JPH04211145A - ウエハ加工用フィルム - Google Patents

ウエハ加工用フィルム

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JPH04211145A
JPH04211145A JP3023789A JP2378991A JPH04211145A JP H04211145 A JPH04211145 A JP H04211145A JP 3023789 A JP3023789 A JP 3023789A JP 2378991 A JP2378991 A JP 2378991A JP H04211145 A JPH04211145 A JP H04211145A
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武内 洋子
Osamu Narimatsu
成松 治
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小松 和義
Yasuo Takemura
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、基材フィルム、粘着剤
層、剥離フィルム及び界面活性剤層よりなる半導体ウェ
ハ加工用フィルムに関する。更に詳しくは、半導体ウェ
ハを加工する際に静電気による半導体集積回路の破損を
防止し、且つ、ウェハの汚染および腐食も防止すること
ができるウェハ加工用フィルムに関する。 [0002] 【従来の技術】半導体集積回路(IC)は、シリコン単
結晶等をスライスしてウェハとした後、エツチング等に
より集積回路を組み込み、ダイシング、洗浄、乾燥、エ
キスパンディング、ピックアップ等の各工程により製造
されている。これらの工程においてウェハの破損を防止
し、また、ウェハの加工を容易にするためにウェハ加工
用フィルムが用いられている。 [0003]Lかし、これらの工程におけるウェハ加工
用フィルムの取り扱い時には静電気が発生し、放電する
ためにウェハの半導体集積回路が破損されることがある
。 [0004] この弊害を改善するため、ウェハ加工用
フィルムに除電バー等の静電気除去装置を取りつける方
法、イオン化した空気をふきつけて一時的に静電気を除
去する方法等が採用されているが、効果が少ないばかり
か工程が複雑になる等の欠点がある。 [0005] これらの欠点を改善する方法として、例
えば、特開昭61−80834号公報には、ウェハ加工
用フィルムの保持基材及び粘着剤のうちの少なくとも一
方に導電性を持たせ、静電気の発生を防止する方法が提
案されている。 [0006]Lかし、この方法は粘着フィルムに含まれ
る導電性物質がウェハ表面を汚染し、ウェハを腐食する
等の悪影響を与えるので好ましくない。 [0007]また、特開昭58−191777号公報に
は、接着剤に界面活性剤を添加して帯電防止を行なう方
法が提案されている。しかし、この方法も、接着剤中に
界面活性剤が含まれているため、界面活性剤がウェハ表
面に直接触れ、ウェハが汚染される欠点がある。 [0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明の1つの目的は
半導体ウェハを界面活性剤などにより汚染および腐食さ
せることのない半導体ウェハ加工用フィルムを提供する
ことにある。 [00091本発明の他の目的は、半導体ウェハ加工用
フィルムの取扱いの際の静電気の発生および帯電を抑え
、かつ帯電防止効果の経時的低下を抑えることによって
、静電気によるウェハ半導体集積回路の破損を防止する
ことにある。 [00101
【課題を解決するための手段]上記した本発明の目的は
、基材フィルムの片面に粘着剤層を設け、更に該粘着剤
層の表面に剥離フィルムを設けてなる半導体ウェハ加工
用フィルムにおいて、該基材フィルムの背面にイオンク
ロマトグラフィーでイオン分が検出されないリン酸系界
面活性剤が0.5〜1000mg/m2の量的範囲で塗
布されていることを特徴とするウェハ化工用フィルムの
提供によって達成される。 [0011]すなわち、本発明のウェハ加工用フィルム
は、基材フィルム、粘着剤層及び剥離フィルムからなり
、特に該基材フィルムの背面にリン酸系界面活性剤が塗
布されていることを特徴とする。 [00121本発明のウェハ加工用フィルムの理解のた
めに、その製造例の1例から第1図に基づいて説明する
。 [0013]第1図に示すように、基材フィルム1の片
面に粘着剤を塗布、乾燥し、粘着剤層2を設ける。次い
で粘着剤層2の表面に剥離フィルムを3貼付する。更に
、基材フィルム1の背面にリン酸系界面活性剤を塗布、
乾燥し、界面活性剤層4を設けてウェハ加工用フィルム
とする。 [0014]−殻内にはウェハ加工用フィルムは巻体状
、折りたたみ状または一定寸法に裁断して積層された状
態とし、輸送あるいは貯蔵される。 [00151本発明のウェハ加工用フィルムは巻体状、
折りたたみ状および積層された状態においても、粘着剤
層2と界面活性剤層4の間に剥離フィルム3が存在する
ため、粘着剤層2と界面活性剤層4が直接接触すること
がない。 [0016]そのため、ウェハの加工に際し、ウェハ加
工用フィルムから剥離フィルム3を剥がし、界面活性剤
層4を有する基材フィルム1を粘着剤層2を介してウェ
ハに貼付した場合、ウェハが界面活性剤層4により汚染
、腐食されることがない。 [0017]更に、界面活性剤層4によりウェハ加工用
フィルムの帯電が防止されているので、ウェハの集積回
路が静電気により破損されることもない。 [0018]本発明の基材フィルムの素材としては、従
未使用されているポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル
共重合体(以下EVAと略記)などのエチレン共重合体
、ポリプロピレン、軟質ポリ塩化ビニル等が挙げられる
。 [0019]基材フイルムの厚さは、保護するウェハの
形状、表面状態および研磨方法等の条件により適宜状め
られるが、通常10〜2000μmが好ましい。更に好
ましくは50〜200μmである。 [002O1本発明のウェハ加工用フィルムに用いられ
る粘着剤は市販のアクリル系、ビニル系、ゴム系等の粘
着剤が挙げられる。アクリル系粘着剤としては、例えば
三井東圧化学(株)製、商品名“ボンロソ′等が挙げら
れる。 [0021]粘着剤は、−殻内にウェハの腐食防止の観
点から、腐食性の強いイオンを実質的に含まない重合開
始剤により重合された水性エマルジョン粘着剤の使用が
好ましい。 [0022]腐食性の強いイオンを実質的に含まない重
合開始剤とは、水性エマルジョン粘着剤中に、触媒の残
渣または分解生成物としてナトリウム、カリウム等のイ
オン化傾向の大きい金属イオンや、硫酸、塩酸、硝酸等
の強酸をつくるイオン等を50wtppm以上含まない
ことを意味する。 [0023] これらが50wtppm以上含まれた場
合は、粘着剤によりウェハが腐食される原因となるので
好ましくない。 [0024]また、腐食性の強いイオンを実質的に含ま
ない重合開始剤の例を挙げるならば、重合開始剤の水に
対する溶解度が重合時の温度において水100gに対し
て0.1g以上のものが好ましく、更に好まししくは1
g以上のものである。好ましくは、水溶性アゾ化合物の
使用が挙げられ、特に60℃において約1.8g/10
0g水の溶解度を有する4、4“−アゾビスシアノペン
タン酸等の水溶性アゾ化合物が好ましい。溶解度が0゜
1g未満では開始剤としての量が不足し、重合が充分に
進行しなくなる。 [0025]粘着剤を基材フィルムに塗布する方法とし
ては、従来公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、
グラビアロール法、バーコード法が採用できる。 [0026]粘着剤の塗料量は、−殻内には1〜200
g/m2、好ましくは5〜50g/m2の範囲である。 [0027]本発明に用いる剥離フィルムとしては、ポ
リオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の合成樹脂
フィルムが挙げられる。剥離フィルムの厚さは通常10
〜500μmであり、好ましくは20〜200μmであ
る。 [0028]本発明における、イオンクロマトグラフィ
ーでイオン分が検出されないリン酸系界面活性剤は、ア
ルキルリン酸エステルおよびまたはその塩あるいはアル
キルエーテルリン酸エステルおよびまたはその塩である
。 [0029]アルキルリン酸エステルおよびまたはその
塩は、高級アルコールをリン酸化剤として五酸化リン、
オキシ塩化リン、三塩化リン等を用いてリン酸エステル
化した後、残存する酸性水酸基を塩基により中和するこ
とにより得られる。 [00301また、アルキルエーテルリン酸エステルお
よびまたはその塩は、高級アルコールのポリオキシエチ
レン誘導体の末端をリン酸化剤として五酸化リン、オキ
シ塩化リン、三塩化リン等を用いてリン酸エステル化し
た後、残存する酸性水酸基を塩基により中和することに
より得られる。 [0031]アルキルリン酸エステルおよびまたはその
塩およびアルキルエーテルリン酸エステルおよびまたは
その塩は反応条件によって、モノ、ジ、トリエステルが
得られるが、本発明においては、これらのエステルの単
独物、2成分または3成分の混合物であってもよい。 [0032]帯電防止効果の観点からアルキルリン酸エ
ステルおよびまたはその塩およびアルキルエーテルリン
酸エステルおよびまたはその塩のアルキル基の炭素原子
数は8〜18が好ましく、更に好ましくは10〜14で
ある。また、アルキルエーテルリン酸エステルおよびま
たはその塩のエチレンオキサイドの付加モル数は2〜8
が好ましく、更に好ましくは3〜5である。 [0033]酸性水酸基の中和に用いる塩基は、アンモ
