JPH0432011A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0432011A JPH0432011A JP14034590A JP14034590A JPH0432011A JP H0432011 A JPH0432011 A JP H0432011A JP 14034590 A JP14034590 A JP 14034590A JP 14034590 A JP14034590 A JP 14034590A JP H0432011 A JPH0432011 A JP H0432011A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り東上二且里ユＩ
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、より詳しく
は導電コイルの電気的絶縁を保つためのＳｉｎｇからな
る絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
は導電コイルの電気的絶縁を保つためのＳｉｎｇからな
る絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
従迷］支術
従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、導電コイルの絶縁層
としてフォトレジストを焼成したものが多く用いられて
きた。
としてフォトレジストを焼成したものが多く用いられて
きた。
しかしながら最近では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気
ヘッドの磁極として優れた軟磁気特性を有するＣＯ系ア
モルファス材等が使用されるようになり、このＣＯ系ア
モルファス材が軟磁気特性を保持できる最高温度が、上
記したフォトレジストの焼成温度（２００℃以上）より
も低いことから、フォトレジスト以外の絶縁材料が使用
されることが多くなってきている。中でも、導電コイル
の絶縁材料として、スパッタリング法により形成するこ
とができるＳｉＯ□が用いられていることが多い。
ヘッドの磁極として優れた軟磁気特性を有するＣＯ系ア
モルファス材等が使用されるようになり、このＣＯ系ア
モルファス材が軟磁気特性を保持できる最高温度が、上
記したフォトレジストの焼成温度（２００℃以上）より
も低いことから、フォトレジスト以外の絶縁材料が使用
されることが多くなってきている。中でも、導電コイル
の絶縁材料として、スパッタリング法により形成するこ
とができるＳｉＯ□が用いられていることが多い。
ところで従来、この５１０２からなる絶縁層を形成する
場合のテーバは、イオンミリングで、基板に対してテー
バ角度と同じ角度の斜め方向からエツチングすることに
より形成される。例えば、目標のテーバ角度が基板面に
対して３５°である場合は、イオンビームの入射角も３
５°に設定してイオンミリングする。これによって、レ
ジストでマスクされていた部分の３１０２はそのまま残
る一方、マスクされなかった部分のＳｉＯ□は、イオン
ビームの入射角に合わせてエツチングされ、目標とする
角度のテーバを形成することができる。
場合のテーバは、イオンミリングで、基板に対してテー
バ角度と同じ角度の斜め方向からエツチングすることに
より形成される。例えば、目標のテーバ角度が基板面に
対して３５°である場合は、イオンビームの入射角も３
５°に設定してイオンミリングする。これによって、レ
ジストでマスクされていた部分の３１０２はそのまま残
る一方、マスクされなかった部分のＳｉＯ□は、イオン
ビームの入射角に合わせてエツチングされ、目標とする
角度のテーバを形成することができる。
明が解゛ しようとする課８
しかしながら、上記したように絶縁層をイオンミリング
でエツチングする場合においては、例えば約２μｍの５
１０２に対してレジストを約６ｕｍ程度塗布する必要が
あった。つまり、イオンミリングでのレジストのエツチ
ングレートが、ＳｉＯ□の１に対して２〜３と大きく、
レジストが３１０２よりも速くエツチングされてしまう
ため、エツチングによりレジストが除去されてしまわな
いことを考慮して、レジストを５１０２の３倍程度厚く
形成する必要があった。そして、このときイオンミリン
