JPH04283422A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH04283422A JPH04283422A JP3047875A JP4787591A JPH04283422A JP H04283422 A JPH04283422 A JP H04283422A JP 3047875 A JP3047875 A JP 3047875A JP 4787591 A JP4787591 A JP 4787591A JP H04283422 A JPH04283422 A JP H04283422A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic recording
- magnetic layer
- ion
- magnetic
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気記録媒体の製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展に伴い記録情報の大容
量化・高密度化が進められている。磁気テープの分野に
おいても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が盛ん
であり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案されてい
る。テープ状薄膜磁気記録媒体を製造する方法としては
、連続巻き取り真空蒸着法が特にその生産性において他
を凌いでおり、現実的な量産方法として非常に有力であ
る。即ち（図２）のように長尺の高分子基板４が円筒状
キャン５の周面に沿って走行中に磁性層を電子ビーム蒸
着することによって磁気テープの量産が出来る。
量化・高密度化が進められている。磁気テープの分野に
おいても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が盛ん
であり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案されてい
る。テープ状薄膜磁気記録媒体を製造する方法としては
、連続巻き取り真空蒸着法が特にその生産性において他
を凌いでおり、現実的な量産方法として非常に有力であ
る。即ち（図２）のように長尺の高分子基板４が円筒状
キャン５の周面に沿って走行中に磁性層を電子ビーム蒸
着することによって磁気テープの量産が出来る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、薄膜磁気記録媒
体の場合には記録再生時の機械的耐久性の向上が重要な
課題であるが、（図２）に示す製造方法では磁性層の初
期入射部分が斜め入射となっているために空隙の多い構
造となり、この部分の機械特性が膜全体の機械強度に与
える影響が大きい。そのため初期形成部分の強度を高め
ることが望ましい。
体の場合には記録再生時の機械的耐久性の向上が重要な
課題であるが、（図２）に示す製造方法では磁性層の初
期入射部分が斜め入射となっているために空隙の多い構
造となり、この部分の機械特性が膜全体の機械強度に与
える影響が大きい。そのため初期形成部分の強度を高め
ることが望ましい。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、長尺の高分子基板が円筒状キャンに沿って走
行中にＣｏとＯ、またはＣｏとＮｉとＯを主成分とする
磁性層を電子ビーム斜め蒸着法によって形成する際に、
前記磁性層を形成する蒸気流の初期入射部分にイオン流
を照射するものである。
本発明は、長尺の高分子基板が円筒状キャンに沿って走
行中にＣｏとＯ、またはＣｏとＮｉとＯを主成分とする
磁性層を電子ビーム斜め蒸着法によって形成する際に、
前記磁性層を形成する蒸気流の初期入射部分にイオン流
を照射するものである。
【０００５】
【作用】磁性層の初期形成部分にイオン流を照射するこ
とにより、初期形成層の結晶粒径及び充填率を高めるこ
とが出来、これによって記録媒体の機械的強度を高める
ことが出来る。また、Ｏイオンを用いると、初期形成粒
の結合をより強固にすることができ、更に機械強度は向
上する。
とにより、初期形成層の結晶粒径及び充填率を高めるこ
とが出来、これによって記録媒体の機械的強度を高める
ことが出来る。また、Ｏイオンを用いると、初期形成粒
の結合をより強固にすることができ、更に機械強度は向
上する。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について（図１）を用
いて説明する。排気系１によって真空排気された真空槽
２の中で巻き出しロール３から回転方向１３に沿って巻
出された長尺の高分子基板４は磁性層形成用キャン５の
周面に沿って走行中に電子ビーム６を照射されている電
子ビーム蒸発源７よりマスク９の開口部において磁性層
の蒸着を受けた後に、巻き取りロール１０に巻きとられ
る。この際初期入射部分にイオン源８からイオン流１１
を照射した。イオン流の照射範囲はイオン規制板１４に
よって制御される。
いて説明する。排気系１によって真空排気された真空槽
２の中で巻き出しロール３から回転方向１３に沿って巻
出された長尺の高分子基板４は磁性層形成用キャン５の
周面に沿って走行中に電子ビーム６を照射されている電
子ビーム蒸発源７よりマスク９の開口部において磁性層
の蒸着を受けた後に、巻き取りロール１０に巻きとられ
る。この際初期入射部分にイオン源８からイオン流１１
を照射した。イオン流の照射範囲はイオン規制板１４に
よって制御される。
【０００７】高分子基板として厚さ１０μｍのポリイミ
ド基板を用い、磁性層を厚さ２００ｎｍのＣｏ−Ｏで形
成したときの媒体の引っかき強度を比較した。磁性層形
成時の蒸気流の初期入射角を変化させ、終期入射角は０
度で一定とした。ここで入射角とは基板法線と蒸着蒸気
流のなす角である。磁性層厚は２００ｎｍ一定となるよ
うにした。この時、電子ビーム蒸発源からの平均膜堆積
速度は１００ｎｍ／秒とした。イオン源のビーム電圧、
加速電圧をそれぞれ１０００Ｖ，３００Ｖ一定としてビ
ーム電流を０から３００ｍＡの範囲で変化させた。また
、イオンビームの照射範囲も数通り変化させた。蒸着膜
の強度を評価するために、引っかき試験を、ＪＩＳ
Ｎｏ．Ｋ６７１８に準拠した方法で行なった。結果を（
図３）に示す。（図３）から分かるように初期入射角が
大きくなると引っかき強度は低下する傾向にあるが、イ
オンビームを照射することによって引っかき強度は向上
し、特に初期入射角が６０゜以上の場合に顕著である。 例えば、ビーム電流１５０ｍＡとすると入射角８０゜に
おいてもイオン照射無しの場合の初期入射角６０度と同
等の３０ｇの引っかき強度が得られる。また、引っかき
強度の向上はイオンビームを初期入射角部分に照射した
場合に顕著であり、照射部分を広げてもほとんど効果は
ない。例えば初期入射角を８０゜とした場合に、照射範
囲を６５゜までとした場合と２０゜までとした場合で引
っかき強度は共に３２ｇである。同様に初期入射角が９
０゜の場合に、照射範囲を７０゜までとした場合とそれ
以上に広げた場合でひっかき強度は変わらない。
ド基板を用い、磁性層を厚さ２００ｎｍのＣｏ−Ｏで形
成したときの媒体の引っかき強度を比較した。磁性層形
成時の蒸気流の初期入射角を変化させ、終期入射角は０
度で一定とした。ここで入射角とは基板法線と蒸着蒸気
流のなす角である。磁性層厚は２００ｎｍ一定となるよ
うにした。この時、電子ビーム蒸発源からの平均膜堆積
速度は１００ｎｍ／秒とした。イオン源のビーム電圧、
加速電圧をそれぞれ１０００Ｖ，３００Ｖ一定としてビ
ーム電流を０から３００ｍＡの範囲で変化させた。また
、イオンビームの照射範囲も数通り変化させた。蒸着膜
の強度を評価するために、引っかき試験を、ＪＩＳ
Ｎｏ．Ｋ６７１８に準拠した方法で行なった。結果を（
図３）に示す。（図３）から分かるように初期入射角が
大きくなると引っかき強度は低下する傾向にあるが、イ
オンビームを照射することによって引っかき強度は向上
し、特に初期入射角が６０゜以上の場合に顕著である。 例えば、ビーム電流１５０ｍＡとすると入射角８０゜に
おいてもイオン照射無しの場合の初期入射角６０度と同
等の３０ｇの引っかき強度が得られる。また、引っかき
強度の向上はイオンビームを初期入射角部分に照射した
場合に顕著であり、照射部分を広げてもほとんど効果は
ない。例えば初期入射角を８０゜とした場合に、照射範
囲を６５゜までとした場合と２０゜までとした場合で引
っかき強度は共に３２ｇである。同様に初期入射角が９
０゜の場合に、照射範囲を７０゜までとした場合とそれ
以上に広げた場合でひっかき強度は変わらない。
【０００８】（図４）は初期入射角９０゜、終期入射角
０゜で膜厚２０ｎｍのＣｏＯ膜を形成した場合の保磁力
とイオンビームの照射範囲の関係を示す図である。蒸気
流の入射範囲の内、イオンビームが入射されている範囲
は９０゜から（図４）の横軸に示した角度（イオンが入
射される最低蒸気流入射角）までである。イオンビーム
の照射範囲を蒸気入射角６０゜以下に広げると保磁力は
急激に低下する。これにともなう、記録信号再生時ノイ
ズも増加した。イオンビームの入射範囲の拡大による保
磁力の低下は、膜成長に伴う粒成長に加えて、イオンエ
ネルギーの付与による結晶粒の粗大化が顕著になり、異
常粒成長を引き起こし、結晶粒内の磁壁が増加すること
によるものではないかと考えられる。（図３）、（図４
）の結果から、イオンビームの照射範囲は初期入射部分
に限定することが望ましい。
０゜で膜厚２０ｎｍのＣｏＯ膜を形成した場合の保磁力
とイオンビームの照射範囲の関係を示す図である。蒸気
流の入射範囲の内、イオンビームが入射されている範囲
は９０゜から（図４）の横軸に示した角度（イオンが入
射される最低蒸気流入射角）までである。イオンビーム
の照射範囲を蒸気入射角６０゜以下に広げると保磁力は
急激に低下する。これにともなう、記録信号再生時ノイ
ズも増加した。イオンビームの入射範囲の拡大による保
磁力の低下は、膜成長に伴う粒成長に加えて、イオンエ
ネルギーの付与による結晶粒の粗大化が顕著になり、異
常粒成長を引き起こし、結晶粒内の磁壁が増加すること
によるものではないかと考えられる。（図３）、（図４
）の結果から、イオンビームの照射範囲は初期入射部分
に限定することが望ましい。
【０００９】（図５）はイオンビームとしてＯ（酸素）
