JPH0420540A - ポリイミドフィルムのエッチング方法 - Google Patents
ポリイミドフィルムのエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0420540A JPH0420540A JP12413990A JP12413990A JPH0420540A JP H0420540 A JPH0420540 A JP H0420540A JP 12413990 A JP12413990 A JP 12413990A JP 12413990 A JP12413990 A JP 12413990A JP H0420540 A JPH0420540 A JP H0420540A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- polyimide film
- hydrazine
- etching method
- weight
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はポリイミドフィルムの工、チング方法に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
従来よりポリイミド樹脂は耐熱性、耐燃性、寸法安定性
、耐薬品性、電気・機械的特性に優れ、多様な用途に用
いられてきている。その−例として、フレキシブルプリ
ント配線板やテープ自動ボンディング用のフィルムキャ
リアがあるが、この用途に用いる場合には、ポリイミド
樹脂をフィルム状として用いて基板を作成し、この基板
のポリイミドフィルムの一部をエツチング加工すること
によりスルーホールを形成する必要かある。
、耐薬品性、電気・機械的特性に優れ、多様な用途に用
いられてきている。その−例として、フレキシブルプリ
ント配線板やテープ自動ボンディング用のフィルムキャ
リアがあるが、この用途に用いる場合には、ポリイミド
樹脂をフィルム状として用いて基板を作成し、この基板
のポリイミドフィルムの一部をエツチング加工すること
によりスルーホールを形成する必要かある。
ところで、従来よりポリイミドフィルムを効率よく、か
つ高精度にエツチングする方法として高濃度アルカリ水
溶液、ヒドラジンを用いる方法か試みられてきているか
、高濃度アルカリ水溶液では、通常の条件では充分なエ
ツチングはできず、極めて苛酷な条件を選択しなければ
ならないばかりか、充分な加工精度は得られないとされ
、またヒドラジンを用いる方法では、エツチングか開始
されるまでのタイムラグが長く、その間にヒドラジンが
ポリイミドフィルム内に浸透し、膨潤を起こし、その結
果、所望の寸法のスルーホールができないとされている
。
つ高精度にエツチングする方法として高濃度アルカリ水
溶液、ヒドラジンを用いる方法か試みられてきているか
、高濃度アルカリ水溶液では、通常の条件では充分なエ
ツチングはできず、極めて苛酷な条件を選択しなければ
ならないばかりか、充分な加工精度は得られないとされ
、またヒドラジンを用いる方法では、エツチングか開始
されるまでのタイムラグが長く、その間にヒドラジンが
ポリイミドフィルム内に浸透し、膨潤を起こし、その結
果、所望の寸法のスルーホールができないとされている
。
［発明が解決しようとする課題］
このような欠点を解消すべきものとして、ヒドラジンと
エチレンジアミンとの混合溶液を用いる方法が提案され
ている。ヒドラジンとエチレンジアミンとの混合溶液で
は、ポリイミドフィルムの膨潤は起きず、エツチング量
はポリイミドフィルムをエツチング液中に浸せきした時
間に対してほぼ直線的に上昇し、エツチング速度も２４
μｍ／ｆｆ１ｉｎ程度と大きいことが知られている。し
かし、ヒドンジンは吸湿性が強く時間と共に吸湿し、ヒ
ドラジン濃度が低下する。この結果、エツチング速度が
急速に低下し、実用に耐えなくなるため頻繁にエツチン
グ液を更新せざるを得ず、高コストとならざるを得ない
という問題点がある。更に、高濃度のヒドラジンの使用
は白煙の発生をもたらし、これによる作業環境の悪化を
もたらす。さらに、ヒドラジンは毒性が強く、その蒸気
を吸引すると粘膜等に炎症を起こすという問題があり、
多量に取扱う際には実用的ではない。
エチレンジアミンとの混合溶液を用いる方法が提案され
ている。ヒドラジンとエチレンジアミンとの混合溶液で
は、ポリイミドフィルムの膨潤は起きず、エツチング量
はポリイミドフィルムをエツチング液中に浸せきした時
間に対してほぼ直線的に上昇し、エツチング速度も２４
μｍ／ｆｆ１ｉｎ程度と大きいことが知られている。し
かし、ヒドンジンは吸湿性が強く時間と共に吸湿し、ヒ
ドラジン濃度が低下する。この結果、エツチング速度が
急速に低下し、実用に耐えなくなるため頻繁にエツチン
グ液を更新せざるを得ず、高コストとならざるを得ない
という問題点がある。更に、高濃度のヒドラジンの使用
は白煙の発生をもたらし、これによる作業環境の悪化を
もたらす。さらに、ヒドラジンは毒性が強く、その蒸気
