JP2571468B2 - ヘイズと連続異物群の判別方法 - Google Patents
ヘイズと連続異物群の判別方法Info
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- JP2571468B2 JP2571468B2 JP2326504A JP32650490A JP2571468B2 JP 2571468 B2 JP2571468 B2 JP 2571468B2 JP 2326504 A JP2326504 A JP 2326504A JP 32650490 A JP32650490 A JP 32650490A JP 2571468 B2 JP2571468 B2 JP 2571468B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ウエハなどに対する異物検査装置におけ
るヘイズ（曇り）と異物の連続した異物群の判別方法に
関するものである。
るヘイズ（曇り）と異物の連続した異物群の判別方法に
関するものである。
［従来の技術］ 半導体ICの素材のシリコンなどのウエハは、その表面
に異物などが付着すると製品の品質が低下するので、表
面が研磨された鏡面の段階で異物検査装置により検査さ
れる。ただし鏡面には異物のほか、ヘイズとよばれ曇り
（またはもや）がやや広い範囲に付着しており、ヘイズ
は配線パターンの形成に有害であるので同時に検査され
る。
に異物などが付着すると製品の品質が低下するので、表
面が研磨された鏡面の段階で異物検査装置により検査さ
れる。ただし鏡面には異物のほか、ヘイズとよばれ曇り
（またはもや）がやや広い範囲に付着しており、ヘイズ
は配線パターンの形成に有害であるので同時に検査され
る。
第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）により、異物とヘイズ
に対する検査装置の概念と、検査方法の概要を説明す
る。図（ａ）において、ウエハ１の表面には異物p1,p2
が孤立して付着し、またヘイズh1,h2がある範囲に分布
して付着している。ただし、異物p2はヘイズh2の範囲内
に存在する。また、ヘイズh1,h2の濃度は位置により変
化して、いわば濃度分布している。図（ｂ）において、
ウエハ１の表面に対して検出光学系２の光源2aよりレー
ザビームを投射して走査し、異物またはヘイズにより散
乱光を集光レンズ2bにより集光して光電変換器2cに受光
する。なお、異物またはヘイズが存在しない鏡面では、
レーザビームは正反射して光電変換器2cに受光されない
ように構成されている。光電変換器2cの出力は信号処理
部３のアンプ3aにより適当なレベルに増幅され、図
（ａ）の異物p1,p2およびヘイズh1,h2に対応して図
（ｃ）の上欄に示す受光信号ｖrがえられる。受光信号
ｖrはコンパレータ3bの＋端子に入力するとともに、ロ
ーパスフィルタ3cに入力して高周波数成分がカットさ
れ、低周波数成分がコンパレータ3bの−端子に加えられ
る。ヘイズh1,h2に対する信号（h1），（h2）は変化が
緩慢であるのでローパスフィルタ3cを通過し、ヘイズの
濃淡に対応した波高値のヘイズ信号ｖh1,vh２が出力端
子3d−２より出力される。一方、異物p1,p2に対する時
間幅が短いパルス（p1），（p2）信号は、そのままコン
パレータ3bを通して異物の大きさに対応した波高値の異
物信号vP1,vP1が出力される。なお、ローパスフィルタ3
cの出力がコンパレータ3bの比較電圧とされているの
で、ヘイズh2の高さを差し引いた異物信号vP2がえられ
る。
に対する検査装置の概念と、検査方法の概要を説明す
る。図（ａ）において、ウエハ１の表面には異物p1,p2
が孤立して付着し、またヘイズh1,h2がある範囲に分布
して付着している。ただし、異物p2はヘイズh2の範囲内
に存在する。また、ヘイズh1,h2の濃度は位置により変
化して、いわば濃度分布している。図（ｂ）において、