ニア、有機アミンまたはアミノアルコール等が好ましい
。好ましく用いられる塩基としては、アンモニア、トリ
メチルアミンおよびトリエタノールアミン等が例示され
る。これらの塩基を用いて中和された塩は、腐食性を殆
ど有しないので好ましい。 [0034] リン酸系界面活性剤の中でも水酸化ナト
リウムや水酸化カリウム等で中和されたものは、イオン
化傾向の強い金属イオンがイオンクロマトグラフィーに
おいて検出され、これらがウェハを腐食する原因となる
ので好ましくない。 [0035]本発明におけるイオン分が検出されないリ
ン酸系界面活性剤とは、検出限界が1wt、 ppmで
あるイオンクロマトグラフィーによる分析方法に従って
、リン酸系界面活性剤を分析してイオン分が検出されな
いことを意味する。 [00361本発明において用いられる界面活性剤、即
ち、イオンクロマトグラフィーでイオン分が検出されな
いリン酸系界面活性剤は、水と水素結合し、活性剤−水
系の極性中心を作り、更に他の水と水素結合して連続性
を保ち、優れた帯電防止効果を発揮するものと推定され
る。 [0037]本発明で用いるリン酸系界面活性剤の塗布
量は、0.5〜1000mg/m2の範囲であり、好ま
しくは、1〜100mg/:である。塗布量が0.5m
g/m2未満であると目的とする帯電防止効果が得られ
ない。一方、1000mg/m2 を越えると塗布後の
乾燥効率が悪くベタついたり、そのために作業性が悪く
なると共に、コスト上昇を招くので好ましくない。 [0038]界面活性剤を基材フィルムの背面に塗布す
る方法は、界面活性剤をイソプロピルアルコール等の溶
剤で希釈し、スポンジロール等で塗布する方法が好まし
い。従来公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グ
ラビアコーター法、バーコード法などを用いてもよい。 [0039]本発明の目的を損なわない範囲において、
イオンクロマトグラフィーでイオン分が検出されないリ
ン酸系界面活性剤に、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル、ポリオキシエチレンアルキルエステル等の非イオ
ン性界面活性剤を混合して用いても良い。混合し得る非
イオン性界面活性剤の量は、該リン酸系界面活性剤10
0重量部に対し50重量部以下が好ましい。50重量部
を越えると帯電防止効果が経時的に低下するので好まし
くない。 [00401 【実施例]以下、実施例により更に詳細に説明する。本
発明の実施例において採用したウェハ加工用フィルムの
物性及び性能評価方法は以下の通りである。 静電気発生量: ウェハ加工用フィルムを巾25mmに裁断し試料片を作
成する。デジタル式電位測定器(春日電機製KSD−6
110)を用いて、試料片と測定器の間隔50mm、測
定温度23±2℃、湿皮60±5%の条件下、剥離速度
1000mm/minでウェハ加工用フィルムから剥離
フィルムを剥離する時の静電気発生量を作成直後、10
B、20B、30日経時後に測定する。 イオン分含有量: 各実施例で使用するそれぞれの界面活性剤1gを採取し
、純水で1000倍に希釈する。希釈液中のイオン含有
量を下記のイオンクロマトグラフィーを用いて測定する
。イオン含有量は界面活性剤1gに含まれるイオン重量
(μg)である。この方法によるイオン検出限界は1w
t、ppmである。 イオンクロマトグラフィーの測定装置:装置:DION
EX社製 陰イオンプレ/濃縮カラム HPIC−AG4A 陰イオン分離カラム HPIC−AS4A 陽イオンプレ/濃縮カラム HPIC−CG3 陽イオン分離カラム HPIC−C84 ウェハ腐食評価: ウェハ加工用フィルムから剥離フィルムを剥がし、粘着
フィルムをウェハに貼付け、50℃×95%RH条件下
で1000時間放置した後、該粘着フィルムを剥がし、
ウェハ表面の腐食状態を顕微鏡で観察する。 破壊電圧: ウェハ加工用フィルムから剥離フィルムを剥がし、粘着
フィルムをウェハに貼付け、23℃×50%RH条件下
で500時間放置した後、粘着フィルムを剥がし、半導
体回路(I C)の端子から徐々に電圧をかけて、その
ICが破壊する電圧を測定する。 【0041】アルミニウム配線部が腐食等の理由により
断線していれば、その破壊電圧は低下もしくは通電しな
いことが起こる。 実施例1 市販の厚さ200μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体
樹脂(エチレン/酢酸ビニル: 90/10モル比)フ
ィルムを基材フィルムとして用いる。この基材フィルム
の片面にコロナ放電処理を施したのち、処理面にコータ
ーロールを用いてアクリル系粘着剤(三井東圧化学(株
)製、商品名“ポンロン″)を塗布、乾燥して、厚さ5
0μmの粘着剤層を設ける。 [0042]剥離フイルムとして、市販の厚さ50μm
のポリプロピレンフィルムを用い、これを粘着剤層の表