を吸引すると粘膜等に炎症を起こすという問題があり、
多量に取扱う際には実用的ではない。
本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消し、より実
用的で、コストの低下を可能とするエツチング方法の提
供にある。
用的で、コストの低下を可能とするエツチング方法の提
供にある。
［課題を解決するための手段］
すなわち、上記課題を解決する本発明のエツチング方法
は２〜３５重量％の水酸化第四アンモニウムと８〜２３
重量％のアミン化合物と １５重量％以上の尿素とを含
み、かつ、その液温が３０〜゛７０℃の溶液をエツチン
グ液として用いるものである。
は２〜３５重量％の水酸化第四アンモニウムと８〜２３
重量％のアミン化合物と １５重量％以上の尿素とを含
み、かつ、その液温が３０〜゛７０℃の溶液をエツチン
グ液として用いるものである。
本発明で用いうる水酸化第四アンモニウムとは、水酸化
テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモ
ニウム等であり、アミン化合物とは、エチレンジアミン
、キシレンジアミン、トリメチレンジアミン、メチレン
ジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、へ牛すメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン
等である。
テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモ
ニウム等であり、アミン化合物とは、エチレンジアミン
、キシレンジアミン、トリメチレンジアミン、メチレン
ジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、へ牛すメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン
等である。
［作用］
本発明において、エツチング液中の水酸化第四アンモニ
ウム濃度を低くすると工・ソチング能力が極端に低下す
る。しかし、高すぎるとエツチング能力は大きくなるも
のの、寸法安定性が悪化する。
ウム濃度を低くすると工・ソチング能力が極端に低下す
る。しかし、高すぎるとエツチング能力は大きくなるも
のの、寸法安定性が悪化する。
−このため、エツチング液中の水酸化第四アンモニウム
の濃度は２〜３５重量％（以下％と示す。）とすること
が必要である。また、エツチング液中のアミン化合物の
量が少ないと工、２チング能力が低下して実用的でなく
なり、多すぎるとエツチング能力は高くなるものの寸法
精度が悪化する。このため、アミン化合物の濃度は８〜
２３％とすることが必要である。尿素はエツチング能力
を太き（する作用よりもスルーホールの形状を良好にす
る作用が大きい。この作用を充分発揮させるためにはそ
の濃度は１５％以上とすることが必要である。
の濃度は２〜３５重量％（以下％と示す。）とすること
が必要である。また、エツチング液中のアミン化合物の
量が少ないと工、２チング能力が低下して実用的でなく
なり、多すぎるとエツチング能力は高くなるものの寸法
精度が悪化する。このため、アミン化合物の濃度は８〜
２３％とすることが必要である。尿素はエツチング能力
を太き（する作用よりもスルーホールの形状を良好にす
る作用が大きい。この作用を充分発揮させるためにはそ
の濃度は１５％以上とすることが必要である。
エツチング温度は高ければ高いほどエツチング速度が上
昇するが、反面寸法精度が低下する。このため、良好な
エツチング速度と寸法精度とを得るためにはエツチング
温度を３０〜７０℃にする必要がある。
昇するが、反面寸法精度が低下する。このため、良好な
エツチング速度と寸法精度とを得るためにはエツチング
温度を３０〜７０℃にする必要がある。
本発明者は、本発明の方法で生じているエツチング機構
は、水酸化第四アンモニウム及び尿素の加水分解によっ
て生じたアンモニアによりイミド環の分断と低分子化が
起こり、次いでアミン化合物によりアミド化が起こり、
次いで溶解するものと推定している。
は、水酸化第四アンモニウム及び尿素の加水分解によっ
て生じたアンモニアによりイミド環の分断と低分子化が
起こり、次いでアミン化合物によりアミド化が起こり、
次いで溶解するものと推定している。
なお、本発明の実施において、用いるエツチングレジス
トは耐薬品性の面よりビスアジド系環化天然ゴムや環化
ブタジェンゴム等のゴム系レジストとすることが望まし
く。レジストの厚さは、形成した膜中にピンホールを生
じさせないようにするために２μｍ以上とすることが必
要であり、パターン寸法精度を低下させないようにする
ために１０μｍ以下とすることが好ましい。
トは耐薬品性の面よりビスアジド系環化天然ゴムや環化
ブタジェンゴム等のゴム系レジストとすることが望まし
く。レジストの厚さは、形成した膜中にピンホールを生
じさせないようにするために２μｍ以上とすることが必
要であり、パターン寸法精度を低下させないようにする
