JPH04210481A - パラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法 - Google Patents
パラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法Info
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- JPH04210481A JPH04210481A JP2410154A JP41015490A JPH04210481A JP H04210481 A JPH04210481 A JP H04210481A JP 2410154 A JP2410154 A JP 2410154A JP 41015490 A JP41015490 A JP 41015490A JP H04210481 A JPH04210481 A JP H04210481A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、パラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法に関す
る。 [00021本発明の調合物は、とくに民生用または産
業用エレクトロニクス機器に使用される積層セラミック
コンデンサ、低温焼成多層セラミック基板、ガラス基板
、グレーズ基板、アルミナ基板等に用いて導電回路や積
層回路を製造することができる。 [0003]
ジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法に関す
る。 [00021本発明の調合物は、とくに民生用または産
業用エレクトロニクス機器に使用される積層セラミック
コンデンサ、低温焼成多層セラミック基板、ガラス基板
、グレーズ基板、アルミナ基板等に用いて導電回路や積
層回路を製造することができる。 [0003]
【従来の技術とその問題点】積層コンデンサや多層セラ
ミックス基板は、一般にセラミック粉末をビヒクルに均
一に分散させたセラミックス調合物を成型し、てつくっ
た未焼成のシート上に、導電性金属粉末とビヒクルとか
らなる導電性金属粉末含有調合物(以下、単に導電性調
合物ということもある)をスクリーン印刷して電極また
は回路層を形成し、乾燥した後、所望の枚数だけ積み重
ね、最後に電極または回路の印刷されていないシートを
重ねてこれを圧縮するか、または前記セラミックス調合
物と導電性調合物を交互にスクリーン印刷し、乾燥して
積層し、セラミックス層と電極または回路層を交互に有
した積層体を形成して作らねていた。このようにして得
られた未焼成の積層体を所定の大きさに切断した後、十
分な温度で焼成し一体とした積層体に、外部電極、回路
または半導体チップ等をマウントして積層コンデンサや
多層セラミックス基板等を完成させていた。 [0004]この導電性調合物は、従来より一般に、厚
膜ハイブリッドIC用導電性調合物を転用していた。厚
膜バーイブリッドIC用導電性調合物は、現在多くの種
類のものが市販されているが、導電性調合物の原料であ
る金属粉の粒子が数μmと大きなものを使用しているも
のや1次粒子は細かいが2次凝集を起こし凝集粒子寸法
が数μmと大きくなってしまっているものを用いていた
。 そのため均一で緻密な焼成被膜を作るには、乾燥膜厚を
十数μmとしなければならなかった。このため、回路を
形成したシートを積層し、圧縮すると回路を形成してい
ない部分同士を密着させるためにシート自体に大きな歪
みが生じてしまっていた。したがって均一にシートを鳳
ねることが困難になり、積層体はデイラミネーションを
起こしやすかった。また、小型化、高性能化に伴い積層
枚数を増やす傾向にあるが、厚膜ハイブリッドIC用の
導電性調合物を転用したのでは焼成被膜の均一性の問題
から乾燥膜厚を大幅に下げることができず、同じ総合膜
厚でのシート積層枚数を増やすことが困難になっていた
。 [0005]
ミックス基板は、一般にセラミック粉末をビヒクルに均
一に分散させたセラミックス調合物を成型し、てつくっ
た未焼成のシート上に、導電性金属粉末とビヒクルとか
らなる導電性金属粉末含有調合物(以下、単に導電性調
合物ということもある)をスクリーン印刷して電極また
は回路層を形成し、乾燥した後、所望の枚数だけ積み重
ね、最後に電極または回路の印刷されていないシートを
重ねてこれを圧縮するか、または前記セラミックス調合
物と導電性調合物を交互にスクリーン印刷し、乾燥して
積層し、セラミックス層と電極または回路層を交互に有
した積層体を形成して作らねていた。このようにして得
られた未焼成の積層体を所定の大きさに切断した後、十
分な温度で焼成し一体とした積層体に、外部電極、回路
または半導体チップ等をマウントして積層コンデンサや
多層セラミックス基板等を完成させていた。 [0004]この導電性調合物は、従来より一般に、厚
膜ハイブリッドIC用導電性調合物を転用していた。厚
膜バーイブリッドIC用導電性調合物は、現在多くの種
類のものが市販されているが、導電性調合物の原料であ
る金属粉の粒子が数μmと大きなものを使用しているも
のや1次粒子は細かいが2次凝集を起こし凝集粒子寸法
が数μmと大きくなってしまっているものを用いていた
。 そのため均一で緻密な焼成被膜を作るには、乾燥膜厚を
十数μmとしなければならなかった。このため、回路を
形成したシートを積層し、圧縮すると回路を形成してい
ない部分同士を密着させるためにシート自体に大きな歪
みが生じてしまっていた。したがって均一にシートを鳳
ねることが困難になり、積層体はデイラミネーションを
起こしやすかった。また、小型化、高性能化に伴い積層
枚数を増やす傾向にあるが、厚膜ハイブリッドIC用の
導電性調合物を転用したのでは焼成被膜の均一性の問題
から乾燥膜厚を大幅に下げることができず、同じ総合膜
厚でのシート積層枚数を増やすことが困難になっていた
。 [0005]
【発明の目的】従って本発明の目的は、薄膜ファインラ
インを形成することによってデイラミネーションやクラ
ックの発生を減らし、積層枚数を大幅に増やすことので
きる緻密で薄膜化が可能な導電性調合物を提供すること
であり、またその製造方法を提供することである。 [0006]
インを形成することによってデイラミネーションやクラ
ックの発生を減らし、積層枚数を大幅に増やすことので
きる緻密で薄膜化が可能な導電性調合物を提供すること
であり、またその製造方法を提供することである。 [0006]
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に従
い、単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒
径が30から1000Åであるパラジウムまたはパラジ
ウム合金の単粒子分散超微粉末を金属として5重量%か
ら70重量%含有しかつロジウムおよび/またはイリジ
ウムの金属有機化合物および/または単粒子の状態のま
ま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から1000
1(であるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒子
分散超微粉末を金属として0.005〜1.0重量%含
有し、任意に金の金属有機化合物および/または単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Aである金の単粒子分散超微粉末を金属とし
て2.5重量%から35重量%含有し、また任意に単粒
子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30
から1000八である鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バ
ナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコ
ニウム、チタン、バリウムおよびそれらの酸化物からな
る群から選ばれる1種または1種以上の単粒子分散超微
粉末を金属として0.5重量%から10重量%含有し、
さらに任意に鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム
、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、
チタン、バリウムからなる群から選ばれる1種または1
種以上の金属有機化合物を金属として0.51量%から
10重量%含有することを特徴とするパラジウムまたは
パラジウム合金薄膜形成用調合物により達成される。 [0007]また、上記目的は、本発明に従い、単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Åであるパラジウムまたはパラジウム合金の
単粒子分散超微粉末にロジウムおよび/またはイリジウ
ムの金属有機化合物および/または単粒子の状態のまま
有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から1000Å
であるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒子分散
超微粉末、任意に金の金属有機化合物および/または単
粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が3
0から1000Åである金の単粒子分散超微粉末、任意
に単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åである鉛、ほう素、珪素、ビスマ
ス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、
ジルコニウム、チタン、バリウムおよびそれらの酸化物
からなる群から選ばれる1種または1種以上の単粒子分
散超微粉末ならびに任意に鉛、ほう素、珪素、ビスマス
、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジ
ルコニウム、チタン、バリウムからなる群から選ばれる
1種または1種以上の金属有機化合物を配合することを
特徴とするパラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用