面に貼付し、基材フィルム、粘着剤層および剥離フィル
ムの3層からなるウェハ加工用フィルムを作成する。 [0043]上記ウエハ加工用フイルムの基材フィルム
背面に、スポンジロールを用いて、イソプロピルアルコ
ールで100倍に希釈されたアルキルエーテルリン酸エ
ステルトリエタノールアミン系界面活性剤(丸菱油化工
業(株)製”MTN−F−695” )を、塗布量が3
0mg 7m2 となるように塗布、乾燥する。 [00441次いで、巻取り機により巻取り、長さ10
0mの巻体状ウェハ加工用フィルムとする。 [0045] このウェハ加工用フィルムから剥離フィ
ルムを剥がす際に発生する静電気量およびウェハに貼付
した場合の前記の各種性能を評価し、その結果を表1に
示す。また、上記界面活性剤が含有するイオン量を測定
し、その結果を表2を示す。 実施例2 イオン交換水150重量部、ポリオキシエチレンノニル
フェニルエーテル2重量部にアクリル酸2−エチルヘキ
シル70重量部、メタクリル酸メチル25重量部、メタ
クリル酸3重量部、メタクリル酸グリシジル2重量部よ
りなるモノマー混合物を添加し、4,4゛−アゾビスシ
アノペンタン酸0.5重量部を重合開始剤として用いて
、70℃で重合して固形公約40wt%のアクリル系エ
マルジョン粘着剤を得る。これを粘着剤として用いる以
外は、実施例1と同様にしてウェハ加工用フィルムを得
る。 [0046]実施例1と同様に測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 実施例3 市販の厚さ60μmの低密度ポリエチレンフィルムを基
材フィルムとする。このフィルムの片面にコロナ放電処
理を施し、処理面にロールコータ−を用いてアクリル系
粘着剤(三井東圧化学(株)製、商品名“ボンロン″)
を塗布、乾燥して、厚さ50μmの粘着剤層を設ける。 市販の厚さ50μmのポリプロピレンフィルムを剥離フ
ィルムとして、粘着剤層の表面に貼付しウェハ加工用フ
ィルムを作成する。基材フィルムの背面にアルキルエー
テルリン酸エステルトリエタノールアミン系界面活性剤
(丸蓋油化工業(株)製“MTN−F−695”)をイ
ソプロピルアルコールで15倍に希釈し、グラビアロー
ルを用いて、塗布量が80mg/m2となるように塗布
、乾燥する。次いで、巻取り機により巻取り、長さ10
0mの巻体状ウェハ加工用フィルムを得る。 [0047]実施例1と同様の物性および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 実施例4 界面活性剤として、アルキル基がラウリル基を主成分と
するアルキルリン酸エステルトリメチルアミンを用いる
以外、実施例3と同様にしてウェハ加工用フィルムを得
る。 [0048]実施例3と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例1 基材フィルムの背面に界面活性剤を塗布することなしに
、実施例1に準じてウェハ加工用フィルムを作成する。 [0049]実施例1と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例2 界面活性剤の塗布量を0 、 3 m g 7m2 と
する以外、実施例1と同様にして、ウェハ加工用フィル
ムを得る。 [00501実施例1と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例3 ソルビタン系脂肪酸エステル界面活性剤(丸蓋油化工業
(株)製“デノン733”)を用い、且つ、その塗布量
を50mg/m2とする以外、実施例1と同様の方法で
ウェハ加工用フィルムを得る。 [0051]実施例1と同様の物性および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例4 水酸化ナトリウムで中和されたアルキルエーテルリン酸
エステル系ナトリウム塩(アルキル基の主成分がラウリ
ル基、エチレンオキサイドの平均付加モル数が3)の界
面活性剤を用い、且つ、その塗布量を50mg/m2と
する以外、実施例1と同様の方法でウェハ加工用フィル
ムを得る。 [0052]実施例1と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 [0053]
【表1】 [0054]
【表2】 [0055]
【発明の効果】本発明のウェハ加工用フィルムは、イオ
ンクロマトグラフィーでイオン分が検出されないリン酸
系界面活性剤を、基材フィルムの背面に塗布することに
より、静電気の発生および帯電を抑え、また、静電気防
止効果の経時的低下を抑え、ウェハの加工に際し、静電
気によるウェハの半導体集積回路の破壊を防止すること
ができる。 [0056]また、界面活性剤によりウェハを汚染およ
び腐食させないという優れた効果を発揮するものである