グで削られた大量のレジストやＳｉｎｇは基板に再付着
し、５１０２絶縁層のテーバ形成における歩留まりを低
下させる原因になっていた。
でエツチングする場合においては、例えば約２μｍの５
１０２に対してレジストを約６ｕｍ程度塗布する必要が
あった。つまり、イオンミリングでのレジストのエツチ
ングレートが、ＳｉＯ□の１に対して２〜３と大きく、
レジストが３１０２よりも速くエツチングされてしまう
ため、エツチングによりレジストが除去されてしまわな
いことを考慮して、レジストを５１０２の３倍程度厚く
形成する必要があった。そして、このときイオンミリン
グで削られた大量のレジストやＳｉｎｇは基板に再付着
し、５１０２絶縁層のテーバ形成における歩留まりを低
下させる原因になっていた。
本発明は上記した課題に鑑みなされたものであり、Ｓｉ
Ｏ□からなる絶縁層のテーバを歩留まり良く形成するこ
とができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的としている。
Ｏ□からなる絶縁層のテーバを歩留まり良く形成するこ
とができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的としている。
課”を解ゞする１１、の 丁１
上記した目的を達成するために本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は、導電コイルの電気的絶縁を保つため
のＳｉＯ□からなる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、′ＲＩ Ｅを用いて前記絶縁層にエツ
チングを施すことを特徴としている。
ッドの製造方法は、導電コイルの電気的絶縁を保つため
のＳｉＯ□からなる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、′ＲＩ Ｅを用いて前記絶縁層にエツ
チングを施すことを特徴としている。
また、上記した方法において、絶縁層上にレジストパタ
ーンを形成した後、基板に対して斜め方向からＲＩＥを
用いてエツチングを施すことを特徴とし、 また、前記絶縁層上にその端部にテーバが付与されたレ
ジストパターンを形成することを特徴としている。
ーンを形成した後、基板に対して斜め方向からＲＩＥを
用いてエツチングを施すことを特徴とし、 また、前記絶縁層上にその端部にテーバが付与されたレ
ジストパターンを形成することを特徴としている。
さらに上記した方法において、絶縁層端部の目標とする
テーパ角度よりも小さな角度の斜め方向からエツチング
することを特徴とし、また、前記ＲＩＨにおけるエツチ
ングガスとしてＣＦ４とＣＨＦ３との混合ガスを用いる
ことを特徴としている。
テーパ角度よりも小さな角度の斜め方向からエツチング
することを特徴とし、また、前記ＲＩＨにおけるエツチ
ングガスとしてＣＦ４とＣＨＦ３との混合ガスを用いる
ことを特徴としている。
生月
上記記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、前記Ｒ
ＩＥを用いると、アンダーカットが小さく抑えられて前
記ＳｉＯ□の絶縁層がエツチングされる。このとき、フ
ッ素系のエツチングガスとＳｉｎｇとが反応し、５ＩＦ
４の気体となって排気されるため、エツチングされた絶
縁層が基板に再付着することがない。また、前記ＲＩＥ
は反応性であるため、イオンミリングとは逆に、前記絶
縁層上に形成されているレジストの方が前記ＳｉＯ□の
絶縁層よりもエツチングされにくく、エツチングされる
レジストの絶対量が少なくなる。従って、レジストの基
板への再付着量が減少し、しかも薄膜のレジストの使用
が可能となる。
ＩＥを用いると、アンダーカットが小さく抑えられて前
記ＳｉＯ□の絶縁層がエツチングされる。このとき、フ
ッ素系のエツチングガスとＳｉｎｇとが反応し、５ＩＦ
４の気体となって排気されるため、エツチングされた絶
縁層が基板に再付着することがない。また、前記ＲＩＥ
は反応性であるため、イオンミリングとは逆に、前記絶
縁層上に形成されているレジストの方が前記ＳｉＯ□の
絶縁層よりもエツチングされにくく、エツチングされる
レジストの絶対量が少なくなる。従って、レジストの基
板への再付着量が減少し、しかも薄膜のレジストの使用
が可能となる。
また、絶縁層上にレジストパターンを形成した後、基板
