JPH04209762A - 圧電磁器の製造方法 - Google Patents
圧電磁器の製造方法Info
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- JPH04209762A JPH04209762A JP2338142A JP33814290A JPH04209762A JP H04209762 A JPH04209762 A JP H04209762A JP 2338142 A JP2338142 A JP 2338142A JP 33814290 A JP33814290 A JP 33814290A JP H04209762 A JPH04209762 A JP H04209762A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックフィルタ、圧電音響素子。
アクチュエータ、共振子等に用いられる圧電磁器の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来の技術
従来、圧電原料粉末の製造方法としては共沈法および固
相法が知られている。ここで、共沈法はその構成成分の
全てを一緒にした混合溶液を作り、これにアルカリ等の
沈殿形成−を添加して共沈させ、共沈物を乾燥、仮焼さ
せる方法である。
相法が知られている。ここで、共沈法はその構成成分の
全てを一緒にした混合溶液を作り、これにアルカリ等の
沈殿形成−を添加して共沈させ、共沈物を乾燥、仮焼さ
せる方法である。
この共沈法によると均一性の優れた易焼結性の微粉末が
得られるが、製造設備が大がかりなものとなり高コスト
となること、また各成分の沈殿形成液に対する沈殿形成
能が同じでない場合には、例えばある成分は実質的に1
00%沈殿を生ずるが、他の成分は実質的に全部沈殿を
生成し得ないことが起こり、所望組成となし得ないこと
があり、特にMg成分、Ni成分、Mn成分を実質的に
100%沈殿させるのは困難であった。
得られるが、製造設備が大がかりなものとなり高コスト
となること、また各成分の沈殿形成液に対する沈殿形成
能が同じでない場合には、例えばある成分は実質的に1
00%沈殿を生ずるが、他の成分は実質的に全部沈殿を
生成し得ないことが起こり、所望組成となし得ないこと
があり、特にMg成分、Ni成分、Mn成分を実質的に
100%沈殿させるのは困難であった。
一方、固相法は構成原料成分の化合物を乾式あるいは湿
式で混合し、仮焼する方法であるが、従来のボールミル
を中心とする混合では原料の粉砕効率が悪(、一般の市
販原料を用いた場合は粒度が粗く、焼結性は良好でなか
った。また、均一組成の原料粉末が得に(いため高度な
特性が得られなかったり、製品の特性ばらつきが大きい
という問題があった。
式で混合し、仮焼する方法であるが、従来のボールミル
を中心とする混合では原料の粉砕効率が悪(、一般の市
販原料を用いた場合は粒度が粗く、焼結性は良好でなか
った。また、均一組成の原料粉末が得に(いため高度な
特性が得られなかったり、製品の特性ばらつきが大きい
という問題があった。
発明が解決しようとする課題
本発明は前記固相法を改良し、媒体攪拌ミルによる素原
料の微粉化と冷間等方加圧成形による微粉原料の高密度
成形により、高密度、低コスト。
料の微粉化と冷間等方加圧成形による微粉原料の高密度
成形により、高密度、低コスト。
高性能圧電特性の3つの要件を満たした圧電磁器を効率
よ(製造する方法を提供しようとするものである。
よ(製造する方法を提供しようとするものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、本
発明に至った。
発明に至った。
本発明は少なくともPb、TiおよびZrを含むチタン
酸ジルコン酸鉛系の圧電磁器または少なくともPbおよ
びTiを含むチタン酸鉛系の圧電磁器の製造に際し、原
料粉末を媒体攪拌ミルによりサブミクロンオーダーまで
微粉砕・混合した後仮焼し、次いでこれを再度媒体攪拌
ミルにより微粉砕し、平均粒径を0.1〜0.6μmと
した後、有機結合剤と共に造粒し、冷間等方加圧成形し
た後、焼成することを特徴とする圧電磁器の製造方法を
提案するものである。
酸ジルコン酸鉛系の圧電磁器または少なくともPbおよ
びTiを含むチタン酸鉛系の圧電磁器の製造に際し、原
料粉末を媒体攪拌ミルによりサブミクロンオーダーまで
微粉砕・混合した後仮焼し、次いでこれを再度媒体攪拌
ミルにより微粉砕し、平均粒径を0.1〜0.6μmと
した後、有機結合剤と共に造粒し、冷間等方加圧成形し
た後、焼成することを特徴とする圧電磁器の製造方法を
提案するものである。
作用
さて、チタン酸ジルコン酸鉛系磁器とは、真性チタン酸
ジルコン酸鉛磁器および変成チタン酸ジルコン酸鉛磁器
を意味し、変成チタン酸ジルコン酸鉛磁器にはPbTi
Os PbZrOsと後述の一般式(1)〜(XI)
で示される少なくとも1種のペロブスカイト型化合物ま
たは複合ペロブスカイト型化合物とからなる3成分系、
4成分系その他の多成分系磁器が含まれる。
ジルコン酸鉛磁器および変成チタン酸ジルコン酸鉛磁器
を意味し、変成チタン酸ジルコン酸鉛磁器にはPbTi
Os PbZrOsと後述の一般式(1)〜(XI)
で示される少なくとも1種のペロブスカイト型化合物ま
たは複合ペロブスカイト型化合物とからなる3成分系、
4成分系その他の多成分系磁器が含まれる。
また、チタン酸鉛系磁器とは、真性チタン酸鉛磁器およ
び変成チタン酸鉛磁器を意味し、変成チタン酸鉛磁器に
はPbTiOsと後述の一般式(1)〜(XI)で示さ
れる少なくとも1種のペロブスカイト型化合物または複
合ペロブスカイト型化合物とからなる2成分系、3成分
系その他の多成分系磁器が含まれる。
び変成チタン酸鉛磁器を意味し、変成チタン酸鉛磁器に
はPbTiOsと後述の一般式(1)〜(XI)で示さ
れる少なくとも1種のペロブスカイト型化合物または複
合ペロブスカイト型化合物とからなる2成分系、3成分
系その他の多成分系磁器が含まれる。
前記ペロブスカイト型化合物または複合ペロブスカイト
型化合物の代表的なものとしては、一般式(1) A”
B”03・・・・・A : P b 、 B a。
型化合物の代表的なものとしては、一般式(1) A”
B”03・・・・・A : P b 、 B a。
Ca、Sr、Cd等、B:Sn、Hf等。
一般式(■)A1+B5+03・・・・・・A:Li、
Na。
Na。
K、Ag等、B:Nb、Ta等。
一般式(m)A”(B”l/3ひ+t7g)Os・・・
・・・P b(M g +/5Nbt/5)Os、 P
b(M g +/5Ta2/3)03、 P b(N
i l/#N bys)Os、 P b(M nI/
sT atls)Oss P b(Mn+/sS bt
/5)Os、 P b(Z n+/sN b!/5)O
s、 P b(Z n+lsT atls)Os、 P
b(Mn+/sN bt/5)Ox、 P b(C0
1/3Sbt/5)Os、Pb(Cot/5Nbt/5
)Os・Pb(F e l/3S bt/5)03.
P b(M n+/sB i 2/3)Os、 P b
(N i +/sT atls)Osp P b(Cd
+/sNb i l/3) O3s B
a (Cu+/lT atls) Os。
・・・P b(M g +/5Nbt/5)Os、 P
b(M g +/5Ta2/3)03、 P b(N
i l/#N bys)Os、 P b(M nI/
sT atls)Oss P b(Mn+/sS bt
/5)Os、 P b(Z n+/sN b!/5)O
s、 P b(Z n+lsT atls)Os、 P
b(Mn+/sN bt/5)Ox、 P b(C0
1/3Sbt/5)Os、Pb(Cot/5Nbt/5
)Os・Pb(F e l/3S bt/5)03.
P b(M n+/sB i 2/3)Os、 P b
(N i +/sT atls)Osp P b(Cd
+/sNb i l/3) O3s B
a (Cu+/lT atls) Os。
S r (Cu+ /5Tat /s) Os
、 Pb (Cd+ /sN b !/s)
Oss B a(Cu wsNb 2/s>Os、
S r(Cu+13Nb2/5)Os、 P
b(C01/3T atls)03、 Cd(M g
h/sN bv/s) Os等。
、 Pb (Cd+ /sN b !/s)
Oss B a(Cu wsNb 2/s>Os、
S r(Cu+13Nb2/5)Os、 P
b(C01/3T atls)03、 Cd(M g
h/sN bv/s) Os等。
一般式(IV ) A” (B”l/2 B”l/2
) 03・・・・・・P b(F e w2Nbw2)
03.P b(F e l/2Ta+/l>o3.P
b(S C1/2N Ig/2)03.P b(S C
1/2Ta+ /2)Os、 Pb (Y+ /x
Nb+ /2) 03. Pb(Y b+ /lN
b+ /z)03. P b(Y b+ /2
T a+ 72)Os、Pb(Lu+/lNb+/2
)03.Pb(Lul/2T a+/2)03.P b
(L u+/2N b+/2)03.P b(H01/
2N b+72)Os、P b (Mnl/2S b+
7t)Os、P b(I nrytN br/l>Os
s P b(S b+/rNb+72)Os、Pb(
Mnl/2Nt)l/2)03.Ba(B i l/2
N b+/2)Os、 B a(B i l/2T
a+/z)os、 B a(B i l/2VI/2
) 031 Cd (F el/2Nb+/1)Os
・ Cd(S Cl/2N b l/2)03・ Cd
(Crl/2Nb+7t) 03等・ 一般式(V ) A” (B”l/2 B”l/2 )
(h”=・P b (Cd l/2WI/2 ) O
s・ P b (M g l/2Wl/2)03、
P b (C01/2Wl/2)031 P b (
N i+/lWl/2 )Os 、 P b(Mn l
/2Wl/2)03. P b(Ca l1lWt/1
)Ox、 P b(Fe+/xW+/z)Os、 P
b(ZnI/lW+/2)03.P b (Mn1/2
Re+72)Os、S r(Cu l/2W+/2)0
3. B a(Cu l/2WI/2)03゜T
I (Z r l/2W+/2) 03等・一
般式(■) A” (B”x73F” l/3) Os
・・・・・・P b (F e 2/3W+/2)0
3 、 P b(M n2/3WI/5)03、
P b (S C2/3W+/3)03. B a
(B it/sWl/3)03.B a (B i
2/3Mo+/3)03T P b(B i 2/3
M Ol/3 ) Os等O一般式(■)A”l/2A
”l/2B”03・・・・・・(Kl/2L a+/2
) T i 031(N a+/2B i l/2)T
i ○3. (Na+ /lLa+ /l)T i
03. (Nal /2Cel/2)T i 0
3. (N a+/2Nd+/2)T i 031(
N d+/lB i l/2)T i 03・ (K
l/2 B i l/4)Ti03等。
) 03・・・・・・P b(F e w2Nbw2)
03.P b(F e l/2Ta+/l>o3.P
b(S C1/2N Ig/2)03.P b(S C
1/2Ta+ /2)Os、 Pb (Y+ /x
Nb+ /2) 03. Pb(Y b+ /lN
b+ /z)03. P b(Y b+ /2
T a+ 72)Os、Pb(Lu+/lNb+/2
)03.Pb(Lul/2T a+/2)03.P b
(L u+/2N b+/2)03.P b(H01/
2N b+72)Os、P b (Mnl/2S b+
7t)Os、P b(I nrytN br/l>Os
s P b(S b+/rNb+72)Os、Pb(
Mnl/2Nt)l/2)03.Ba(B i l/2
N b+/2)Os、 B a(B i l/2T
a+/z)os、 B a(B i l/2VI/2
) 031 Cd (F el/2Nb+/1)Os
・ Cd(S Cl/2N b l/2)03・ Cd
(Crl/2Nb+7t) 03等・ 一般式(V ) A” (B”l/2 B”l/2 )
(h”=・P b (Cd l/2WI/2 ) O
s・ P b (M g l/2Wl/2)03、
P b (C01/2Wl/2)031 P b (
N i+/lWl/2 )Os 、 P b(Mn l
/2Wl/2)03. P b(Ca l1lWt/1
)Ox、 P b(Fe+/xW+/z)Os、 P
b(ZnI/lW+/2)03.P b (Mn1/2
Re+72)Os、S r(Cu l/2W+/2)0
3. B a(Cu l/2WI/2)03゜T
I (Z r l/2W+/2) 03等・一
般式(■) A” (B”x73F” l/3) Os
・・・・・・P b (F e 2/3W+/2)0
3 、 P b(M n2/3WI/5)03、
P b (S C2/3W+/3)03. B a
(B it/sWl/3)03.B a (B i
2/3Mo+/3)03T P b(B i 2/3
M Ol/3 ) Os等O一般式(■)A”l/2A
”l/2B”03・・・・・・(Kl/2L a+/2
) T i 031(N a+/2B i l/2)T
i ○3. (Na+ /lLa+ /l)T i
03. (Nal /2Cel/2)T i 0
3. (N a+/2Nd+/2)T i 031(
