JPH0421122B2 - - Google Patents
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- JPH0421122B2 JPH0421122B2 JP19985786A JP19985786A JPH0421122B2 JP H0421122 B2 JPH0421122 B2 JP H0421122B2 JP 19985786 A JP19985786 A JP 19985786A JP 19985786 A JP19985786 A JP 19985786A JP H0421122 B2 JPH0421122 B2 JP H0421122B2
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- light spot
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
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- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光スポツトが放射線の入射位置を検
出するための光スポツト等の入射位置検出装置に
関するものである。
出するための光スポツト等の入射位置検出装置に
関するものである。
[従来の技術]
従来から、光スポツト等の入射位置を検出する
二次元検出装置としては、撮像管やCCD(電荷結
合素子)等が知られているが、何れも価格が高価
となり処理回路が複雑である。
二次元検出装置としては、撮像管やCCD(電荷結
合素子)等が知られているが、何れも価格が高価
となり処理回路が複雑である。
本出願人は既に特願昭60−274499号において、
二次発光体を含有する板体を用いて、その入射位
置を検出する装置を提案したが、この場合は一次
元又は多数個の光電変換素子を必要とした。
二次発光体を含有する板体を用いて、その入射位
置を検出する装置を提案したが、この場合は一次
元又は多数個の光電変換素子を必要とした。
[発明の目的]
本発明の目的は、更に簡易な構成により、光ス
ポツト等の入射位置を検出し得る光スポツト等の
入射位置検出装置を提供することにある。
ポツト等の入射位置を検出し得る光スポツト等の
入射位置検出装置を提供することにある。
[発明の概要]
上述の目的を達成するための本発明の要旨は、
二次発光体又は散乱材を含有する透明又は半透明
の板体の端面に密着して、同様に二次発光体又は
散乱材を含有する透明又は半透明の細条部材を配
置し、該細条部材の少なくとも一方の端部に光電
変換素子を配置し、前記板体の表面に光スポツト
又は放射線を入射させて、前記板体内で発生する
二次光又は散乱光を前記細条部材に導いて再び二
次元又は散乱光を発生させ、前記光電変換素子で
得られた光強度から前記光スポツト又は放射線の
入射位置を検出することを特徴とする光スポツト
等の入射位置検出装置である。
二次発光体又は散乱材を含有する透明又は半透明
の板体の端面に密着して、同様に二次発光体又は
散乱材を含有する透明又は半透明の細条部材を配
置し、該細条部材の少なくとも一方の端部に光電
変換素子を配置し、前記板体の表面に光スポツト
又は放射線を入射させて、前記板体内で発生する
二次光又は散乱光を前記細条部材に導いて再び二
次元又は散乱光を発生させ、前記光電変換素子で
得られた光強度から前記光スポツト又は放射線の
入射位置を検出することを特徴とする光スポツト
等の入射位置検出装置である。
[発明の実施例]
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第1図において、1は蛍光剤を含有する例えば
合成樹脂から成る透明又は半透明の板体である。
この板体1の各端面1a〜1dには、同様に蛍光
剤を含有し、透明又は半透明の合成樹脂から成る
細条部材2a〜2dが密着されている。そして、
これらの細条部材2a〜2dの端部には、例えば
太陽電池等から成る光電変換素子3a,3a′,3
b,3b′,…,3d′がそれぞれ取り付けられてお
り、これらの光電変換素子3a,3a′,3b,3
b′,…,3d′の出力は図示しない演算処理回路に
入力されている。
合成樹脂から成る透明又は半透明の板体である。
この板体1の各端面1a〜1dには、同様に蛍光
剤を含有し、透明又は半透明の合成樹脂から成る
細条部材2a〜2dが密着されている。そして、
これらの細条部材2a〜2dの端部には、例えば
太陽電池等から成る光電変換素子3a,3a′,3
b,3b′,…,3d′がそれぞれ取り付けられてお
り、これらの光電変換素子3a,3a′,3b,3
b′,…,3d′の出力は図示しない演算処理回路に
入力されている。
ここで、板体1の表面に光スポツトSが入射す
ると、この光スポツトSにより板体1中の蛍光剤
