JPH04206010A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は磁気記録再生装置等に使用される薄Ｉｌｌ磁気
ヘッドの製造方法に関する。

（ロ）従来の技術 薄膜磁気ヘッドにおいては、記録・再生効率を高めるた
めにコイルパターン等の上方に形成される上部磁性層の
透磁率を向上させなければならない。このためには、前
記上部磁性層の下地となる絶縁層上面を平坦にする必要
がある。また、前記上部磁性層の内部応力を低下させる
ためには、コイル端子部付近の絶縁層上面も平坦にする
必要がある。

第３図に従来の薄膜磁気ヘッド製造方法における絶縁層
の平坦化工程を示す。

先ず、第３図（ａ）に示すようにフェライト等の高透磁
率磁性材料よりなる基板（１）の上面にＳｉＯ２等の絶
縁層（２）を被着形成する。

次に、第３図（ｂ）に示すように前記絶縁層（２）上面
にＣｕ等よりなる導電層を被着形成した後、該導電層に
イオンミリング等の微細エツチング加工によりバターニ
ングを行うことによりコイルパターンのコイル部（３ａ
）及び端子部（３ｂ）を形成する。

次に、第３図（Ｃ）に示すように前記コイル部（３ａ）
及び端子部（３ｂ）の上面にＳｉｎ、等の絶縁層（４）
を被着形成する。この時、前記絶縁層（４）表面には前
記コイル部（３ａ）及び端子部（３ｂ）に沿って凸部（
５ａ）及び凹部（５ｂ）よりなる段差が形成される。前
記段差の凸部（５ａ）の高さはコイル部（３ａ）及び端
子部（３ｂ）の高さと同程度であり、また前記凸部（５
ａ）のピッチはコイル部（３ａ）近傍では小さく（２〜
５ｐｍ）、端子部（３ｂ）側では大きい（１０〜１００
μｍ）。

次に、第３図（ｄ）に示すように前記絶縁層（４）表面
の段差を小さくするために、該絶縁層（４）上に７オト
レジスト（６）をスピンコードで形成する。

次に、第３図（ｅ）に示すように前記７オトレジスト（
６）の上方からイオンビームエツチングを行い、前記絶
縁層（４）の上部をフォトレジスト（６）表面に沿って
エツチング除去することにより該絶縁層（４）表面を平
坦化する。尚、この時のエツチング条件は、フォトレジ
スト（６）と絶縁層（４）とのエツチングレートが等速
になるように選ぶ。

−かし乍ら、上記従来の平坦化工程では、第３図（ｅ）
に示すように、絶縁層（４）表面はコイル部（３ａ）の
上方では平坦になるが、凸部（５ａ）のピッチが大きい
端子部（３ｂ）側では、十分には平坦化されず、前記凸
部（５ａ）の半分程度の凹部（７）が残る。

上述の問題を解決する手段とじて例えば、特開昭６３−
２０７１０号公報（Ｇ　１１　Ｂ　５．’３１　）がア
ル。これは、コイルパターンのピッチの大きい部分の凹
部に絶縁材からなる凸形状パターンを形成することによ
り前記コイルパターンの凹部のピッチを小さくしてから
平坦化工程を行うというものである。

しかし乍ら、この方法においても凸形状パターンを形成
することが非常に難しく、量産性に適していない。

また、７オトレジスト（６）を厚く（例えば、５μ口以
上）塗布形成することにより第４図（ａ）に示すように
７オトレジスト（６）表面を平坦にすることが出来るが
、この後、イオンビームエツチングを行う場合、前記７
オトレジスト（６）が厚いため、エツチング時間が長く
なり、該レジスト（６）は高エネルギーのイオンビーム
照射によるダメージにより変質が起こり、その結果レジ
ストのエツチングレートが極端に低下し、レジストの厚
い部分と薄い部分とでエツチング時間に差が生じ、第４
図（ｂ）に示すように絶縁層（４）表面に凹み（８）が
生じる。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
量産性を低下させることなく、コイルパターン上に形成
される絶縁層の表面を十分に平坦にすることが出来る薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするも
のである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、絶縁層表面の平
坦化を、前記絶縁層上に上面が平坦になるまで７オトレ
ジストを塗布形成し、該フォトレジストを酸素プラズマ
を用いたアッシングにより薄くした後、前記フ才・トレ
ジスト及び前記絶縁層の上部をイオンビームエツチング
により除去することにより行うことを特徴とする。