N d+/lB i l/2)T i 03・ (K
l/2 B i l/4)Ti03等。
一般式(■)A2+(Bl+1/4 B”!/4 )
Os・・・・・・Pb (L i++/+Nbs/+
)03.Pb (Cu+/+Nbs/+)Os、 P
b (L i+7+s b3/+)Os等。
Os・・・・・・Pb (L i++/+Nbs/+
)03.Pb (Cu+/+Nbs/+)Os、 P
b (L i+7+s b3/+)Os等。
一般式(IX)A”(B”B”B”)Os・・・・・・
P b(L i I+/4S c+/4W++/1)O
s、P b(Li+/4F e l/4W+/2)
031 P b(L i l/4COl/4W+
/2)O3,Pb (L i+/+I n+74W+
/1)03.Pb(L i +/4Yl/4W+/2)
031 P b(L i l/4T b l/4W+/
2)031 P b (L i l/4Cdr/<W
I/l>03゜P b(L i l/4P r l/4
W+/2)031 P b(L i +/4L a
l/4Wl/2)03.P b(L i +/4S m
+/4W+/x)03・ Pb (L i+/4Yb
+/4W+/2)03.Pb(L i +/4H01/
4WI/2)03.P b (N aw<Yl/4W
l/2)Oss P b(N a I/4HOl/4
W+/2)03等。
P b(L i I+/4S c+/4W++/1)O
s、P b(Li+/4F e l/4W+/2)
031 P b(L i l/4COl/4W+
/2)O3,Pb (L i+/+I n+74W+
/1)03.Pb(L i +/4Yl/4W+/2)
031 P b(L i l/4T b l/4W+/
2)031 P b (L i l/4Cdr/<W
I/l>03゜P b(L i l/4P r l/4
W+/2)031 P b(L i +/4L a
l/4Wl/2)03.P b(L i +/4S m
+/4W+/x)03・ Pb (L i+/4Yb
+/4W+/2)03.Pb(L i +/4H01/
4WI/2)03.P b (N aw<Yl/4W
l/2)Oss P b(N a I/4HOl/4
W+/2)03等。
一般式(X)A”(B”l/4B”l/4B”l/2)
03−P b (Mg+/+Mn+/+W+7t)0
3+ P b(Cd+7+Mn+/4W+/1)Os
s ’P b (C01/4M nl/4WI/2
)03.P b(N i l/4N n l/4W+/
2)03、Pb (Cd+/+Mn+/+W+/2)0
3等・その他(X I ) −−B a B i 03
.P b(Mg+/+Mn+ /+N b I/x)
Os、 P b (S cs /5Nbt
/sWl/9)031 P b(S Cl/4Cr
l/4N b I/l’)OseP b(Cd+
74Mn+ /4N b+ /z)03.P b(L
i+ /sZ r +74W+/1)Oss P b(
Cd4/sN b2/9W+/3)03、P b(N
i w<Mnw<N b l/2)03+ P b(
CoI/4M n+/4N b l/2>03.Pbt
G a NbO5゜P b2B i N b 06.P
b(L i l/3N b+tsWIis>031
P b (Cd+ /3Mn+ /sW+ /s
) 03等。
03−P b (Mg+/+Mn+/+W+7t)0
3+ P b(Cd+7+Mn+/4W+/1)Os
s ’P b (C01/4M nl/4WI/2
)03.P b(N i l/4N n l/4W+/
2)03、Pb (Cd+/+Mn+/+W+/2)0
3等・その他(X I ) −−B a B i 03
.P b(Mg+/+Mn+ /+N b I/x)
Os、 P b (S cs /5Nbt
/sWl/9)031 P b(S Cl/4Cr
l/4N b I/l’)OseP b(Cd+
74Mn+ /4N b+ /z)03.P b(L
i+ /sZ r +74W+/1)Oss P b(
Cd4/sN b2/9W+/3)03、P b(N
i w<Mnw<N b l/2)03+ P b(
CoI/4M n+/4N b l/2>03.Pbt
G a NbO5゜P b2B i N b 06.P
b(L i l/3N b+tsWIis>031
P b (Cd+ /3Mn+ /sW+ /s
) 03等。
が挙げられる。
従来、セラミック粉体を粉砕する方法としては、ボール
ミル、振動ミル等があるが、微粉砕するのに長時間かか
ったり、粉砕媒体である玉石からの不純物混入が多いな
どの問題があった。しかしながら、媒体攪拌ミルでの湿
式粉砕において液体の体積をセラミック粉体の4倍以下
とし、かつ分散剤を添加し、さらに直径が1−以下の玉
石を用いてセラミック粉体を効率よ(微粉砕する方法が
ある(特開昭64−90045号公報)。この方法によ
ると、セラミック粉体を短時間でサブミクロン以下の微
粒子に粉砕することが可能で、素原料の混合においては
反応性と分散性を向上させることができ、仮焼粉の粉砕
においては粒子の活性度を上げ、焼結温度の低下、焼結
密度の向上等、全体的な焼結性を上げることができる。
ミル、振動ミル等があるが、微粉砕するのに長時間かか
ったり、粉砕媒体である玉石からの不純物混入が多いな
どの問題があった。しかしながら、媒体攪拌ミルでの湿
式粉砕において液体の体積をセラミック粉体の4倍以下
とし、かつ分散剤を添加し、さらに直径が1−以下の玉
石を用いてセラミック粉体を効率よ(微粉砕する方法が
ある(特開昭64−90045号公報)。この方法によ
ると、セラミック粉体を短時間でサブミクロン以下の微
粒子に粉砕することが可能で、素原料の混合においては
反応性と分散性を向上させることができ、仮焼粉の粉砕
においては粒子の活性度を上げ、焼結温度の低下、焼結
密度の向上等、全体的な焼結性を上げることができる。
従って、この方法により微粉砕した固相原料を仮焼すれ
ば、より低い温度での均一な固相反応が実現する。ここ
で、仮焼温度としては固相反応が完結し、粒子間の焼結
が生じない温度範囲とすべきであり、700〜1000
℃の範囲が好ましい。このようにして得られた仮焼原料
を再度媒体攪拌ミルにより微粉砕した後、成形するわけ
であるが、粉砕仮焼粉の平均粒径は0.1μm以上0.