が励起されてランダムな方向に蛍光を発し、この
蛍光は板体1中を伝播して各端面1a〜1dに到
達する。この場合に、蛍光は板体1を伝播中に減
衰され、各端面1a〜1dのそれぞれの位置の光
強度は、光スポツトSまでの距離に依存して単調
増加又は減少することになる。端面1a〜1dか
ら出射された蛍光は、細条部材2a〜2dにそれ
ぞれ入射し、細条部材2a〜2d中に含まれる蛍
光剤により再びランダムな方向に発光し、細条部
材2a〜2d中を伝播し、その両端部に配置され
た光電変換素子3a,3a′,…,3d′に入射す
る。
ると、この光スポツトSにより板体1中の蛍光剤
が励起されてランダムな方向に蛍光を発し、この
蛍光は板体1中を伝播して各端面1a〜1dに到
達する。この場合に、蛍光は板体1を伝播中に減
衰され、各端面1a〜1dのそれぞれの位置の光
強度は、光スポツトSまでの距離に依存して単調
増加又は減少することになる。端面1a〜1dか
ら出射された蛍光は、細条部材2a〜2dにそれ
ぞれ入射し、細条部材2a〜2d中に含まれる蛍
光剤により再びランダムな方向に発光し、細条部
材2a〜2d中を伝播し、その両端部に配置され
た光電変換素子3a,3a′,…,3d′に入射す
る。
この場合に、蛍光剤は例えば約500nmを中心
とする波長帯域の光を吸収して、約600nmを中
心とする波長帯域の光を発光するものであり、板
体1から出射する波長帯域の光を細条部材2a〜
2dの蛍光剤が吸収する関係にあることが望まし
い。従つて、板体1に含まれる蛍光剤と細条部材
2a〜2d中に含まれる蛍光剤とは異なる種類と
することが好適である。
とする波長帯域の光を吸収して、約600nmを中
心とする波長帯域の光を発光するものであり、板
体1から出射する波長帯域の光を細条部材2a〜
2dの蛍光剤が吸収する関係にあることが望まし
い。従つて、板体1に含まれる蛍光剤と細条部材
2a〜2d中に含まれる蛍光剤とは異なる種類と
することが好適である。
第1図のX方向の光スポツトSの位置を求める
ためには、X方向に配置した2つの細条部材2
a,2cの端部からの出力の割合、例えば光電変
換素子3aと3a′の出の和と、光電変換素子3c
と3c′の出力の和の比を求めることにより、板体
1の表面上における光スポツトSのX方向の位置
を入射光量に関係なく求めることができる。
ためには、X方向に配置した2つの細条部材2
a,2cの端部からの出力の割合、例えば光電変
換素子3aと3a′の出の和と、光電変換素子3c
と3c′の出力の和の比を求めることにより、板体
1の表面上における光スポツトSのX方向の位置
を入射光量に関係なく求めることができる。
即ち、板体1の辺の長さをD、光スポツトSか
ら端面1aまでの最短距離をxとすると、細条部
材2a,2cを介して光電変換素子3a,3a′,
3c,3c′で得られる蛍光の光強度による出力
Pa,Pcはそれぞれ、 Pa=K/f(x) Pc=K/{D−f(x)} となる。ここで、Kは光スポツトSの光強度・大
きさ、蛍光剤の光変換効率、板体1、細条部材2
中の蛍光減衰率に依存する定数である。このと
き、両光電変換素子3a,3a′,3c,3c′の出
力の和Pa+Pcと差Pa−Pcをそれぞれ演算し、差
Pa−Pcを和Pa+Pcによつて除算すれば、f(x)
=Pc・D/(Pa+Pc)となり、f(x)は予め
特性を求めておくことができるので、光スポツト
Sの光強度等によらずに距離xを求めることが可
能となる。
ら端面1aまでの最短距離をxとすると、細条部
材2a,2cを介して光電変換素子3a,3a′,
3c,3c′で得られる蛍光の光強度による出力
Pa,Pcはそれぞれ、 Pa=K/f(x) Pc=K/{D−f(x)} となる。ここで、Kは光スポツトSの光強度・大
きさ、蛍光剤の光変換効率、板体1、細条部材2
中の蛍光減衰率に依存する定数である。このと
き、両光電変換素子3a,3a′,3c,3c′の出
力の和Pa+Pcと差Pa−Pcをそれぞれ演算し、差
Pa−Pcを和Pa+Pcによつて除算すれば、f(x)
=Pc・D/(Pa+Pc)となり、f(x)は予め
特性を求めておくことができるので、光スポツト
Sの光強度等によらずに距離xを求めることが可
能となる。
なお、この場合の板体1の端面からの出力特性
は、第2図aに示すように光スポツトSが板体1
の中央部に位置するほど出力が大きい傾向にあ
る。一方、細条部材2に同じ光量で入射した蛍光
を両端部の光電変換素子3で検出しその和をとる
と、第2図bに示すように光量の減衰のために中
央部への入射量ほど小さくなる。従つて、最終的
には両者の曲線は相殺されて、両端部の光電変換
素子3から得られる出力は第2図cに示すように
ほぼ平担となる。
は、第2図aに示すように光スポツトSが板体1
の中央部に位置するほど出力が大きい傾向にあ
る。一方、細条部材2に同じ光量で入射した蛍光
を両端部の光電変換素子3で検出しその和をとる
と、第2図bに示すように光量の減衰のために中
