JPH04207201A - モノリシック集積回路 - Google Patents
モノリシック集積回路Info
- Publication number
- JPH04207201A JPH04207201A JP2335319A JP33531990A JPH04207201A JP H04207201 A JPH04207201 A JP H04207201A JP 2335319 A JP2335319 A JP 2335319A JP 33531990 A JP33531990 A JP 33531990A JP H04207201 A JPH04207201 A JP H04207201A
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- JP
- Japan
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- open
- circuit
- capacity
- open end
- impedance
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
この発明は、超高周波におけるモノリシック集積回路上
での開放端線路の開放容量の影響を補正することができ
るようにしたモノリシック集積回路に関するものである
。
での開放端線路の開放容量の影響を補正することができ
るようにしたモノリシック集積回路に関するものである
。
［従来の技術１
第３図は従来のマイクロストリップ線路を用いたオープ
ンスタブ回路の斜視図、第４図はその等価回路を示す。
ンスタブ回路の斜視図、第４図はその等価回路を示す。
図において、１は半絶縁性半導体基板、２はこの半絶縁
性半導体基板１上に設けられた超高周波を伝送する主マ
イクロストリップ線路、３はその線路端より長さ２、幅
Ｗを有するマイクロストリップ線路で構成されたオープ
ンスタブ回路、４はそのオープンスタブ回路３の開放端
を示す。
性半導体基板１上に設けられた超高周波を伝送する主マ
イクロストリップ線路、３はその線路端より長さ２、幅
Ｗを有するマイクロストリップ線路で構成されたオープ
ンスタブ回路、４はそのオープンスタブ回路３の開放端
を示す。
また、第４図において、５は前記主マイクロストリップ
線路２の線路周辺からオープンスタブ回路３をみた端子
、６は前記オープンスタブ回路３の物理寸法に対応する
インピーダンス線路、７は前記オープンスタブ回路３の
開放端４の境界部分、８は前記開放端４の部分に寄生す
る等儀容量である。
線路２の線路周辺からオープンスタブ回路３をみた端子
、６は前記オープンスタブ回路３の物理寸法に対応する
インピーダンス線路、７は前記オープンスタブ回路３の
開放端４の境界部分、８は前記開放端４の部分に寄生す
る等儀容量である。
次に、動作について説明する。
半絶縁性半導体基板１上に構成されるモノリシック集積
回路上へはマイ、クロ波増幅器等にオープンスタブ回路
３が主マイクロストリップ線路２に対してよく用いられ
る。これはオープンスタブ回路３を用いることで能動素
子の持つインピーダンスとその信号源のインピーダンス
または負荷インビーダンスに整合をとることが可能だか
らである。
回路上へはマイ、クロ波増幅器等にオープンスタブ回路
３が主マイクロストリップ線路２に対してよく用いられ
る。これはオープンスタブ回路３を用いることで能動素
子の持つインピーダンスとその信号源のインピーダンス
または負荷インビーダンスに整合をとることが可能だか
らである。
これは、そのオープンスタブ回路３の長さ！および幅Ｗ
を可変にすることによって必要な帯域での整合を調整で
きることによる。
を可変にすることによって必要な帯域での整合を調整で
きることによる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の半絶縁性半導体基板１上のオープンスタブ回路３
は以上のように構成されていたので、ミリ波のような超
高周波では開放端容量の影響で十分な開放条件が満足で
きず、整合回路の設計が難しくなるなどの問題点があっ
た。
は以上のように構成されていたので、ミリ波のような超
高周波では開放端容量の影響で十分な開放条件が満足で
きず、整合回路の設計が難しくなるなどの問題点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、マイクロ波帯域以上のミリ波帯で整合をと
る場合に必要なオープンスタブ回路の開放条件を可能と
するモノリシック集積回路を得ることを目的とする。
れたもので、マイクロ波帯域以上のミリ波帯で整合をと
る場合に必要なオープンスタブ回路の開放条件を可能と
するモノリシック集積回路を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るモノリシック集積回路は、半絶縁性半導
体基板上にマイクロストリップ線路で形成されたオープ
ンスタブ回路、と、このオープンスタブ回路の開放端と
所定のギャップを通して高周波的に接続されたマイクロ
ストリップ線路を備えたものである。
体基板上にマイクロストリップ線路で形成されたオープ
ンスタブ回路、と、このオープンスタブ回路の開放端と
所定のギャップを通して高周波的に接続されたマイクロ
ストリップ線路を備えたものである。
［作用］
この発明においては、オープンスタブ回路の開放端面に
等測的にインダクタンスを並列に接続することになり、
共振を起こし、大きいインピーダンスをオープンスタブ
回路の開放端で実現できる。
等測的にインダクタンスを並列に接続することになり、
共振を起こし、大きいインピーダンスをオープンスタブ
回路の開放端で実現できる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示すモノリシック集積回
路の斜視図である。この図において、第３図、第４図と
同一符号は同一構成部分を示し、９は前記半絶縁性半導
体基板１上のオープンスタブ回路３の、通常求められる
開放端４に対して設けられたギャップ、１ｏはこのギャ
ップ９を通して高周波的に接続されたマイクロストリッ
プ線路、１１はこのマイクロストリップ線路１０の残る
もう一端を接地するためのバイアホールである。
路の斜視図である。この図において、第３図、第４図と
同一符号は同一構成部分を示し、９は前記半絶縁性半導
体基板１上のオープンスタブ回路３の、通常求められる
開放端４に対して設けられたギャップ、１ｏはこのギャ
ップ９を通して高周波的に接続されたマイクロストリッ
プ線路、１１はこのマイクロストリップ線路１０の残る
もう一端を接地するためのバイアホールである。
第２図は、第１図の等価回路図で、１２は開放容量、１
３は前記ギャップ９の等価容量、１４は前記マイクロス
トリップ線路１ｏの等価インダクタンスをあわらしてい
る。
３は前記ギャップ９の等価容量、１４は前記マイクロス
トリップ線路１ｏの等価インダクタンスをあわらしてい