6μm以内であることが好ましい。これは平均粒径が0
.6μmを超えると焼結温度低下効果が下がり、焼成磁
器のグレインサイズが太き(なり、所望の圧電特性が得
られな(なるからである。また、平均粒径が0.1μm
未満になると原料の比表面積が急激に増加し、それにつ
れ添加バインダー量を極端に増やさなければならなくな
るため、焼成時の完全な脱バインダーが困難となり、焼
結が不十分になるからである。
ば、より低い温度での均一な固相反応が実現する。ここ
で、仮焼温度としては固相反応が完結し、粒子間の焼結
が生じない温度範囲とすべきであり、700〜1000
℃の範囲が好ましい。このようにして得られた仮焼原料
を再度媒体攪拌ミルにより微粉砕した後、成形するわけ
であるが、粉砕仮焼粉の平均粒径は0.1μm以上0.
6μm以内であることが好ましい。これは平均粒径が0
.6μmを超えると焼結温度低下効果が下がり、焼成磁
器のグレインサイズが太き(なり、所望の圧電特性が得
られな(なるからである。また、平均粒径が0.1μm
未満になると原料の比表面積が急激に増加し、それにつ
れ添加バインダー量を極端に増やさなければならなくな
るため、焼成時の完全な脱バインダーが困難となり、焼
結が不十分になるからである。
このようにして得た微粉砕原料は、−船釣に用いられて
いる一軸加圧成形法では緻密で均一な充填性を有する成
形体を得るのが困難で、焼成後の磁器密度がばらついた
り、クラックが入りやすい等の問題があった。当然、磁
器の圧電特性もそれに伴ってばらついたり、低下したり
した。
いる一軸加圧成形法では緻密で均一な充填性を有する成
形体を得るのが困難で、焼成後の磁器密度がばらついた
り、クラックが入りやすい等の問題があった。当然、磁
器の圧電特性もそれに伴ってばらついたり、低下したり
した。
本発明者らはこの点に鑑み鋭意検討を進めた結果、冷間
等方加圧成形がこのような微粉原料の成形に有効である
ことを見いだした。即ち、原料粉末の粒度が小さければ
小さいほど粉体の表面積が大きくなり、粉体間の摩擦が
増大すると同時に粒子間の静電反発も大きくなり、粗粒
粉体に比べて高い圧力で加圧成形することが必要となる
が、通常用いられている上下加圧成形では圧力分布が不
均一であるため、高い圧力で加圧成形した場合成形体内
部にクラックが入り易かった。一方、静水圧を利用した
等方的な加圧を行う冷間等方加圧成形では、方向による
圧力ばらつきがなくなり、成形体内部での粒子流動性に
基づく圧力伝達度の差による圧力ばらつきのみとなる。
等方加圧成形がこのような微粉原料の成形に有効である
ことを見いだした。即ち、原料粉末の粒度が小さければ
小さいほど粉体の表面積が大きくなり、粉体間の摩擦が
増大すると同時に粒子間の静電反発も大きくなり、粗粒
粉体に比べて高い圧力で加圧成形することが必要となる
が、通常用いられている上下加圧成形では圧力分布が不
均一であるため、高い圧力で加圧成形した場合成形体内
部にクラックが入り易かった。一方、静水圧を利用した
等方的な加圧を行う冷間等方加圧成形では、方向による
圧力ばらつきがなくなり、成形体内部での粒子流動性に
基づく圧力伝達度の差による圧力ばらつきのみとなる。
従って、十分に大きな圧力で冷間等方加圧した場合には
系全体での粒子流動を生ずるため、成形体外周部と中央
部の充填性の差は十分に小さくなる。即ち、後者の冷間
等方加圧成形を用いることにより、上下加圧成形に比べ
てはるかに均一で、緻密な成形体が得られることになる
。従って、この成形体を焼成することにより、緻密で、
ばらつきの少ない、良好な圧電特性を有する磁器が得ら
れる。
系全体での粒子流動を生ずるため、成形体外周部と中央
部の充填性の差は十分に小さくなる。即ち、後者の冷間
等方加圧成形を用いることにより、上下加圧成形に比べ
てはるかに均一で、緻密な成形体が得られることになる
。従って、この成形体を焼成することにより、緻密で、
ばらつきの少ない、良好な圧電特性を有する磁器が得ら
れる。
ここで、磁器の焼成湿度については1000〜1400
℃の範囲が好ましい。これは1000℃未満の温度で焼
成しても十分に焼結せず、所望の特性が得られないこと
、また1400℃を超える温度で焼成した場合はPbO
が多量に蒸発して十分な焼結密度が得られず、分相、異
常粒成長等を生じ、圧電性が大幅に低下するからである
。
℃の範囲が好ましい。これは1000℃未満の温度で焼
成しても十分に焼結せず、所望の特性が得られないこと
、また1400℃を超える温度で焼成した場合はPbO
が多量に蒸発して十分な焼結密度が得られず、分相、異
常粒成長等を生じ、圧電性が大幅に低下するからである
。
実施例
以下に実施例及び比較例を示し、さらに詳しく本発明に
ついて説明する。
ついて説明する。
チタン酸ジルコン酸鉛系磁器における実施例および比較
例 (実施例1) 20 [P b (Z nI/3N bt/*) 03
] −40(PbTiOs) 40(PbZrOs)
−1(MnO2) 0.5 (A I203)純度9
8%以上のPbO,TiO2,Zr0t。
例 (実施例1) 20 [P b (Z nI/3N bt/*) 03
] −40(PbTiOs) 40(PbZrOs)
−1(MnO2) 0.5 (A I203)純度9
8%以上のPbO,TiO2,Zr0t。