調合物の製造方法により達成される。 [00081以下、本発明のパラジウムまたはパラジウ
ム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法について詳
細に説明する。 [00091本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、単粒子の状態のまま有機溶剤中に
分散させた平均粒径が30から1000Å、好ましくは
30から50OAであるパラジウムまたはパラジウム合
金の単粒子分散超微粉末を金属として5重量%から70
重量%、好ましくは15重量%から45重量%含有して
いる。 [00101パラジウムおよび/またはパラジウム合金
の単粒子分散超微粉末の含有量を5重量%から70重量
火としたのは、5重量%以下だと均一な焼成薄膜を作る
ことが困難であるからであり、70重量%以上では導電
性調合物が高粘度になりすぎ、印刷特性が悪くなるため
である。 [00111平均粒径が1000Å以上の単粒子分散超
微粉末では、ロジウムやイリジウムでパラジウムまたは
パラジウム合金薄膜の粒状化を抑えることが困難になる
傾向がある。 [00121本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、さらにロジウムおよび/またはイ
リジウムの金属有機化合物および/または単粒子の状態
のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から10
00Åであるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒
子分散超微粉末を金属として0.005〜1.0重風%
、好ましくは、0.01重量%から0.5重量%含有し
ている。 [0013]ロジウムおよび/またはイリジウム含有量
が、0.005重量%以下だと焼成膜の凝集を抑えるこ
とが困難であり、ロジウムおよび/またはイリジウムの
含有量が1.0重量%以上では、膜形成させる効果がと
がらないばかりか、抵抗値が大きく上がるためでる。 [00141本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、金の金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åである金の単粒子分散超微粉末を
金属として2.5重量%から35重量%、好ましくは1
0重量%から20重量%含有していてもよい。 [0015]金の金属有機化合物および/または上記の
金の単粒子分散超微粉末を2.5重量%から3S重量%
含有させたのは、パラジウムまたはパラジウム合金薄膜
をより良く形成させるためである。パラジウムの特性を
崩さないように、パラジウム金属に対し金含有率は50
%以下が好ましい。 [00161本発明の調合物の調合成分である金属有機
化合物とは、金属の有機酸塩、たとえば樹脂酸塩、カル
ボン酸塩や有機溶剤に可溶な金属錯体である。 [0017]本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、また単粒子の状態のまま有機溶剤
中に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛
、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケ
ル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウ
ムおよびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種ま
たは1種以上の単粒子分散超微粉末を金属として0゜5
重量%から10重量%、好ましくは1重量%から5重量
%含有していてもよい。 [00181本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
H膿形成用調合物は、さらに鉛、ほう素、珪素、ビスマ
ス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、
ジルコニウム、チタン、バリウムからなる群から選ばれ
る1種または1種以七の金属有機化合物を金属として0
.5重量%から10重量%、好ましくは1重量%から5
重量%含有していてもよい。 [00191上記単粒子分散超微粉末および/またはL
記金属有機化合物を添加させたのは、導電性調合物中の
パラジウムおよび/またはパラジウム合金の単粒子分散
超微粉末が非常に細かいため、単粒子分散超微粉末の焼
結膜とセラミックス基板を密着させるためには、従来の
ガラスフリットや金属酸化物では粒子が大きすぎて、緻
密な焼結膜の形成をかえって破壊してしまったり、パラ
ジウムまたはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末に比
べ微量の添加なので大きい粒子ではあまりにも部分的に
しか接着できず、密着力が小さいのでその状態を改善す
るためである。本発明のパラジウムまたはパラジウム合
金薄膜形成用調合物は、調合物の粘度を上げるためにあ
るいは、調合物をペースト状にするために、ロジン、ア
スファルト、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース樹脂などを
適宜含有していてもよい。 [002ONさらに本発明の調合物は、必要に応じてパ
ラフィンワックス、マイクロワックス等のワックス類、
ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビタン酸モノス
テアレート等の界面活性剤、有機溶剤などを適宜含有し
ていても良い。 [0021]本調合物は、樹脂および有機溶剤のR合バ
ランスにより筆塗り用、スクリーン印刷用、スタンプ用
、凸版印刷用等のいずれにも使用可能である。 [00221本発明に用いられる単粒子分散超微粉末は
、ガス中蒸発法により生成した金属または酸化物の超微
粉の表面に有機溶剤を吸着させ単粒子分散状態のまま取
り出す方法により製造することができる。 [0023]例えば、圧力が10Torr以下のヘリウ
ム等の不活性ガスの雰囲気のもとて金属を加熱蒸発させ
た後、不活性ガス中で凝縮させ粒子を生成し、粒子がガ
ス流に乗って回収部へ搬送される途中で有機溶剤例えば
、テレピネオール、アネトール、ボルネオール、リモネ
ン、テレピン油、ローズマリー油、ブチルカルピトール
、トルエン、ヘキサン、酢酸ベンジル、酢酸テレビニル
等を導入して粒子の表面を有機溶剤で被覆し、粒子同士
の付着、凝集を防止した上で冷却面に付着回収する方法
により製造することができる。有機溶剤と共に回収され
た単粒子分散超微粒子にさらに添加剤を加え、粒子の分
散をさらに安定化させることもできる。 [0024]また、本発明に用いられるパラジウムまた
はパラジウム合金の単粒子分散超微粉末は単粒子分散超
微粉末の表面を酸化させであるものも含んでいる。 [0025]本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、単粒子の状態のまま有機溶剤中に
分散させた平均粒径が30から1000Åであるパラジ
ウムまたはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末に、ロ
ジウムおよび/またはイリジウムの金属有機化合物およ
び/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた
平均粒径が30から1000八であるロジウムおよび/
またはイリジウムの単粒子分散超微粉末、任意に金の金
属有機化合物および/または単粒子の状態のまま有機溶
剤中に分散させた平均粒径が30から1000八である
金の単粒子分散超微粉末、単粒子の状態のまま有機溶剤
中に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛
、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケ
ル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウ
ムおよびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種ま
たは1種以上の単粒子分散超微粉末ならびに任意に鉛、
ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル
、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウム
からなる群から選ばれる1種または1種以上の金属有機
化合物を配合する工程を含む方法によって製造すること
ができる。 [0026]本発明の調合物の製造において、調合物の
粘度を上げるためにあるいは、調合物をペースト状にす
るために、ロジン、アスファルト、アルキド樹脂、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、
セルロース樹脂等を配合することができる。 [0027]また、本発明の調合物の製造において、必
要に応じてパラフィンワックス、マイクロワックス等の
ワックス類、ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビ
タン酸モノステアレート等の界面活性剤、有機溶剤など
を適宜配合しても良い。 [0028]上記工程で得られた配合物は、そのまま本
願発明の調合物として使用することもあるが、必要に応
じて、たとえば公知の方法で上記配合物を振とう、撹拌
、粗練、混線、加熱その他の方法で処理することによっ
て本発明の調合物とすることもできる。 [0029]スクリーン印刷用、スタンプ用、凸版印刷
用等の本発明の調合物は、たとえば上記単粒子分散超微
粉末と樹脂及び有機溶剤とを、少量ならば乳鉢等、多量
ならば万能混合撹拌機或いはライカイ機等の混合機で良
く粗練りし、さらに三本ロールミルで良く混練すること
によって製造することができる。 [00301また、筆塗り用の本発明の調合物は、たと
えば上記印刷用調合物に添加している樹脂等の量を減ら
し粘度を減少させ、振とうまたは撹拌することによって
