JPH04207705A - マイクロ波増幅回路 - Google Patents
マイクロ波増幅回路Info
- Publication number
- JPH04207705A JPH04207705A JP2338968A JP33896890A JPH04207705A JP H04207705 A JPH04207705 A JP H04207705A JP 2338968 A JP2338968 A JP 2338968A JP 33896890 A JP33896890 A JP 33896890A JP H04207705 A JPH04207705 A JP H04207705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- output
- chip capacitor
- amplifying circuit
- parasitic oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の
本発明は衛星放送受信機や衛星通信受信機の低雑音コン
バータ等に使用されるマイクロ波増幅回路に関するもの
である。
バータ等に使用されるマイクロ波増幅回路に関するもの
である。
支夫五１４
このようなマイクロ波増幅回路には第４図に示すように
ＨＥＭＴ （高電子移動度トランジスタ）といわれる低
雑音で、且つ高利得なＦＥＴ ２が数段（２〜３段）に
わたり使用され、１１〜１３ＧＨｚの使用周波数帯で動
作する。
ＨＥＭＴ （高電子移動度トランジスタ）といわれる低
雑音で、且つ高利得なＦＥＴ ２が数段（２〜３段）に
わたり使用され、１１〜１３ＧＨｚの使用周波数帯で動
作する。
この増幅回路はマイクロストリップ回路基板６上に前記
ＦＥＴ ２以外に、更にその入力側に入カバターン１と
入力整合パターン３及びバイアスパターンｌＯを有して
おり、直流電源へ通じる線路１４から抵抗１３を介して
ＦＥＴ２のゲートに直流バイアスが与えられる。
ＦＥＴ ２以外に、更にその入力側に入カバターン１と
入力整合パターン３及びバイアスパターンｌＯを有して
おり、直流電源へ通じる線路１４から抵抗１３を介して
ＦＥＴ２のゲートに直流バイアスが与えられる。
また、出力側、即ちドレインには出力整合パターン４と
出力パターン５及び出力端パターン７及びバイアスパタ
ーン１１が設けられており、直流電源へ通じる線路１５
から抵抗１６を介してドレインに直流バイアスが与えら
れるようになっている。尚、１２ａ、 １２ ｂはバ
イパスコンデンサである。
出力パターン５及び出力端パターン７及びバイアスパタ
ーン１１が設けられており、直流電源へ通じる線路１５
から抵抗１６を介してドレインに直流バイアスが与えら
れるようになっている。尚、１２ａ、 １２ ｂはバ
イパスコンデンサである。
Ｕが ゛しよ゛と る
しかしながら、上記従来のマイクロ波増幅回路では、Ｆ
ＥＴ ２の利得や入出力インピーダンス等のばらつきに
より使用周波数帯域外（４〜６ＧＨｚ）での利得ばらつ
きが大きくなった場合に、バイアスパターン１０．１１
付近のバイパスコンデンサ１２ａ、 １２ｂで、この利
得を抑えることができなくなる場合が多い。
ＥＴ ２の利得や入出力インピーダンス等のばらつきに
より使用周波数帯域外（４〜６ＧＨｚ）での利得ばらつ
きが大きくなった場合に、バイアスパターン１０．１１
付近のバイパスコンデンサ１２ａ、 １２ｂで、この利
得を抑えることができなくなる場合が多い。
二の結果、増幅回路のゲインが高くなる低温（例えば−
３０〜−４０℃）において、寄生発振が生じるという欠
点があった。
３０〜−４０℃）において、寄生発振が生じるという欠
点があった。
また、寄生発振を生じる周波数が４〜６ ＧＨｚと広帯
域にわたっている場合、どの周波数で寄生発振を生じ易
いかは使用するＦＥＴ ２の組合せや入出力の整合パタ
ーン３．４によって決定されるため前記バイパスコンデ
ンサ１２ａ、 １２ｂでは寄生発振を生じる周波数を選
択して効果的にこの周波数での利得を低下させることは
期待できなかった。
域にわたっている場合、どの周波数で寄生発振を生じ易
いかは使用するＦＥＴ ２の組合せや入出力の整合パタ
ーン３．４によって決定されるため前記バイパスコンデ
ンサ１２ａ、 １２ｂでは寄生発振を生じる周波数を選
択して効果的にこの周波数での利得を低下させることは
期待できなかった。
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、寄
生発振周波数での利得を効果的に低下させることができ
るようにしたマイクロ波増幅回路を提供することを目的
とする。
生発振周波数での利得を効果的に低下させることができ
るようにしたマイクロ波増幅回路を提供することを目的
とする。
゛ るための
上記目的を達成するため本発明では、マイクロ波ストリ
ップ回路上に形成された増幅回路の出力パターンとアー
スパターンとの間にチップコンデンサを接続した構成と
している。
ップ回路上に形成された増幅回路の出力パターンとアー
スパターンとの間にチップコンデンサを接続した構成と
している。
１−胆
二のような構成によると、チップコンデンサの内部イン
ダクタと容量との直列共振によって４〜６ ＧＨｚ帯の
ゲインが落とされる。
ダクタと容量との直列共振によって４〜６ ＧＨｚ帯の
ゲインが落とされる。
しかも、チップコンデンサの容量値を選ぶことにより（
換言すれば、所望の容量値のチップコンデンサを使うこ
とにより）４〜６ ＧＨｚ帯内の所定の周波数帯を選ぶ
ことができるので、ＦＥＴや入出力の整合パターンのば
らつきに伴って変わる寄生発振の周波数にトラップ周波
数を対応させることができる。
換言すれば、所望の容量値のチップコンデンサを使うこ
とにより）４〜６ ＧＨｚ帯内の所定の周波数帯を選ぶ
ことができるので、ＦＥＴや入出力の整合パターンのば
らつきに伴って変わる寄生発振の周波数にトラップ周波
数を対応させることができる。
ｘ」ｌ【
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
本発明を実施した第１図において、第４図の従来例と同
一部分には同一の符号を付して重複説明を省略する。本
実施例ではＦＥＴ ２の出力側の５０Ωのインピーダン
スを有する出力パターン５とアースパターン９との間に
適当なチップコンデンサ８を接続している。このチップ
コンデンサ８は第２図に示すように容量１６とインダク
タ１７とを有し、それらの直列共振により特定帯域のト
ラップを形成する。一般にチップコンデンサ８はマイク
ロ波帯に対し４〜６ ＧＨｚ帯でトラップとなる形態を
しているので、出力パターン５とアースパターン９との
接続間隔にも適合するということと相俟って好都合であ
る。
一部分には同一の符号を付して重複説明を省略する。本
実施例ではＦＥＴ ２の出力側の５０Ωのインピーダン
スを有する出力パターン５とアースパターン９との間に
適当なチップコンデンサ８を接続している。このチップ
コンデンサ８は第２図に示すように容量１６とインダク
タ１７とを有し、それらの直列共振により特定帯域のト
ラップを形成する。一般にチップコンデンサ８はマイク
ロ波帯に対し４〜６ ＧＨｚ帯でトラップとなる形態を
しているので、出力パターン５とアースパターン９との
接続間隔にも適合するということと相俟って好都合であ
る。
しかも、第３ｒＩ！Ｊに示すようにチップコンデンサの
容量値を選ぶことにより第３図の如く直列共振周波数（
トラップ周波数）が４Ｇ）（ｚ （Ｉ ＰＦの場合）に
なったり、５ ＧＨｚ （０，７５ＰＦの場合）や６Ｇ
Ｈｚ（０゜５ＰＦ）になったりするという如く容易にト
ラップ周波数を選択できるので、マイクロ波増幅回路の
寄生発振がＦＥＴ ２や整合インピーダンス３．４等の
ばらつきによって変わっても、それに対応することがで
きるので、寄生発振を確実に抑えることができる。
容量値を選ぶことにより第３図の如く直列共振周波数（
トラップ周波数）が４Ｇ）（ｚ （Ｉ ＰＦの場合）に
なったり、５ ＧＨｚ （０，７５ＰＦの場合）や６Ｇ
Ｈｚ（０゜５ＰＦ）になったりするという如く容易にト
ラップ周波数を選択できるので、マイクロ波増幅回路の
寄生発振がＦＥＴ ２や整合インピーダンス３．４等の
ばらつきによって変わっても、それに対応することがで
きるので、寄生発振を確実に抑えることができる。
光Ｗ
以上説明した通り、本発明によれば、チップコンデンサ
の内部インピーダンスと容量との直列共振によって４〜
６ ＧＨｚ帯のゲインを落とすことができるので、使用
帯域外の寄生発振を抑えることが可能となる。
の内部インピーダンスと容量との直列共振によって４〜
６ ＧＨｚ帯のゲインを落とすことができるので、使用
帯域外の寄生発振を抑えることが可能となる。
しかも、チップコンデンサの容量値を選ぶことにより（
逆にいえば、所望の容量値のチップコンデンサを使うこ
とにより）４〜６ ＧＨｚ帯内の所定の周波数帯を選ぶ
ことができるので、ＦＥＴや入出力の整合パターンのば
らつきに伴って変わる寄生発振の周波数にトラップ周波
数を対応させることができ、寄生発振を効果的に抑える
という効果があり、本発明は極めて有用である。
逆にいえば、所望の容量値のチップコンデンサを使うこ
とにより）４〜６ ＧＨｚ帯内の所定の周波数帯を選ぶ
ことができるので、ＦＥＴや入出力の整合パターンのば
らつきに伴って変わる寄生発振の周波数にトラップ周波
数を対応させることができ、寄生発振を効果的に抑える
という効果があり、本発明は極めて有用である。
第１図は本発明を実施したマイクロ波増幅回路の構成図
であり、第２図はその一部の等価回路図、第３図は説明
図である。第４図は従来例の構成図である。 １・・・入カバターン、 ２・・・ＦＥＴ。 ３・・・入力整合パターン、 ４・・・出力整合パターン、 ５・・・出力パターン、 ６・・・マイクロストリップ回路基板、７・・・出力端
パターン、 ８・・・チップコンデンサ、 ９・・・アースパターン、 １０．１１・・・バイアスパターン、 １６・・・チップコンデンサの容量、 １７・・・チップコンデンサの内部インダクタ。
であり、第２図はその一部の等価回路図、第３図は説明
図である。第４図は従来例の構成図である。 １・・・入カバターン、 ２・・・ＦＥＴ。 ３・・・入力整合パターン、 ４・・・出力整合パターン、 ５・・・出力パターン、 ６・・・マイクロストリップ回路基板、７・・・出力端
パターン、 ８・・・チップコンデンサ、 ９・・・アースパターン、 １０．１１・・・バイアスパターン、 １６・・・チップコンデンサの容量、 １７・・・チップコンデンサの内部インダクタ。
Claims (1)
- （１）マイクロ波ストリップ回路上に形成された増幅回
路の出力パターンとアースパターンとの間にチップコン
デンサを接続したことを特徴とするマイクロ波増幅回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338968A JPH04207705A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | マイクロ波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338968A JPH04207705A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | マイクロ波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207705A true JPH04207705A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18323031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2338968A Pending JPH04207705A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | マイクロ波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150419A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| JP2008005422A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 低雑音増幅器 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2338968A patent/JPH04207705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150419A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| JP2008005422A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 低雑音増幅器 |
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