る。
次に、この発明の動作について説明する。
半絶縁性半導体基板１上に形成されたマイクロストリッ
プ線路１０は高周波的にはインダクタンスのように作用
する。第２図のような開放容量１２は高周波になればそ
のインピーダンスが低下する。必要とする周波数でその
開放容量１２にインダクタンスを並列に装荷し、共振条
件を満足させることでオープンスタブ回路３の開放端４
のインピーダンスを高（設定できる。直流的に分離する
ため、ギャップ９の等価容量１３を通して接続するが、
その容量は開放容量１２に比較して十分大きく設定され
てしくるため、無視できるものである。
プ線路１０は高周波的にはインダクタンスのように作用
する。第２図のような開放容量１２は高周波になればそ
のインピーダンスが低下する。必要とする周波数でその
開放容量１２にインダクタンスを並列に装荷し、共振条
件を満足させることでオープンスタブ回路３の開放端４
のインピーダンスを高（設定できる。直流的に分離する
ため、ギャップ９の等価容量１３を通して接続するが、
その容量は開放容量１２に比較して十分大きく設定され
てしくるため、無視できるものである。
以上説明したように、この発明は、半絶縁性半導体基板
上にマイクロストリップ線路で形成されたオープンスタ
ブ回路と、このオープンスタブ回路の開放端と所定のギ
ャップを通して高周波的に接続されたマイクロストリッ
プ線路を備えたので、ミリ波などの超高周波での開放端
容量のインピーダンスの低下を防止でき、整合回路にオ
ープンスタブ回路を用いることが可能となる効果がある
。
上にマイクロストリップ線路で形成されたオープンスタ
ブ回路と、このオープンスタブ回路の開放端と所定のギ
ャップを通して高周波的に接続されたマイクロストリッ
プ線路を備えたので、ミリ波などの超高周波での開放端
容量のインピーダンスの低下を防止でき、整合回路にオ
ープンスタブ回路を用いることが可能となる効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例によるモノリシック集積回
路の斜視図、第２図は、第１図のオープンスタブ回路の
等価回路図、第３図は従来のモノリシック集積回路の斜
視図、第４図は、第３図のオープンスタブ回路の等価回
路図である。 図において、１は半絶縁性半導体基板、２は主マイクロ
ストリップ線路、３はオープンスタブ回路、４は開放端
、５は端子、６はインピーダンス線路、７は境界部分、
９はギャップ、１０はマイクロストリップ線路、１１は
バイアホール、１２は開放容量、１３は等価容量、１４
は等価インダクタンスを示す。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ７」 １：半絶縁性半導体基板 ９：ギャップ２、主
マイクロストリップ線路 ｌＯ二マイクロストリップ線
路３・オープンスタブ回路 ｌｌ：パイアホール
４：開放端 １２：開放容量５：端
子 １３：等価容量６：インピー
ダンス線路 １４：等価インダクタンス７：境界
部分
路の斜視図、第２図は、第１図のオープンスタブ回路の
等価回路図、第３図は従来のモノリシック集積回路の斜
視図、第４図は、第３図のオープンスタブ回路の等価回
路図である。 図において、１は半絶縁性半導体基板、２は主マイクロ
ストリップ線路、３はオープンスタブ回路、４は開放端
、５は端子、６はインピーダンス線路、７は境界部分、
９はギャップ、１０はマイクロストリップ線路、１１は
バイアホール、１２は開放容量、１３は等価容量、１４
は等価インダクタンスを示す。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ７」 １：半絶縁性半導体基板 ９：ギャップ２、主
マイクロストリップ線路 ｌＯ二マイクロストリップ線
路３・オープンスタブ回路 ｌｌ：パイアホール
４：開放端 １２：開放容量５：端
子 １３：等価容量６：インピー
ダンス線路 １４：等価インダクタンス７：境界
部分
Claims (1)
- 半絶縁性半導体基板上にマイクロストリップ線路で形
成されたオープンスタブ回路と、このオープンスタブ回
路の開放端と所定のギャップを通して高周波的に接続さ
れたマイクロストリップ線路とを備えたことを特徴とす
るモノリシック集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335319A JPH04207201A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | モノリシック集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2335319A JPH04207201A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | モノリシック集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207201A true JPH04207201A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18287194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2335319A Pending JPH04207201A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | モノリシック集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207201A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149501A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシツク集積回路 |
| JPH0246001A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Sharp Corp | インピーダンス整合回路 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2335319A patent/JPH04207201A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149501A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシツク集積回路 |
| JPH0246001A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Sharp Corp | インピーダンス整合回路 |
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