得ることができる。 [00311本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、一般に使用されている厚膜バイブ
ノットIC用調合物と比較して、下記の特徴がある、■
本発明のパラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用
調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC用調合物に比べ
原料の金属粉末の粒径が30Aから1000Åと非常に
細かく、しかも1つ1つが粒子の状態で分散している超
微粒子から成っているので薄層印刷や50μmのファイ
ンラインが容易に印刷できる。 [0032]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30八から10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散している超微粒子にロジウムおよび/またはイリ
ジウムの金属有機化合物および/または超微粉末を単粒
子の状態で有機溶剤に分散させたロジウムおよび/また
はイリジウムの単粒子分散超微粉末を含有させているの
で、超微粉の焼結凝集粒の発生を防いだ被膜を形成させ
ることができる。 [0033]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30Aから10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散している超微粒子を添加しているので反応性が強
く、より低温で焼成することができる。 [00341■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末粒径が30人から100
0Aと非常に細かく、しかも1つ1つがしかも単粒子の
状態で分散しており、基板との密着性を上げるためのガ
ラス成分や化学結合させるための原料粉を、超微粉末を
単粒子の状態で有機溶剤に分散させた単粒子分散超微粉
末、単粒子分散超微粉末の酸化物および/または金属有
機化合物の状態で混合させであるので、薄層でも緻密で
しかも基板との密着力のある膜を得ることができる。 [0035]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30Aから10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散しているので、印刷膜厚が薄くても均一な膜を形
成することができるので積層がしやすくなり、そのため
デイラミネーションの起こる傾向を少くすることができ
る。 [0036]
い、単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒
径が30から1000Åであるパラジウムまたはパラジ
ウム合金の単粒子分散超微粉末を金属として5重量%か
ら70重量%含有しかつロジウムおよび/またはイリジ
ウムの金属有機化合物および/または単粒子の状態のま
ま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から1000
1(であるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒子
分散超微粉末を金属として0.005〜1.0重量%含
有し、任意に金の金属有機化合物および/または単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Aである金の単粒子分散超微粉末を金属とし
て2.5重量%から35重量%含有し、また任意に単粒
子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30
から1000八である鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バ
ナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコ
ニウム、チタン、バリウムおよびそれらの酸化物からな
る群から選ばれる1種または1種以上の単粒子分散超微
粉末を金属として0.5重量%から10重量%含有し、
さらに任意に鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム
、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、
チタン、バリウムからなる群から選ばれる1種または1
種以上の金属有機化合物を金属として0.51量%から
10重量%含有することを特徴とするパラジウムまたは
パラジウム合金薄膜形成用調合物により達成される。 [0007]また、上記目的は、本発明に従い、単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Åであるパラジウムまたはパラジウム合金の
単粒子分散超微粉末にロジウムおよび/またはイリジウ
ムの金属有機化合物および/または単粒子の状態のまま
有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から1000Å
であるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒子分散
超微粉末、任意に金の金属有機化合物および/または単
粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が3
0から1000Åである金の単粒子分散超微粉末、任意
に単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åである鉛、ほう素、珪素、ビスマ
ス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、
ジルコニウム、チタン、バリウムおよびそれらの酸化物
からなる群から選ばれる1種または1種以上の単粒子分
散超微粉末ならびに任意に鉛、ほう素、珪素、ビスマス
、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジ
ルコニウム、チタン、バリウムからなる群から選ばれる
1種または1種以上の金属有機化合物を配合することを
特徴とするパラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用
調合物の製造方法により達成される。 [00081以下、本発明のパラジウムまたはパラジウ
ム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法について詳
細に説明する。 [00091本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、単粒子の状態のまま有機溶剤中に
分散させた平均粒径が30から1000Å、好ましくは
30から50OAであるパラジウムまたはパラジウム合
金の単粒子分散超微粉末を金属として5重量%から70
重量%、好ましくは15重量%から45重量%含有して
いる。 [00101パラジウムおよび/またはパラジウム合金
の単粒子分散超微粉末の含有量を5重量%から70重量
火としたのは、5重量%以下だと均一な焼成薄膜を作る
ことが困難であるからであり、70重量%以上では導電
性調合物が高粘度になりすぎ、印刷特性が悪くなるため
である。 [00111平均粒径が1000Å以上の単粒子分散超
微粉末では、ロジウムやイリジウムでパラジウムまたは
パラジウム合金薄膜の粒状化を抑えることが困難になる
傾向がある。 [00121本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、さらにロジウムおよび/またはイ
リジウムの金属有機化合物および/または単粒子の状態
のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30から10
00Åであるロジウムおよび/またはイリジウムの単粒
子分散超微粉末を金属として0.005〜1.0重風%
、好ましくは、0.01重量%から0.5重量%含有し
ている。 [0013]ロジウムおよび/またはイリジウム含有量
が、0.005重量%以下だと焼成膜の凝集を抑えるこ
とが困難であり、ロジウムおよび/またはイリジウムの
含有量が1.0重量%以上では、膜形成させる効果がと
がらないばかりか、抵抗値が大きく上がるためでる。 [00141本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、金の金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åである金の単粒子分散超微粉末を
金属として2.5重量%から35重量%、好ましくは1
0重量%から20重量%含有していてもよい。 [0015]金の金属有機化合物および/または上記の
金の単粒子分散超微粉末を2.5重量%から3S重量%
含有させたのは、パラジウムまたはパラジウム合金薄膜
をより良く形成させるためである。パラジウムの特性を
崩さないように、パラジウム金属に対し金含有率は50
%以下が好ましい。 [00161本発明の調合物の調合成分である金属有機
化合物とは、金属の有機酸塩、たとえば樹脂酸塩、カル
ボン酸塩や有機溶剤に可溶な金属錯体である。 [0017]本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、また単粒子の状態のまま有機溶剤
中に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛
、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケ
ル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウ
ムおよびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種ま
たは1種以上の単粒子分散超微粉末を金属として0゜5
重量%から10重量%、好ましくは1重量%から5重量
%含有していてもよい。 [00181本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