に対して斜め方向からＲＩＥを用いてエツチングを施す
場合には、前記ＲＩＥは異方性が大きいため、前記絶縁
層の端部には、目標に近い角度のテーバが形成される。
に対して斜め方向からＲＩＥを用いてエツチングを施す
場合には、前記ＲＩＥは異方性が大きいため、前記絶縁
層の端部には、目標に近い角度のテーバが形成される。
さらに、絶縁層上にその端部にテーバが付与されたレジ
ストパターンを形成する場合には、基板に対して斜め方
向からＲＩＥによるエツチングをすると、たとえ前記レ
ジストがエツチングにより薄くなったとしてもその形状
は変化しないため、一定の領域の前記絶縁層がエツチン
グされることとなる。従って、直線状のテーバが形成さ
れる。
ストパターンを形成する場合には、基板に対して斜め方
向からＲＩＥによるエツチングをすると、たとえ前記レ
ジストがエツチングにより薄くなったとしてもその形状
は変化しないため、一定の領域の前記絶縁層がエツチン
グされることとなる。従って、直線状のテーバが形成さ
れる。
また、アンダーカットを考慮して絶縁層端部の目標とす
るテーバ角度よりも小さな角度の斜め方向からエツチン
グする場合には、絶縁層の端部に目標の角度のテーパが
正確に形成されることとなる。
るテーバ角度よりも小さな角度の斜め方向からエツチン
グする場合には、絶縁層の端部に目標の角度のテーパが
正確に形成されることとなる。
さらに、ＲＩＥにおけるエツチングガスとしてＣＦ、と
ＣＨＦ３との混合ガスを用いる場合には、エツチング中
にテーパ面に保護膜が形成されてアンダーカットが抑え
られ、前記絶縁層の端部にアンダーカットされていない
良好なテーパが形成されることとなる。
ＣＨＦ３との混合ガスを用いる場合には、エツチング中
にテーパ面に保護膜が形成されてアンダーカットが抑え
られ、前記絶縁層の端部にアンダーカットされていない
良好なテーパが形成されることとなる。
災丘コ
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法のエツ
チング工程の一例を模式的に示した断面図である。第１
図中１１は例えばＳｌからなる基板であり、この３１基
板１１上には約０．３μｍのＣｕ１２が成膜されている
。ここで、Ｃｕ１２が成膜されているのは、ＲＩＥてエ
ツチングすると３１の基板１１もエツチングされてしま
い、エツチングによる形状変化の観察を誤る可能性があ
るためてあり、この理由から５ｉ０２のエツチングのエ
ンドポイント用としてＲＩＥではエツチングされないＣ
ｕ１２が基板１１上に成膜されている。
チング工程の一例を模式的に示した断面図である。第１
図中１１は例えばＳｌからなる基板であり、この３１基
板１１上には約０．３μｍのＣｕ１２が成膜されている
。ここで、Ｃｕ１２が成膜されているのは、ＲＩＥてエ
ツチングすると３１の基板１１もエツチングされてしま
い、エツチングによる形状変化の観察を誤る可能性があ
るためてあり、この理由から５ｉ０２のエツチングのエ
ンドポイント用としてＲＩＥではエツチングされないＣ
ｕ１２が基板１１上に成膜されている。
Ｃｕ１２上には、スパッタリングにより約２μｍの５ｉ
（ｈからなる絶縁層１３が積層形成されており、その上
には約０５μｍの厚さのレジスト１４が、その端部を略
垂直にしてパターン形成されている。
（ｈからなる絶縁層１３が積層形成されており、その上
には約０５μｍの厚さのレジスト１４が、その端部を略
垂直にしてパターン形成されている。
このように形成されている積層体の表面を電極と平行に
し、つまりエツチングガスの照射方向が基板１１面に対
して略９０°となるように基板１１を配置し、 ＣＦ、
をエツチングガスとしてＲＩＥによるエツチングを施し
た。
し、つまりエツチングガスの照射方向が基板１１面に対
して略９０°となるように基板１１を配置し、 ＣＦ、
をエツチングガスとしてＲＩＥによるエツチングを施し
た。
その結果、従来のイオンミリングにおいて大きくアンダ
ーカットされてエツチングされていた絶縁層１３を、第
２図に示したようにアンダーカットを小さく抑えてエツ
チングすることができた。
ーカットされてエツチングされていた絶縁層１３を、第
２図に示したようにアンダーカットを小さく抑えてエツ
チングすることができた。
なお、このときの最適なエツチング条件は、入力電力が
７５０Ｗ、ガス圧力が０ 、４ Ｔｏｒｒ、ガス流量が
１００ＳＣＣＵであり、この場合、約８．７の選択比（
Ｓ１０□の絶縁層１３のエツチングレートをレジスト１
４のエツチングレートで除した値）が得られた。また５
１０２からなる絶縁層１３のエツチング速度は７２０人
／分、基板１１の温度は約１６０°Ｃてあった。
７５０Ｗ、ガス圧力が０ 、４ Ｔｏｒｒ、ガス流量が
１００ＳＣＣＵであり、この場合、約８．７の選択比（
Ｓ１０□の絶縁層１３のエツチングレートをレジスト１
４のエツチングレートで除した値）が得られた。また５
１０２からなる絶縁層１３のエツチング速度は７２０人
／分、基板１１の温度は約１６０°Ｃてあった。
第３図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法のエツ
チング工程の別の例を模式的に示した断面図である。こ
の実施例においては、第１図の絶縁層１３の端部にテー
パを形成するために、上２した最適条件で基板１１に対
し斜め方向からＣＦ。
チング工程の別の例を模式的に示した断面図である。こ
の実施例においては、第１図の絶縁層１３の端部にテー
パを形成するために、上２した最適条件で基板１１に対
し斜め方向からＣＦ。
て、ＲＩＥによるエツチングを行なった。なお、絶縁層
１３上に形成されているレジスト１４の端部にはテーパ
が付与されておらず、目標のレジスト１４のテーパ角度
を３５°とし、電極に対する基板１１の傾きを２５°、
３０°、３５゜４０°と変化させて行なった。
１３上に形成されているレジスト１４の端部にはテーパ
が付与されておらず、目標のレジスト１４のテーパ角度
を３５°とし、電極に対する基板１１の傾きを２５°、
３０°、３５゜４０°と変化させて行なった。
エツチング後の絶縁層１３及びレジスト１４の状態を第
４図に示す。第４図から明らかなように、レジスト１４
の角が早くエツチングされてしまったために、５ｉ０２
の絶縁層１３のエツチング領域が広がってしまい、若干
裾をひいた形のテーパが形成された。しかしながら、異
方性エツチングであるＲＩＥを用い基板１１に対して斜
め方向からエツチングすることにより、所要のテーパが
形成されることが確認された。特に、第１表に示したよ
うに基板１１の傾きを２５°とした場合において、アン
ダーカットが僅かに認められる程度の目標に近い角度の
テーパを形成することができた。
４図に示す。第４図から明らかなように、レジスト１４
の角が早くエツチングされてしまったために、５ｉ０２
の絶縁層１３のエツチング領域が広がってしまい、若干
裾をひいた形のテーパが形成された。しかしながら、異
方性エツチングであるＲＩＥを用い基板１１に対して斜
め方向からエツチングすることにより、所要のテーパが
形成されることが確認された。特に、第１表に示したよ
うに基板１１の傾きを２５°とした場合において、アン
ダーカットが僅かに認められる程度の目標に近い角度の
テーパを形成することができた。
第 １ 表
第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法のエツ
チング工程のさらに別の例を模式的に示した断面図であ
る。第５図に示した如く、この実施例においては、絶縁
層１３上に形成されているレジスト１４の端部に基板１
１の傾きと同し角度のテーパを付与し、上記した最適条
件で基板１１に対し斜め方向から、 ＣＦ、でＲＩＥに
よるエツチングを行なった。ここで、レジスト１４のテ
ーパは、レジスト１４上に載置されたマスク（図示せず
）への露光時間と照度と現像時間とを調節することによ
り、及び現像後の熱処理条件を調節することにより、所
定の角度に形成された。
チング工程のさらに別の例を模式的に示した断面図であ
る。第５図に示した如く、この実施例においては、絶縁
層１３上に形成されているレジスト１４の端部に基板１
１の傾きと同し角度のテーパを付与し、上記した最適条
件で基板１１に対し斜め方向から、 ＣＦ、でＲＩＥに
よるエツチングを行なった。ここで、レジスト１４のテ
ーパは、レジスト１４上に載置されたマスク（図示せず
）への露光時間と照度と現像時間とを調節することによ
り、及び現像後の熱処理条件を調節することにより、所
定の角度に形成された。
エツチング後の絶縁層１３及びレジスト１４の状態を第
６図に示す。第６図に示したよう（ニレジスト１４にテ
ーパを付与すると、たとえエツチング中にレジスト１４
が薄くなってもその形状は変わらないため一定の領域を
エツチングすることができ、絶縁層１３に裾をひかない
直線状のテーパを形成することができた。また、このと
きのアンダーカットは極く小さかった。
６図に示す。第６図に示したよう（ニレジスト１４にテ
ーパを付与すると、たとえエツチング中にレジスト１４
が薄くなってもその形状は変わらないため一定の領域を
エツチングすることができ、絶縁層１３に裾をひかない
直線状のテーパを形成することができた。また、このと
きのアンダーカットは極く小さかった。
さらに別の実施例として、 ＣＦ、とＣＨＦ３との比が
４：１の混合ガスをエツチングガスとして用い、第５図
と同様の条件でＲＩＥによるエツチングを行なった。な
お、このときのレジスト１４端部には基板１１の傾きと
同じ角度のテーパを付与した。また目標のレジスト１４
のテーパ角度を３５°とし、電極に対する基板１１の傾
きを２５°、３０’ 、３５°、４０°と変化させて行
なった。
４：１の混合ガスをエツチングガスとして用い、第５図
と同様の条件でＲＩＥによるエツチングを行なった。な
お、このときのレジスト１４端部には基板１１の傾きと
同じ角度のテーパを付与した。また目標のレジスト１４
のテーパ角度を３５°とし、電極に対する基板１１の傾
きを２５°、３０’ 、３５°、４０°と変化させて行
なった。
その結果、エツチング中にテーパ面に保護膜が形成され
てアンダーカットが抑えられ、絶縁層１２の端部にアン
ダーカットがほとんど認められない良好なテーパを形成
することができた。また、第２表に示したように基ｍｌ
ｌの傾きを３０” とした場合、絶縁層１２に目標の角
度のテーパを正確に形成することができた。これらのこ
とから、目標とするテーパ角度よりも小さな角度の斜め
方向からエツチングすることは、目標の角度のテーパを
絶縁層１３の端部に形成する上で有効であることが確認
された。
てアンダーカットが抑えられ、絶縁層１２の端部にアン
ダーカットがほとんど認められない良好なテーパを形成
することができた。また、第２表に示したように基ｍｌ
ｌの傾きを３０” とした場合、絶縁層１２に目標の角
度のテーパを正確に形成することができた。これらのこ
とから、目標とするテーパ角度よりも小さな角度の斜め
方向からエツチングすることは、目標の角度のテーパを
絶縁層１３の端部に形成する上で有効であることが確認
された。
（以 下 余 白）
第２表
最後に、上記した方法により実際の薄１１ｉ磁気ヘッド
を作製して、作製工程における絶縁層１３の５ｉＯｚ及
びレジスト１４の再付着の状況を調べた。
を作製して、作製工程における絶縁層１３の５ｉＯｚ及
びレジスト１４の再付着の状況を調べた。
その結果、エツチングされた絶縁層Ｉ３の５１０２は、
フッソ系のエツチングガスと反応して５ＩＦ４の気体と
なって排気されたため、再付着が認められなかった。さ
らにＲＩＨによるエツチングではレジスト１４の方が５
１０２よりもエツチングされにくく、エツチングされる
レジスト１４の量も少なくて済むため、レジスト１４の
付着量も大きく減少していた。
フッソ系のエツチングガスと反応して５ＩＦ４の気体と
なって排気されたため、再付着が認められなかった。さ
らにＲＩＨによるエツチングではレジスト１４の方が５
１０２よりもエツチングされにくく、エツチングされる
レジスト１４の量も少なくて済むため、レジスト１４の
付着量も大きく減少していた。
そして、従来のイオンミリングにより絶縁層１３のテー
パ形成を行なった場合では９１％しかなかった歩留まり
が、ＲＩＥを使用することによって９９％以上になり、
絶縁層１３のテーパ形成工程での不良がほとんどなくな
るという好結果が得られた。
パ形成を行なった場合では９１％しかなかった歩留まり
が、ＲＩＥを使用することによって９９％以上になり、
絶縁層１３のテーパ形成工程での不良がほとんどなくな
るという好結果が得られた。
２涯しΣ仇果
以上の説明により明らかなように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、導電コイルの電気的絶縁
を保つための５１０２からなる絶縁層を備えた薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、ＲＩＥを用いて前記絶縁層
にエツチングを施すので、アンダーカットを小さく抑え
