JPH04196305A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
- Publication number
- JPH04196305A JPH04196305A JP2326361A JP32636190A JPH04196305A JP H04196305 A JPH04196305 A JP H04196305A JP 2326361 A JP2326361 A JP 2326361A JP 32636190 A JP32636190 A JP 32636190A JP H04196305 A JPH04196305 A JP H04196305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boric acid
- foil
- aqueous solution
- aluminum foil
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法に舅するものである。
法に舅するものである。
一般に、この種の電極箔は次のようにして衿られでいる
。まず、エツチングされたアルミニウム箔を用意し、こ
のアルミニウム箔を燐酸や硼酸等の水溶液に浸漬し、一
定の電圧を印加して所望厚さの酸化皮膜を生成させる。
。まず、エツチングされたアルミニウム箔を用意し、こ
のアルミニウム箔を燐酸や硼酸等の水溶液に浸漬し、一
定の電圧を印加して所望厚さの酸化皮膜を生成させる。
そして、数１００℃の高温雰囲気中に数分間放置する熱
処理工程を数回繰返す。
処理工程を数回繰返す。
しかしながら、この方法では静電容量を高めるのに限度
があり、最近とみに要望されているより一層の小形かつ
高容量化に応えることができない。
があり、最近とみに要望されているより一層の小形かつ
高容量化に応えることができない。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、より高
い静電容量が得られることができるようにしたアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供すること
にある。
い静電容量が得られることができるようにしたアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供すること
にある。
上記した目的を達成するため、本発明においては、まず
エツチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬し、しかる後本化成工程として、少なくとも脂
肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸水
溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬し、所定時間電圧を
印加して陽極酸化を行い、再化成工程においては、上記
アルミニウム箔を硼酸またはその塩を含む硼酸水溶液中
に浸漬し、所定時間電圧を印加して再陽極酸化を行なう
ようにしている。なお、本化成工程において、まず最初
にアルミニウム箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電
圧を印加して第１の陽極酸化を行ない、引き続きそのア
ルミニウム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸またはその塩を
含む硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して第
２の陽極酸化を行なうようにして多段陽極酸化してもよ
い。
エツチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬し、しかる後本化成工程として、少なくとも脂
肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸水
溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬し、所定時間電圧を
印加して陽極酸化を行い、再化成工程においては、上記
アルミニウム箔を硼酸またはその塩を含む硼酸水溶液中
に浸漬し、所定時間電圧を印加して再陽極酸化を行なう
ようにしている。なお、本化成工程において、まず最初
にアルミニウム箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電
圧を印加して第１の陽極酸化を行ない、引き続きそのア
ルミニウム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸またはその塩を
含む硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して第
２の陽極酸化を行なうようにして多段陽極酸化してもよ
い。
また、第１の陽極酸化工程と第２の陽極酸化工程とを入
九替えても効果がある。
九替えても効果がある。
脂肪族飽和ジカルボン酸は、
Ｘ○○Ｃ−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ００Ｘ
なる化学式（但し、ＸはＨ＋またはＮＨ４”、ｎ＝１〜
１２好ましくはｎ ＝ １〜８）で表わされ、その代表
例としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメ
リン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバシン酸などが
ある。
１２好ましくはｎ ＝ １〜８）で表わされ、その代表
例としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメ
リン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバシン酸などが
ある。
本化成時のＩｉｌ！酸水溶液のＰＨは３〜９、好ましく
は４．５〜７に設定される。この硼酸水溶液中における
脂肪族飽和ジカルボン酸の濃度は０．００２〜１．０％
、液温は７０〜１００℃が好適である。また、再化成時
の硼酸またはその塩の濃度は０．５〜ｌ０ｗｔ％、液温
は７０〜１００℃であることが好ましい。
は４．５〜７に設定される。この硼酸水溶液中における
脂肪族飽和ジカルボン酸の濃度は０．００２〜１．０％
、液温は７０〜１００℃が好適である。また、再化成時
の硼酸またはその塩の濃度は０．５〜ｌ０ｗｔ％、液温
は７０〜１００℃であることが好ましい。
これによれば、従来法に比べて静電容量が約６〜１１％
以上増大する。なお１本化成後の減極処理にはｐＨ７〜
９で液温７０℃のアンモニア水、またはｐＨ４〜８の燐
酸水溶液などが用いられ、その浸漬時間は１〜５分程度
とされる。また、熱処理は４００〜５００℃で１〜３分
程度が好ましい。
以上増大する。なお１本化成後の減極処理にはｐＨ７〜
９で液温７０℃のアンモニア水、またはｐＨ４〜８の燐
酸水溶液などが用いられ、その浸漬時間は１〜５分程度
とされる。また、熱処理は４００〜５００℃で１〜３分
程度が好ましい。
〔実施例１〕
（Ａ）まず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエツチング箔を用意した。この場合、そのエツ
チング倍率はエツチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエツチング箔を用意した。この場合、そのエツ
チング倍率はエツチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
（Ｂ）このアルミニウムエツチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。
の純水中で１５分間ボイル処理した。
（Ｃ）次に、硼酸２０ｇ／純水１１２にコハク酸アンモ
ニウムをＯ，１ｇ添加した硼酸水溶液、液温８５℃の中
にアルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍ
Ａ／Ｃｉの電流を流し、化成電圧６００ Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
ニウムをＯ，１ｇ添加した硼酸水溶液、液温８５℃の中
にアルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍ
Ａ／Ｃｉの電流を流し、化成電圧６００ Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（Ｅ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）純水１Ｑあたり硼酸２０ｇと硼酸アンモニウム０
．５ ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し
