JPH0442416A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0442416A JPH0442416A JP15025390A JP15025390A JPH0442416A JP H0442416 A JPH0442416 A JP H0442416A JP 15025390 A JP15025390 A JP 15025390A JP 15025390 A JP15025390 A JP 15025390A JP H0442416 A JPH0442416 A JP H0442416A
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- JP
- Japan
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- resist
- insulating layer
- etching
- taper
- angle
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- Magnetic Heads (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
証！上停打里旦ｙ
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、より詳しく
は導電性コイルの電気的絶縁を保つための３１０２から
なる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
。
は導電性コイルの電気的絶縁を保つための３１０２から
なる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
。
藍東五技止
従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、導電性コイルの絶縁
層としてフォトレジストを焼成したものが多く用いられ
てきた。
層としてフォトレジストを焼成したものが多く用いられ
てきた。
しかしながら最近では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気
ヘッドの磁極として優れた軟磁気特性を有するＧＯ系ア
モルファス材等が使用されるようになり、このＧｏ系ア
モルファス材が軟磁気特性を保持できる最高温度が、上
記したフォトレジストの焼成温度（２００℃以上）より
も低いことから、フォトレジスト以外の絶縁材料が使用
されることが多くなってきている。中でも、コイルの絶
縁材料として、スパック法により形成することができる
５ｉｎｓが用いられていることが多い。
ヘッドの磁極として優れた軟磁気特性を有するＧＯ系ア
モルファス材等が使用されるようになり、このＧｏ系ア
モルファス材が軟磁気特性を保持できる最高温度が、上
記したフォトレジストの焼成温度（２００℃以上）より
も低いことから、フォトレジスト以外の絶縁材料が使用
されることが多くなってきている。中でも、コイルの絶
縁材料として、スパック法により形成することができる
５ｉｎｓが用いられていることが多い。
ところで従来、このＳｉｎ、からなる絶縁層を形成する
場合のテーパは、イオンミリングで、基板に対してテー
パ角度と同じ角度の斜め方向からエツチングすることに
より作製される１例えば、目標のテーパ角度が基板面に
対して３５°である場合は、イオンビームの入射角も３
５°に設定してイオンミリングする。これによって、レ
ジストでマスクされていた部分のＳｉｎ、はそのまま残
る一方。
場合のテーパは、イオンミリングで、基板に対してテー
パ角度と同じ角度の斜め方向からエツチングすることに
より作製される１例えば、目標のテーパ角度が基板面に
対して３５°である場合は、イオンビームの入射角も３
５°に設定してイオンミリングする。これによって、レ
ジストでマスクされていた部分のＳｉｎ、はそのまま残
る一方。
マスクされなかった部分のＳｉＯ□は、イオンビームの
入射角に合わせてエツチングされ、目標とする角度のテ
ーパを作製することができる。
入射角に合わせてエツチングされ、目標とする角度のテ
ーパを作製することができる。
■が ゛しようとする６
しかしながら、上記したように絶縁層をイオンミリング
でエツチングする場合、例えば約２μｍのＳｉＯ□に対
してレジストを約６μｍ程度塗布する必要があった。つ
まり、イオンミリングでのレジストのエツチングレート
が、ＳｉＯ□の１に対して２〜３と大きく、レジストが
ＳｉＯｘよりも速くエツチングされてしまうため、エツ
チングによりレジストが除去されてしまわないことを考
慮して、レジストを５ｉｎｓの３倍程度厚（形成する必
要があった。そして２このときイオンミリングで削られ
た大量のレジストやＳｉＯｘは基板に再付着し、Ｓｉｎ
、絶縁層のテーパ作製における歩留まりを低下させる原
因になっていた。
でエツチングする場合、例えば約２μｍのＳｉＯ□に対
してレジストを約６μｍ程度塗布する必要があった。つ
まり、イオンミリングでのレジストのエツチングレート
が、ＳｉＯ□の１に対して２〜３と大きく、レジストが
ＳｉＯｘよりも速くエツチングされてしまうため、エツ
チングによりレジストが除去されてしまわないことを考
慮して、レジストを５ｉｎｓの３倍程度厚（形成する必
要があった。そして２このときイオンミリングで削られ
た大量のレジストやＳｉＯｘは基板に再付着し、Ｓｉｎ
、絶縁層のテーパ作製における歩留まりを低下させる原
因になっていた。
本発明は上記した課題に鑑みなされたものであり、５ｉ
Ｏａからなる絶縁層のテーパな歩留まり良く作製するこ
とができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的としている。
Ｏａからなる絶縁層のテーパな歩留まり良く作製するこ
とができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的としている。
課 を ′する。、の
上記した目的を達成するために本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は、導電性コイルの電気的絶縁を保つた
めのＳｉＯ□からなる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記絶縁層のマスクとしてのレジス
ト端部にテーパな付与すると共に、前記レジスト面に対
して略垂直方向からＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉ
ｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によるエツチングを施すことを
特徴とし、 また、Ｓｉ島絶縁層端部のテーパ付与において、目標の
テーパ角度よりも小さな角度のテーパをレジスト端部に
付与することを特徴としている。
ッドの製造方法は、導電性コイルの電気的絶縁を保つた
めのＳｉＯ□からなる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記絶縁層のマスクとしてのレジス
ト端部にテーパな付与すると共に、前記レジスト面に対
して略垂直方向からＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉ
ｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によるエツチングを施すことを
特徴とし、 また、Ｓｉ島絶縁層端部のテーパ付与において、目標の
テーパ角度よりも小さな角度のテーパをレジスト端部に
付与することを特徴としている。
さらに、上記した薄ｌＪＩ磁気ヘッドの製造方法におけ
る５ｉｆｔ絶縁層端部のテーパ付与において、目標のテ
ーパ角度をφ、Ｓｉｎ、のエツチングレートをＲｓ、レ
ジストのエツチングレートをＲｒとすると、 で表わされる角度θのテーパをレジストに付与すること
を特徴としている。
る５ｉｆｔ絶縁層端部のテーパ付与において、目標のテ
ーパ角度をφ、Ｓｉｎ、のエツチングレートをＲｓ、レ
ジストのエツチングレートをＲｒとすると、 で表わされる角度θのテーパをレジストに付与すること
を特徴としている。
■
上記記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、５ｉｆ
ｔ絶縁層のマスクとしてのレジスト端部にテーパを付与
すると共に、前記レジスト面に対して略垂直方向からＲ
ＩＥによりエツチングすると、前記テーパ部分は初めレ
ジストがエツチングされ、レジストがなくなると次に５
ｉＯｉがエツチングされる。このため、レジストの薄い
部分はすぐにレジストがなくなりＳｉＯ□がエツチング
され始めるが、レジストの厚い部分はＳｉＯ□のエツチ
ングの開始が遅くなる。つまりレジスト端部にテーパな
付与することにより、時間差でＳｉｎｇの絶縁層をエツ
チングすることとなり、絶縁層に所要の角度のテーパが
作製される。また、前記ＲＩＥによるエツチングでは、
エツチングガスとして例えばフッ素系ガスのＣＦ４を用
いるので、５ｉ０２は５ＩＦ４の気体となって排気され
、基板に再付着しない、さらにＲＩＥは反応性なので、
イオンミリングとは逆にレジストの方がＳｉＯ□よりも
エツチングされにくく、エツチングされるレジストの絶
対量も少なくなる。従って、エツチングされたレジスト
の再付着量が減少する。
ｔ絶縁層のマスクとしてのレジスト端部にテーパを付与
すると共に、前記レジスト面に対して略垂直方向からＲ
ＩＥによりエツチングすると、前記テーパ部分は初めレ
ジストがエツチングされ、レジストがなくなると次に５
ｉＯｉがエツチングされる。このため、レジストの薄い
部分はすぐにレジストがなくなりＳｉＯ□がエツチング
され始めるが、レジストの厚い部分はＳｉＯ□のエツチ
ングの開始が遅くなる。つまりレジスト端部にテーパな
付与することにより、時間差でＳｉｎｇの絶縁層をエツ
チングすることとなり、絶縁層に所要の角度のテーパが
作製される。また、前記ＲＩＥによるエツチングでは、
エツチングガスとして例えばフッ素系ガスのＣＦ４を用
いるので、５ｉ０２は５ＩＦ４の気体となって排気され
、基板に再付着しない、さらにＲＩＥは反応性なので、
イオンミリングとは逆にレジストの方がＳｉＯ□よりも
エツチングされにくく、エツチングされるレジストの絶
対量も少なくなる。従って、エツチングされたレジスト
の再付着量が減少する。
また、目標のテーパ角度よりも小さな角度のテーパをレ
ジスト端部に付与した場合には、ＲＩＥによりエツチン
グすると、前記レジストのエッチングレートの方がＳｉ
Ｏ□絶縁層のそれよりも小さいため、ＳｉＯ□絶縁層に
所要の角度のテーパが作製されることとなる。
ジスト端部に付与した場合には、ＲＩＥによりエツチン
グすると、前記レジストのエッチングレートの方がＳｉ
Ｏ□絶縁層のそれよりも小さいため、ＳｉＯ□絶縁層に
所要の角度のテーパが作製されることとなる。
さらに、目標のテーパ角度をφ、Ｓｉｎｇのエツチング
レートをＲｓ、 レジストのエッチングレートをＲｒ
とすると、 ｔａｎθ： ｔａｎφ＝Ｒｒ ： Ｒｓの関係より、
レジストのテーパ角度θは と表わされる。ＲＩＥによるエツチングでは、上記した
ようにＲｓ＞Ｒｒの関係があるので、上記式で表わされ
る角度θのテーパをレジストに付与した場合には、レジ
スト面に対して略垂直方向からＲＩＥによるエツチング
を施すと、ＳｉＯ□絶縁層に目標の角度φのテーパが作
製されることとなる。
レートをＲｓ、 レジストのエッチングレートをＲｒ
とすると、 ｔａｎθ： ｔａｎφ＝Ｒｒ ： Ｒｓの関係より、
レジストのテーパ角度θは と表わされる。ＲＩＥによるエツチングでは、上記した
ようにＲｓ＞Ｒｒの関係があるので、上記式で表わされ
る角度θのテーパをレジストに付与した場合には、レジ
スト面に対して略垂直方向からＲＩＥによるエツチング
を施すと、ＳｉＯ□絶縁層に目標の角度φのテーパが作
製されることとなる。
！凪列
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例を図面に基づいて説明する。
例を図面に基づいて説明する。
まず、予備実験として５ｉｎｓからなる絶縁層のテーパ
作製条件の最適化を行なった。基板として。
作製条件の最適化を行なった。基板として。
断面観察のし易いＳｉ基板を用い、第１図に示したよう
にこのＳｉ基板１１上にＣｕ１２を約０．３μｍ蒸着さ
せた。ここで、（：ｕ１２を蒸着させたのは。
にこのＳｉ基板１１上にＣｕ１２を約０．３μｍ蒸着さ
せた。ここで、（：ｕ１２を蒸着させたのは。
エツチングガスとしてＣＦ４を用いると、Ｓｉ基板１１
もエツチングされてしまいエツチングによる形状変化の
観察を誤る可能性があるためであり、この理由からＳｉ
ｎｇのエツチングのエンドポイント用としてＲＩＥでは
エツチングされないＣｕ１２を蒸着させた。
もエツチングされてしまいエツチングによる形状変化の