て５１０２からなる前記絶縁層をエツチングすることが
できる。このとき、フッ素系のエツチングガスと５ｉｎ
２とが反応し気体となって排気され、しかもエツチング
されるレジストの絶対量も少なくて済むため、エツチン
グされた５１０２及びレジストの基板への再付着も大幅
に減少させることができ、従ってＳｉＯ□からなる絶縁
層のテーパを歩留まり良く作製することができる。
気ヘッドの製造方法によれば、導電コイルの電気的絶縁
を保つための５１０２からなる絶縁層を備えた薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、ＲＩＥを用いて前記絶縁層
にエツチングを施すので、アンダーカットを小さく抑え
て５１０２からなる前記絶縁層をエツチングすることが
できる。このとき、フッ素系のエツチングガスと５ｉｎ
２とが反応し気体となって排気され、しかもエツチング
されるレジストの絶対量も少なくて済むため、エツチン
グされた５１０２及びレジストの基板への再付着も大幅
に減少させることができ、従ってＳｉＯ□からなる絶縁
層のテーパを歩留まり良く作製することができる。
また、上記した方法において、絶縁層上にレジストバク
ーンを形成した後、基板に対して斜め方向からＲＩＥを
用いてエツチングを施す場合には、前記絶縁層の端部に
アンダーカットが小さくしかも目標に近い角度のテーパ
を形成することができる。
ーンを形成した後、基板に対して斜め方向からＲＩＥを
用いてエツチングを施す場合には、前記絶縁層の端部に
アンダーカットが小さくしかも目標に近い角度のテーパ
を形成することができる。
さらに、上記した方法において、絶縁層上にその端部に
テーパが付与されたレジストパターンを形成する場合に
は、基板に対して斜め方向からＲＩＥによるエツチング
ガスを照射すると、一定の領域の前記絶縁層をエツチン
グすることができる。従って、直線状のテーパを形成す
ることができ、アンダーカットも小さく抑えることがで
きる。
テーパが付与されたレジストパターンを形成する場合に
は、基板に対して斜め方向からＲＩＥによるエツチング
ガスを照射すると、一定の領域の前記絶縁層をエツチン
グすることができる。従って、直線状のテーパを形成す
ることができ、アンダーカットも小さく抑えることがで
きる。
また、上記した方法において、絶縁層端部の目標とする
テーパ角度よりも小さな角度の斜め方向からエツチング
する場合には、絶縁層の端部（二アンダーカットされて
いない良好なテーパを目標の角度に正確に形成すること
ができる。
テーパ角度よりも小さな角度の斜め方向からエツチング
する場合には、絶縁層の端部（二アンダーカットされて
いない良好なテーパを目標の角度に正確に形成すること
ができる。
さらに、上記した方法において、ＲＩＥにおけるエツチ
ングガスとしてＣＦ４とＣＨＦ３との混合ガスを用いる
場合には、エツチング中にテーパ面に保護膜が形成され
てアンダーカットが抑えられ、前記絶縁層の端部にアン
ダーカットされていない良好なテーパを形成することが
できる。
ングガスとしてＣＦ４とＣＨＦ３との混合ガスを用いる
場合には、エツチング中にテーパ面に保護膜が形成され
てアンダーカットが抑えられ、前記絶縁層の端部にアン
ダーカットされていない良好なテーパを形成することが
できる。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法のエツ
チング工程の一例を模式的に示した断面図、第２図は第
１図のエツチング工程後のレジスト及び絶縁層のテーバ
部分の様子を模式的に示した断面図、第３図は本発明に
係る薄１１Ｍｍ気ヘッドの製造方法のエツチング工程の
別の例を模式的に示した断面図、第４図は第３図のエツ
チング工程後のレジスト及び絶縁層のテーパ部分の様子
を模式的に示した断面図、第５図は本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法のエツチング工程のさらに別の例を
模式的に示した断面図、第６図は第５図のエツチング工
程後のレジスト及び絶縁層のテーパ部分の様子を模式的
に示した断面図である。 １１・・・基板 １３・・・絶縁層 １４・・・レジスト 特 許 出願人：住友金属工業株式会社代 理 人
・弁理士 弁内 龍 第１図 ｊＪＪｊｊｊｊ 第２図 第３図 〒〒〒オラ〒〒テラ酊１１
チング工程の一例を模式的に示した断面図、第２図は第
１図のエツチング工程後のレジスト及び絶縁層のテーバ
部分の様子を模式的に示した断面図、第３図は本発明に
係る薄１１Ｍｍ気ヘッドの製造方法のエツチング工程の
別の例を模式的に示した断面図、第４図は第３図のエツ
チング工程後のレジスト及び絶縁層のテーパ部分の様子
を模式的に示した断面図、第５図は本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法のエツチング工程のさらに別の例を
模式的に示した断面図、第６図は第５図のエツチング工
程後のレジスト及び絶縁層のテーパ部分の様子を模式的
に示した断面図である。 １１・・・基板 １３・・・絶縁層 １４・・・レジスト 特 許 出願人：住友金属工業株式会社代 理 人
・弁理士 弁内 龍 第１図 ｊＪＪｊｊｊｊ 第２図 第３図 〒〒〒オラ〒〒テラ酊１１
Claims (5)
- （１）導電コイルの電気的絶縁を保つためのＳｉＯ＿２
からなる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いて、ＲＩＥを用いて前記絶縁層にエッチングを施すこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （２）絶縁層上にレジストパターンを形成した後、基板
に対して斜め方向からＲＩＥを用いてエッチングを施す
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （３）絶縁層上にその端部にテーパが付与されたレジス
トパターンを形成する請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - （４）絶縁層端部の目標とするテーパ角度よりも小さな
角度の斜め方向からエッチングする請求項１、請求項２
又は請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （５）ＲＩＥにおけるエッチングガスとしてＣＦ＿４と
ＣＨＦ＿３との混合ガスを用いる請求項１、請求項２、
請求項３又は請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14034590A JPH0432011A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14034590A JPH0432011A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432011A true JPH0432011A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15266671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14034590A Pending JPH0432011A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432011A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7012783B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sealing glass for magnetic head, magnetic head, and magnetic recording/reproducing device |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP14034590A patent/JPH0432011A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7012783B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sealing glass for magnetic head, magnetic head, and magnetic recording/reproducing device |
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