央部への入射量ほど小さくなる。従つて、最終的
には両者の曲線は相殺されて、両端部の光電変換
素子3から得られる出力は第2図cに示すように
ほぼ平担となる。
また、Y方向についても2つの細条部材2b,
2dの端面に設けた光電変換素子3b,3b′,3
d,3d′の出力から光スポツトSの位置を同様に
求めることができ、X方向と併せて二次元的な光
スポツトSの位置を検出することが可能である。
2dの端面に設けた光電変換素子3b,3b′,3
d,3d′の出力から光スポツトSの位置を同様に
求めることができ、X方向と併せて二次元的な光
スポツトSの位置を検出することが可能である。
なお第1図においては、板体1の光スポツトS
の位置を細条部材2a,2cに投影し、光電変換
素子3aと3a′の出力の比又は光電変換素子3c
と3c′の出力の比によつて光スポツトSのY方向
の位置を求めることができる。
の位置を細条部材2a,2cに投影し、光電変換
素子3aと3a′の出力の比又は光電変換素子3c
と3c′の出力の比によつて光スポツトSのY方向
の位置を求めることができる。
前述したように、光スポツトSの入射光の波長
或いは蛍光剤の種類によつて、励起される蛍光の
波長は異なるが、細条部材2に含まれる蛍光材の
励起光のみを透過するフイルタを各光電変換素子
3a,3a′,…,3d′の前面に設ければ、雑音の
影響を無視して精度の良い測定を行うことができ
る。勿論、板体1の表面のみを露出して、その他
は外光から遮断することが望ましいが、完全な暗
箱を形成できない場合には光スポツトSの入射光
を変調して、この変調光に同期した光電変換素子
3a,3a′,3b,3b′,…,3d′からの出力の
みを検出して外光の影響を除去するようにしても
よい。
或いは蛍光剤の種類によつて、励起される蛍光の
波長は異なるが、細条部材2に含まれる蛍光材の
励起光のみを透過するフイルタを各光電変換素子
3a,3a′,…,3d′の前面に設ければ、雑音の
影響を無視して精度の良い測定を行うことができ
る。勿論、板体1の表面のみを露出して、その他
は外光から遮断することが望ましいが、完全な暗
箱を形成できない場合には光スポツトSの入射光
を変調して、この変調光に同期した光電変換素子
3a,3a′,3b,3b′,…,3d′からの出力の
みを検出して外光の影響を除去するようにしても
よい。
また第3図においては、板体1の直交する2つ
の端面1a,1bのみにそれぞれ細条部材2a,
2bが配置されており、その端部に設けた光電変
換素子3a,3a′,3b,3b′から光スポツトS
の位置を求めるようにしている。更には、光電変
換素子3は細条部材2の両端に設けるようにして
いるが、入射光の特性が判つていれば片端のみに
設けても測定は可能である。
の端面1a,1bのみにそれぞれ細条部材2a,
2bが配置されており、その端部に設けた光電変
換素子3a,3a′,3b,3b′から光スポツトS
の位置を求めるようにしている。更には、光電変
換素子3は細条部材2の両端に設けるようにして
いるが、入射光の特性が判つていれば片端のみに
設けても測定は可能である。
また、板体1は実施例のような平面ではなく曲
面であつてもよく、球面や円筒形など使用目的に
応じて使い分けることができる。更に、板体1の
表面を粗に加工することにより入射強度を減少さ
せることができるので、表面に粗さ分布を与えて
第2図に示す特性をより直線化することが可能と
なる。
面であつてもよく、球面や円筒形など使用目的に
応じて使い分けることができる。更に、板体1の
表面を粗に加工することにより入射強度を減少さ
せることができるので、表面に粗さ分布を与えて
第2図に示す特性をより直線化することが可能と
なる。
更には、測定対象は必ずしも光スポツトとは限
らず、放射線の点状入射によつても板体1内に光
点を得ることができる。この場合には、板体1内
にはシンチレータを散在しておくことが好まし
い。また、板体1内に混入する材料は、蛍光剤、
シンチレータ以外に、光強度は小さくなるもの
の、単なるアルミニウム粉のような光拡散材を混
入してもよい。
らず、放射線の点状入射によつても板体1内に光
点を得ることができる。この場合には、板体1内
にはシンチレータを散在しておくことが好まし
い。また、板体1内に混入する材料は、蛍光剤、
シンチレータ以外に、光強度は小さくなるもの
の、単なるアルミニウム粉のような光拡散材を混
入してもよい。
なお、この光スポツト等の入射位置検出装置の
用途としては、一般に計測装置が考えられるが、
その他には計算機等のデジタイザ入力装置等に使
用することも可能である。また、図形入力であつ
ても時系列的に光スポツトを移動するようにすれ
ば十分に認識できる。
用途としては、一般に計測装置が考えられるが、
その他には計算機等のデジタイザ入力装置等に使
用することも可能である。また、図形入力であつ
ても時系列的に光スポツトを移動するようにすれ