H膿形成用調合物は、さらに鉛、ほう素、珪素、ビスマ
ス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、
ジルコニウム、チタン、バリウムからなる群から選ばれ
る1種または1種以七の金属有機化合物を金属として0
.5重量%から10重量%、好ましくは1重量%から5
重量%含有していてもよい。 [00191上記単粒子分散超微粉末および/またはL
記金属有機化合物を添加させたのは、導電性調合物中の
パラジウムおよび/またはパラジウム合金の単粒子分散
超微粉末が非常に細かいため、単粒子分散超微粉末の焼
結膜とセラミックス基板を密着させるためには、従来の
ガラスフリットや金属酸化物では粒子が大きすぎて、緻
密な焼結膜の形成をかえって破壊してしまったり、パラ
ジウムまたはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末に比
べ微量の添加なので大きい粒子ではあまりにも部分的に
しか接着できず、密着力が小さいのでその状態を改善す
るためである。本発明のパラジウムまたはパラジウム合
金薄膜形成用調合物は、調合物の粘度を上げるためにあ
るいは、調合物をペースト状にするために、ロジン、ア
スファルト、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース樹脂などを
適宜含有していてもよい。 [002ONさらに本発明の調合物は、必要に応じてパ
ラフィンワックス、マイクロワックス等のワックス類、
ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビタン酸モノス
テアレート等の界面活性剤、有機溶剤などを適宜含有し
ていても良い。 [0021]本調合物は、樹脂および有機溶剤のR合バ
ランスにより筆塗り用、スクリーン印刷用、スタンプ用
、凸版印刷用等のいずれにも使用可能である。 [00221本発明に用いられる単粒子分散超微粉末は
、ガス中蒸発法により生成した金属または酸化物の超微
粉の表面に有機溶剤を吸着させ単粒子分散状態のまま取
り出す方法により製造することができる。 [0023]例えば、圧力が10Torr以下のヘリウ
ム等の不活性ガスの雰囲気のもとて金属を加熱蒸発させ
た後、不活性ガス中で凝縮させ粒子を生成し、粒子がガ
ス流に乗って回収部へ搬送される途中で有機溶剤例えば
、テレピネオール、アネトール、ボルネオール、リモネ
ン、テレピン油、ローズマリー油、ブチルカルピトール
、トルエン、ヘキサン、酢酸ベンジル、酢酸テレビニル
等を導入して粒子の表面を有機溶剤で被覆し、粒子同士
の付着、凝集を防止した上で冷却面に付着回収する方法
により製造することができる。有機溶剤と共に回収され
た単粒子分散超微粒子にさらに添加剤を加え、粒子の分
散をさらに安定化させることもできる。 [0024]また、本発明に用いられるパラジウムまた
はパラジウム合金の単粒子分散超微粉末は単粒子分散超
微粉末の表面を酸化させであるものも含んでいる。 [0025]本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、単粒子の状態のまま有機溶剤中に
分散させた平均粒径が30から1000Åであるパラジ
ウムまたはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末に、ロ
ジウムおよび/またはイリジウムの金属有機化合物およ
び/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた
平均粒径が30から1000八であるロジウムおよび/
またはイリジウムの単粒子分散超微粉末、任意に金の金
属有機化合物および/または単粒子の状態のまま有機溶
剤中に分散させた平均粒径が30から1000八である
金の単粒子分散超微粉末、単粒子の状態のまま有機溶剤
中に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛
、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケ
ル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウ
ムおよびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種ま
たは1種以上の単粒子分散超微粉末ならびに任意に鉛、
ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル
、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウム
からなる群から選ばれる1種または1種以上の金属有機
化合物を配合する工程を含む方法によって製造すること
ができる。 [0026]本発明の調合物の製造において、調合物の
粘度を上げるためにあるいは、調合物をペースト状にす
るために、ロジン、アスファルト、アルキド樹脂、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、
セルロース樹脂等を配合することができる。 [0027]また、本発明の調合物の製造において、必
要に応じてパラフィンワックス、マイクロワックス等の
ワックス類、ジオクチルフタレート等の可塑剤、ソルビ
タン酸モノステアレート等の界面活性剤、有機溶剤など
を適宜配合しても良い。 [0028]上記工程で得られた配合物は、そのまま本
願発明の調合物として使用することもあるが、必要に応
じて、たとえば公知の方法で上記配合物を振とう、撹拌
、粗練、混線、加熱その他の方法で処理することによっ
て本発明の調合物とすることもできる。 [0029]スクリーン印刷用、スタンプ用、凸版印刷
用等の本発明の調合物は、たとえば上記単粒子分散超微
粉末と樹脂及び有機溶剤とを、少量ならば乳鉢等、多量
ならば万能混合撹拌機或いはライカイ機等の混合機で良
く粗練りし、さらに三本ロールミルで良く混練すること
によって製造することができる。 [00301また、筆塗り用の本発明の調合物は、たと
えば上記印刷用調合物に添加している樹脂等の量を減ら
し粘度を減少させ、振とうまたは撹拌することによって
得ることができる。 [00311本発明のパラジウムまたはパラジウム合金
薄膜形成用調合物は、一般に使用されている厚膜バイブ
ノットIC用調合物と比較して、下記の特徴がある、■
本発明のパラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用
調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC用調合物に比べ
原料の金属粉末の粒径が30Aから1000Åと非常に
細かく、しかも1つ1つが粒子の状態で分散している超
微粒子から成っているので薄層印刷や50μmのファイ
ンラインが容易に印刷できる。 [0032]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30八から10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散している超微粒子にロジウムおよび/またはイリ
ジウムの金属有機化合物および/または超微粉末を単粒
子の状態で有機溶剤に分散させたロジウムおよび/また
はイリジウムの単粒子分散超微粉末を含有させているの
で、超微粉の焼結凝集粒の発生を防いだ被膜を形成させ
ることができる。 [0033]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30Aから10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散している超微粒子を添加しているので反応性が強
く、より低温で焼成することができる。 [00341■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末粒径が30人から100
0Aと非常に細かく、しかも1つ1つがしかも単粒子の
状態で分散しており、基板との密着性を上げるためのガ
ラス成分や化学結合させるための原料粉を、超微粉末を
単粒子の状態で有機溶剤に分散させた単粒子分散超微粉
末、単粒子分散超微粉末の酸化物および/または金属有
機化合物の状態で混合させであるので、薄層でも緻密で
しかも基板との密着力のある膜を得ることができる。 [0035]■ 本発明のパラジウムまたはパラジウム
合金薄膜形成用調合物は、従来の厚膜ハイブリッドIC
用調合物に比べ原料の金属粉末の粒径が30Aから10
00Aと非常に細かく、しかも1つ1つが単粒子の状態
で分散しているので、印刷膜厚が薄くても均一な膜を形
成することができるので積層がしやすくなり、そのため
デイラミネーションの起こる傾向を少くすることができ
る。 [0036]
【実施例および比較例】以下、実施例および比較例によ
り本発明の詳細な説明する。 [0037]
り本発明の詳細な説明する。 [0037]
【実施例1】パラジウム薄膜を形成するための本発明に
従うパラジウム薄膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム薄膜の形成を例示する。 [0038]下記の調合成分(a)、 (b)、 (
c)、(d)及び(e) (a) テレピネオール中に平均粒径50Aのパラジ
ウム超微粉末を単粒子分散させたPd60重量%含有分
散液(以下、パラジウム単粒子分散超微粉末分散液と略
記する。) (b) ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の
重量比で混合した溶剤中にロジウムオクトエートを溶解
させたPh、5重量%含有溶液(以下、ロジウム塩溶液
と略記する。) (C) アネトールとリモネンを7対3の重量比で混
合した溶剤中にロジンを20重量%溶解させた溶液(以
下、ロジン溶液と略記する。、) (d) エチルセルロース(パーキュレス製 N−1
,0(e) ブチルカルピトール(和光紬薬製)を用
意し、これらの調合成分(a)、 (b)、 (C)、
(d)および(e)を下記の重量比 調合成分 重量比(a
)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液 80.