ZnO,NbzOs、MnCO5,A 1203(これ
ら粉体の平均粒子径は2.4μmである)を用いて、こ
れらを上記のモル比になるように秤量した後、これらセ
ラミック粉体の真の体積の0.75〜7倍の体積の純水
およびセラミック粉体の重量の1〜2 w t%(固形
分換算)のポリカルボン酸型の分散剤と共にボールミル
で混合し、スラリーとした後、その約1000ocを内
容積600ccの流通管型媒体攪拌ミル(回転数200
Orpm。
ら粉体の平均粒子径は2.4μmである)を用いて、こ
れらを上記のモル比になるように秤量した後、これらセ
ラミック粉体の真の体積の0.75〜7倍の体積の純水
およびセラミック粉体の重量の1〜2 w t%(固形
分換算)のポリカルボン酸型の分散剤と共にボールミル
で混合し、スラリーとした後、その約1000ocを内
容積600ccの流通管型媒体攪拌ミル(回転数200
Orpm。
ZrO2アジテータ−ディスク96φ(■)ZrO2玉
石0.6〜1.0φ(+m)−420oc)に5〜10
■/分の割合で循環導入し、15分間粉砕・混合した。
石0.6〜1.0φ(+m)−420oc)に5〜10
■/分の割合で循環導入し、15分間粉砕・混合した。
これの粒−度分布を沈降式粒度分布測定装置を用いて測
定したところ、平均粒径0.51μmであった。ここで
得られたスラリーを乾燥後、アルミナ磁器製のるつぼに
入れ、850℃で2時間仮焼しほぼ単一相とした。これ
をらいがい機で粗粉砕した。次いで、この粉体(平均粒
径1.32μm)を素原料の場合と同様の条件で媒体攪
拌ミルによる湿式粉砕(600ccスラリー、循環導入
速度5〜10cc/分で20分)を行った。
定したところ、平均粒径0.51μmであった。ここで
得られたスラリーを乾燥後、アルミナ磁器製のるつぼに
入れ、850℃で2時間仮焼しほぼ単一相とした。これ
をらいがい機で粗粉砕した。次いで、この粉体(平均粒
径1.32μm)を素原料の場合と同様の条件で媒体攪
拌ミルによる湿式粉砕(600ccスラリー、循環導入
速度5〜10cc/分で20分)を行った。
こうして得られたスラリーの粒度分布は平均粒度で0.
42μmであった。このスラリーに固形分で0.8wt
%のポリビニルアルコール(PVA)、0.9wt%の
ワックスエマルジョンを加えてボールミル混合した後、
スプレー造粒した。次いで、300kg/cdの圧力で
25φ−30t(閤)の円板試料を成形し、これをゴム
袋に入れた後、真空引きして内部の空気を出して封じ、
これを水中に浸し、加圧容器中で3t/−の水圧をかけ
て冷間静水圧加圧成形を行った。この成形体をPbO雰
囲気中1180℃で1時間焼成した。このようにして得
られた焼結体をスライシングマシンにより21φ−0,
7t(■)の形状にスライスし、アルキメデス法により
密度を測定したところ、7.81 g/dであった。さ
らに、この磁器を16φ−0,5t(swm)に研磨し
た後、Ag電極を両面に焼付け、100℃で3kv/■
の電界で分極処理した後、圧電特性をインピーダンスア
ナライザーで測定したところ、圧電特性は以下のように
なった。
42μmであった。このスラリーに固形分で0.8wt
%のポリビニルアルコール(PVA)、0.9wt%の
ワックスエマルジョンを加えてボールミル混合した後、
スプレー造粒した。次いで、300kg/cdの圧力で
25φ−30t(閤)の円板試料を成形し、これをゴム
袋に入れた後、真空引きして内部の空気を出して封じ、
これを水中に浸し、加圧容器中で3t/−の水圧をかけ
て冷間静水圧加圧成形を行った。この成形体をPbO雰
囲気中1180℃で1時間焼成した。このようにして得
られた焼結体をスライシングマシンにより21φ−0,
7t(■)の形状にスライスし、アルキメデス法により
密度を測定したところ、7.81 g/dであった。さ
らに、この磁器を16φ−0,5t(swm)に研磨し
た後、Ag電極を両面に焼付け、100℃で3kv/■
の電界で分極処理した後、圧電特性をインピーダンスア
ナライザーで測定したところ、圧電特性は以下のように
なった。
比誘電率 ε”33/ εo ; 1190電気機械
結合定数 Kp;42% 機械的品質係数 Q、;2730 なお、この実施例においては磁器焼成−分極までの工程
で、磁器割れを生ずることはな(、磁器歩留りは95%
以上であった。
結合定数 Kp;42% 機械的品質係数 Q、;2730 なお、この実施例においては磁器焼成−分極までの工程
で、磁器割れを生ずることはな(、磁器歩留りは95%
以上であった。
(比較例1−1)
20 [Pb (Zn+/5Nbz/3)Osl−40
(PbT 1os)−40(PbZ ro3)−1(M
nO2) 0.5(A1203)純度98%以上(7
)PbO,TiO2,Z ro2゜Zno、Nb2O6
,MnCO3,A 120g(こtLら粉体の平均粒子
径は2.4μmである)を上記モル比で合計3kXとな
るように秤量し、6リツターポツト中で3kgのメノウ
玉石、ポリカルボン酸系分散剤40oc、純水1500
ccと共に48時間粉砕・混合した。こうして得られた
スラリーの粒度分布は平均粒径で1,43μmであった
。このスラリーを乾燥の後、らいかい機にて粗粉砕した
後、アルミナ磁器製のるつぼに入れ、850℃で2時間
仮焼した。この粉体を再度らいかい機により粉砕した後