、電流密度１０ｍＡ ／ ｃｉの電流を流し、化成電圧
６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化
成した。
．５ ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し
、電流密度１０ｍＡ ／ ｃｉの電流を流し、化成電圧
６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化
成した。
（Ｇ）Ｊ−記（Ｅ）と同じく、５００℃の加熱雰囲気中
で２分間熱処理した。
で２分間熱処理した。
（Ｈ）再度、純水ＩＱあたり硼酸２０ｇと硼酸アンモニ
ウム０．５ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に浸漬し
、電流密度１０ｍＡ ／ ｃｉの電流を流し、化成電圧
６００■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化
成した。
ウム０．５ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に浸漬し
、電流密度１０ｍＡ ／ ｃｉの電流を流し、化成電圧
６００■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化
成した。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、 ０．４５８μＦ／ｄであった。
ところ、 ０．４５８μＦ／ｄであった。
（Ｊ）この化成ｍ （１５ｍ Ｘ ２７０ａｎ ）を陽
極とし、−方純度９９．２％で厚さ２０μｍ、エツチン
グ倍率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍ Ｘ ３００ｎ
＊ ）を陰極とし、セパレータを介して巻回して、コン
デンサ素子を作成した。そして、このコンデンサ素子に
電解液を含浸させ、ケース内に封入し、定格４００Ｖ、
１６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静
電容量は１８．２μＦであった。
極とし、−方純度９９．２％で厚さ２０μｍ、エツチン
グ倍率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍ Ｘ ３００ｎ
＊ ）を陰極とし、セパレータを介して巻回して、コン
デンサ素子を作成した。そして、このコンデンサ素子に
電解液を含浸させ、ケース内に封入し、定格４００Ｖ、
１６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静
電容量は１８．２μＦであった。
なお、上記工程（Ｈ）と工程（Ｉ）との間に、８５ｗｔ
％の燐酸２５ｍβ／ρの水溶液であって、アンモニア水
でｐＨ６，５に調整した液温３０℃の水溶液に４分間浸
漬処理を行う工程を介在させてもよい。この工程を追加
した電解コンデンサは、例えば１０５℃、１０００時間
の高温貯蔵試験における製品の漏れ電流による劣化を防
止できる。
％の燐酸２５ｍβ／ρの水溶液であって、アンモニア水
でｐＨ６，５に調整した液温３０℃の水溶液に４分間浸
漬処理を行う工程を介在させてもよい。この工程を追加
した電解コンデンサは、例えば１０５℃、１０００時間
の高温貯蔵試験における製品の漏れ電流による劣化を防
止できる。
〔実施例２〕
使用したアルミニウムエツチング箔およびボイル工程に
ついては、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に同じ。
ついては、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に同じ。
（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱにアジピン酸アンモニウム
を０．１ｇ添加した硼酸水溶液、液温８５℃の中にアル
ミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０＋ａＡ
／ （ｄの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ
、同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
を０．１ｇ添加した硼酸水溶液、液温８５℃の中にアル
ミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０＋ａＡ
／ （ｄの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ
、同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（Ｅ ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）純水ＩＱあたり硼酸２０ｇと硼酸アンモニウム０
．５ ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し
、電流密度１０ＩＩＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６０
０ Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成
した。
．５ ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し
、電流密度１０ＩＩＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６０
０ Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成
した。
（Ｇ ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）再度、純水ＩＱあたり硼酸２０ｇと硼酸アンモニ
ウム０．５ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に浸漬し
、電流密度１０ＩＩＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６０
０■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成し
た。
ウム０．５ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に浸漬し
、電流密度１０ＩＩＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６０
０■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成し
た。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４４８μＦ／ｃｄであった。
ところ、０．４４８μＦ／ｃｄであった。
（Ｊ）この化成箔（１５ｍｍ ｘ ２７０ｗｎ ）を陽
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１
７．８μＦであった・ 〔実施例３〕 使用したアルミニウムエツチング箔およびボイル工程に
ついては、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に同じ。
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１
７．８μＦであった・ 〔実施例３〕 使用したアルミニウムエツチング箔およびボイル工程に
ついては、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に同じ。
（Ｃ）硼酸２０ｇノ純水ＩＱにセバシン酸アンモニウム
を０．１ｇ添加した硼酸水溶液、液温８５℃の中にアル
ミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／
（ｄの電流を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、
同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
を０．１ｇ添加した硼酸水溶液、液温８５℃の中にアル
ミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／
（ｄの電流を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、
同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（Ｅ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）純水ＩＱあたり硼酸２０ｇと硼酸アンモニウムｏ