ために１０μｍ以下とすることが好ましい。
［実施例］
厚さ ５０μｍのポリイミドフィルム（商品名 カプト
ン 東し・デニボン社製）の全面に、ビスアジド系環化
天然ゴムをベースとしたフォトレジスト（商品名ＦＳＲ
富士薬品工業社製）をホワイラーで塗布した後、７０℃
で３０分間乾燥し、５〜７μｍの厚さのレジスト膜を形
成した。次いで片面に所定のマスクを設け、両面に１１
０ ｍｊの紫外線を照射してレジストを感光させた。そ
の後現像し、１３０℃で３０分間ポストベークを行ない
部分的にポリイミドフィルムの露出面を持つパターンを
形成した。次いで、１０．２％の水酸化テトラメチルア
ンモニウムと２０．４％のエチレンジアミンと ２８．
６％の尿素とを含む溶液を５０℃に加温し、前記ポリイ
ミドフィルムをこのエツチング液に浸せきしてエツチン
グを行なった。その結果、得られた孔の寸法はマスクと
ほぼ同一であり、スルーホールの形状も良好であった。
ン 東し・デニボン社製）の全面に、ビスアジド系環化
天然ゴムをベースとしたフォトレジスト（商品名ＦＳＲ
富士薬品工業社製）をホワイラーで塗布した後、７０℃
で３０分間乾燥し、５〜７μｍの厚さのレジスト膜を形
成した。次いで片面に所定のマスクを設け、両面に１１
０ ｍｊの紫外線を照射してレジストを感光させた。そ
の後現像し、１３０℃で３０分間ポストベークを行ない
部分的にポリイミドフィルムの露出面を持つパターンを
形成した。次いで、１０．２％の水酸化テトラメチルア
ンモニウムと２０．４％のエチレンジアミンと ２８．
６％の尿素とを含む溶液を５０℃に加温し、前記ポリイ
ミドフィルムをこのエツチング液に浸せきしてエツチン
グを行なった。その結果、得られた孔の寸法はマスクと
ほぼ同一であり、スルーホールの形状も良好であった。
［発明の効果］
本発明の方法によれば、ヒドラジンを含まないので従来
のエツチング液よりも毒性が低く、かつ吸湿によるエツ
チング速度の低下がなく、コストが安くなり、実操業で
容易に使用できるようになるばかりか寸法制度の良い孔
を形成できる。
のエツチング液よりも毒性が低く、かつ吸湿によるエツ
チング速度の低下がなく、コストが安くなり、実操業で
容易に使用できるようになるばかりか寸法制度の良い孔
を形成できる。
Claims (1)
- ２〜３５重量％の水酸化第四アンモニウムと８〜２３重
量％のアミン化合物と１５重量％以上の尿素とを含み、
かつ、その液温が３０〜７０℃の溶液をエッチング液と
して用いることを特徴とするポリイミドフィルムのエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12413990A JPH0420540A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | ポリイミドフィルムのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12413990A JPH0420540A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | ポリイミドフィルムのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0420540A true JPH0420540A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14877890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12413990A Pending JPH0420540A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | ポリイミドフィルムのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0420540A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2718454A1 (fr) * | 1994-04-11 | 1995-10-13 | Samsung Electronics Co Ltd | Procédé pour traiter une surface de polyimide. |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12413990A patent/JPH0420540A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2718454A1 (fr) * | 1994-04-11 | 1995-10-13 | Samsung Electronics Co Ltd | Procédé pour traiter une surface de polyimide. |
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