ウエハ１の表面に対して検出光学系２の光源2aよりレー
ザビームを投射して走査し、異物またはヘイズにより散
乱光を集光レンズ2bにより集光して光電変換器2cに受光
する。なお、異物またはヘイズが存在しない鏡面では、
レーザビームは正反射して光電変換器2cに受光されない
ように構成されている。光電変換器2cの出力は信号処理
部３のアンプ3aにより適当なレベルに増幅され、図
（ａ）の異物p1,p2およびヘイズh1,h2に対応して図
（ｃ）の上欄に示す受光信号ｖrがえられる。受光信号
ｖrはコンパレータ3bの＋端子に入力するとともに、ロ
ーパスフィルタ3cに入力して高周波数成分がカットさ
れ、低周波数成分がコンパレータ3bの−端子に加えられ
る。ヘイズh1,h2に対する信号（h1），（h2）は変化が
緩慢であるのでローパスフィルタ3cを通過し、ヘイズの
濃淡に対応した波高値のヘイズ信号ｖh1,vh２が出力端
子3d−２より出力される。一方、異物p1,p2に対する時
間幅が短いパルス（p1），（p2）信号は、そのままコン
パレータ3bを通して異物の大きさに対応した波高値の異
物信号vP1,vP1が出力される。なお、ローパスフィルタ3
cの出力がコンパレータ3bの比較電圧とされているの
で、ヘイズh2の高さを差し引いた異物信号vP2がえられ
る。
［解決しようとする課題］ 以上における異物p1,p2は孤立したものであるが、こ
れが連続して異物群となる場合がある。このような連続
異物群は上記の検査方法では検出することが困難であ
る。以下図により説明する。
れが連続して異物群となる場合がある。このような連続
異物群は上記の検査方法では検出することが困難であ
る。以下図により説明する。
第５図（ａ）は、ヘイズのない鏡面に互いに接触、ま
たは近接して付着した複数ｎ個の異物p1〜pnよりなる連
続異物群を示す。これに対する受光信号ｖrは、図
（ｂ）のように個々の異物に対する受光信号が重なり合
って波高値が僅かに変動し、異物群の長さだけ継続する
波形となる。このような受光信号ｖrに対する異物信号v
Pは図（ｃ）に示すように波高値が微小なためS/N比が悪
くて検出が困難である。一方、受光信号ｖrはローパス
フィルタ3cにより高周波数成分がカットされ、これが恰
もヘイズ信号ｖh′として出力される。図（ｄ）〜
（ｆ）は、異物群p1〜pnが、ヘイズｈの上に乗っている
場合で、異物信号vPは微弱で検出されず、正しいヘイズ
信号ｖhの上に誤ったヘイズ信号ｖh′が重畳して出力さ
れる。以上により、いずれの場合も連続異物群はヘイズ
として誤検出される。なお、異物がある距離以上離れて
いるときは、上記した孤立異物として検出されることは
勿論である。
たは近接して付着した複数ｎ個の異物p1〜pnよりなる連
続異物群を示す。これに対する受光信号ｖrは、図
（ｂ）のように個々の異物に対する受光信号が重なり合
って波高値が僅かに変動し、異物群の長さだけ継続する
波形となる。このような受光信号ｖrに対する異物信号v
Pは図（ｃ）に示すように波高値が微小なためS/N比が悪
くて検出が困難である。一方、受光信号ｖrはローパス
フィルタ3cにより高周波数成分がカットされ、これが恰
もヘイズ信号ｖh′として出力される。図（ｄ）〜
（ｆ）は、異物群p1〜pnが、ヘイズｈの上に乗っている
場合で、異物信号vPは微弱で検出されず、正しいヘイズ
信号ｖhの上に誤ったヘイズ信号ｖh′が重畳して出力さ
れる。以上により、いずれの場合も連続異物群はヘイズ
として誤検出される。なお、異物がある距離以上離れて
いるときは、上記した孤立異物として検出されることは
勿論である。
さて、前記したように比較的広い範囲に分布している
ヘイズに対して、連続異物群の長さは実際問題として非
常に短い。また、たとえ異物群が長い場合でも、途中で
切れ目があっていつかの短い連続異物群に分かれている
場合が殆どである。そこで、誤検出されたヘイズ信号ｖ
h′は長さがある程度短く、かつ波高値が本来のヘイズ
信号ｖhより大きいことに着眼して両者を判断すること
が可能と考えられる。
