によりｘｙ座
標系が設定され、Ｘ方向に検出光学系２のレーザビーム
を掃引し、間隔Δｌ′で表面が走査される。前記したヘ
イズの濃淡分布と連続異物群の最大の長さを勘案して、
ウェハ１の表面に２辺の長さがＬｘ、Ｌｙの方形の単位
領域Ｓがマトリックスに設定される。図（ｂ）は１個の
単位領域Ｓと走査線を示す。各走査線に対するヘイズ信
号ｖｈがΔｌの間隔でサンプリング・デジタル化され、
図（Ｃ）および（ｄ）に示すヘイズ信号［ｖｈｌがＭＥ
Ｍ３ｇに記憶される。図（ｃ）は単位領域Ｓ内にヘイズ
ｈのみが付着した場合を示し、各ヘイズ信号［ｖｈｌは
ヘイズｈの濃淡に従って緩慢に変化しており、ＭＰＵ３
ｆによりそれらの平均値［Ｖｈ］ａ＋が計算されてＭＥ
Ｍ３ｇに記憶される。この場合は、平均値［ｖ ｈｌ＋
＊に対する各ヘイズ信号［ｖｈｌの偏差は小さいので、
異物群がないものと判別される。これに対して図（ｄ）
は、平均値［ｖｔ＋］層より大きく突出した突出信号［
Ｖ旧がある場合で、これを検出してその連続した個数Ｎ
をカウントし、個数Ｎが基準値Ｍより小さいときは、こ
れを連続異物群に対する異物信号［ｖｐ ’ ］と判別
する。異物信号［ｖｐ ’ ］は、前記した孤立異物に
対する異物信号Ｃｖｐ］と併合して編集され、プリンタ
（ＰＲＴ）３ｈに出力される。ただし、個数Ｎが基準値
Ｍより大きいときは必ずしも連続異物群とはみなされず
、ヘイズの濃度がその部分で急激に変化している場合が
あり、疑異物信号［ｖｐ＃］として出力される。なお、
ヘイズ信号［Ｖｈ］は連続異物群の有無にかかわらず、
その平均値［ｖ ｈ］ｍのデータがＰＲＴ３ｈに出力さ
れる。
第３図は上記の連続異物群の判別方法に対する処理手順
を示すフローチャートで、まず、ウェハ１の表面がレー
ザビームにより走査され、えられた異物信号［ｖＰ］と
ヘイズ信号［ｖｈコのデータがそれらの座標値を付加し
てＭＥＭ３ｇに収録され■、各単位領域Ｓ内における［
ｖｈｌの平均値［Ｖｈ］ｍａが計算される■。ついで、
各単位領域Ｓ内の［ｖｈｌのうちの、［ｖｈｌｓｒを突
出する突出信号［ＶＯ３を検出し■、連続する［Ｖ１１
］の個数Ｎをカウントする■。個数Ｎが基準値Ｍより小
さいときは（■のｙｅｓ）、Ｎ個の突出信号［ＶＯ３が
連続異物群に対する異物信号［ｖｐ ’ ３と判別され
てＭＥＭに記憶され■、また個数Ｎが基準値Ｍ以上のと
きは（■のｎＯ）、疑異物信号［ｖｐ″コと判別されて
記憶される■。以上の各異物信号［ｖｐ］。
を示すフローチャートで、まず、ウェハ１の表面がレー
ザビームにより走査され、えられた異物信号［ｖＰ］と
ヘイズ信号［ｖｈコのデータがそれらの座標値を付加し
てＭＥＭ３ｇに収録され■、各単位領域Ｓ内における［
ｖｈｌの平均値［Ｖｈ］ｍａが計算される■。ついで、
各単位領域Ｓ内の［ｖｈｌのうちの、［ｖｈｌｓｒを突
出する突出信号［ＶＯ３を検出し■、連続する［Ｖ１１
］の個数Ｎをカウントする■。個数Ｎが基準値Ｍより小
さいときは（■のｙｅｓ）、Ｎ個の突出信号［ＶＯ３が
連続異物群に対する異物信号［ｖｐ ’ ３と判別され
てＭＥＭに記憶され■、また個数Ｎが基準値Ｍ以上のと
きは（■のｎＯ）、疑異物信号［ｖｐ″コと判別されて
記憶される■。以上の各異物信号［ｖｐ］。
［ｖｐ ’ ］および疑異物信号［ｖｐ ” ］のデー
タは、それぞれ編集されて異物データとしてＰＲＴ３ｈ
に出力される■。また、ヘイズ信号の平均値［ｖ ｈ］
ｇｍがヘイズデータとして出力される■。
タは、それぞれ編集されて異物データとしてＰＲＴ３ｈ
に出力される■。また、ヘイズ信号の平均値［ｖ ｈ］
ｇｍがヘイズデータとして出力される■。
以上の実施例においては、レーザビームの走査方式をｘ
ｙ定走査したが、回転走査方式の場合は、各サンプリン
グデータは（Ｒ，θ）座標により表示されてＭＥＭ３ｇ
に収録されるので、これをＸｙ座標系に変換して上記の
処理を行う。座標変換は通常の技術により容易に行うこ
とができるので詳細な説明は省略する。
ｙ定走査したが、回転走査方式の場合は、各サンプリン
グデータは（Ｒ，θ）座標により表示されてＭＥＭ３ｇ
に収録されるので、これをＸｙ座標系に変換して上記の
処理を行う。座標変換は通常の技術により容易に行うこ
とができるので詳細な説明は省略する。
［発明の効果］
以−Ｆの説明により明らかなように、この発明によるヘ
イズと連続異物群の判別方法においては、ウェハの表面
をヘイズの濃淡変化が比較的小さい単位領域Ｓに区分し
、各単位領域Ｓ内におけるヘイズ信号［ｖｈｌの平均値
［ｖｈｌｗが計算され、平均値［ｖｈコより突出してい
る突出信号［ＶＯ３を検出し、その連続個数Ｎが基準値
Ｍより小さいとき、これを連続異物群に対する異物信号
［ｖｐ ’ ］と判別するもので、従来ヘイズと誤判定
されていた連続異物群が正しく判別され、異物検査の信
頼性の向上に寄与する効果には大きいものがある。
イズと連続異物群の判別方法においては、ウェハの表面
をヘイズの濃淡変化が比較的小さい単位領域Ｓに区分し
、各単位領域Ｓ内におけるヘイズ信号［ｖｈｌの平均値
［ｖｈｌｗが計算され、平均値［ｖｈコより突出してい
る突出信号［ＶＯ３を検出し、その連続個数Ｎが基準値
Ｍより小さいとき、これを連続異物群に対する異物信号
［ｖｐ ’ ］と判別するもので、従来ヘイズと誤判定
されていた連続異物群が正しく判別され、異物検査の信
頼性の向上に寄与する効果には大きいものがある。
第１図は、この発明によるヘイズと連続異物群の判別方
法の実施例に対する概略ブロック構成図、第２図（ａ
） 、 （ｂ ） 、 （ｃ ）および（ｄ）は、ウェ
ハに設定される単位領域Ｓと、第１図の各部の動作説明
図、第３図は連続異物群の判別の方法の手順を示すフロ
ーチャート、第４図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、ウ
ェハに付着した異物とヘイズに対する検査装置の構成図
、および検査方法の概念の説明図、第５図（ａ）、（ｂ
）、（ｃ） 、（ｄ）、（ｅ）および（ｆ）は、連続異
物群の信号波形と、連続異物群がヘイズと誤判定される
理由の説明図である。 １・・・ウェハ、 ２・・・検出光学系、２
ａ・・・光源、 ２ｂ・・・集光レンズ、２ｃ
・・・光電変換器、 ３・・・信号処理部、３ａ・・
・アンプ、 ３ｂ・・・コンパレータ、３Ｃ・
・・ローパスフィルタ（ＬＦ）、３ｄ−１，３ｄ−２・
・・サンプリング・デジタル化回路（ＳＰ＠Ａ／Ｄ）、 ３ｅ・・・インタフェース（Ｉ／Ｆ）、３ｆ・・・マイ
クロプロセッサ（ＭＥＭ）、３ｇ・・・メモリ （ＭＥ
Ｍ）、 ３ｈ・・・プリンタ（ＰＲＴ）、 ■〜■・・・フローチャートのステップ番号。
法の実施例に対する概略ブロック構成図、第２図（ａ
） 、 （ｂ ） 、 （ｃ ）および（ｄ）は、ウェ
ハに設定される単位領域Ｓと、第１図の各部の動作説明
図、第３図は連続異物群の判別の方法の手順を示すフロ
ーチャート、第４図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、ウ
ェハに付着した異物とヘイズに対する検査装置の構成図
、および検査方法の概念の説明図、第５図（ａ）、（ｂ
）、（ｃ） 、（ｄ）、（ｅ）および（ｆ）は、連続異
物群の信号波形と、連続異物群がヘイズと誤判定される
理由の説明図である。 １・・・ウェハ、 ２・・・検出光学系、２
ａ・・・光源、 ２ｂ・・・集光レンズ、２ｃ
・・・光電変換器、 ３・・・信号処理部、３ａ・・
・アンプ、 ３ｂ・・・コンパレータ、３Ｃ・
・・ローパスフィルタ（ＬＦ）、３ｄ−１，３ｄ−２・
・・サンプリング・デジタル化回路（ＳＰ＠Ａ／Ｄ）、 ３ｅ・・・インタフェース（Ｉ／Ｆ）、３ｆ・・・マイ
クロプロセッサ（ＭＥＭ）、３ｇ・・・メモリ （ＭＥ
Ｍ）、 ３ｈ・・・プリンタ（ＰＲＴ）、 ■〜■・・・フローチャートのステップ番号。
Claims (1)
- （１）被検査のウェハの表面に対してレーザビームを投
射し、該表面に付着した異物またはヘイズによる散乱光
を光電変換器により受光し、該光電変換器の受光信号ｖ
ｒをコンパレータの＋端子およびローパスフィルタにそ
れぞれ入力し、該ローパスフィルタにより該受光信号ｖ
ｒに含まれる高周波数成分をカットして前記コンパレー
タの一端子に入力し、前記コンパレータの出力信号を前
記異物に対する異物信号ｖＰとし、前記ローパスフィル
タの出力信号を前記ヘイズに対するヘイズ信号ｖｈとす
る異物検査装置において、前記ヘイズ信号ｖｈを微小な
間隔Δｌでサンプリングしてデジタルのヘイズ信号［ｖ
ｈ］に変換し、マイクロプロセッサの処理により、前記
ウェハの表面を方形に区分した単位領域Ｓ内における該
ヘイズ信号［ｖｈ］の平均値［ｖｈ］ｍをそれぞれ計算
し、各該単位領域内の該ヘイズ信号［ｖｈ］のうち、該
平均値［ｖｈ］ｍより突出した突出信号［ＶＨ］を検出
して連続する個数Ｎをカウントし、該個数Ｎが基準値Ｍ
より小さいとき、該Ｎ個の突出信号［ＶＨ］を前記異物
が連続した連続異物群に対する異物信号［ｖｐ’］と判
別する、ヘイズと連続異物群の判別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326504A JP2571468B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ヘイズと連続異物群の判別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326504A JP2571468B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ヘイズと連続異物群の判別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04194738A true JPH04194738A (ja) | 1992-07-14 |
| JP2571468B2 JP2571468B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=18188572
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2326504A Expired - Fee Related JP2571468B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ヘイズと連続異物群の判別方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571468B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007501944A (ja) * | 2003-05-19 | 2007-02-01 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 対象となる信号およびノイズ間のロバストな分離を可能にする装置および方法 |
| JP2008032600A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 外観検査装置 |
| JP2009133778A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
| WO2012090392A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 計測装置 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2326504A patent/JP2571468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007501944A (ja) * | 2003-05-19 | 2007-02-01 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 対象となる信号およびノイズ間のロバストな分離を可能にする装置および方法 |
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| WO2012090392A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 計測装置 |
| JP5593399B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測装置 |
| US8958076B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-02-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Surface shape measuring apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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