JPH0420793B2 - - Google Patents

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JPH0420793B2
JPH0420793B2 JP57115214A JP11521482A JPH0420793B2 JP H0420793 B2 JPH0420793 B2 JP H0420793B2 JP 57115214 A JP57115214 A JP 57115214A JP 11521482 A JP11521482 A JP 11521482A JP H0420793 B2 JPH0420793 B2 JP H0420793B2
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JP
Japan
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layer
recording
film
laser beam
substrate
Prior art date
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JP57115214A
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English (en)
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JPS595097A (ja
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Masaki Ito
Sotaro Edokoro
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS595097A publication Critical patent/JPS595097A/ja
Publication of JPH0420793B2 publication Critical patent/JPH0420793B2/ja
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    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G11B7/00452—Recording involving bubble or bump forming
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光記録方式に関する。
従来、光デイスク等では、基板の上の記録層に
収束したレーザービームを照射し、記録層中に吸
収された光エネルギーから変換された熱エネルギ
ーによつて、記録層を溶融・蒸発させる或いは溶
融・凝集させて幾何学的形状変化（ピツト）を形
成して情報を書き込む。このようにして形成され
たピツトに低パワーのレーザービームを照射し、
反射光量等の変化によりピツトの有無を検出して
情報を読み出す。このような記録装置の小型化、
低価格化のためには書き込み用レーザーとして半
導体レーザーを使用することが強く望まれてい
る。したがつて、出力の小さい半導体レーザーを
用いても充分高速で書き込める高感度な記録媒体
及び記録方式を必要とするが、未だ望ましい媒体
及び方式は開発されていない。媒体感度は媒体を
支持する基板の熱特性に大きく依存するので、で
きるだけ熱伝導度の小さな基板が使用されてい
る。それでも基板に流出する熱量は大きく、この
ことが媒体感度を低めている主な原因となつてい
る。
本発明の目的は、高感度の光記録を可能とする
光記録方式を提供するところにある。
本発明は、収束したレーザービームを照射して
記録層に幾何学的形状変化（ピツト）を形成する
ことにより記録を行なう光記録方式において、基
板の上に積層された層の中の第一の層と、該第一
の層の直上にありかつ該記録層の下にある第二の
層の間に気泡があり、該気泡の上の部分の該記録
層にピツトを形成して記録を行なうことを特徴と
するものである。
以下、本発明の光記録方式について実施例を用
いて説明する。第１図は本発明の一実施例におけ
る光記録媒体の断面図である。まず、ポリメチル
メタクリレート（PMMA）基板１の上に反射層
２としてアルミニウム（Al）膜を30nm、透過層
３として高分子膜を200nm、支持層４としてチタ
ン（Ti）膜を10nm順次積層し、しかる後、波長
514nmのアルゴンガスレーザービーム（図示せ
ず）を収束照射し、支持層４を局部的に加熱する
ことにより、支持層４を透過層３より剥離させ、
最大ギヤツプ長が約200nmの気泡５を形成した。
次に、支持層４の上全面に記録層６としてテルル
（Te）膜を20nm被着した。このような記録媒体
の気泡５の上の部分に波長830nmの半導体レーザ
ービーム７を収束照射して第２図のようにピツト
２０を形成した。このときにに必要であつたレー
ザーパワーは、PMMA基板の上に10nm厚のTi
膜、20nm厚のTe膜を順次積層した記録媒体にピ
ツトを形成するに必要であつたレーザーパワーの
半分以下であつた。このように記録が高感度化さ
れた主な原因は、ピツトを形成すべき記録層の下
の支持層の下が気泡であることにより、記録層及
び支持層からの熱の流出が阻止されたためであ
る。波長830nmの低パワーの半導体レーザービー
ムを照射して読み出しを行なつたところ、ピツト
形成により反射率は45％から21％に変化し、充分
な変調度が得られた。また、気泡の上のTe膜の
反射率は45％であるのに比べ、気泡のない部分の
Te膜の反射率は60％と大きく、気泡の上とそう
でない部分との反射率差が充分大きいので良好な
トラツキングを行なうことができた。
なお、本実施例では記録層としてTe膜を用い
たが、他の低融点金属及び有機染料等の他のピツ
ト形成材料を用いてもよいことはいうまでもな
い。また、気泡形成のための層構造としては、こ
こではTi膜／高分子膜／Al膜を用いたが、他の
気泡形成層構造を用いてもよいこともいうまでも
ない。
以上述べたように、本発明によれば高感度の光
記録を可能とする光記録方式が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における記録媒体を
示す断面図であり、第２図はこの記録媒体に記録
した後の状態を示す断面図である。 図において、１は基板、２は反射層、３は透過
層、４は支持層、５は気泡、６は記録層、７はレ
ーザービーム、２０はピツトを表わす。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 収束したレーザービームを照射して記録層に
    幾何学的形状変化（ピツト）を形成することによ
    り記録を行なう光記録方式において、基板の上に
    積層された層の中の第一の層と、該第一の層の直
    上にありかつ該記録層の下にある第二の層の間に
    気泡があり、該気泡の上の部分の該記録層にピツ
    トを形成して記録を行なうことを特徴とする光記
    録方式。
JP57115214A 1982-07-02 1982-07-02 光記録方式 Granted JPS595097A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57115214A JPS595097A (ja) 1982-07-02 1982-07-02 光記録方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57115214A JPS595097A (ja) 1982-07-02 1982-07-02 光記録方式

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS595097A JPS595097A (ja) 1984-01-11
JPH0420793B2 true JPH0420793B2 (ja) 1992-04-06

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ID=14657184

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JP57115214A Granted JPS595097A (ja) 1982-07-02 1982-07-02 光記録方式

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JPS595097A (ja) 1984-01-11

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