イオンを用いた場合の、（図３）と同様の実験結果であ
る。イオン源に導入する酸素量は形成した膜の飽和磁化
がＯイオンビーム無しの場合と同等になるように調整し
た。Ｏイオンを用いることによって機械的耐久性は更に
向上する。ＯイオンはＡｒ、Ｎ等他のイオンと混在して
照射してもよい。
イオンを用いた場合の、（図３）と同様の実験結果であ
る。イオン源に導入する酸素量は形成した膜の飽和磁化
がＯイオンビーム無しの場合と同等になるように調整し
た。Ｏイオンを用いることによって機械的耐久性は更に
向上する。ＯイオンはＡｒ、Ｎ等他のイオンと混在して
照射してもよい。
【００１０】以上の結果から、磁性層形成初期にイオン
ビームを照射することにより、記録媒体の磁気特性及び
電磁変換特性を劣化させる事なく、機械的耐久性を大幅
に向上する事が出来る。また、逆に、同等の機械的耐久
性においては蒸着時の遮蔽マスクの開口幅を大きくする
ことが出来るので、媒体の生産性を高くすることが出来
る。
ビームを照射することにより、記録媒体の磁気特性及び
電磁変換特性を劣化させる事なく、機械的耐久性を大幅
に向上する事が出来る。また、逆に、同等の機械的耐久
性においては蒸着時の遮蔽マスクの開口幅を大きくする
ことが出来るので、媒体の生産性を高くすることが出来
る。
【００１１】なお、実施例としては磁性層としてＣｏ−
Ｏを用いた場合についてのみ述べてきたが、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｏを用いた場合にも同様の効果が得られた。また、本
発明は磁気記録媒体に限らず、液晶配向膜、そのほかの
各種機能性薄膜にも応用できることは言うまでもない。
Ｏを用いた場合についてのみ述べてきたが、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｏを用いた場合にも同様の効果が得られた。また、本
発明は磁気記録媒体に限らず、液晶配向膜、そのほかの
各種機能性薄膜にも応用できることは言うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上の様に本発明の磁気記録媒体の製造
方法によれば、引っかき強度等の耐久性に優れた磁気記
録媒体を生産性よく製造することが出来る。
方法によれば、引っかき強度等の耐久性に優れた磁気記
録媒体を生産性よく製造することが出来る。
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を示す
図である。
図である。
【図２】従来の磁気記録媒体の製造方法を示す図である
。
。
【図３】蒸着時の入射角を変えたときのイオンビーム照
射量と引っかき強度の関係を示す図である。
射量と引っかき強度の関係を示す図である。
【図４】保磁力とイオンビームの照射範囲の関係を示す
図である。
図である。
【図５】イオンとしてＯイオンを使用した場合のイオン
ビーム照射量と引っかき強度の関係を示す図である。
ビーム照射量と引っかき強度の関係を示す図である。
１ 排気系
２ 真空槽
３ 巻き出しロール
４ 高分子基板
５ 磁性層形成用キャン
６ 電子ビーム
７ 電子ビーム蒸発源
８ イオン源
９ マスク
１０ 巻き取りロール
１１ イオン流
１２ ガイドロール
１３ 回転方向
１４ イオン規制板
Claims (2)
- 【請求項１】 長尺の高分子基板が円筒状キャンに沿
って走行中にＣｏとＯ、またはＣｏとＮｉとＯを主成分
とする磁性層を電子ビーム斜め蒸着法によって形成する
磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性層を形成す
る蒸気流の初期入射部分にイオン流を照射することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 イオン流が主成分として酸素イオンを
含むことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047875A JPH04283422A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047875A JPH04283422A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04283422A true JPH04283422A (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=12787560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3047875A Pending JPH04283422A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04283422A (ja) |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3047875A patent/JPH04283422A/ja active Pending
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