観察を誤る可能性があるためであり、この理由からＳｉ
ｎｇのエツチングのエンドポイント用としてＲＩＥでは
エツチングされないＣｕ１２を蒸着させた。
次いで、Ｃｕ１２上に５ｉＯａをスパッタリングで約２
μｍ積層して絶縁層１３を形成し、その上にレジスト１
４を約０．８μｍの厚さに積層形成した。このとき、レ
ジスト１４の端部は略垂直にして形成した。
μｍ積層して絶縁層１３を形成し、その上にレジスト１
４を約０．８μｍの厚さに積層形成した。このとき、レ
ジスト１４の端部は略垂直にして形成した。
そして、このように形成された積層体の表面を電極と平
行にし、ＣＦ４を用いてＲＩＥによるエツチングを施し
、最適条件と選択比（Ｓｉｎ、のエツチングレートＲｓ
をレジストのエツチングレートＲｒで割った値）を求め
た。その結果、最適条件と選択比は 入力電力 ７００Ｗ ガス圧力 ０ 、３ Ｔｏｒｒ ガス流量 １１００５ｅｃ 選択比 ３４ となり、このときの５ｉＯｚの絶縁層１３のエツチング
速度は６４０人／分、基ｌ２ｉｉｌｌの温度は約１５０
℃となった。
行にし、ＣＦ４を用いてＲＩＥによるエツチングを施し
、最適条件と選択比（Ｓｉｎ、のエツチングレートＲｓ
をレジストのエツチングレートＲｒで割った値）を求め
た。その結果、最適条件と選択比は 入力電力 ７００Ｗ ガス圧力 ０ 、３ Ｔｏｒｒ ガス流量 １１００５ｅｃ 選択比 ３４ となり、このときの５ｉＯｚの絶縁層１３のエツチング
速度は６４０人／分、基ｌ２ｉｉｌｌの温度は約１５０
℃となった。
次に、この最適条件下で、第１図に示した如くレジスト
１４の端部に、絶縁１１３の目標のテーパ角度φよりも
小さな角度θのテーパを付与した。ここで、レジスト１
４のテーパは、レジスト１４上に載置されたマスク（図
示せず）への露光時間と照度とを調節することにより、
及びマスク除去、レジストバクーン形成後の熱処理条件
を調節することにより、所定の角度θに形成される。
１４の端部に、絶縁１１３の目標のテーパ角度φよりも
小さな角度θのテーパを付与した。ここで、レジスト１
４のテーパは、レジスト１４上に載置されたマスク（図
示せず）への露光時間と照度とを調節することにより、
及びマスク除去、レジストバクーン形成後の熱処理条件
を調節することにより、所定の角度θに形成される。
そして、レジスト１４に対して略垂直方向からＣＦ４を
照射して、ＲＩＥによるエツチングを行なった。
照射して、ＲＩＥによるエツチングを行なった。
エツチング後の絶縁層１３の状態を第２図に示す、なお
、第２図において破線で示した部分はエツチングにより
除去されたレジスト１４及び絶縁層１３である。第２図
に示したように、レジスト１４に角度θのテーパを付与
すると、レジスト１４の薄い部分はすぐに除去されて絶
縁層１３がエツチングされ始めるが、レジスト１４の厚
い部分は絶縁層１３のエツチングの開始が遅くなり。
、第２図において破線で示した部分はエツチングにより
除去されたレジスト１４及び絶縁層１３である。第２図
に示したように、レジスト１４に角度θのテーパを付与
すると、レジスト１４の薄い部分はすぐに除去されて絶
縁層１３がエツチングされ始めるが、レジスト１４の厚
い部分は絶縁層１３のエツチングの開始が遅くなり。
さらにテーパを形成しない部分の絶縁層１３上には、レ
ジスト１４が残った状態となる。つまり。
ジスト１４が残った状態となる。つまり。
時間差をかけてＳｉＯ□の絶縁層１３をエツチングする
こととなり、このことにより、絶縁層１３に目標の角度
φのテーパを作製することができる。
こととなり、このことにより、絶縁層１３に目標の角度
φのテーパを作製することができる。
次にレジスト１４端部のテーパ角度θを５゜１０″″、
１５”、２０°、２５＠、！：したとき（７）Ｓｔｙｘ
絶縁層１３のテーパ角度ψの実測値と、上記した予備実
験で求められた選択比（Ｒｒ／Ｒｓ）を下記式に代入し
て得た絶縁層１３のテーパ角度φの計算値とを第１表に
示す。
１５”、２０°、２５＠、！：したとき（７）Ｓｔｙｘ
絶縁層１３のテーパ角度ψの実測値と、上記した予備実
験で求められた選択比（Ｒｒ／Ｒｓ）を下記式に代入し
て得た絶縁層１３のテーパ角度φの計算値とを第１表に
示す。
第１表から明らかなように、実測された絶縁層１３のテ
ーパ角度ψと計算値φは、はぼ一致した値が得られてお
り、 で表わされる角度θのテーパをレジスト１４に付与する