ヘイズに対して、連続異物群の長さは実際問題として非
常に短い。また、たとえ異物群が長い場合でも、途中で
切れ目があっていつかの短い連続異物群に分かれている
場合が殆どである。そこで、誤検出されたヘイズ信号ｖ
h′は長さがある程度短く、かつ波高値が本来のヘイズ
信号ｖhより大きいことに着眼して両者を判断すること
が可能と考えられる。
この発明は以上の考え方により、異物検査装置におい
てヘイズと連続異物群を判別する方法を提供することを
目的とするものである。
てヘイズと連続異物群を判別する方法を提供することを
目的とするものである。
［課題を解決するための手段］ この発明は、被検査のウエハの表面に対してレーザビ
ームを投射し、表面に付着した異物またはヘイズにより
散乱光を光電変換器により受光し、その受光信号ｖrを
コンパレータの＋端子およびローパスフィルタにそれぞ
れ入力し、ローパスフィルタにより受光信号ｖrに含ま
れる高周波数成分をカットしてコンパレータの−端子に
入力し、コンパレータの出力信号を異物に対する異物信
号vPとし、ローパスフィルタの出力信号をヘイズに対す
るヘイズ信号ｖhとする異物検査装置におけるヘイズと
連続異物群の判別方法であって、ヘイズ信号ｖhを微小
な間隔Δｌでサンプリングしてデジタルのヘイズ信号
［ｖh］に変換する。マイクロプロセッサの処理によ
り、ウエハの表面を方形に区分した単位セルＳ内におけ
るヘイズ信号［ｖh］の平均値［ｖh］ｍをそれぞれ計算
する。各単位セルＳ内におけるヘイズ信号［ｖh］のう
ちの平均値［ｖh］ｍより突出した突出信号［ＶH］を検
出し、その連続する個数Ｎをカウントする。個数Ｎが基
準値Ｍより小さいとき、このＮ個の突出信号［ＶH］を
異物が連続した連続異物群に対する異物信号［ｖp′］
と判別するものである。
ームを投射し、表面に付着した異物またはヘイズにより
散乱光を光電変換器により受光し、その受光信号ｖrを
コンパレータの＋端子およびローパスフィルタにそれぞ
れ入力し、ローパスフィルタにより受光信号ｖrに含ま
れる高周波数成分をカットしてコンパレータの−端子に
入力し、コンパレータの出力信号を異物に対する異物信
号vPとし、ローパスフィルタの出力信号をヘイズに対す
るヘイズ信号ｖhとする異物検査装置におけるヘイズと
連続異物群の判別方法であって、ヘイズ信号ｖhを微小
な間隔Δｌでサンプリングしてデジタルのヘイズ信号
［ｖh］に変換する。マイクロプロセッサの処理によ
り、ウエハの表面を方形に区分した単位セルＳ内におけ
るヘイズ信号［ｖh］の平均値［ｖh］ｍをそれぞれ計算
する。各単位セルＳ内におけるヘイズ信号［ｖh］のう
ちの平均値［ｖh］ｍより突出した突出信号［ＶH］を検
出し、その連続する個数Ｎをカウントする。個数Ｎが基
準値Ｍより小さいとき、このＮ個の突出信号［ＶH］を
異物が連続した連続異物群に対する異物信号［ｖp′］
と判別するものである。
［作用］ 以上の判別方法においては、ヘイズ信号ｖhは微小な
間隔Δｌでサンプリング・デジタル化されてヘイズ信号
［ｖh］に変換され、マイクロプロセッサの処理により
各単位領域Ｓ内におけるその平均値［Vh］ｍが計算され
る。各単位領域Ｓについて、ヘイズ信号［ｖh］のうち
の平均値［ｖh］より突出している突出信号［ＶH］を検
出して、その連続個数Ｎをカウントし、これが基準値Ｍ
より小さいとき、このＮ個の突出信号［ＶH］は連続異
物群に対する異物信号［Ｖp′］と判別される。以上に
おいて、方形の単位領域Ｓを設定し、単位セルＳ内にお
ける平均値［ｖh］に対してヘイズ信号［ｖh］を比較し
て突出信号［ＶH］を検出する理由は、ヘイズの濃淡が
場所的に大幅に変化し、これに対応してヘイズ信号［ｖ
h］も大きく変動するので、両者の比較が困難であるか
らであり、これに対して単位領域Ｓをヘイズの濃淡変化
が比較的小さい範囲に設定し、その範囲の平均値［ｖ
h］ｍをとることにより突出信号［ＶH］を確実に検出す
るもので、従ってヘイズの濃淡分布と、連続異物群の最
大の長さを勘案して単位領域の方形の一辺、および基準
値Ｍを定めることが必要である。この場合、方形の一辺
は基準値Ｍより十分大きく設定することが必要条件で、
さもないと平均値［ｖh］ｍに異物群の波高値が影響す
るからである。
間隔Δｌでサンプリング・デジタル化されてヘイズ信号
［ｖh］に変換され、マイクロプロセッサの処理により
各単位領域Ｓ内におけるその平均値［Vh］ｍが計算され
る。各単位領域Ｓについて、ヘイズ信号［ｖh］のうち
の平均値［ｖh］より突出している突出信号［ＶH］を検
出して、その連続個数Ｎをカウントし、これが基準値Ｍ
より小さいとき、このＮ個の突出信号［ＶH］は連続異
物群に対する異物信号［Ｖp′］と判別される。以上に
おいて、方形の単位領域Ｓを設定し、単位セルＳ内にお
ける平均値［ｖh］に対してヘイズ信号［ｖh］を比較し
て突出信号［ＶH］を検出する理由は、ヘイズの濃淡が
場所的に大幅に変化し、これに対応してヘイズ信号［ｖ
h］も大きく変動するので、両者の比較が困難であるか
らであり、これに対して単位領域Ｓをヘイズの濃淡変化
が比較的小さい範囲に設定し、その範囲の平均値［ｖ
h］ｍをとることにより突出信号［ＶH］を確実に検出す
るもので、従ってヘイズの濃淡分布と、連続異物群の最
大の長さを勘案して単位領域の方形の一辺、および基準
値Ｍを定めることが必要である。この場合、方形の一辺
は基準値Ｍより十分大きく設定することが必要条件で、
さもないと平均値［ｖh］ｍに異物群の波高値が影響す
るからである。
［実施例］ 第１図は、この発明によるヘイズと連続異物群の判別
方法の実施例における概略のブロック構成図を示す。検
出光学系２は第４図（ｂ）に示した従来の構造と同一で
説明を省略する。信号処理部３のアンプ3aより出力され
る受光信号ｖrはコンパレータ3bの＋端子に入力し、そ
の出力の異物信号Ｖpはサンプリング・デジタル化回路
（SP・A/D）3d−１によりサンプリング・デジタル化さ
れて異物信号［Ｖp］に変換され、インタフェース（I/
F）3fを経てマイクロプロセッサ（MPU）3fに取り込ま
れ、座標値を付加してメモリ（MEM）3hに記憶される。
一方、ローパスフィルタ（LF）3cに入力した受光信号ｖ
rは、その高周波成分がカットされてSP・A/D3d−２によ
りデジタルのヘイズ信号［ｖh］に変換され、I/F3eを経
てMPU3fに取り込まれ、座標値を付加してMEM3gに記憶さ
れる。
方法の実施例における概略のブロック構成図を示す。検
出光学系２は第４図（ｂ）に示した従来の構造と同一で
説明を省略する。信号処理部３のアンプ3aより出力され
る受光信号ｖrはコンパレータ3bの＋端子に入力し、そ
の出力の異物信号Ｖpはサンプリング・デジタル化回路
（SP・A/D）3d−１によりサンプリング・デジタル化さ
れて異物信号［Ｖp］に変換され、インタフェース（I/
F）3fを経てマイクロプロセッサ（MPU）3fに取り込ま
れ、座標値を付加してメモリ（MEM）3hに記憶される。
一方、ローパスフィルタ（LF）3cに入力した受光信号ｖ
rは、その高周波成分がカットされてSP・A/D3d−２によ
りデジタルのヘイズ信号［ｖh］に変換され、I/F3eを経
てMPU3fに取り込まれ、座標値を付加してMEM3gに記憶さ
れる。
第２図（ａ）〜（ｄ）により、ウエハに設定される単
位領域Ｓと、第１図の各部の動作を説明する。図（ａ）
において、ウエハ１のオリエンティション・フラットOF
をｘ軸とし、これに直角なｙ軸によりxy座標系が設定さ
れ、ｘ方向に検出光学系２のレーザビームを掃引し、間
隔Δｌ′で表面が走査される。前記したヘイズの濃淡分
布と連続異物群の最大の長さを勘案して、ウエハ１の表
面に２辺の長さがLx,Lyの方形の単位領域Ｓがマトリッ
クスに設定される。図（ｂ）の１個の単位領域Ｓと走査
線を示す。各走査線に対するヘイズ信号ｖhがΔｌの間
隔でサンプリング・デジタル化され、図（ｃ）および
（ｄ）に示すヘイズ信号［ｖh］がMEM3gに記憶される。
図（ｃ）は単位領域Ｓ内にヘイズｈのみが付着した場合
を示し、各ヘイズ信号［ｖh］はヘイズｈの濃淡に従っ
て緩慢に変化しており、MPU3fにそりそれらの平均値
［ｖh］ｍが計算されてMEM3gに記憶される。この場合
は、平均値［ｖh］ｍに対する各ヘイズ信号［ｖh］の偏
差は小さいので、異物群がないものと判別される。これ
に対して図（ｄ）は、平均値［ｖh］ｍより大きく突出
した突出信号［ＶH］がある場合で、これを検出してそ
の連続した個数Ｎをカウントし、個数Ｎが基準値Ｍより
小さいときは、これを連続異物群に対する異物信号［Ｖ
p′］と判別する。異物信号［Ｖp′］は、前記した孤立
異物に対する異物信号［Ｖp］と併合して編集され、プ
リンタ（PRT）3hに出力される。ただし、個数Ｎが基準
値Ｍより大きいときは必ずしも連続異物群とはみなされ
ず、ヘイズの濃度がその部分で急激に変化している場合
があり、疑異物信号［Ｖp″］として出力される。な
お、ヘイズ信号［ｖh］は連続異物群の有無にかかわら
ず、その平均値［ｖh］ｍのデータがPRT3hに出力され
る。
位領域Ｓと、第１図の各部の動作を説明する。図（ａ）
において、ウエハ１のオリエンティション・フラットOF
をｘ軸とし、これに直角なｙ軸によりxy座標系が設定さ
れ、ｘ方向に検出光学系２のレーザビームを掃引し、間
隔Δｌ′で表面が走査される。前記したヘイズの濃淡分
布と連続異物群の最大の長さを勘案して、ウエハ１の表
面に２辺の長さがLx,Lyの方形の単位領域Ｓがマトリッ
クスに設定される。図（ｂ）の１個の単位領域Ｓと走査
線を示す。各走査線に対するヘイズ信号ｖhがΔｌの間
隔でサンプリング・デジタル化され、図（ｃ）および
（ｄ）に示すヘイズ信号［ｖh］がMEM3gに記憶される。
図（ｃ）は単位領域Ｓ内にヘイズｈのみが付着した場合
を示し、各ヘイズ信号［ｖh］はヘイズｈの濃淡に従っ
て緩慢に変化しており、MPU3fにそりそれらの平均値
［ｖh］ｍが計算されてMEM3gに記憶される。この場合
は、平均値［ｖh］ｍに対する各ヘイズ信号［ｖh］の偏
差は小さいので、異物群がないものと判別される。これ
に対して図（ｄ）は、平均値［ｖh］ｍより大きく突出
した突出信号［ＶH］がある場合で、これを検出してそ
の連続した個数Ｎをカウントし、個数Ｎが基準値Ｍより
小さいときは、これを連続異物群に対する異物信号［Ｖ
p′］と判別する。異物信号［Ｖp′］は、前記した孤立
異物に対する異物信号［Ｖp］と併合して編集され、プ
リンタ（PRT）3hに出力される。ただし、個数Ｎが基準
値Ｍより大きいときは必ずしも連続異物群とはみなされ
ず、ヘイズの濃度がその部分で急激に変化している場合
があり、疑異物信号［Ｖp″］として出力される。な
お、ヘイズ信号［ｖh］は連続異物群の有無にかかわら
ず、その平均値［ｖh］ｍのデータがPRT3hに出力され
る。
第３図は上記の連続異物群の判別方法に対する処理手
順を示すフローチャートで、まず、ウエハ１の表面がレ
ーザビームにより走査され、えられた異物信号［vP］と
ヘイズ信号［ｖh］のデータがそれらの座標値を付加し
てMEM3gに収録され、各単位領域Ｓ内における［ｖh］
の平均値［ｖh］ｍが計算される。ついで、各単位領
域Ｓ内の［ｖh］のうちの、［ｖh］ｍを突出する突出信
号［ＶH］を検出し、連続する［ＶH］の個数Ｎをカウ
ントする。個数Ｎが基準値Ｍより小さいときは（の
yes）、Ｎ個の突出信号［ＶH］が連続異物群に対する異
物信号［Ｖp′］と判別されてMEMに記憶され、また個
数Ｎが基準値Ｍ以上のときは（のno）、疑異物信号
［Ｖp″］と判別されて記憶される。以上の各異物信
号［Ｖp］，［Ｖp′］および疑異物信号［Ｖp″］のデ
ータは、それぞれ編集されて異物データとしてPRT3hに
出力される。また、ヘイズ信号の平均値［ｖh］ｍが
ヘイズデータとして出力される。
順を示すフローチャートで、まず、ウエハ１の表面がレ
ーザビームにより走査され、えられた異物信号［vP］と
ヘイズ信号［ｖh］のデータがそれらの座標値を付加し
てMEM3gに収録され、各単位領域Ｓ内における［ｖh］
の平均値［ｖh］ｍが計算される。ついで、各単位領
域Ｓ内の［ｖh］のうちの、［ｖh］ｍを突出する突出信
号［ＶH］を検出し、連続する［ＶH］の個数Ｎをカウ
ントする。個数Ｎが基準値Ｍより小さいときは（の
yes）、Ｎ個の突出信号［ＶH］が連続異物群に対する異
物信号［Ｖp′］と判別されてMEMに記憶され、また個
数Ｎが基準値Ｍ以上のときは（のno）、疑異物信号
［Ｖp″］と判別されて記憶される。以上の各異物信
号［Ｖp］，［Ｖp′］および疑異物信号［Ｖp″］のデ
ータは、それぞれ編集されて異物データとしてPRT3hに
出力される。また、ヘイズ信号の平均値［ｖh］ｍが
ヘイズデータとして出力される。
以上の実施例においては、レーザビームの走査方式を
xy走査としたが、回転走査方式の場合は、各サンプリン
グデータは（R,θ）座標により表示されてMEM3gに収録
されるので、これをxy座標系に変換して上記の処理を行
う。座標変換は通常の技術により容易に行うことができ
るので詳細な説明は省略する。
xy走査としたが、回転走査方式の場合は、各サンプリン
グデータは（R,θ）座標により表示されてMEM3gに収録
されるので、これをxy座標系に変換して上記の処理を行
う。座標変換は通常の技術により容易に行うことができ
るので詳細な説明は省略する。
［発明の効果］ 以上の説明により明らかなように、この発明によるヘ
イズと連続異物群の判別方法においては、ウエハの表面
をヘイズの濃淡変化が比較的小さい単位領域Ｓに区分
し、各単位領域Ｓ内におけるヘイズ信号［ｖh］の平均
値［ｖh］ｍが計算され、平均値［ｖh］より突出してい
る突出信号［ＶH］を検出し、その連続個数Ｎが基準値
Ｍより小さいとき、これを連続異物群に対する異物信号
［Ｖp′］と判別するもので、従来ヘイズと誤判定され
ていた連続異物群が正しく判別され、異物検査の信頼性
の向上に寄与する効果には大きいものがある。
イズと連続異物群の判別方法においては、ウエハの表面
をヘイズの濃淡変化が比較的小さい単位領域Ｓに区分
し、各単位領域Ｓ内におけるヘイズ信号［ｖh］の平均
値［ｖh］ｍが計算され、平均値［ｖh］より突出してい
る突出信号［ＶH］を検出し、その連続個数Ｎが基準値
Ｍより小さいとき、これを連続異物群に対する異物信号
［Ｖp′］と判別するもので、従来ヘイズと誤判定され
ていた連続異物群が正しく判別され、異物検査の信頼性
の向上に寄与する効果には大きいものがある。
第１図は、この発明によるヘイズと連続異物群の判別方
法の実施例に対する概略ブロック構成図、第２図
（ａ），（ｂ），（ｃ）および（ｄ）は、ウエハに設定
される単位領域Ｓと、第１図の各部の動作説明図、第３
図は連続異物群の判別の方法の手順を示すフローチャー
ト、第４図（ａ），（ｂ）および（ｃ）は、ウエハに付
着した異物とヘイズに対する検査装置の構成図、および
検査方法の概念の説明図、第５図（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）および（ｆ）は、連続異物群の
信号波形と、連続異物群がヘイズと誤判定される理由の
説明図である。 １……ウエハ、２……検出光学系、 2a……光源、2b……集光レンズ、 2c……光電変換器、３……信号処理部、 3a……アンプ、3b……コンパレータ、 3c……ローパスフィルタ（LF）、 3d−1,3d−２……サンプリング・デジタル化回路（SP・
A/D）、 3e……インタフェース（I/F）、 3f……マイクロプロセッサ（MEM）、 3g……メモリ（MEM）、 3h……プリンタ（PRT）、 〜……フローチャートのステップ番号。
法の実施例に対する概略ブロック構成図、第２図
（ａ），（ｂ），（ｃ）および（ｄ）は、ウエハに設定
される単位領域Ｓと、第１図の各部の動作説明図、第３
図は連続異物群の判別の方法の手順を示すフローチャー
ト、第４図（ａ），（ｂ）および（ｃ）は、ウエハに付
着した異物とヘイズに対する検査装置の構成図、および