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウェハ加工用フィルムの断面図である
【符号の説明】
1 基材フィルム 2 粘着剤層 3 剥離フィルム 4 界面活性剤層
【図1】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材フィルムの片面に粘着剤層を設け、
    更に該粘着剤層の表面に剥離フィルムを設けてなる半導
    体ウェハ加工用フィルムにおいて、該基材フィルムの背
    面にイオンクロマトグラフィーでイオン分が検出されな
    いリン酸系界面活性剤が0.5〜1000mg/m2の
    範囲で塗布されていることを特徴とするウェハ加工用フ
    ィルム。
  2. 【請求項2】 イオンクロマトグラフィーでイオン分が
    検出されないリン酸系界面活性剤がアルキルリン酸エス
    テルおよびまたはその塩またはアルキルエーテルリン酸
    エステルおよびまたはその塩である請求項1記載のウェ
    ハ加工用フィルム。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
WO2020137953A1 (ja) * 2018-12-27 2020-07-02 日東電工株式会社 粘着剤組成物の調製方法、保護シートの製造方法およびガラスユニットの製造方法
WO2020137954A1 (ja) * 2018-12-27 2020-07-02 日東電工株式会社 保護シート
WO2020137955A1 (ja) * 2018-12-27 2020-07-02 日東電工株式会社 粘着シート
US12319854B2 (en) 2018-12-27 2025-06-03 Nitto Denko Corporation Protective sheet

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63135888A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Citizen Watch Co Ltd 時計用円板針の製造方法
JPS63299246A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 F S K Kk ウェハ貼着用粘着シ−ト

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63135888A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Citizen Watch Co Ltd 時計用円板針の製造方法
JPS63299246A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 F S K Kk ウェハ貼着用粘着シ−ト

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
US6478918B2 (en) 1998-03-30 2002-11-12 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
WO2020137953A1 (ja) * 2018-12-27 2020-07-02 日東電工株式会社 粘着剤組成物の調製方法、保護シートの製造方法およびガラスユニットの製造方法
WO2020137954A1 (ja) * 2018-12-27 2020-07-02 日東電工株式会社 保護シート
WO2020137955A1 (ja) * 2018-12-27 2020-07-02 日東電工株式会社 粘着シート
CN113226751A (zh) * 2018-12-27 2021-08-06 日东电工株式会社 保护片
CN113226748A (zh) * 2018-12-27 2021-08-06 日东电工株式会社 粘合片
US12291660B2 (en) 2018-12-27 2025-05-06 Nitto Denko Corporation Method for preparing pressure-sensitive adhesive composition, method for producing protective sheet and method for producing glass unit
US12319854B2 (en) 2018-12-27 2025-06-03 Nitto Denko Corporation Protective sheet
US12545815B2 (en) 2018-12-27 2026-02-10 Nitto Denko Corporation Protective sheet

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