0(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
5.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピトール
7,0で混合して、調合成分(
a)、 (b)、 (e)、 (d)および(e)の配
合物を得た。 [0039]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム薄
膜形成用調合物を得た。 [00403該調合物を用いてガラス基板上に50μm
幅のスリットのパターンをスクリーン印刷し、125℃
で15分乾燥させたものをトンネル炉にて20℃/分の
速度で昇温し550℃にて10分間保持した後、20℃
/分の速度で降温し、導電回路を製造した。 [00411得られた導電回路のファインラインの厚さ
は1.0μ膳であり、比抵抗は25 X 10−6Ω・
cmであった。 [0042]
従うパラジウム薄膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム薄膜の形成を例示する。 [0038]下記の調合成分(a)、 (b)、 (
c)、(d)及び(e) (a) テレピネオール中に平均粒径50Aのパラジ
ウム超微粉末を単粒子分散させたPd60重量%含有分
散液(以下、パラジウム単粒子分散超微粉末分散液と略
記する。) (b) ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の
重量比で混合した溶剤中にロジウムオクトエートを溶解
させたPh、5重量%含有溶液(以下、ロジウム塩溶液
と略記する。) (C) アネトールとリモネンを7対3の重量比で混
合した溶剤中にロジンを20重量%溶解させた溶液(以
下、ロジン溶液と略記する。、) (d) エチルセルロース(パーキュレス製 N−1
,0(e) ブチルカルピトール(和光紬薬製)を用
意し、これらの調合成分(a)、 (b)、 (C)、
(d)および(e)を下記の重量比 調合成分 重量比(a
)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液 80.
0(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
5.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピトール
7,0で混合して、調合成分(
a)、 (b)、 (e)、 (d)および(e)の配
合物を得た。 [0039]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム薄
膜形成用調合物を得た。 [00403該調合物を用いてガラス基板上に50μm
幅のスリットのパターンをスクリーン印刷し、125℃
で15分乾燥させたものをトンネル炉にて20℃/分の
速度で昇温し550℃にて10分間保持した後、20℃
/分の速度で降温し、導電回路を製造した。 [00411得られた導電回路のファインラインの厚さ
は1.0μ膳であり、比抵抗は25 X 10−6Ω・
cmであった。 [0042]
【実施例2】パラジウム−金合金薄膜を形成するための
本発明に従うパラジウム−金合金薄膜形成用調合物の製
造および該調合物を用いるパラジウム−金合金薄膜の形
成を例示する。 [0043]実施例1に記載した調合成分(a)、(b
)、 (c)、 (d)、 (e)ならびに下記調合成
分(f) (f) テレピネオール中に平均粒径10〇への全超
微粉末を単粒子分散させたAu60重量%含有分散液(
以下、全単粒子分散超微粉末分散液と略記する。)を用
意し、これらの調合成分(a)〜(f)を下記重域比調
合成分 重量比(a)
パラジウム単粒子分散超微粉末分散液 70.0
(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
5,0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピトール
7.0(f)全単粒子分散超
微粉末分散液 10.0で混合して、調
合成分(a)、(b)、(C)、(d)、 (e)およ
び(f)の配合物を得た。 [0044]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールにて混練し、パラジウム−金合
金膜形成用調合物を得た。 [00451これを用いて低温焼成用ガラス−セラミッ
クスのグリーンシート上に50μm幅のスリットのパタ
ーンをスクリーン印刷し、よく乾燥させたものを30層
積層し、加圧成型したものを電気炉にて200℃/時間
の速度で昇温し1000℃にて2時間保持した後、20
0℃/時間の速度で降温し、積層導電回路(積層回路)
を製造した。 [00461得られた積層回路にクラックの発生および
デイラミネーションの発生は見られなかった。 [00471
本発明に従うパラジウム−金合金薄膜形成用調合物の製
造および該調合物を用いるパラジウム−金合金薄膜の形
成を例示する。 [0043]実施例1に記載した調合成分(a)、(b
)、 (c)、 (d)、 (e)ならびに下記調合成
分(f) (f) テレピネオール中に平均粒径10〇への全超
微粉末を単粒子分散させたAu60重量%含有分散液(
以下、全単粒子分散超微粉末分散液と略記する。)を用
意し、これらの調合成分(a)〜(f)を下記重域比調
合成分 重量比(a)
パラジウム単粒子分散超微粉末分散液 70.0
(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
5,0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピトール
7.0(f)全単粒子分散超
微粉末分散液 10.0で混合して、調
合成分(a)、(b)、(C)、(d)、 (e)およ
び(f)の配合物を得た。 [0044]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールにて混練し、パラジウム−金合
金膜形成用調合物を得た。 [00451これを用いて低温焼成用ガラス−セラミッ
クスのグリーンシート上に50μm幅のスリットのパタ
ーンをスクリーン印刷し、よく乾燥させたものを30層
積層し、加圧成型したものを電気炉にて200℃/時間
の速度で昇温し1000℃にて2時間保持した後、20
0℃/時間の速度で降温し、積層導電回路(積層回路)
を製造した。 [00461得られた積層回路にクラックの発生および
デイラミネーションの発生は見られなかった。 [00471
【実施例3]ガラスグレーズ基板に調合物を筆塗り法に
よって塗布し、これを焼成することにより光沢を有する
パラジウム色薄膜を得るためのパラジウム−金合金膜形
成用調合物の製造および該調合物を用いるパラジウム金
合金薄膜を例示する。 [0048]実施例1に記載した調合成分(a)、(b
)、および(C)、実施例2に記載した調合成分(f)
ならびに下記調合成分(g)、 (h)、 (i)およ
び(j) (g) ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の
重量比で混合した溶剤中にクロムオクトエートを溶解さ
せたCr5重量%溶液(以下、クロム塩溶液と略記する
。)(h) ローズマリー油と酢酸ベンジルを4対
6の重量比で混合した溶剤中にビスマスオクトエートを
溶解させたBi5重量%溶液(以下、ビスマス塩溶液と
略記する。) (i) ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の重
量比で混合した溶剤中に鉛オクトエートを溶解させたP
b5重量%溶液(以下、鉛塩溶液と略記する。)(j)
アネトールとリモネンを3対7の重量比で混合した
溶剤中にギルツナイト(チグラーケミカル&ミネラル社
製)を10重蟻%溶解させた溶液(以下、ギルツナイト
溶液と略記する。) を用意し、これらの調合成分(a)、 (b)、 (C
)、(f)、 (g)、 (h)、 (i)および(j
)を下記重量比 調合成分 重量比(a
)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液 6o、
0(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
11.0(f)全単粒子分散超微粉末分散液
12.0(g)クロム塩溶液
2.0(h)ビスマス塩溶液
2.0(i)鉛塩溶液
2.0(j)ギルツ
ナイト溶液 6.0で混合
して、調合成分(a)、(b)、(C)、(f)、 (
g)、 (h)、 (i)および(j)の配合物を得た
。 [00491上記配合物100gを500m1ビンに入
れ、シェーカーにて1時間振とうすることによりパラジ
ウム−金合金薄膜形成用調合物が得られた。 [00501この調合物をガラスグレーズ基板に筆塗り
により塗布し、750℃で10分間焼成することにより
光沢ある膜厚0.671mのパラジウム−金合金薄膜を
得ることができた。 [00511 【実施例4]パラジウム合金薄膜を形成するための本発
明に従うパラジウム合金薄膜形成用調合物の製造および
該調合物を用いるパラジウム合金薄膜の形成を例示する
。 [00521下記調合成分(k)、(1)、(m)、(
n)、(o)、(p)、(q)および(r)(k)テレ
ピネオール中に平均粒径100Aのパラジウム−銀合金
の超微粉末を単粒子分散させたPd−Ag(70/30
)65重量%含有分散液(以下、パラジウム−銀単粒子
分散超微粉末分散液と略記する。)(1)酢酸テレビニ
ル中に平均粒径50Aのニッケル超微粉末を単粒子分散
させたNi、40重量%含有分散液(以下、ニッケル単
粒子分散超微粉末分散液と略記する) (m)テレピネオール中に平均粒径50Aの鉛の超微粉
末を単粒子分散させたPb、40重量%含有分散液(以
下、鉛単粒子分散超微粉末分散液と略記する。)(n)
ブチルセルソルブ中に平均粒径200への酸化チタンの
超微粉末を単粒子分散させたTi0z、25重量%含有
分散液(以下、酸化チタン単粒子分散超微粉末分散液と
略記する。) (0)ローズマリー油と酢酸ベンジルを6:4の重量比
で混合した溶剤中にジルコニウムオクトエートを溶解さ