ことは、目標の角度ψのテーパを絶縁層１３の端部に形
成する上で有効であることがわかる。
ーパ角度ψと計算値φは、はぼ一致した値が得られてお
り、 で表わされる角度θのテーパをレジスト１４に付与する
ことは、目標の角度ψのテーパを絶縁層１３の端部に形
成する上で有効であることがわかる。
最後に、Ｓｉｎｇ絶縁層１３の端部に３５°のテーパを
形成するために、レジスト１４のテーパ角度θを１１．
６°に設定し、上記した方法により実際の薄膜磁気ヘッ
ドを作製して、作製工程における絶縁層１３の５ｉｙｓ
及びレジスト１４の再付着の状況を調べた。
形成するために、レジスト１４のテーパ角度θを１１．
６°に設定し、上記した方法により実際の薄膜磁気ヘッ
ドを作製して、作製工程における絶縁層１３の５ｉｙｓ
及びレジスト１４の再付着の状況を調べた。
その結果、絶縁層１３の端部にほぼ３５°のテーパを形
成することができた。また、エツチングされた絶縁層１
３のＳｉｎ、は、ＣＦ４のエツチングガスと反応してＳ
ｉＦ＋の気体となって排気されたため、再付着が認めら
れなかった。さらにＲＩＥによるエツチングでは、レジ
スト１４の方がＳｉＯ□よりもエツチングされに（（、
エツチングされるレジスト１４の量も少なくて済むため
、レジスト１４の付着量も大きく減少していた。
成することができた。また、エツチングされた絶縁層１
３のＳｉｎ、は、ＣＦ４のエツチングガスと反応してＳ
ｉＦ＋の気体となって排気されたため、再付着が認めら
れなかった。さらにＲＩＥによるエツチングでは、レジ
スト１４の方がＳｉＯ□よりもエツチングされに（（、
エツチングされるレジスト１４の量も少なくて済むため
、レジスト１４の付着量も大きく減少していた。
そして、従来のイオンミリングにより絶縁層１３のテー
パ作製を行なった場合では９１％しかなかった歩留まり
が、ＲＩＥを使用することによって９９％以上になり、
絶縁層１３のテーパ作製工程での不良がほとんどなくな
るという好結果が得られた。
パ作製を行なった場合では９１％しかなかった歩留まり
が、ＲＩＥを使用することによって９９％以上になり、
絶縁層１３のテーパ作製工程での不良がほとんどなくな
るという好結果が得られた。
兄■しΣ従来
以上の説明により明らかなように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、導電性コイルの電気的絶
縁を保つための５ｉｎ２からなる絶縁層を備えた薄膜磁
気ヘッドの製造方法において。
気ヘッドの製造方法によれば、導電性コイルの電気的絶
縁を保つための５ｉｎ２からなる絶縁層を備えた薄膜磁
気ヘッドの製造方法において。
前記絶縁層のマスクとしてのレジスト端部にテーパを付
与すると共に、前記レジスト面に対して略垂直方向から
ＲＩＥによるエツチングを施すので、時間差で前記５１
０２の絶縁層がエツチングされることとなり、絶縁層に
目標の角度のテーパを作製することができる。またその
際、エツチングガスと３１０．とは反応して気体となっ
て排気され、しかもレジストの絶対量も少なくて済むた
め、エツチングされたＳｉＯよ及びレジストの基板への
再付着も大幅に減少させることができ、従ってＳｉＯ□
の絶縁層のテーパを歩留まり良く作製することができる
。また、目標のテーパ角度よりも小さな角度のテーパを
レジスト端部に付与した場合には、ＲＩＥを用いると、
前記レジストのエツチングレートの方がＳｉｎ、絶縁層
のそれよりも小さいので、５ｉｎ２絶縁層に所要の角度
のテーパを゛作製することかできる。
与すると共に、前記レジスト面に対して略垂直方向から
ＲＩＥによるエツチングを施すので、時間差で前記５１
０２の絶縁層がエツチングされることとなり、絶縁層に
目標の角度のテーパを作製することができる。またその
際、エツチングガスと３１０．とは反応して気体となっ
て排気され、しかもレジストの絶対量も少なくて済むた
め、エツチングされたＳｉＯよ及びレジストの基板への
再付着も大幅に減少させることができ、従ってＳｉＯ□
の絶縁層のテーパを歩留まり良く作製することができる
。また、目標のテーパ角度よりも小さな角度のテーパを
レジスト端部に付与した場合には、ＲＩＥを用いると、
前記レジストのエツチングレートの方がＳｉｎ、絶縁層
のそれよりも小さいので、５ｉｎ２絶縁層に所要の角度
のテーパを゛作製することかできる。