（ホ）作　用 上記製造方法に依れば、フォトレジストはアッシングに
より薄くなった後、イオンビームエンチングされるので
、イオンビームエツチングによる処理時間は短かく、前
記７オトレジストは変質しない。

（へ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説明
する。

第１図は本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法、特に平
坦化工程を示す要部断面図である。

先ず、従来例と同様にして第１図（ａ）に示すように基
板（１）の上面に絶縁層（２）、コイル部（３ａ）と端
子部（３ｂ）とよりなるコイルパターン、及び絶縁層（
４）を形成する。この時、前記絶縁層（４）の表面には
コイルパターンに沿って凸部（５ａ）と凹部（５ｂ）と
よりなる段差が形成される。

次に、第１図（ｂ）に示すように前記絶縁層（４）の上
部に７オトレジスト（６）をスピンコードによリ形成す
る。この時の７オトレジスト（６）の厚みは前記コイル
パターンの凹凸の最大ピッチとそこでの平坦度の目標に
よって決まる。例えば、実験より得られた第２図のよう
な関係があるとき、平坦度の目標を０　、４　＝ｍ以下
とすると、コイルパターンの凹凸の最大ピッチが１ＯＯ
ＪＩＴＩであれば、フォトレジスト（６）は２０μｍ以
上塗布する必要がある。尚、２０１Ｉｍのレジスト塗布
はスピンコードによる多層塗布により行う。

次に、第１図（ｃ）に示すように前記フォトレジスト（
６）を反応性イオンエンチング装置を用いて凸部（５ａ
）上の最小厚！が０　、５　ｐｍ、凹部（５ｂ）上の最
大厚ｍが３，５μｍになるまで酸素プラズマによりアッ
シング（灰化）を行う。この時のエツチング条件は、Ｒ
Ｆプラズマ出力が１００Ｗ、酸素流量が５０８ＣＣＭ、
酸素圧が０　、　Ｉ　Ｔｏｒｒである。

次に、第１図（ｄ）に示すように前記７オトレジスト（
６）のイオンビームエツチングを行い、該フォトレジス
ト（６）及び絶縁層（４）を合計３ａｍ厚エツチング除
去することにより前記絶縁層（４）表面を平坦にする。

この時のエツチング条件は、イオンビーム加速電圧が５
００Ｖ、イオン電流密度が１４０　ｍＡ／ａｍ　’、Ａ
ｒガス圧が０　、２　ｒｒ＋Ｔｏ’ｒｒ、イオンビーム
入射角が６０”である。この入射−の。

時の絶縁層とフォトレジストとの二ｙチングレートの比
（選択比）は１．０３である。

以上の工程により絶縁層（４）表面を平坦化した後、該
絶縁層（４）上にセンダスト等よりなる上部磁性層（図
示せず）を被着形成する。

上述のような製造方法に依れば、フォトレジスト（６）
を上面が平坦になるまで厚く塗布形成した後、物理的エ
ネルギーの小さい反応性イオンエツチングにより前記フ
ォトレジスト（６）を薄くし、その後イオンビームエツ
チングにより絶縁層（４）表面を平坦にするので、物理
的エネルギーの高いイオンビームエツチングを行う時間
は短く、前記フォトレジスト（６）は変質せず、エツチ
ングレートが設定値からずれることはなく、前記絶縁層
（４）表面の平坦化を高精度に行うことが出来る。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、量産性を低下させることなく、コイル
パターン上に形成される絶縁層表面を十分に平坦にし、
該絶縁層上に形成される上部磁性層の透磁率等の磁気特
性の劣化による記録再生特性の悪化を防止した薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係り、第１図は薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を示す要部断面図、第２図はレジスト塗
布厚によるレジスト表面段差の大きさを示す図である。 第３図及び第４図は夫々従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を示す要部断面図である。 （１）・・・基板、（３ａ）・・・コイル部、（３ｂ）
・・・端子部、（４）・・・絶縁層、（６）・・・７オ
トレジスト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成されたコイル部及び端子部よりなる
   コイルパターン上に絶縁層を被着形成し、該絶縁層表面
   を平坦化した後、前記絶縁層上に上部磁性層を被着形成
   する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記絶縁層表
   面の平坦化を、前記絶縁層上に上面が平坦になるまでフ
   ォトレジストを塗布形成し、該フォトレジストを酸素プ
   ラズマを用いたアッシングにより薄くした後、前記フォ
   トレジスト及び前記絶縁層の上部をイオンビームエッチ
   ングにより除去することにより行うことを特徴とする薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。