せたZr、20重量%溶液(以下、ジルコニウム塩溶液
と略記する。) (p)ローズマリー油と酢酸ベンジルを6:4の重量比
で混合した溶剤中にイリジウムオクトエートを溶解させ
たIr、20重量%溶液(以下、イリジウム塩溶液と略
記する。) (q)ポリビニルブチラール樹脂(積木化学製)(r)
トルエン を用意し、これらの調合成分(k)、 (1)、 (m
)、(n)、 (o)、 (p)、 (q)および(r
)を下記重量比 調合成分 重量比(
k)パラジウム−銀単粒子分散超微粉末分散液
70.1(1)ニッケル単粒子分散超微粉末分散液
1.0(m)鉛単粒子分散超微粉末分散液
1.0(n)酸化チタン単粒子
分散超微粉末分散液 1.0(o)ジルコ
ニウム塩溶液 2.0(
p)イリジウム塩溶液
3.0(q)ポリビニルブチラール樹脂
3.0(r)トルエン
19.0で配合して、調合成分
(k)〜(r)の配合物を得た。 [0053]上上記合物30gをメノウ乳鉢によく粗練
りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム合金
薄膜形成用調合物を得た。これを用いてコンデンサー用
グリーンシート上に50μm幅のスリットのパターンを
スクリーン印刷し、150℃で15分乾燥させた後電気
炉に200℃/時間の速度で昇温し1100℃にて2時
間保持した後、200℃/時間の速度で降温し、積層回
路を製造した。 [0054]得られた積層回路にクラックの発生および
デイラミネーションの発生は見られなかった。 [0055] 【比較例1】パラジウム膜を形成するための従来の技術
に従うパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [0056]実施例1に記載した調合成分(C)、(d
)、(e)並びに下記調合成分(s)(S)パラジウム
粉(1次粒子の平均粒径は1.ttmで2次粒子では1
0粒までの凝集が見られる)を下記本量比調合成分
重量比(s)パラジウ
ム粉(平均粒径1 (t、m) 6
0.0(c)ロジン溶液
15.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピトー
ル 22.0で配合して、
調合成分(s)、 (c)、 (d)および(e)の配
合物を得た。 [0057]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [0058]該調合物を用いてアルミナ基板上に実施例
1と同ような50μm幅のスリットのパターンをスクリ
ーン印刷し、125℃で15分乾燥させたものをトンネ
ル炉にて20℃/分の速度で昇温し550℃にて10分
間保持した後、20℃/分の速度で降温したが、良好な
ファインラインは得られなかった。また、良好なライン
を形成させることが可能なスリット幅は、300μmで
あり、そのラインの厚さは5μmであった。 [0059]
よって塗布し、これを焼成することにより光沢を有する
パラジウム色薄膜を得るためのパラジウム−金合金膜形
成用調合物の製造および該調合物を用いるパラジウム金
合金薄膜を例示する。 [0048]実施例1に記載した調合成分(a)、(b
)、および(C)、実施例2に記載した調合成分(f)
ならびに下記調合成分(g)、 (h)、 (i)およ
び(j) (g) ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の
重量比で混合した溶剤中にクロムオクトエートを溶解さ
せたCr5重量%溶液(以下、クロム塩溶液と略記する
。)(h) ローズマリー油と酢酸ベンジルを4対
6の重量比で混合した溶剤中にビスマスオクトエートを
溶解させたBi5重量%溶液(以下、ビスマス塩溶液と
略記する。) (i) ローズマリー油と酢酸ベンジルを6対4の重
量比で混合した溶剤中に鉛オクトエートを溶解させたP
b5重量%溶液(以下、鉛塩溶液と略記する。)(j)
アネトールとリモネンを3対7の重量比で混合した
溶剤中にギルツナイト(チグラーケミカル&ミネラル社
製)を10重蟻%溶解させた溶液(以下、ギルツナイト
溶液と略記する。) を用意し、これらの調合成分(a)、 (b)、 (C
)、(f)、 (g)、 (h)、 (i)および(j
)を下記重量比 調合成分 重量比(a
)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液 6o、
0(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
11.0(f)全単粒子分散超微粉末分散液
12.0(g)クロム塩溶液
2.0(h)ビスマス塩溶液
2.0(i)鉛塩溶液
2.0(j)ギルツ
ナイト溶液 6.0で混合
して、調合成分(a)、(b)、(C)、(f)、 (
g)、 (h)、 (i)および(j)の配合物を得た
。 [00491上記配合物100gを500m1ビンに入
れ、シェーカーにて1時間振とうすることによりパラジ
ウム−金合金薄膜形成用調合物が得られた。 [00501この調合物をガラスグレーズ基板に筆塗り
により塗布し、750℃で10分間焼成することにより
光沢ある膜厚0.671mのパラジウム−金合金薄膜を
得ることができた。 [00511 【実施例4]パラジウム合金薄膜を形成するための本発
明に従うパラジウム合金薄膜形成用調合物の製造および
該調合物を用いるパラジウム合金薄膜の形成を例示する
。 [00521下記調合成分(k)、(1)、(m)、(
n)、(o)、(p)、(q)および(r)(k)テレ
ピネオール中に平均粒径100Aのパラジウム−銀合金
の超微粉末を単粒子分散させたPd−Ag(70/30
)65重量%含有分散液(以下、パラジウム−銀単粒子
分散超微粉末分散液と略記する。)(1)酢酸テレビニ
ル中に平均粒径50Aのニッケル超微粉末を単粒子分散
させたNi、40重量%含有分散液(以下、ニッケル単
粒子分散超微粉末分散液と略記する) (m)テレピネオール中に平均粒径50Aの鉛の超微粉
末を単粒子分散させたPb、40重量%含有分散液(以
下、鉛単粒子分散超微粉末分散液と略記する。)(n)
ブチルセルソルブ中に平均粒径200への酸化チタンの
超微粉末を単粒子分散させたTi0z、25重量%含有
分散液(以下、酸化チタン単粒子分散超微粉末分散液と
略記する。) (0)ローズマリー油と酢酸ベンジルを6:4の重量比
で混合した溶剤中にジルコニウムオクトエートを溶解さ
せたZr、20重量%溶液(以下、ジルコニウム塩溶液
と略記する。) (p)ローズマリー油と酢酸ベンジルを6:4の重量比
で混合した溶剤中にイリジウムオクトエートを溶解させ
たIr、20重量%溶液(以下、イリジウム塩溶液と略
記する。) (q)ポリビニルブチラール樹脂(積木化学製)(r)
トルエン を用意し、これらの調合成分(k)、 (1)、 (m
)、(n)、 (o)、 (p)、 (q)および(r
)を下記重量比 調合成分 重量比(
k)パラジウム−銀単粒子分散超微粉末分散液
70.1(1)ニッケル単粒子分散超微粉末分散液
1.0(m)鉛単粒子分散超微粉末分散液
1.0(n)酸化チタン単粒子
分散超微粉末分散液 1.0(o)ジルコ
ニウム塩溶液 2.0(
p)イリジウム塩溶液
3.0(q)ポリビニルブチラール樹脂
3.0(r)トルエン
19.0で配合して、調合成分
(k)〜(r)の配合物を得た。 [0053]上上記合物30gをメノウ乳鉢によく粗練
りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム合金
薄膜形成用調合物を得た。これを用いてコンデンサー用
グリーンシート上に50μm幅のスリットのパターンを
スクリーン印刷し、150℃で15分乾燥させた後電気
炉に200℃/時間の速度で昇温し1100℃にて2時
間保持した後、200℃/時間の速度で降温し、積層回
路を製造した。 [0054]得られた積層回路にクラックの発生および
デイラミネーションの発生は見られなかった。 [0055] 【比較例1】パラジウム膜を形成するための従来の技術
に従うパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [0056]実施例1に記載した調合成分(C)、(d
)、(e)並びに下記調合成分(s)(S)パラジウム
粉(1次粒子の平均粒径は1.ttmで2次粒子では1
0粒までの凝集が見られる)を下記本量比調合成分
重量比(s)パラジウ
ム粉(平均粒径1 (t、m) 6
0.0(c)ロジン溶液
15.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピトー
ル 22.0で配合して、
調合成分(s)、 (c)、 (d)および(e)の配
合物を得た。 [0057]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [0058]該調合物を用いてアルミナ基板上に実施例
1と同ような50μm幅のスリットのパターンをスクリ
ーン印刷し、125℃で15分乾燥させたものをトンネ
ル炉にて20℃/分の速度で昇温し550℃にて10分
間保持した後、20℃/分の速度で降温したが、良好な
ファインラインは得られなかった。また、良好なライン
を形成させることが可能なスリット幅は、300μmで
あり、そのラインの厚さは5μmであった。 [0059]
【比較例2】パラジウム膜を形成するための従来の技術
に従うパラジウム膜形成調合物にロジウムを添加した場
合のパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物を
用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [00601実施例1に記載した調合成分(b)、(c
)、 (d)および(e)ならびに下記調合成分(S) (S)パラジウム粉(平均粒径17Lm)を下記重量比
調合成分 重量比(
s)パラジウム粉(平均粒径1μm)
60.0(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
10.0(d)エチルセルロ
ース 3.0(e)
ブチルカルピトール 2
2.0で配合して、調合成分(s)、 (b)、 (c