さらに、上記した薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるＳ
ｉＯ□絶縁層端部のテーパ付与において、目標のテーパ
角度をφ、 ５ｉＯｚのエッチングレートをＲｓ、レジ
ストのエツチングレートをＲｒとすると で表わされる角度θのテーパをレジストに付与する場合
には、レジストに対してＲＩＥによるエツチングを施す
と、ＳｉＯ□絶縁層に目標の角度φのテーパを正確に作
製することが可能となる。
ｉＯ□絶縁層端部のテーパ付与において、目標のテーパ
角度をφ、 ５ｉＯｚのエッチングレートをＲｓ、レジ
ストのエツチングレートをＲｒとすると で表わされる角度θのテーパをレジストに付与する場合
には、レジストに対してＲＩＥによるエツチングを施す
と、ＳｉＯ□絶縁層に目標の角度φのテーパを正確に作
製することが可能となる。
第１図は本発明に係る薄膜６ｒｉ気ヘッドの製造方法の
エツチング工程を模式的に示した断面図、第２図はエツ
チング工程後の絶縁層のテーパ部分の様子を模式的に示
した断面図である。 １３・・・絶縁層 １４・・・レジスト特許出願人：
住友金属工業株式会社
エツチング工程を模式的に示した断面図、第２図はエツ
チング工程後の絶縁層のテーパ部分の様子を模式的に示
した断面図である。 １３・・・絶縁層 １４・・・レジスト特許出願人：
住友金属工業株式会社
Claims (3)
- （１）導電性コイルの電気的絶縁を保つためのＳｉＯ＿
２からなる絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、前記絶縁層のマスクとしてのレジスト端部にテ
ーパを付与すると共に、前記レジスト面に対して略垂直
方向からＲＩＥによるエッチングを施すことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （２）ＳｉＯ＿２絶縁層端部のテーパ付与において、目
標のテーパ角度よりも小さな角度のテーパをレジスト端
部に付与する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
。 - （３）ＳｉＯ＿２絶縁層端部のテーパ付与において、目
標のテーパ角度をφ、ＳｉＯ＿２のエッチングレートを
Ｒｓ、レジストのエッチングレートをＲｒとすると、 θ＝ｔａｎ＾−＾１（ｔａｎφ×Ｒｒ／Ｒｓ）で表わさ
れる角度θのテーパをレジストに付与する請求項１又は
請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15025390A JPH0442416A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15025390A JPH0442416A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442416A true JPH0442416A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15492905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15025390A Pending JPH0442416A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621596A (en) * | 1994-08-25 | 1997-04-15 | International Business Machines Corporation | Low profile thin film write head |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15025390A patent/JPH0442416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621596A (en) * | 1994-08-25 | 1997-04-15 | International Business Machines Corporation | Low profile thin film write head |
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