、6リツターポツト中で仮焼粉2−。
(PbT 1os)−40(PbZ ro3)−1(M
nO2) 0.5(A1203)純度98%以上(7
)PbO,TiO2,Z ro2゜Zno、Nb2O6
,MnCO3,A 120g(こtLら粉体の平均粒子
径は2.4μmである)を上記モル比で合計3kXとな
るように秤量し、6リツターポツト中で3kgのメノウ
玉石、ポリカルボン酸系分散剤40oc、純水1500
ccと共に48時間粉砕・混合した。こうして得られた
スラリーの粒度分布は平均粒径で1,43μmであった
。このスラリーを乾燥の後、らいかい機にて粗粉砕した
後、アルミナ磁器製のるつぼに入れ、850℃で2時間
仮焼した。この粉体を再度らいかい機により粉砕した後
、6リツターポツト中で仮焼粉2−。
ポリカルボン酸系分散剤27oc、純水1500cc、
メノウ玉石3−と共に48時間粉砕した。これにより得
られたスラリーの粒度分布は平均粒径で1.43μmで
あった。このスラリーを乾燥後、らいかい機で解砕し、
PVA水溶液をバインダーとして添加して、造粒し、1
ton/−の圧力で20φ−1tの円板試料を上下加圧
成形した。この成形体を1200℃で1時間焼成したと
ころ、焼結体の密度は7.51 g/−であった。そし
て、実施例1と同様な方法で分極処理したが、大半のも
のは分極中に割れてしまい、分極できたものでも圧電特
性は以下に示したように悪かった。
メノウ玉石3−と共に48時間粉砕した。これにより得
られたスラリーの粒度分布は平均粒径で1.43μmで
あった。このスラリーを乾燥後、らいかい機で解砕し、
PVA水溶液をバインダーとして添加して、造粒し、1
ton/−の圧力で20φ−1tの円板試料を上下加圧
成形した。この成形体を1200℃で1時間焼成したと
ころ、焼結体の密度は7.51 g/−であった。そし
て、実施例1と同様な方法で分極処理したが、大半のも
のは分極中に割れてしまい、分極できたものでも圧電特
性は以下に示したように悪かった。
比誘電率 εi33/εo; 820電気機械結合定
数 Kp;34% 機械的品質係数 Qs;1910 この比較例における磁器焼成−分極までの工程での磁器
歩留りは25%以下であり、大半のものが割れ不良とな
った。
数 Kp;34% 機械的品質係数 Qs;1910 この比較例における磁器焼成−分極までの工程での磁器
歩留りは25%以下であり、大半のものが割れ不良とな
った。
(比較例1−2)
実施例1で得られた媒体攪拌ミル微粉砕・スプレー造粒
粉を1ton/−の圧力で上下加圧成形し、20φ−1
t(w)の円板試料を得た。この成形体を1180℃で
1時間焼成したところ、焼結体の密度は7.73 g/
c+Jであった。そして、実施例1と同様な方法で分極
処理したが、大半のものは分極中に割れてしまい、分極
できたものでも圧電特性は以下に示したように悪かった
。
粉を1ton/−の圧力で上下加圧成形し、20φ−1
t(w)の円板試料を得た。この成形体を1180℃で
1時間焼成したところ、焼結体の密度は7.73 g/
c+Jであった。そして、実施例1と同様な方法で分極
処理したが、大半のものは分極中に割れてしまい、分極
できたものでも圧電特性は以下に示したように悪かった
。
比誘電率 e”ss/ εo ; 1160電気機械
結合定数 K135% 機械的品質係数 Q、;2010 この比較例における磁器焼成−分極までの工程での磁器
歩留りは20%以下であり、大半のものが割れ不良とな
った。
結合定数 K135% 機械的品質係数 Q、;2010 この比較例における磁器焼成−分極までの工程での磁器
歩留りは20%以下であり、大半のものが割れ不良とな
った。
チタン酸鉛系磁器における実施例および比較例(実施例
2) 0.992Pbo、7Ndo、tTiOs+0.008
Mn02(重量比) 純度98%以上のPbo、Nd2O5,Ti Ot。
2) 0.992Pbo、7Ndo、tTiOs+0.008
Mn02(重量比) 純度98%以上のPbo、Nd2O5,Ti Ot。
MnC0x(これら粉体の平均粒子径は2.5μmであ
る)を用いて、これらを上記の組成になるように秤量し
た後、これらセラミック粉体の真の体積の0.75〜7
10体積の純水およびセラミック粉体の重量の1〜2w
t%(固形分換算)のポリカルボン酸型の分散剤と共に
ボールミルで混合し、スラリーとした後、その約100
0■を内容積600ccの流通管型媒体攪拌ミル(回転
数200Orpm、ZrO2アジテータ−ディスク96
φ(■)、ZrO2玉石 0.6〜1.0φ(■)−4
20oc )に5〜10oc/分の割合で循環導入し、
15分間粉砕・混合した。これの粒度分布を沈降式粒度
分布測定装置を用いて測定したところ、平均粒径0.5
1μmであった。ここで得られたスラリーを乾燥後、ア
ルミナ磁器製のるつぼに入れ、850℃で2時間仮焼し
ほぼ単一相とした。これをらいかい機で粗粉砕した。こ
の粉体(平均粒径1.41μm)を素原料の場合と同様
の条件で媒体攪拌ミルによる湿式粉砕(600ccスラ
リー、循環導入速度5〜10cc/分で20分)を行っ
た。こうして得られたスラリーの粒度分布は平均粒度で
0.47μmであった。このスラリーに固形分で0.8
wt%のPVA、0.9wt%のワックスエマルジョン
を加えてボールミル混合した後、スプレー造粒した。次
いで、300kg/cjの圧力で25φ−30t(−)
の円板試料を成形し、これをゴム袋に入れた後、真空引
きして内部の空気を出して封じ、これを水中に浸し、加
圧容器中で3t/−の水圧をかけて冷間静水圧加圧成形
を行った。この成形体をPbO雰囲気中1180℃で1
時間焼成した。このようにして得られた焼結体をスライ
シングマシンにより21φ−0,7t(閣)の形状にス
ライスし、アルキメデス法により密度を測定したところ
、7.81g/−であった。
る)を用いて、これらを上記の組成になるように秤量し
た後、これらセラミック粉体の真の体積の0.75〜7
10体積の純水およびセラミック粉体の重量の1〜2w
t%(固形分換算)のポリカルボン酸型の分散剤と共に
ボールミルで混合し、スラリーとした後、その約100
0■を内容積600ccの流通管型媒体攪拌ミル(回転
数200Orpm、ZrO2アジテータ−ディスク96
φ(■)、ZrO2玉石 0.6〜1.0φ(■)−4
20oc )に5〜10oc/分の割合で循環導入し、
15分間粉砕・混合した。これの粒度分布を沈降式粒度
分布測定装置を用いて測定したところ、平均粒径0.5
1μmであった。ここで得られたスラリーを乾燥後、ア
ルミナ磁器製のるつぼに入れ、850℃で2時間仮焼し
ほぼ単一相とした。これをらいかい機で粗粉砕した。こ
の粉体(平均粒径1.41μm)を素原料の場合と同様
の条件で媒体攪拌ミルによる湿式粉砕(600ccスラ
リー、循環導入速度5〜10cc/分で20分)を行っ
た。こうして得られたスラリーの粒度分布は平均粒度で
0.47μmであった。このスラリーに固形分で0.8
wt%のPVA、0.9wt%のワックスエマルジョン
を加えてボールミル混合した後、スプレー造粒した。次
いで、300kg/cjの圧力で25φ−30t(−)
の円板試料を成形し、これをゴム袋に入れた後、真空引
きして内部の空気を出して封じ、これを水中に浸し、加
圧容器中で3t/−の水圧をかけて冷間静水圧加圧成形
を行った。この成形体をPbO雰囲気中1180℃で1
時間焼成した。このようにして得られた焼結体をスライ
シングマシンにより21φ−0,7t(閣)の形状にス
ライスし、アルキメデス法により密度を測定したところ
、7.81g/−であった。
さらに、この磁器を16φ−0,5t(m)に研磨した
後、Ag電極を両面に焼付け、100℃で3kv/−の
電界で分極処理した後、圧電特性をインピーダンスアナ
ライザーで測定したところ、圧電特性は以下のようにな
った。
後、Ag電極を両面に焼付け、100℃で3kv/−の
電界で分極処理した後、圧電特性をインピーダンスアナ
ライザーで測定したところ、圧電特性は以下のようにな
った。
比誘電率 6”33/ 80 ; 253拡が
り方向振動に関する電気機械結合係数Kp;8.7% 拡がり方向振動に関する機械的品質係数Q−p;118
0 また、厚み縦方向振動に関する共振子特性は上記円板磁
器を厚み約0.3−に研磨した後、直径1〜2■の円形
銀電極をマスク蒸着により両面に形成した後、インピー
ダンスアナライザーにより測定した。その結果は以下の
ようになった。
り方向振動に関する電気機械結合係数Kp;8.7% 拡がり方向振動に関する機械的品質係数Q−p;118
0 また、厚み縦方向振動に関する共振子特性は上記円板磁
器を厚み約0.3−に研磨した後、直径1〜2■の円形
銀電極をマスク蒸着により両面に形成した後、インピー
ダンスアナライザーにより測定した。その結果は以下の
ようになった。
厚み縦基本波振動に関する電気機械結合係数Kt;46
% 厚み縦3倍波振動に関する電気機械結合係数Kt3;7
.9% 厚み縦3倍波振動に関する機械的品質係数Q−ts ;
4150 なお、この実施例においては磁器焼成−分極までの工程
で磁器割れを生ずることはなく、磁器歩留りは95%以
上であった。
% 厚み縦3倍波振動に関する電気機械結合係数Kt3;7
.9% 厚み縦3倍波振動に関する機械的品質係数Q−ts ;
4150 なお、この実施例においては磁器焼成−分極までの工程
で磁器割れを生ずることはなく、磁器歩留りは95%以
上であった。
(比較例2−1)
0.992Pbo、7Ndo、2TiOs+0.008
n02 純度98%以上のPbO,NdpOs、Tjo2゜Mn
CO5<これら粉体の平均粒子径は2.5μmである)
を上記組成で合計3−となるように秤量し、6リツター
ポツト中で3−のメノウ玉石、ポリカルボン酸系分散剤
40■、純水1500CCと共に48時間粉砕−混合し
た。得られたスラリーの粒度分布は平均粒径で1.53
μmであった。このスラリーを乾燥の後、らいかい機に
て粗粉砕した後、アルミナ磁器製のるつぼに入れ、85
0℃で2時間仮焼した。この粉体を再度らいかい機によ
り粉砕した後、6リツターポツト中で仮焼粉2―、ポリ
カルボン酸系分散剤27ω、純水1500■、メノウ玉
石3kgと共に48時間粉砕した。これにより得られた
スラリーの粒度分布は平均粒径で1.39μmであった
。このスラリーを乾燥後、らいかい機で解砕し、PVA
水溶液を添加して造粒し、1ton/cjの圧力で20
φ−1t(m)の円板試料を成形した。この成形体を1
300℃で1時間焼成したところ、焼結体の密度は7.