)、 (d)および(e)の配合物を得た。 [00611上記配合物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [0062]調合物を用いてアルミナ基板上に実施例1
と同様な50μm幅のスリットのパターンをスクリーン
印刷し、125℃で15分乾燥させたものをトンネル炉
にて20℃/分の速度で昇温し550℃にて10分間保
持した後、20℃/分の速度で降温したが、良好なファ
インラインは得られなかった。また、良好なラインを形
成させることが可能なスリット幅は、300μmであり
、そのラインの厚さは57zmであった。 [0063]
に従うパラジウム膜形成調合物にロジウムを添加した場
合のパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物を
用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [00601実施例1に記載した調合成分(b)、(c
)、 (d)および(e)ならびに下記調合成分(S) (S)パラジウム粉(平均粒径17Lm)を下記重量比
調合成分 重量比(
s)パラジウム粉(平均粒径1μm)
60.0(b)ロジウム塩溶液
5.0(c)ロジン溶液
10.0(d)エチルセルロ
ース 3.0(e)
ブチルカルピトール 2
2.0で配合して、調合成分(s)、 (b)、 (c
)、 (d)および(e)の配合物を得た。 [00611上記配合物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [0062]調合物を用いてアルミナ基板上に実施例1
と同様な50μm幅のスリットのパターンをスクリーン
印刷し、125℃で15分乾燥させたものをトンネル炉
にて20℃/分の速度で昇温し550℃にて10分間保
持した後、20℃/分の速度で降温したが、良好なファ
インラインは得られなかった。また、良好なラインを形
成させることが可能なスリット幅は、300μmであり
、そのラインの厚さは57zmであった。 [0063]
【比較例3】パラジウム膜を形成するための従来の技術
に従うパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [0064]実施例1に記載した調合成分(C)、(d
)、 (e)ならびに下記調合成分(1)(1)パラジ
ウム粉(1次粒子の平均粒径は0.1μmで2次粒子で
は数ミクロンまでの海綿状の凝集が見られた。)を下記
重量比 調合成分 重量比(
1)パラジウム粉(平均粒径0.1μm凝集あり)
50.0(c)ロジン溶液
15.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカ
ルピトール 32.0で配
合して、調合成分(1)、(c)、(d)および(e)
の配合物を得た。 [0065]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
粘りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成調合物を得た。 [0066]これを用いて酸化チタン系誘電体セラミッ
クスのグリーンシート上に50μm幅のスリットのパタ
ーンをスクリーン印刷し、30層積層、加圧成型しかも
のを電気炉にて200℃/時間の速度で昇温し1100
℃にて2時間保持した後、200℃/時間の速度で降温
したが、良好なファインラインは得られなかった。また
、良好なラインを形成させることが可能なスリット幅は
、200u[IIであり、そのラインの厚さは3μmで
あった。 [0067]
に従うパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物
を用いるパラジウム膜の形成を例示する。 [0064]実施例1に記載した調合成分(C)、(d
)、 (e)ならびに下記調合成分(1)(1)パラジ
ウム粉(1次粒子の平均粒径は0.1μmで2次粒子で
は数ミクロンまでの海綿状の凝集が見られた。)を下記
重量比 調合成分 重量比(
1)パラジウム粉(平均粒径0.1μm凝集あり)
50.0(c)ロジン溶液
15.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカ
ルピトール 32.0で配
合して、調合成分(1)、(c)、(d)および(e)
の配合物を得た。 [0065]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
粘りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成調合物を得た。 [0066]これを用いて酸化チタン系誘電体セラミッ
クスのグリーンシート上に50μm幅のスリットのパタ
ーンをスクリーン印刷し、30層積層、加圧成型しかも
のを電気炉にて200℃/時間の速度で昇温し1100
℃にて2時間保持した後、200℃/時間の速度で降温
したが、良好なファインラインは得られなかった。また
、良好なラインを形成させることが可能なスリット幅は
、200u[IIであり、そのラインの厚さは3μmで
あった。 [0067]
【比較例4】パラジウム膜を形成するために、実施例1
に記載した製造方法において、ロジウム塩溶液を除去し
たパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物を用
いたパラジウム膜の形成を例示する。 [0068]実施例1に記載した調合成分(a)、(c
)、(d)および(e) 調合成分 重量比(
a)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液
80.0(c)ロジン溶液
5.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピト
ール 12.0で配合して
、調合成分(a)、 (c)、 (d)および(e)の
配合物を得た。 [0069]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [00701該調合物を用いてガラス基板上に50μm
幅のスリットのパターンをスクリーン印刷し、125℃
で15分乾燥させたものをトンネル炉にて20℃/分の
速度で昇温し550℃にて10分間保持した後、20℃
/分の速度で降温し、ファインラインを形成させたが、
ファインラインの導電性は不良であった。 [00711実施例1.2および4ならびに比較例1〜
4により得られた導電回路について、ファインラインの
形成性、厚さおよび導電性を検査した結果を表1に示す
。 [0072]また、実施例2および4ならびに比較例1
〜4により得られた積層回路については、クラック発生
率およびデイラミネーション発生率を検査した結果も表
1に示す。 [0073]
に記載した製造方法において、ロジウム塩溶液を除去し
たパラジウム膜形成用調合物の製造および該調合物を用
いたパラジウム膜の形成を例示する。 [0068]実施例1に記載した調合成分(a)、(c
)、(d)および(e) 調合成分 重量比(
a)パラジウム単粒子分散超微粉末分散液
80.0(c)ロジン溶液
5.0(d)エチルセルロース
3.0(e)ブチルカルピト
ール 12.0で配合して
、調合成分(a)、 (c)、 (d)および(e)の
配合物を得た。 [0069]上上記台物50gをメノウ乳鉢にてよく粗
練りした後、3本ロールミルにて混練し、パラジウム膜
形成用調合物を得た。 [00701該調合物を用いてガラス基板上に50μm
幅のスリットのパターンをスクリーン印刷し、125℃
で15分乾燥させたものをトンネル炉にて20℃/分の
速度で昇温し550℃にて10分間保持した後、20℃
/分の速度で降温し、ファインラインを形成させたが、
ファインラインの導電性は不良であった。 [00711実施例1.2および4ならびに比較例1〜
4により得られた導電回路について、ファインラインの
形成性、厚さおよび導電性を検査した結果を表1に示す
。 [0072]また、実施例2および4ならびに比較例1
〜4により得られた積層回路については、クラック発生
率およびデイラミネーション発生率を検査した結果も表
1に示す。 [0073]
【発明の効果】本発明によって得られるパラジウムまた
はパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いることにより
、ガラス基板、セラミック基板などの基板上に薄い緻密
なパラジウムまたはパラジウム合金膜を形成させること
ができる。ニーで形成される膜の厚さは、厚膜ハイブリ
ッドIC用導電性調合物によって得られる膜の厚さに比
べて3分の1から5分の1に減少する。 [0074]また、本発明によって得られるパラジウム
またはパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いることに
より、ガラス基板、セラミック基板などの基板上に薄い
緻密なパラジウムまたはパラジウム合金のファインライ
ンを有する導電回路を製造することができる。 [0075]さらに、本発明によって得られるパラジウ
ムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いること
により、上記導電回路を積層したクラックの発生および
デイラミネーションの発生が少ない積層回路を製造する
ことができる。 [0076]
はパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いることにより
、ガラス基板、セラミック基板などの基板上に薄い緻密
なパラジウムまたはパラジウム合金膜を形成させること
ができる。ニーで形成される膜の厚さは、厚膜ハイブリ
ッドIC用導電性調合物によって得られる膜の厚さに比
べて3分の1から5分の1に減少する。 [0074]また、本発明によって得られるパラジウム
またはパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いることに
より、ガラス基板、セラミック基板などの基板上に薄い
緻密なパラジウムまたはパラジウム合金のファインライ
ンを有する導電回路を製造することができる。 [0075]さらに、本発明によって得られるパラジウ
ムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物を用いること
により、上記導電回路を積層したクラックの発生および
デイラミネーションの発生が少ない積層回路を製造する
ことができる。 [0076]
Claims (8)
- 【請求項1】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末を金属として
5重量%から70重量%含有しかつロジウムおよび/ま
たはイリジウムの金属有機化合物および/または単粒子
の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30か
ら1000Åであるロジウムおよび/またはイリジウム
の単粒子分散超微粉末を金属として0.005〜1.0
重量%含有することを特徴とするパラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物。 - 【請求項2】 金の金属有機化合物および/または単粒
子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径が30
から1000Åである金の単粒子分散超微粉末を金属と
して2.5重量%から35重量%含有することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のパラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物。 - 【請求項3】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åである鉛、ほう素、
珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム
、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウムおよびそ
れらの酸化物からなる群から選ばれる1種または1種以
上の単粒子分散超微粉末を金属として0.5重量%から
10重量%含有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項または第2項記載のパラジウムまたはパラジウム合
金薄膜形成用調合物。 - 【請求項4】 鉛、ほう素、珪素、ビスマス、バナジウ
ム、亜鉛、ニッケル、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム
、チタン、バリウムからなる群から選ばれる1種または
1種以上の金属有機化合物を金属として0.5重量%か
ら10重量%含有することを特徴とする特許請求の範囲
第1項、第2項または第3項記載のパラジウムまたはパ
ラジウム合金薄膜形成用調合物。 - 【請求項5】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末を配合することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のパラジウムまたはパラ
ジウム合金薄膜形成用調合物の製造方法。 - 【請求項6】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末ならびに金の金属有機化
合物および/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分
散させた平均粒径が30から1000Åである金の単粒
子分散超微粉末を配合することを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載のパラジウムまたはパラジウム合金薄膜
形成用調合物の製造方法。 - 【請求項7】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末、任意に金の金属有機化
合物および/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分
散させた平均粒径が30から1000Åである金の単粒
子分散超微粉末ならびに単粒子の状態のまま有機溶剤中
に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛、
ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル
、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウム
およびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種また
は1種以上の単粒子分散超微粉末を配合することを特徴
とする特許請求の範囲第3項記載のパラジウムまたはパ
ラジウム合金薄膜形成用調合物の製造方法。 - 【請求項8】 単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散さ
せた平均粒径が30から1000Åであるパラジウムま
たはパラジウム合金の単粒子分散超微粉末にロジウムお
よび/またはイリジウムの金属有機化合物および/また
は単粒子の状態のまま有機溶剤中に分散させた平均粒径
が30から1000Åであるロジウムおよび/またはイ
リジウムの単粒子分散超微粉末、任意に金の金属有機化
合物および/または単粒子の状態のまま有機溶剤中に分
散させた平均粒径が30から1000Åである金の単粒
子分散超微粉末、任意に単粒子の状態のまま有機溶剤中
に分散させた平均粒径が30から1000Åである鉛、
ほう素、珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル
、クロム、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウム
およびそれらの酸化物からなる群から選ばれる1種また
は1種以上の単粒子分散超微粉末ならびに鉛、ほう素、
珪素、ビスマス、バナジウム、亜鉛、ニッケル、クロム
、スズ、鉄、ジルコニウム、チタン、バリウムからなる
群から選ばれる1種または1種以上の金属有機化合物を
配合することを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の
パラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410154A JPH04210481A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | パラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2410154A JPH04210481A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | パラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04210481A true JPH04210481A (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=18519358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2410154A Pending JPH04210481A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | パラジウムまたはパラジウム合金薄膜形成用調合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04210481A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5953629A (en) * | 1995-06-09 | 1999-09-14 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Method of thin film forming on semiconductor substrate |
| US6194316B1 (en) | 1998-08-10 | 2001-02-27 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Method for forming CU-thin film |
| US6214259B1 (en) | 1998-08-10 | 2001-04-10 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Dispersion containing Cu ultrafine particles individually dispersed therein |
-
1990
- 1990-12-13 JP JP2410154A patent/JPH04210481A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5953629A (en) * | 1995-06-09 | 1999-09-14 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Method of thin film forming on semiconductor substrate |
| US6194316B1 (en) | 1998-08-10 | 2001-02-27 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Method for forming CU-thin film |
| US6214259B1 (en) | 1998-08-10 | 2001-04-10 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Dispersion containing Cu ultrafine particles individually dispersed therein |
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