ば十分に認識できる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る光スポツト等
の入射位置検出装置は、極めて簡素な構成によ
り、光スポツトや放射線の位置を求めることがで
き、従来装置では価格的に不可能な大型の検出装
置も安価に製作することができる。
の入射位置検出装置は、極めて簡素な構成によ
り、光スポツトや放射線の位置を求めることがで
き、従来装置では価格的に不可能な大型の検出装
置も安価に製作することができる。
図面は本発明に係る光スポツト等の入射位置検
出装置の実施例を示し、第1図はその斜視図、第
2図aは板体の出力特性図、bは細条部材の出力
特性図、cは総合の出力特性図、第3図は他の実
施例の斜視図である。 符号1は板体、1a〜1dは端面、2a〜2d
は細条部材、3a〜3d′は光電変換素子である。
出装置の実施例を示し、第1図はその斜視図、第
2図aは板体の出力特性図、bは細条部材の出力
特性図、cは総合の出力特性図、第3図は他の実
施例の斜視図である。 符号1は板体、1a〜1dは端面、2a〜2d
は細条部材、3a〜3d′は光電変換素子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 二次発光体又は散乱材を含有する透明又は半
透明の板体の端面に密着して、同様に二次発光体
又は散乱材を含有する透明又は半透明の細条部材
を配置し、該細条部材の少なくとも一方の端部に
光電変換素子を配置し、前記板体の表面に光スポ
ツト又は放射線を入射させて、前記板体内で発生
する二次光又は散乱光を前記細条部材に導いて再
び二次元又は散乱光を発生させ、前記光電変換素
子で得られた光強度から前記光スポツト又は放射
線の入射位置を検出することを特徴とする光スポ
ツト等の入射位置検出装置。 2 前記二次発光体を蛍光剤とした特許請求の範
囲第1項に記載の光スポツト等の入射位置検出装
置。 3 前記板体の相対向する端面に前記細条部材を
配置し、これらの細条部材に配置した前記光電変
換素子の出力の割合から、前記細条部材の長手方
向と直交する方向の入射位置を検出するようにし
た特許請求の範囲第1項に記載の光スポツト等の
入射位置検出装置。 4 前記細条部材の両端部に前記光電変換素子を
配置し、両光電変換素子の出力の割合から、前記
板体の入射位置を前記細条部材に投影し、前記細
条部材の長手方向の入射位置を検出するようにし
た特許請求の範囲第1項に記載の光スポツト等の
入射位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19985786A JPS6355406A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 光スポツト等の入射位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19985786A JPS6355406A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 光スポツト等の入射位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355406A JPS6355406A (ja) | 1988-03-09 |
| JPH0421122B2 true JPH0421122B2 (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16414805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19985786A Granted JPS6355406A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 光スポツト等の入射位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355406A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3826067A1 (de) * | 1988-07-30 | 1990-02-01 | Dornier Gmbh | Vorrichtung zur faseroptischen messung von absolutpositionen |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP19985786A patent/JPS6355406A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355406A (ja) | 1988-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |