JPH04206033A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04206033A JPH04206033A JP2338161A JP33816190A JPH04206033A JP H04206033 A JPH04206033 A JP H04206033A JP 2338161 A JP2338161 A JP 2338161A JP 33816190 A JP33816190 A JP 33816190A JP H04206033 A JPH04206033 A JP H04206033A
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- recording medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁性層の成長過程における条件を制御して
、磁性層を構成する微結晶を適切化することにより低記
録密度から高記録密度にわたり高いＣ／Ｎ比を有する磁
気記録媒体の製造方法に関する。
、磁性層を構成する微結晶を適切化することにより低記
録密度から高記録密度にわたり高いＣ／Ｎ比を有する磁
気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
磁気記録媒体に要求される情報量は増大する一方である
。磁気記録媒体も例外ではなく、従来の塗布型磁気記録
媒体は高密度化も限界に近付き、薄膜型磁気記録媒体の
実用化が始まつている。１１膜型磁気記録媒体の内でも
特に垂直磁気記録媒体は、本質的に高密度記録に適して
おり、次世代の高密度磁気記録媒体として期待されてい
る。１膜型の垂直磁気記録媒体としては、Ｇｏ−０，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉなどの材
料が育力である。この中でもＧｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０
膜は、現在商品化されている金属蒸着テープと材料もほ
ぼ同一であり、簡単に量産技術を完成できる可能性があ
り、期待されている。市販の金属蒸着テープは、酸素雰
囲気中で室温以下に冷却された円筒状キャンの周辺に沿
って走行すや高分子了イルム上に、入射角４０°以上の
斜方゛ 蒸着−゛を行うことにより、面内より傾いた方
向に磁化容セ軸をもつ結晶粒を惑長させて磁性層を形成
する。したがって磁気記録方向は面内と垂直の中間であ
る。
。磁気記録媒体も例外ではなく、従来の塗布型磁気記録
媒体は高密度化も限界に近付き、薄膜型磁気記録媒体の
実用化が始まつている。１１膜型磁気記録媒体の内でも
特に垂直磁気記録媒体は、本質的に高密度記録に適して
おり、次世代の高密度磁気記録媒体として期待されてい
る。１膜型の垂直磁気記録媒体としては、Ｇｏ−０，Ｃ
ｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉなどの材
料が育力である。この中でもＧｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０
膜は、現在商品化されている金属蒸着テープと材料もほ
ぼ同一であり、簡単に量産技術を完成できる可能性があ
り、期待されている。市販の金属蒸着テープは、酸素雰
囲気中で室温以下に冷却された円筒状キャンの周辺に沿
って走行すや高分子了イルム上に、入射角４０°以上の
斜方゛ 蒸着−゛を行うことにより、面内より傾いた方
向に磁化容セ軸をもつ結晶粒を惑長させて磁性層を形成
する。したがって磁気記録方向は面内と垂直の中間であ
る。
発明が解決しようとする課題
金属蒸着テープと磁性材料は同一であるが、製法条件を
変えることにより得られるＣｏ−０垂直磁気記録媒体は
、高記録密度では現在の金属蒸着テープより高いＣ／Ｎ
比を示すが、低記録密度において十分なＣ／Ｎ比が得ら
れず、次世代の磁気記録テープとして使用するｈめには
、不十分であった。
変えることにより得られるＣｏ−０垂直磁気記録媒体は
、高記録密度では現在の金属蒸着テープより高いＣ／Ｎ
比を示すが、低記録密度において十分なＣ／Ｎ比が得ら
れず、次世代の磁気記録テープとして使用するｈめには
、不十分であった。
本発明はこのような従来の問題点を解決するものであり
、低記録密度から高記録密度にわたって高いＣ／Ｎ比を
有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
、低記録密度から高記録密度にわたって高いＣ／Ｎ比を
有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明は、高分子基板上にお
もにＣｏと酸素またはＣＯとＮｉと酸素からなる薄膜磁
性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記
高分子基板の表面をイオン銃より出たイオンビームで処
理する第１の工程と、高分子基板の表面温度を８０℃以
上１７０℃以下に保った状態で磁性層を形成する第２の
工程とを有することを特徴とする。
もにＣｏと酸素またはＣＯとＮｉと酸素からなる薄膜磁
性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記
高分子基板の表面をイオン銃より出たイオンビームで処
理する第１の工程と、高分子基板の表面温度を８０℃以
上１７０℃以下に保った状態で磁性層を形成する第２の
工程とを有することを特徴とする。
作用
Ｃｏ−０１膜は、ＣｏｏおよびＣＯの結晶粒が混在して
いる０強磁性のＣｏ層が非磁性の０００層により磁気的
に分断されるために大きな保磁力が発生し、その結果磁
気記録媒体として優れた記録再生特性を示す原因の一つ
となっている。まず本発明の第１の工程により高分子基
板の表面に予めイオンビームを照射すると、高分子基板
表面の高分子の結合手が一部離れて活性な状態となる。
いる０強磁性のＣｏ層が非磁性の０００層により磁気的
に分断されるために大きな保磁力が発生し、その結果磁
気記録媒体として優れた記録再生特性を示す原因の一つ
となっている。まず本発明の第１の工程により高分子基
板の表面に予めイオンビームを照射すると、高分子基板
表面の高分子の結合手が一部離れて活性な状態となる。
この状態でＣＯおよびＯ原子に接すると、高分子の活性
な結合手と結合して核発生機会が増加するために、結晶
粒が細分化される。また本発明の第２の工程により基板
温度が高くなると、結晶粒の中でＣｏとＣｏ−０の分離
が促進される。Ｃｏ−０薄膜を優れた磁気記録媒体とす
るためには、結晶粒を小さくかつ００粒とＣｏ−０粒の
分離を明確にする必要がある０本発明の方法によってこ
の目的は達せられ、Ｃｏ−０膜の記録再生特性は大幅に
向上する。
な結合手と結合して核発生機会が増加するために、結晶
粒が細分化される。また本発明の第２の工程により基板
温度が高くなると、結晶粒の中でＣｏとＣｏ−０の分離
が促進される。Ｃｏ−０薄膜を優れた磁気記録媒体とす
るためには、結晶粒を小さくかつ００粒とＣｏ−０粒の
分離を明確にする必要がある０本発明の方法によってこ
の目的は達せられ、Ｃｏ−０膜の記録再生特性は大幅に
向上する。
実施例
以下本発明の一実施例の磁気記録媒体の製造方法につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例の製造方法を実施するための
真空蒸着装置の概略を示す断面図である。
真空蒸着装置の概略を示す断面図である。
図において、１は高分子基板であり、巻出しロール２か
ら巻出されて、円筒状キャン４の表面を矢印への方向に
走行し、巻取りロール３に巻取られる。ここで５．６は
ガイドロールである。この間、高分子基板１はまず円筒
状キャン４の表面でイオン銃７より出たイオンビーム８
により処理される。
ら巻出されて、円筒状キャン４の表面を矢印への方向に
走行し、巻取りロール３に巻取られる。ここで５．６は
ガイドロールである。この間、高分子基板１はまず円筒
状キャン４の表面でイオン銃７より出たイオンビーム８
により処理される。
次に坩堝１０に入った蒸発源１１より飛来した金属蒸発
原子１２が反応気体導入管１３より出た気体と反応しな
がら高分子基板１上に薄膜磁性層が形成される。このと
き円筒状キャン４の表面は８０℃から１７０℃の間に加
熱されている。以上が本発明の磁気記録媒体の製造方法
の一例の概略である。なお、９は遮蔽板である。
原子１２が反応気体導入管１３より出た気体と反応しな
がら高分子基板１上に薄膜磁性層が形成される。このと
き円筒状キャン４の表面は８０℃から１７０℃の間に加
熱されている。以上が本発明の磁気記録媒体の製造方法
の一例の概略である。なお、９は遮蔽板である。