検査方法の概念の説明図、第５図（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）および（ｆ）は、連続異物群の
信号波形と、連続異物群がヘイズと誤判定される理由の
説明図である。 １……ウエハ、２……検出光学系、 2a……光源、2b……集光レンズ、 2c……光電変換器、３……信号処理部、 3a……アンプ、3b……コンパレータ、 3c……ローパスフィルタ（LF）、 3d−1,3d−２……サンプリング・デジタル化回路（SP・
A/D）、 3e……インタフェース（I/F）、 3f……マイクロプロセッサ（MEM）、 3g……メモリ（MEM）、 3h……プリンタ（PRT）、 〜……フローチャートのステップ番号。
Claims (1)
- 【請求項１】被検査のウエハの表面に対してレーザビー
ムを投射し、該表面に付着した異物またはヘイズによる
散乱光を光電変換器により受光し、該光電変換器の受光
信号ｖrをコンパレータの＋端子およびローパスフィル
タにそれぞれ入力し、該ローパスフィルタにより該受光
信号ｖrに含まれる高周波数成分をカットして前記コン
パレータの−端子に入力し、前記コンパレータの出力信
号を前記異物に対する異物信号vPとし、前記ローパスフ
ィルタの出力信号を前記ヘイズに対するヘイズ信号ｖh
とする異物検査装置において、前記ヘイズ信号ｖhを微
小な間隔Δｌでサンプリングしてデジタルのヘイズ信号
［ｖh］に変換し、マイクロプロセッサの処理により、
前記ウエハの表面を方形に区分した単位領域Ｓ内におけ
る該ヘイズ信号［ｖh］の平均値［ｖh］ｍをそれぞれ計
算し、各該単位領域内の該ヘイズ信号［ｖh］のうち、
該平均値［ｖh］ｍより突出した突出信号［ＶH］を検出
して連続する個数Ｎをカウントし、該個数Ｎが基準値Ｍ
より小さいとき、該Ｎ個の突出信号［ＶH］を前記異物
が連続した連続異物群に対する異物信号［ｖp′］と判
断する、ヘイズと連続異物群の判別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326504A JP2571468B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ヘイズと連続異物群の判別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2326504A JP2571468B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ヘイズと連続異物群の判別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04194738A JPH04194738A (ja) | 1992-07-14 |
| JP2571468B2 true JP2571468B2 (ja) | 1997-01-16 |
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ID=18188572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2326504A Expired - Fee Related JP2571468B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | ヘイズと連続異物群の判別方法 |
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-
1990
- 1990-11-28 JP JP2326504A patent/JP2571468B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH04194738A (ja) | 1992-07-14 |
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