13g/cjであった。そして、実施例1と同様な方法
で分極処理したが、大半のものは分極中に割れてしまい
、分極できたものでも圧電特性は以下に示したように悪
かった。
n02 純度98%以上のPbO,NdpOs、Tjo2゜Mn
CO5<これら粉体の平均粒子径は2.5μmである)
を上記組成で合計3−となるように秤量し、6リツター
ポツト中で3−のメノウ玉石、ポリカルボン酸系分散剤
40■、純水1500CCと共に48時間粉砕−混合し
た。得られたスラリーの粒度分布は平均粒径で1.53
μmであった。このスラリーを乾燥の後、らいかい機に
て粗粉砕した後、アルミナ磁器製のるつぼに入れ、85
0℃で2時間仮焼した。この粉体を再度らいかい機によ
り粉砕した後、6リツターポツト中で仮焼粉2―、ポリ
カルボン酸系分散剤27ω、純水1500■、メノウ玉
石3kgと共に48時間粉砕した。これにより得られた
スラリーの粒度分布は平均粒径で1.39μmであった
。このスラリーを乾燥後、らいかい機で解砕し、PVA
水溶液を添加して造粒し、1ton/cjの圧力で20
φ−1t(m)の円板試料を成形した。この成形体を1
300℃で1時間焼成したところ、焼結体の密度は7.
13g/cjであった。そして、実施例1と同様な方法
で分極処理したが、大半のものは分極中に割れてしまい
、分極できたものでも圧電特性は以下に示したように悪
かった。
ε133/εo;241
に、 ;7.49%
Q−p ;962
Kt ;42%
Kts ;7.1%
Qmta ; 2140
なお、この比較例における磁器焼成−分極までの工程で
の磁器歩留りは20%以下であり、大半のものが割れ不
良となった。
の磁器歩留りは20%以下であり、大半のものが割れ不
良となった。
(比較例2−2)
実施例1で得られた媒体攪拌ミル微粉砕・スプレー造粒
粉を1ton/−の圧力で上下加圧成形し、20φ−1
t(■)の円板試料を得た。これをPbO雰囲気中11
5o℃で1時間焼成したが、半数以上の試料にクラック
が入っていた。得られた焼結体の密度をアルキメデス法
により測定したところ、7.36g/c−であった。そ
して、クラックのない試料を実施例1と同様の方法で圧
電特性を測定したところ、以下のようになった。
粉を1ton/−の圧力で上下加圧成形し、20φ−1
t(■)の円板試料を得た。これをPbO雰囲気中11
5o℃で1時間焼成したが、半数以上の試料にクラック
が入っていた。得られた焼結体の密度をアルキメデス法
により測定したところ、7.36g/c−であった。そ
して、クラックのない試料を実施例1と同様の方法で圧
電特性を測定したところ、以下のようになった。
εT33/εo; 263
Kp ;7.80%
Q、p ;1o05
Kt ;44%
Kts ;7.6%
Q−t3 ;2376
なお、この比較例における磁器焼成−分極までの工程で
の磁器歩留りは10%以下であり、大半のものが割れ不
良となった。
の磁器歩留りは10%以下であり、大半のものが割れ不
良となった。
以上より、本発明によるチタン酸鉛系磁器は高密度で、
厚み縦方向振動での電気機械結合係数が大きいという優
れた特性を有し、かつ高歩留りで製造できることが解っ
た。
厚み縦方向振動での電気機械結合係数が大きいという優
れた特性を有し、かつ高歩留りで製造できることが解っ
た。
発明の効果
本発明は少なくともPb、TiおよびZrを含むチタン
酸ジルコン酸鉛系の圧電磁器または少なくともpbおよ
びTiを含むチタン酸鉛系の圧電磁器の製造に際し、市
販の固相原料を直径の小さい玉石と分散媒体となる液体
をスラリー形成が可能な最少量に抑えた媒体攪拌ミルを
用いて短時間で均一混合・微粉砕して、原料粉末の活性
度および均一分散性を上げた状態で仮焼することにより
、活性度の高い易焼結性の粉体原料とし、これを緻密か
つ均一充填性に優れた冷間等方加圧成形法で成形、焼成
することにより、低温での焼結が可能で緻密かつ優れた
圧電特性を有する磁器を低コストで、かつ少ないばらつ
きのもとに製造ができるという優れた効果を有する。
酸ジルコン酸鉛系の圧電磁器または少なくともpbおよ
びTiを含むチタン酸鉛系の圧電磁器の製造に際し、市
販の固相原料を直径の小さい玉石と分散媒体となる液体
をスラリー形成が可能な最少量に抑えた媒体攪拌ミルを
用いて短時間で均一混合・微粉砕して、原料粉末の活性
度および均一分散性を上げた状態で仮焼することにより
、活性度の高い易焼結性の粉体原料とし、これを緻密か
つ均一充填性に優れた冷間等方加圧成形法で成形、焼成
することにより、低温での焼結が可能で緻密かつ優れた
圧電特性を有する磁器を低コストで、かつ少ないばらつ
きのもとに製造ができるという優れた効果を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくともPb,TiおよびZrを含むチタン酸ジル
コン酸鉛系の圧電磁器または少なくともPbおよびTi
を含むチタン酸鉛系の圧電磁器の製造方法であって、 原料粉末を媒体攪拌ミルで湿式粉砕,混合した後乾燥し
、700〜1100℃で仮焼する第一工程、 この得られた仮焼物粉末を媒体攪拌ミルで湿式粉砕し平
均粒径を0.1〜0.6μmとした後、有機結合剤と共
に造粒し、冷間等方加圧成形した後、1000〜140
0℃で焼成する第二工程、とよりなることを特徴とする
圧電磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338142A JPH04209762A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 圧電磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338142A JPH04209762A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 圧電磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209762A true JPH04209762A (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=18315311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2338142A Pending JPH04209762A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 圧電磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209762A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284668A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子及び圧電アクチュエータ並びに噴射装置 |
| JP2002299711A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子及び圧電トランス |
| JP2003012369A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-15 | Nikko Co | 圧電体磁器組成物 |
| JP2009179561A (ja) * | 1997-09-05 | 2009-08-13 | Ceramtec Ag Innov Ceramic Eng | 高性能圧電セラミック |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2338142A patent/JPH04209762A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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