次に、より具体的な実施例について説明する。
高分子基板１としては、厚さ１０μｍ２幅５００■のポ
リエチレンナフタレート基板を用い、基板の搬送速度は
１０ｍ／ｍｉｎとした。この他にアラミド基板、ポリイ
ミド基板などでもよい。真空蒸着装置の内部をｌＸ１０
４Ｔｏｒｒ以下に排気した後、９９．９％以上のＣＯを
蒸発源１１として電子ビームを用いて溶解し、膜厚的２
００ｎｍ、飽和磁化約５５０ｅｍｕ／ｃｃのＣｏ−０薄
膜を形成した。イオン銃７としてはカウフマン型のもの
を用いて、加速電圧は４００■、イオン電流は１５０ｍ
Ａとした。加速電圧は２００■から５００■が適当であ
る。２００■よりも弱いと効果がなく、また５００■を
超えると基板が損傷してしまう、また円筒状キャン４の
温度は８０℃から１７０℃までが適当である。温度が８
０℃未満では００層とＣｏ−０層の分離が十分でないし
、１７０℃を超えるイオン銃の効果で形成された、微細
な結晶粒が結合して大きな結晶粒となってしまうために
磁気特性が低下する。本実施例では１１０℃とした。ま
たイオン化させる気体としては、Ａｒ、Ｎ２．０２等が
適当であるが、本実施例ではＡｒを、流量４０ｃｃ／ｍ
ｉｎでイオン銃に導入した。蒸着原子の基板への入射角
は基板の法線からの傾きが５５°から３０”とし、反応
ガス導入管に３００ｃｃ／ｍ ｉ ｎ ７′０２ガスを
流した。
リエチレンナフタレート基板を用い、基板の搬送速度は
１０ｍ／ｍｉｎとした。この他にアラミド基板、ポリイ
ミド基板などでもよい。真空蒸着装置の内部をｌＸ１０
４Ｔｏｒｒ以下に排気した後、９９．９％以上のＣＯを
蒸発源１１として電子ビームを用いて溶解し、膜厚的２
００ｎｍ、飽和磁化約５５０ｅｍｕ／ｃｃのＣｏ−０薄
膜を形成した。イオン銃７としてはカウフマン型のもの
を用いて、加速電圧は４００■、イオン電流は１５０ｍ
Ａとした。加速電圧は２００■から５００■が適当であ
る。２００■よりも弱いと効果がなく、また５００■を
超えると基板が損傷してしまう、また円筒状キャン４の
温度は８０℃から１７０℃までが適当である。温度が８
０℃未満では００層とＣｏ−０層の分離が十分でないし
、１７０℃を超えるイオン銃の効果で形成された、微細
な結晶粒が結合して大きな結晶粒となってしまうために
磁気特性が低下する。本実施例では１１０℃とした。ま
たイオン化させる気体としては、Ａｒ、Ｎ２．０２等が
適当であるが、本実施例ではＡｒを、流量４０ｃｃ／ｍ
ｉｎでイオン銃に導入した。蒸着原子の基板への入射角
は基板の法線からの傾きが５５°から３０”とし、反応
ガス導入管に３００ｃｃ／ｍ ｉ ｎ ７′０２ガスを
流した。
蒸着原子の初期入射角は、０層以上６０”以下が最もＣ
ｏ−０垂直磁化膜の特性が優れている。入射角が６０°
を超えると、垂直磁気異方性が大きく低下し、高密度で
の電磁変換特性が低下する。
ｏ−０垂直磁化膜の特性が優れている。入射角が６０°
を超えると、垂直磁気異方性が大きく低下し、高密度で
の電磁変換特性が低下する。
以上のようにして作製したＣｏ−０膜を市販の８ミリビ
デオテープレコーダー（ＶＴＲ）の一部を改造して評価
した。リング型ヘッドとしてはギャッ７”長０．１μｍ
、）ラック幅１１０１Ｉのアモルファスヘッドを用いた
。記録波長３．８μｍおよび０．３８μｍにおけるＣ／
Ｎ比を次の表に示す。
デオテープレコーダー（ＶＴＲ）の一部を改造して評価
した。リング型ヘッドとしてはギャッ７”長０．１μｍ
、）ラック幅１１０１Ｉのアモルファスヘッドを用いた
。記録波長３．８μｍおよび０．３８μｍにおけるＣ／
Ｎ比を次の表に示す。
上記表において、Ａは本発明の実施例であり、従来例の
Ｃ／Ｎ比をＡに比較した相対値で示しである。Ｂはイオ
ン銃により基板の表面をイオン処理する以外は、Ａと全
く同じ方法で作製した媒体である。またＣおよびＤは円
筒状キャンの温度をそれぞれ３０℃および２００℃で作
製した以外は、Ａと同じ方法で作製した媒体である。た
だしＤにおいては基板はポリイミド基板を使用している
。
Ｃ／Ｎ比をＡに比較した相対値で示しである。Ｂはイオ
ン銃により基板の表面をイオン処理する以外は、Ａと全
く同じ方法で作製した媒体である。またＣおよびＤは円
筒状キャンの温度をそれぞれ３０℃および２００℃で作
製した以外は、Ａと同じ方法で作製した媒体である。た
だしＤにおいては基板はポリイミド基板を使用している
。
またＥはイオン銃による基板の表面処理をせず、かつ円
筒状キャンの温度を３０℃にして作製した媒体である。
筒状キャンの温度を３０℃にして作製した媒体である。
上記表により本発明の実施例Ａは、比較例Ｂ−Ｈに比べ
て高いＣ／Ｎ比を有していることがわかる１以上は蒸発
源としてＣｏを用いた場合について説明したが耐食性を
向上させるためにＣｏ−Ｎｉ合金を用いた場合にもほぼ
同様の結果が得られる。また反応ガス導入管から０２の
みならずＮ２および０□の混合気体を流した場合にもほ
ぼ同様の結果が得られる。
て高いＣ／Ｎ比を有していることがわかる１以上は蒸発
源としてＣｏを用いた場合について説明したが耐食性を
向上させるためにＣｏ−Ｎｉ合金を用いた場合にもほぼ
同様の結果が得られる。また反応ガス導入管から０２の
みならずＮ２および０□の混合気体を流した場合にもほ
ぼ同様の結果が得られる。
発明の効果
上記実施例から明らかなように本発明の製造方法によれ
ば、低記録密度から高記録密度にわたって高いＣ／Ｎ比
を有する磁気記録媒体を容易にかつ大量に得ることがで
きる。
ば、低記録密度から高記録密度にわたって高いＣ／Ｎ比
を有する磁気記録媒体を容易にかつ大量に得ることがで
きる。
第１図は本発明の一寞施例の製造方法を実施するために
使用する真空蒸着装置の要部断面図である。 １・・・・・・高分子基板、４・・曲・円筒状キャン、
７・・・・・・イオン銃、８・・・用イオンビーム、１
１・・・・・・蒸発源、１２・・・・・・蒸発原子、１
３・・・・・・反応気体導入管。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 はが２名第１図 ！−・−高分子基板 ＩＩ −蒸発源
使用する真空蒸着装置の要部断面図である。 １・・・・・・高分子基板、４・・曲・円筒状キャン、
７・・・・・・イオン銃、８・・・用イオンビーム、１
１・・・・・・蒸発源、１２・・・・・・蒸発原子、１
３・・・・・・反応気体導入管。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 はが２名第１図 ！−・−高分子基板 ＩＩ −蒸発源
Claims (3)
- （１）高分子基板上におもにＣｏと酸素またはＣｏとＮ
ｉと酸素からなる薄膜磁性層を形成する磁気記録媒体の
製造方法において、前記高分子基板の表面をイオン銃よ
り出たイオンビームで処理する第１の工程と、高分子基
板の表面温度を８０℃以上１７０℃以下に保った状態で
磁性層を形成する第２の工程とを有することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。 - （２）第１の工程と第２工程を円筒状キャンの周面に沿
わせた状態で行うことを特徴とする請求項（１）記載の
磁気記録媒体の製造方法。 - （３）イオン銃の加速電圧を２００Ｖ以上５００Ｖ以下
とすることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33816190A JP2946748B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33816190A JP2946748B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206033A true JPH04206033A (ja) | 1992-07-28 |
| JP2946748B2 JP2946748B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=18315492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33816190A Expired - Fee Related JP2946748B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2946748B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33816190A patent/JP2946748B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2946748B2 (ja) | 1999-09-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |