JPH04209689A - 絶縁性ペースト - Google Patents

絶縁性ペースト

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Publication number
JPH04209689A
JPH04209689A JP40462390A JP40462390A JPH04209689A JP H04209689 A JPH04209689 A JP H04209689A JP 40462390 A JP40462390 A JP 40462390A JP 40462390 A JP40462390 A JP 40462390A JP H04209689 A JPH04209689 A JP H04209689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating
oligomer
powders
polyhydric alcohol
alcohol compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP40462390A
Other languages
English (en)
Inventor
Teru Okunoyama
奥野山 輝
Tetsunaga Niimi
哲永 新美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Corp filed Critical Toshiba Chemical Corp
Priority to JP40462390A priority Critical patent/JPH04209689A/ja
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  • Die Bonding (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、半導体装置の組立て(
アッセンブ1月や各種部品等の絶縁接着に使用する絶縁
性ペーストに関し、特に半導体ペレットの大型化と高絶
縁性の要求に対応して改良されたものである。 [0002] 【従来の技術】金属薄板(リードフレーム)上の所定部
分にIC,LSI半導体チップを接着する工程は、半導
体装置の長期信頼性に影響を与える重要な工程の一つで
ある。従来からこの接続方法としてチップのシリコン面
をリードフレーム上の金メツキ面に加圧圧着するという
Au−3i共晶法が主流であった。しかし、近年の貴金
属、特に金の高騰を契機として、樹脂封止型半導体装置
ではAu−3i共晶法から半田を使用する方法、絶縁性
接着剤を使用する方法等に急速に移行しつつある。 [0003]Lかしながら、半田を使用する方法は、−
部実用化されているが半田や半田ボールが飛散して電極
等に付着し、腐食断線の原因となることが指摘されてい
る。一方、絶縁性接着剤を使用する方法では、通常エポ
キシ樹脂が用いられ、約10年前から一部実用化されて
きたが、信頼性の面でAu−5i共晶法に比較して満足
すべきものが得られなかった。絶縁性接着剤を使用する
場合は、半田法に比べて耐熱性に優れる等の長所を有し
ているが、その反面、樹脂や硬化剤が半導体素子用接着
剤として作られたものでないため、ボイドの発生や、耐
湿性、耐加水分解性に劣り、アルミニウム電極の腐食を
促進し、断線不良の原因となることが多く、素子の信頼
性はAu−3i共晶法に比較して劣っていた。また、近
年、IC,LSIやLED等の半導体チップの大型化と
ワイヤボンディングなどプロセス処理条件などの高温化
に伴い、チップクラックの発生やチップ反り、接着力の
低下がおこり、問題となっていた。 [0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、高絶縁性であって耐湿性、耐
加水分解性、接着性に優れ、特に半導体チップの大型化
とプロセス条件の高温化に対応してチップの反りの少な
い高信頼性の絶縁性ペーストを提供することを目的とし
ている。 [0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、耐湿性、耐加
水分解性、接着性に優れるとともにボイドの発生がなく
、半導体チップの大型化と高絶縁性に対応して信頼性の
高い絶縁性ペーストが得られることを見いだし、本発明
を完成したものである。 [0006]すなわち、本発明は、 (A)ウレタンポリマーまたはウレタンオリゴマー(B
)多価アルコール化合物、 (C)撥水剤及び (D)絶縁性粉末 を必須成分とすることを特徴とする絶縁性ペーストであ
る。 [0007]以下、本発明の詳細な説明する。 [00081本発明に用いる(A)ウレタンポリマーま
たはウレタンオリゴマーとしては、ウレタンを形成する
プレポリマーおよびオリゴマーのすべてのものが使用可
能であるが、末端活性イソシアネート基を活性水素化合
物でブロック化したブロックイソシアネートプレポリマ
ーが好ましく使用される。代表的なものとしては、末端
活性イソシアネートを有するポリエステルまたはポリブ
タジェンをアセト酢酸エステルオキシム、或いはフェノ
ール等のブロッキング剤でブロック化したものである。 具体的なものとしては、デスモジュールAPステーブル
(バイエル社製、商品名)、ニーロックQ−9062(
出光石油化学社製、商品名)等が挙げられ、これらは単
独又は2種以上混合して使用することができる。これら
のブロック化されたウレタンのポリマーまたはオリゴマ
ーは室温で安定であるが120℃以上に加熱するとイソ
シアネート基を解離する性質をもっている。 [0009]本発明に用いる(B)多価アルコール化合
物としては、可撓性、柔軟性を考慮して長鎖のアルキル
基を有するものや、ポリエステル系、ポリブタジェン系
およびシリコーン系多価アルコール類が使用される。具
体的なものとしては、R−45HT (出光石油化学社
製、商品名)、三洋化成社製のポリエチレングリコール
、ポリプロピレングリコール、トーレシリコーン社製の
アルコール変性シリコーンBYシリーズ等が挙げられ、
これらは単独又は2種以上混合して使用される。これら
の多価アルコール類の水酸基は、前述したウレタンポリ
マーやオリゴマーから解離したイソシアネート基と反応
する。ウレタンプレポリマーやオリゴマーと多価アルコ
ール化合物の配合割合は、解離イソシアネート基(NG
O)と多価アルコール化合物の水酸基(OH)の比(N
GOloH)が1.0〜1.2当撒の範囲であることが
望ましい。この比が1.0当撒未満又は1.2当量を超
えると所定の特性が得られず好ましくない。この反応系
を促進させる触媒としては、一般的にジアルキルチンジ
ラウレート等が使用される。 [00101本発明に使用される(C)撥水剤としては
、例えばフルオロカーボン系、シリコーン系等があり具
体的には、KTL450,610,500F、KT40
0(喜多村社製、商品名)、TSL8241,8185
(東芝シリコーン社製、商品名)等が挙げられ、これら
は単独又は2種以上混合して使用することができる。 [00111本発明に使用される(D)絶縁性粉末とし
ては、カーボンランダム、炭化はう素、窒化アルミニウ
ム、窒化チタン等の非酸化物のセラミック粉末、ベリリ
ウム、マグネシウム、アルミニウム、チタン、シリコン
等の酸化物粉末等が挙げられ、これらは単独又は2種以
上混合し使用することができる。これらの絶縁性粉末は
、アリカリ金属イオン、ハロゲンイオン等の不純物イオ
ンを含まないことが望ましい。またいずれも平均粒径旬
μm以下であることが好ましい。平均粒径が10amを
超えると、組成物の性状がペースト状にならず塗布性能
が低下し好ましくない。絶縁性粉末と樹脂成分[(A)
+ (B) + (C) ]との配合割合は、重量比で
40/60〜90/10であることが望ましい。絶縁性
粉末が40重量部未満では満足な絶縁性が得られず、ま
た90重量部を超えると作業性や密着性が低下し好まし
くない。 [00121本発明の絶縁性ペーストは粘度調整のため
必要に応じて有機溶剤を使用することもできる。その溶
剤類としては、ジオキサン、ヘキサン、酢酸セロソルブ
、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソ
ルブアセテート、ブチルカルピトールアセテート、イソ
ホロン等が挙げられる。 [0013]絶縁性ペーストの製造方法は、常法に従い
各原料成分を十分混合した後、さらに三本ロールによる
混練処理をし、その後、減圧脱泡して製造することがで
きる。こうして製造した絶縁性ペーストはシリンジに充
填され、デイスペンサーを用いてリードフレーム上に吐
出し半導体チップを接合した後、ワイヤポンデイジグを
行い、樹脂封止して樹脂封止型の半導体装置の製造等に
使用される。 [0014]
【作用】本発明の絶縁性ペーストは、ウレタンポリマー
またはオリゴマー、多価アルコール化合物、撥水剤、お
よび絶縁性粉末を用いることによって、耐湿性、耐加水
分解性、接着性が向上してボイドの発生や断線不良がな
く、かつ半導体素子のワイヤボンディングにおける28
0℃という苛酷な加熱条件を適用しても接着強度の劣化
がなくまたチップの反りを少なくさせることができた。 [0015]
【実施例】次に本発明を実施例によって具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。実施例1〜3表1に示した各成分を三本ロー
ルで3回混練して絶縁性ペーストを製造した。比較例市
販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型絶縁性ペーストを入手
した。 [0016]実施例1〜3および比較例の絶縁性ペース
トを用いて、半導体チップとリードフレームとを接着硬
化して半導体装置を製造した。これらについて接着強度
、加水分解性、浸水後の絶縁特性、チップの反りの試験
を行ったのでその結果を表2に示した。いずれも本発明
が優れており、本発明の顕著な効果が認められた。 [0017]接着強度は、200μm厚のリードフレー
ム(銅系)上に4 X 12mmのシリコンチップをそ
れぞれの接着条件で接着し、350℃の温度でプッシュ
プルゲージを用いて測定した。加水分解性は、半導体チ
ップ接着条件で硬化させた後、100メツシユに粉砕し
て、180℃で2時間、加熱抽出を行ってクロルイオン
の量をイオンクロマトグラフィーで測定した。浸水後の
絶縁特性は、JIS−C2103により測定した。チッ
プの反りは、硬化後のチップ表面を表面粗さ計で測定し
、チップ中央部と端部との距離で示した。 [0018]
【表1】 *1 ;出光石油化学社製、ポリブタジェン系フェノー
ルブロックイソシアネートプレポリマーの50%ブチル
カルピトール溶液 *2:出光石油化学社製、末端水酸基化合物*3:喜多
村社製 *4 :東芝シリコーン社製。 [0019]
【表2】 (単位) * :J l5−C2103により測定。 [00201 【発明の効果]以上の説明および表2の結果から明らか
なように、本発明の絶縁性ペーストは、耐湿性、耐加水
分解性、接着性に優れ、ボイドの発生や反りが少なく、
半導体チップの大型化と高絶縁性に対応した信頼性の高
い電子機器を製造することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)ウレタンポリマーまたはウレタン
    オリゴマー、 (B)多価アルコール化合物、 (C)撥水剤及び (D)絶縁性粉末 を必須成分とすることを特徴とする絶縁性ペースト。
JP40462390A 1990-12-04 1990-12-04 絶縁性ペースト Pending JPH04209689A (ja)

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JP40462390A JPH04209689A (ja) 1990-12-04 1990-12-04 絶縁性ペースト

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JP40462390A JPH04209689A (ja) 1990-12-04 1990-12-04 絶縁性ペースト

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JPH04209689A true JPH04209689A (ja) 1992-07-31

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JP40462390A Pending JPH04209689A (ja) 1990-12-04 1990-12-04 絶縁性ペースト

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7842178B2 (en) 2005-04-18 2010-11-30 University Of Iowa Research Foundation Magnet incorporated electrically conductive electrodes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7842178B2 (en) 2005-04-18 2010-11-30 University Of Iowa Research Foundation Magnet incorporated electrically conductive electrodes

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