、ｓ ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し
、電流密度１０ｍＡ／ ｄの電流を流し、化成電圧６０
０■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成し
た。
、ｓ ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し
、電流密度１０ｍＡ／ ｄの電流を流し、化成電圧６０
０■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成し
た。
（Ｇ ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）再度、純水ＩＱあたり硼酸２０ｇと硼酸アンモニ
ウム０．５ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に浸漬し
、電流密度１Ｏ１ｌＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６０
０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成し
た。
ウム０．５ｇを溶解した水溶液、液温８５℃中に浸漬し
、電流密度１Ｏ１ｌＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６０
０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成し
た。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４６０μＦ／ｄであった。
ところ、０．４６０μＦ／ｄであった。
（Ｊ）二〇化成箔（１５ｍＸ ２７０ａＩ１１）を陽極
として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの
電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１８
．３μＦであった。
として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの
電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１８
．３μＦであった。
く比較例１〉
（ａ）（ｂ）使用したアルミニウムエツチング箔および
ボイル工程については、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に
同じ。
ボイル工程については、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に
同じ。
（ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液、液温８５℃中に
アルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０１１
Ａ／−の電流を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、
同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
アルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０１１
Ａ／−の電流を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、
同電圧を４０分間印加して本化成を行なった。
（ｄ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（ｅ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｆ）上記（ｃ）と同じ条件の水溶液、すなわち硼酸２
０ｇ／純水１Ωの水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し、
電流密度１０ａＡ ／ ｃｉの電流を流し、化成電圧６
００■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成
した。
０ｇ／純水１Ωの水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し、
電流密度１０ａＡ ／ ｃｉの電流を流し、化成電圧６
００■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成
した。
（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｈ）再度、硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液、液温８５
℃中に浸漬し、電流密度１０ｍ１Ａ／ ｃａｌｆの電流
を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３
分間印加して再化成した。
℃中に浸漬し、電流密度１０ｍ１Ａ／ ｃａｌｆの電流
を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３
分間印加して再化成した。
（ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の容量を測定したとこ
ろ、０．２９６ μＦ／ ａ（であった。
ろ、０．２９６ μＦ／ ａ（であった。
（ｊ）この化成箔（１５ｍ＋ Ｘ ２７０ｍｎ ）を陽
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１
１．７μＦであった。
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１
１．７μＦであった。
〈比較例２〉
（ａ）（ｂ）使用したアルミニウムエツチング箔および
ボイル工程については、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に
同じ。
ボイル工程については、上記実施例１の（Ａ）（Ｂ）に
同じ。
（ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱと硼酸アンモニウム０．５
ｇからなる水溶液、液温８５℃中にアルミニウムエツ
チング箔を浸漬し、電流密度１０ＩＩＡ／ｃｉの電流を
流し、化成電圧６００ Ｖまで上昇させ、同電圧を４０
分間印加して本化成を行なった。
ｇからなる水溶液、液温８５℃中にアルミニウムエツ
チング箔を浸漬し、電流密度１０ＩＩＡ／ｃｉの電流を
流し、化成電圧６００ Ｖまで上昇させ、同電圧を４０
分間印加して本化成を行なった。
（ｄ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ｐｌ（７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し
、減極処理を行なった。
、ｐｌ（７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し
、減極処理を行なった。
（ｅ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｆ）硼ｒ！１２０ｇ／純水ＩＱと硼酸アンモニウム０
．５ ｇからなる水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し、
電流密度１０＋＋＋Ａ／ｃｄの電流を流し、化成電圧６
００ Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化
成した。
．５ ｇからなる水溶液、液温８５℃中に再度浸漬し、
電流密度１０＋＋＋Ａ／ｃｄの電流を流し、化成電圧６
００ Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化
成した。
（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｈ）再度、硼酸２０ｇ／純水ｌρと＠酸アンモニウム
０．５ｇの水溶液、液温８５℃中に浸漬し、電流密度１
０ＷＬＡ／ａＪの電流を流し、化成電圧６００ Ｖまで
上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成した。
０．５ｇの水溶液、液温８５℃中に浸漬し、電流密度１
０ＷＬＡ／ａＪの電流を流し、化成電圧６００ Ｖまで
上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成した。
＜ｊ）水洗し、乾燥させて化成箔の容量を測定したとこ
ろ、０．４２３μＦ／ｄであった。
ろ、０．４２３μＦ／ｄであった。
（ｊ）上記比較例１と同じ電解コンデンサを作成したと
ころ、その容量は１６．８μＦであった。
ころ、その容量は１６．８μＦであった。
参考までに、法衣に上記各実施例および各比較例で得ら
れた化成箔の箔容量とその化成箔を用いて試作した電解
コンデンサの静電容量を示す。
れた化成箔の箔容量とその化成箔を用いて試作した電解
コンデンサの静電容量を示す。
この表から明らかなように１本発明によると箔容鴬およ
び製品容量ともに、従来法による比較例に比べて約８〜
９％増大している。
び製品容量ともに、従来法による比較例に比べて約８〜
９％増大している。
以上説明したように１本発明によれば、エツチングされ
たアルミニウム箔を純水ボイルし、次いで本化成工程と
して同アルミニウム箔を少なくとも脂肪族飽和ジカルボ
ン酸もしくはその塩を含む硼酸溶液中に浸漬し、所定時
間電圧を印加して陽極酸化を行い、その後の再化成工程
においては硼酸またはその塩を含む水溶液中に浸漬して
所定時間電圧を印加することにより、静電８鴬の高い電
極箔が製造される。
たアルミニウム箔を純水ボイルし、次いで本化成工程と
して同アルミニウム箔を少なくとも脂肪族飽和ジカルボ
ン酸もしくはその塩を含む硼酸溶液中に浸漬し、所定時
間電圧を印加して陽極酸化を行い、その後の再化成工程
においては硼酸またはその塩を含む水溶液中に浸漬して
所定時間電圧を印加することにより、静電８鴬の高い電
極箔が製造される。
特許出願人 エルナー株式会社
Claims (3)
- （１）エッチングされたアルミニウム箔を高温の純水中
に所定時間浸漬する純水ボイル工程と、しかるのち少な
くとも脂肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有す
る硼酸水溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬し、所定時
間電圧を印加して陽極酸化を行なう本化成工程と、硼酸
またはその塩を含む硼酸水溶液中に上記アルミニウム箔
を浸漬し、所定時間電圧を印加して再陽極酸化を行なう
再化成工程と含むことを特徴とするアルミニウム電解コ
ンデンサ用電極箔の製造方法。 - （２）上記脂肪族飽和ジカルボン酸は、 ＸＯＯＣ−（ＣＨ＿ｚ）ｎ−ＣＯＯＸ の化学式（但し、ＸはＨ＾＋またはＮＨ＿４＾＋，ｎ＝
１〜１２）で表わされるものからなる請求項１記載のア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （３）本化成工程には、さらに硼酸またはその塩を含む
硼酸水溶液中における陽極酸化が含まれる請求項１記載
のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326361A JPH07109815B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326361A JPH07109815B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196305A true JPH04196305A (ja) | 1992-07-16 |
| JPH07109815B2 JPH07109815B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=18186940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2326361A Expired - Fee Related JPH07109815B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109815B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361643B1 (ko) * | 2000-01-13 | 2002-11-21 | 한국과학기술원 | 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 |
| WO2006030922A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and production method thereof |
| JP2007036048A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2326361A patent/JPH07109815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361643B1 (ko) * | 2000-01-13 | 2002-11-21 | 한국과학기술원 | 고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법 |
| WO2006030922A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and production method thereof |
| JP2007036048A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109815B2 (ja) | 1995-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000348984A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP2727823B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP2000073198A (ja) | バルブ金属を陽極処理するための方法及び電解質 | |
| JPH06275473A (ja) | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 | |
| JPH04196305A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3853432B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH01266712A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH0513279A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3478039B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| JPH04196304A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH0494111A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH01287916A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH01287918A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3155969B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH01289106A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH01289107A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH10112423A (ja) | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法 | |
| JPH02216811A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JPH02276215A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0638385B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3544768B2 (ja) | 電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| JPH01287917A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPS6217185A (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH0722078B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造法 | |
| JPH07272985A (ja) | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |