JPH04211264A - 陰画複写物の製造方法 - Google Patents

陰画複写物の製造方法

Info

Publication number
JPH04211264A
JPH04211264A JP2419230A JP41923090A JPH04211264A JP H04211264 A JPH04211264 A JP H04211264A JP 2419230 A JP2419230 A JP 2419230A JP 41923090 A JP41923090 A JP 41923090A JP H04211264 A JPH04211264 A JP H04211264A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aqueous solution
heat treatment
carried out
seconds
sensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2419230A
Other languages
English (en)
Inventor
Otfried Gaschler
オトフリート、ガシュラー
Andreas Elsaesser
アンドレアス、エルゼスラー
Dieter Mohr
ディーター、モール
Hans W Frass
ハンス、ウェルナー、フラス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Publication of JPH04211264A publication Critical patent/JPH04211264A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】本発明は、層支持体、およびその
層支持体に塗布した、必須成分として、1,2−キノン
ジアジドおよび/または活性線照射の作用により強酸を
形成する化合物と少なくとも一つの酸により開裂し得る
C−O−C基を有する化合物との混合物を含む、通常は
陽画処理感光性または照射感応性の層からなる感光性ま
たは照射感応性記録材料に、画像を映す様に照射し、熱
処理し、冷却後全体を照射し、次いでアルカリ性現像剤
で現像する陰画複写の製造方法に関する。
【従来の技術】画像を映すように照射した区域が可溶性
になり、非露光区域が不溶性のまま残る陽画処理感光性
組成物はこの技術では公知である。この種の材料を調製
するために実際に主として使用される層は、感光性化合
物としてo−キノンジアジドを有し、さらにアルカリに
対して可溶性にする基を有する樹脂、例えばフェノール
樹脂を含む。酸により開裂し得る化合物を原料とする感
光性組成物も公知である。これらの組成物中に含まれる
、酸により開裂し得る化合物には、オルトカルボン酸誘
導体、単量体または重合体アセタール、エノールエーテ
ル、あるいはアシルイミノ炭酸塩がある。これらの化合
物は通常、酸を放出する照射感応性化合物として、有機
性ハロゲン化合物、特にハロメチル基で置換したs−ト
リアジンを含む。また、使用する結合剤も、その組成物
をアルカリに対して可溶性にする基を有する樹脂を含む
。o−キノンジアジドを原料とする、通常は陽画処理型
の複写材料も、適当な添加剤の存在下で、特殊な処理順
序を採用することにより、陰画処理複写材料として使用
できることも公知である。GB−A  2082339
は、o−キノンジアジドおよび少なくとも一つのレゾー
ルを含む感光性組成物を陰画処理記録材料として使用す
る、この種の反転方法を記載している。US−A  4
,104,070に相当するDE−A2529054は
、反転方法に使用する、1,2−キノンジアジドを原料
とし、添加剤としてヒドロキシエチルイミダゾリンを含
むレジスト層を記載している。第二級または第三級アミ
ンを含む類似の材料は、US−A  4,196,00
3に記載されている。US−A  4,581,321
に相当するEP−A0133216に記載する反転方法
では、o−キノンジアジド含有層に含まれる添加剤は、
重合体反応における架橋剤として効果的に使用されるヘ
キサメチロールメラミンエーテルである。US−A  
4,576,901に相当するEP−A0131238
は、感光性材料が上記の塩基性または酸性添加剤を全く
必要としない反転方法を記載している。DE−A  3
711263および3725949は、通常の陽画処理
組成物を使用する反転方法において熱硬化を促進する物
質として使用するための各種のs−トリアジンを開示し
ている。さらにUS−A  4,506,006に相当
するEP−A  0082463からは、1,2−キノ
ンジアジドの代わりに酸により開裂し得る化合物を使用
する陽画/陰画反転方法が公知である。公知の反転方法
は、基本的に同じ処理順序からなっている、すなわち印
刷版を、画像を映すように露光した後加熱し、冷却後、
原画無しに再露光し、次いで水性アルカリ現像剤で現像
する。公知の反転方法は、生じた光分解生成物が、熱に
より、不溶性の反応生成物を形成するという原理に基づ
いている。この熱的な二次反応は、通常、複写層への特
殊な塩基性または酸性添加物の存在下、または多官能性
反応基を含む特殊な架橋剤の存在下で起こる。実使用に
おいては、個々の処理工程を確実に行うこと、および、
例えば、画像を映す照射、画像反転のための加熱、冷却
、再露光、および現象が従来の処理工程に対応している
ことが非常に重要である。十分な画像反転寛容度を確保
すべきである。 「画像反転寛容度」の用語は、転換が行われる温度範囲
または転換に必要な時間の許容範囲を意味する。1,2
−キノンジアジド系組成物に関して記載した添加物は、
照射中に生じた酸の存在下で、感光性組成物中で熱的架
橋反応を起こす添加剤、および照射中に生じた酸と反応
して塩を形成することにより、酸を脱炭酸するのに必要
なエネルギーを低下させる塩基性添加剤に分類される(
C.G.ウイルソン:「画像反転:陽画フォトレジスト
における陰画像の形成」、インターフェース82、サン
ディエゴ1982)。特殊な実施形態においては、例え
ばDE−A  3541451およびUS−A4,77
5,609に記載されている様に、画像反転寛容度を広
げるのに使用する添加剤は、最初から照射感応性層中に
存在するのではなく、画像露光工程と熱処理工程との間
に、例えば材料をアンモニア雰囲気にさらすことにより
、加えている。
【発明が解決しようとする課題】複写材料の反転処理に
おいては、原画の下で画像を映す様に照射または露光し
た後、公知の様に、それ以上の中間処理を行わずに、加
熱する。加熱は、照射、対流、加熱した表面、例えばロ
ールに接触、あるいは不活性液体、例えば水の加熱浴中
に浸漬することにより行うことができる。加熱温度は、
80〜150℃、特に100〜130℃の範囲である。 一般に、組成物はこれらの温度に耐えられるが、熱処理
は、照射感応性層の現像特性に悪影響を与えるので、こ
の反転処理の根本的な欠点をもたらすことが分かってい
る。例えば、現像時間が通常著しく増加する。一定のサ
イクル時間による自動処理の場合、このために処理速度
および版の処理量が著しく減少し、場合によっては最低
処理速度においても信頼性のある現像を行うことができ
なくなる。炉中におけるこの熱処理の悪影響を防ぐため
に、全体の露光を水中で行うことが提案されている(G
B−A  2188448)。この方法により、現像中
に起こる問題は解決される。しかし、必要となる装置の
構造が容易ではないので、この解決策も最適ではない。 本発明の目的は、現像工程で上記の問題を起こさずに反
転処理を行うことができ、これまで可能であったよりも
簡単な装置を使用することができる方法を提供すること
である。
【課題を解決するための手段】この目的は、上記の種類
の陰画複写物を製作するための方法により達成される。 本発明に係わる方法では、露光した記録材料を水または
水溶液で50〜100℃の範囲の温度で、約1秒間〜約
5分間の時間内で熱処理し、その記録材料がまだ熱い内
に、その全体を照射し、その後、約10秒間〜2分間の
時間内で現像する。好ましくは、熱処理は約60〜約9
0℃の温度で、5秒間〜1分間の時間内で、現像は約1
5秒間〜1分間の時間内で行う。全体露光のための温度
範囲は、好ましくは約50〜90℃である。本発明に係
わる方法は、例えば、露光した記録材料を浸漬タンク中
で高温の水溶液で処理する、バッフルを備えた浴または
高温の浸漬タンクを通過させる、ノズルを通して噴霧す
る、あるいは例えば室中で高温の水溶液のエーロゾルに
さらすなどの方法で行うことができる。これらの適用方
法の組合わせも有効である。この水溶液の最適な作用時
間および温度は、照射感応性層の組成物に非常に大きく
左右されるので、それぞれの場合で個別に決定しなけれ
ばならない。これとは別に、その水溶液の組成、および
照射感応性層に使用する層支持体の種類も重要である。 一般に、この種の転換は、驚くべきことに、高温空気炉
中で高温空気を使用する従来の方法よりも、著しく低い
温度および短い作用時間で行うことができる。本発明に
より使用できる水溶液は、少なくとも10重量%の水を
含む溶液を意味するものとする。その様な溶液は各種の
添加剤を含む方がより有利である。すなわち、その溶液
は、その表面張力を調整する少なくとも一つの界面活性
剤を含むことができる。特に噴霧方法の場合は、複写層
を確実に、迅速に湿潤させるために、表面張力は≦50
mN/mであるべきである。好適な界面活性剤には、基
本的に陽イオン系、陰イオン系および非イオン系界面活
性剤あるいは界面活性剤の組合わせおよびベタイン型の
界面活性剤も含まれる。ポリエーテル単位、アミド、ア
ミンまたは第四級アンモニウム単位の様な塩基性単位を
含む界面活性剤により、転換性が好ましい影響を受ける
ことが多い。界面活性剤または溶剤を選択する時は、こ
れは水溶液への添加剤すべてに当てはまるが、転換工程
の際に複写層をひどく浸食しない物質を使用する様に注
意しなければならない。これは予備試験で迅速に判定す
ることができる。本発明により使用する水溶液は、pH
値を調節するための塩基性または酸性物質を含むことも
できるのも有利である。転換用に使用する水溶液の最適
pHは複写層の組成により異なる。1,2−キノンジア
ジドを含み、他の反転処理をし易くするための添加剤を
含まない複写層の場合は、塩基性物質を加えるのが有利
である。これらの物質は、無機性でも有機性でもよい。 pH値は1〜13の間でよい。使用する媒体が比較的酸
性であれば、層支持体あるいは複写層が、恐らく複写層
中の塩基性成分のプロトン化により攻撃されることが多
い。よりアルカリ性側にある媒体を使用する場合、一般
的に使用するフェノール性樹脂結合剤が陰イオン形に転
換することにより、複写層が攻撃され易くなる。好まし
いpH範囲は5〜8である。pHを安定化するには、水
溶液に緩衝性物質を加えるのが有利である。これによっ
て、一方で、複写層から溶出するpHを動かす傾向があ
るので、転換に使用される溶液の量が増加し、他方、得
られる結果がより一定してくる。好適な緩衝剤は、一般
的に使用される系である。水溶液は、pHが5〜8の間
で、適切に緩衝される。水溶液は、錯化剤を含むのも有
利である。錯化剤は、脱イオン化していない水を使用す
る場合に、沈殿を防止する。このことは、顧客によって
使用する水の種類が大きく異なるので、特に重要である
。さらに、選択した転換溶液の塗布方法が必要とする限
りにおいて、溶液の粘度に影響を与える、例えば増加す
る物質を水溶液に加えることも可能である。粘度増加に
は、特に水溶性の重合体を使用する。その上、本発明に
より使用する水溶液は、有利なことに、その溶液の熱伝
導性を高める物質を含むことができる。記録材料に熱を
迅速に伝達することにより、転換時間を短くすることが
できる。これは、溶液の塩含有量を高くすることにより
、簡単に達成できる。必要である限り、水溶液は、消泡
剤および水溶液の蒸気圧を低下させる物質を含むことも
できる。本発明によれば、熱処理を50〜100℃、好
ましくは60〜90℃の低温で行い、なお高温状態にあ
る板の全体露光における機能を損なうことがないので、
現像を水性アルカリ現像剤で、実使用における通常の、
約10秒間〜2分間、好ましくは約5〜1分間の時間で
行うことができ、通常の陽画処理印刷版の製法と比較し
て、特殊な処置を必要としない。a)比較的穏やかな条
件下で転換が効果的に行われ、b)なお高温状態にある
間に全体露光した板を現像する際の問題点が解決すると
推定することは不可能であったので、この結果は予想外
であった。使用する感光性または照射感応性記録材料お
よびその製法で必要とされる処理工程を以下に説明する
。使用する1,2−キノンジアジドは、好ましくは1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸また
は−5−スルホン酸エステルまたはアミドまたはカルボ
ン酸エステルまたはアミドを含む。この種の好適な化合
物は公知であり、例えばGB−A  739654に相
当するDE−C  938233に記載されている。使
用する1,2−キノンジアジド化合物の量は、感光性ま
たは照射感応性組成物の固形分全体に対して、一般に3
〜50重量%、好ましくは7〜35重量%である。酸に
より開裂し得る化合物としては先ず、 a)少なくとも一つのオルトカルボン酸エステルおよび
/またはカルボキサミドアセタール基を有する化合物で
あって、これらの化合物が重合体の性格を有することも
、これらの基が主鎖中の架橋要素として、または懸垂置
換基として存在することも可能である様な化合物、b)
主鎖中に反復するアセタールおよび/またはケタール基
を有するオリゴマーまたは重合体化合物、およびc)少
なくとも一つのエノールエーテルまたはN−アシルイミ
ノ炭酸塩原子団を有する化合物 を挙げることができる。照射感応性組成物の成分として
のa)の種類の酸により開裂し得る化合物は、US−A
  4,311,782に相当するEP−A−0022
571に記載されており、b)の種類の化合物を含む組
成物は、US−A3,779,778に相当するDE−
C−2306248に記載されており、c)の種類の化
合物はUS−A  4,248,957に相当するEP
−A−0006627に記載されている。数多くの公知
の化合物および化合物の混合物が、露光により強酸を形
成する感光性成分として使用するのに適している。その
例としては、ホスホニウム、スルホニウムおよびイオド
ニウム塩、ハロゲン化合物および有機金属/有機ハロゲ
ン組合わせがある。上記のホスホニウム、スルホニウム
およびイオドニウム化合物は、通常、有機溶剤に可溶な
その塩の形で、ほとんどの場合沈殿生成物、ヘキサフル
オロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸およびヘキサ
フルオロヒ酸の形で使用する。ハロゲン化水素酸を形成
するハロゲン含有感光性化合物としては、光化学フリー
ラジカル開始剤とも呼ばれる、例えば炭素原子または芳
香族環上に少なくとも一つのハロゲン原子を有する様な
、どの様な有機ハロゲン化合物でも基本的に使用できる
。これらの化合物の中で、US−A  4,189,3
23に相当するDE−C  2718259に記載され
ている様な、トリアジン核中にそれぞれハロゲン化メチ
ル基、特にトリクロロメチル基、および芳香族または不
飽和置換基を含むs−トリアジン誘導体が好ましい。ま
た、2−トリハロメチル−5−ビニル−1,3,4−オ
キサジアゾールも好適である(US−A  4,212
,970に相当するDE−A  2851471)。こ
れらのハロゲン含有化合物の効果も、公知の増感剤によ
りスペクトル的に影響を受け、高めることができる。光
化学的酸供与体の例としては、 4−メチル−6−トリクロロメチル−2−ピロン、4−
(3,4,5−トリメトキシスチリル)−6−トリクロ
ロメチル−2−ピロン、4−(4−メトキシスチリル)
−6−(3,3,3−トリクロロプロペニル)−2−ピ
ロン、2−トリクロロメチルベンズイミダゾール、2−
トリブロモメチルキノリン、2,4−ジメチル−1−ト
リブロモアセチル−安息香酸、1,4−ビス−ジブロモ
メチルベンゼン、トリス−ジブロモメチル−s−トリア
ジン、2−(6−メトキシナフト−2−イル)−、2−
(ナフト−1−イル)−、2−(4−エトキシエチル−
ナフト−1−イル)−、2−(ベンゾピラン−3−イル
)−、2−(4−メトキシアントラク−1−イル)−、
2−(4−スチリルフェニル)−、2−(フェナントル
−9−イル)−4,6−ビス−トリクロロメチル−S−
トリアジン、および実施例に示す化合物がある。光化学
的酸供与体の量も、その化学的性質および層の組成に応
じて大きく異なる。好ましい結果は、その組成物の全固
形分に対して、約0.5〜20重量%、好ましくは約1
.0〜12重量%を使用して得られる。とくに、厚さが
0.01mmを超える感光性層では、比較的少量の酸供
与体を使用するのが望ましい。使用する結合剤は、遊離
のフェノール性水酸基を有する重縮合生成物または重合
体を含み、フェノール性水酸基の含有量は、好ましくは
結合剤の2〜9mmol/gの範囲内である。重縮合生
成物の例は、ノボラック型のフェノール樹脂または水酸
基置換したアラミドである。重合体の例としては、ビニ
ルフェノールの単独重合体および共重合体(US−A 
 3,869,292に相当するDE−C232223
0)、アクリル酸のエステルとフェノールとの重合体(
EP−A0212439)またはヒドロキシフェニルー
マレイックイミドの共重合体(EP−A  01875
17)がある。結合剤の量は、組成物の不揮発性成分に
対して、一般的に20〜90重量%、好ましくは50〜
85重量%である。さらに大多数のオリゴマーおよび重
合体、例えば、それ自体コモノマーで変性してあっても
よい、ポリビニルアセタールの様なビニル重合体、ポリ
メタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリ
ビニルエーテルおよびポリビニルピロリドンなどを使用
することができる。最も好ましいこれらの添加量は、使
用方法に関連した必要条件および現像条件に対するそれ
らの影響により異なるが、フェノール性側基を含む結合
剤の20重量%を超えないのが一般的である。可撓性、
密着性、光沢、等の特殊な要件を満たすために、感光性
層は、ポリグリコール、セルロースエーテル、例えばエ
チルセルロース、湿潤剤および微粒の顔料の様な少量の
物質も含むことができる。さらに、可溶な、または微粒
の分散性染料および、特定の使用方法に応じて、UV吸
収剤を感光性組成物に加えることもできる。陽画−陰画
転換において広い画像反転寛容度を与える、1,2−キ
ノンジアジドを原料とする組成物は、さらに、画像反転
寛容度を広げるために、上に詳細に記載した少なくとも
一つの添加剤を使用する。適当な支持体に塗布するため
に、通常は組成物を溶剤に溶解する。溶剤の選択は、意
図する塗布方法、層の厚さ、および乾燥条件により異な
る。本発明の組成物に使用する好適な溶剤としては、メ
チルエチルケトンの様なケトン、トリクロロエチレンや
1,1,1−トリクロロエタンの様な塩素化炭化水素、
n−プロパノールの様なアルコール、テトラヒドロフラ
ンの様なエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テルの様なアルコールエーテル、および酢酸ブチルの様
なエステルがある。特殊な目的には、さらにアセトニト
リル、ジオキサンまたはジメチルホルムアミドの様な溶
剤を使用することも可能である。原則的に、層成分と不
可逆的に反応しない、いかなる溶剤でも使用できる。グ
リコールの部分エーテル、特にエチレングリコールモノ
メチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチル
エーテルを単独で、または混合物で使用するのが特に好
ましい。ほとんどの場合、層厚が約10μm未満の場合
には金属製の支持体を使用する。オフセット印刷版には
、研磨仕上げした、機械的および/または電気化学的に
粗粒化し、所望により陽極酸化し、さらに例えばポリビ
ニルホスホン酸、ケイ酸塩、リン酸塩、ヘキサフルオロ
ジルコニウム酸塩または水解テトラエチルオルトケイ酸
塩で化学的に前処理してあってもよい、アルミニウムを
使用することができる。支持体の塗装は、スピンコーテ
ィング、スプレー、浸漬、ローラー塗布、スロットダイ
スによる塗布、ブレードによる塗布、あるいはフローコ
ーターによる塗布などの公知の方法により行う。露光に
は、通常の光源、例えば管状ランプ、パルス式キセノン
ランプ、金属ハロゲン化物をドーピングした高圧水銀蒸
気ランプおよびカーボンアークランプを使用することが
できる。本明細書では、用語「露光」および「照射」は
、波長が約500nm未満の電磁活性線照射の作用を表
すものとする。この波長領域を発するなら基本的にどの
様な光源でも使用できる。レーザー照射、特にアルゴン
イオンレーザーまたはクリプトンイオンレーザーを照射
源として内蔵する自動処理装置を使用するのが有利であ
る。電子線による照射も可能であり、X線でも画像形成
に使用できる。画像を映すように露光または照射した層
および全体露光した層は、市販のナフトキノンジアジド
層またはレジストに使用する公知の現像剤と事実上同じ
現像剤を使用して公知の方法で除去することができる、
あるいは本発明に係わる材料の複写反応は、現像機ある
いはプログラム化したスプレー処理装置の様な通常の装
置に即適用できる。水性現像溶液は、例えばアルカリ金
属のリン酸塩、ケイ酸塩または水酸化物、およびさらに
湿潤剤および所望により少量の有機溶剤を含むことがで
きる。特殊な場合には、溶剤/水混合物も現像剤として
使用することができる。最も好ましい現像剤は、それぞ
れの場合に使用する層に試験を行うことにより決定する
ことができる。必要であれば、現像を機械的に支援する
こともできる。この材料を印刷版の製作に使用する場合
、印刷方法における安定性および洗浄溶液、削除液、お
よびUV硬化性印刷インクに対する耐性は、GB−A1
,154,749におけるジアゾ層に関して記載されて
いる様に、現像した版を高温で短時間加熱することによ
って改善することができる。以下に示す実施例で、本発
明に係わる方法の好ましい実施形態を説明する。実施例
では、重量部(pbw)および体積部(pbv)はgお
よびcm3の関係にある。百分率および量的比率は、他
に指示が無い限り、重量の単位とする。
【実施例1】下記の組成を有する塗布溶液を調製する。 8.0pbwの、平均分子量が6,000であるm−ク
レゾール−ホルムアルデヒドノボラック1.6pbwの
、1モルの1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−
スルホニルクロリドと1モルのp−クミルフェノールと
のエステル化生成物、 0.4pbwの、塩基としての、DE−A  3711
263による、2,4−ジエトキシ−6−ジエチルアミ
ノ−s−トリアジン、 0.1pbwのクリスタルバイオレット(C.I.  
42555)、 0.02pbwのスダンイエロ−GGN(C.I.  
11021)および100pbwの、テトラヒドロフラ
ンおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル(5
5:45)の溶剤混合物。この溶液を、塩酸中で粗粒化
し、硫酸中で陽極酸化し、ポリビニルホスホン酸で親水
性にしたアルミニウムホイルにスピンコーティングする
。100℃で2分間乾燥し、2μmの層厚を得る。この
印刷版を、各0.15ずつの13密度段階を有する連続
明暗階段くさび(ヘキストAGの露光くさび「BK01
」)を通して、110cmの距離に置いた5kw金属ハ
ロゲン化物ランプの下で65秒間露光し、十分に脱イオ
ン化した水を満たした浸漬浴または循環空気炉中で各種
の温度で1分間処理して転換させ、冷却しないうちに、
全体を45秒間露光し、下記の現像剤中で1分間現像す
る。 8.5pbwのNa2SiO3x9H2O0.8pbw
のNaOHおよび 1.5pbwのNa2B4O7x10H2Oを89.2
pbwのH2Oに溶解する。第1aおよび1b図は、転
換温度の関数として、連続明暗くさびの再現性において
認められる明瞭なくさびを、初めてうす皮を生じる階段
まで示す。さらに、第1aおよび1b図は、それぞれの
場合に行った短時間現像(15秒間)の結果を示すが、
これは黒色のオフセットインクを使用し、非画像区域で
複写層が完全に除去された(うす皮なし)か、あるいは
部分的になお存在し、印刷インクが付く(うす皮)かを
試験する。 これらの結果は、水浴中で転換する場合、明らかに低い
温度でも、得られた再現性は循環空気炉中で転換した後
の結果に匹敵しており、一方、通常の冷却を行わない短
時間現像による反応も使用できる温度範囲全体に渡って
著しく改良されることを示している。短時間現像試験を
完了するために、次の様な試験を行った。水浴中で75
℃または循環空気炉中で125℃で転換した後、その他
は同等の手順で、5秒間間隔で浸漬タンク現像を行い、
最短現像時間、すなわち非画像区域が初めてうす皮なし
になる時間を測定した。その結果を第2表に示す。 その上、転換方法の、それに続く陽画処理に対する影響
を調べたが、これは写真植字の観点から重要である。こ
の目的で、FOGRAの複写表2+による陽画処理の標
準露光時間を、前処理なし、および高温空気または高温
水で1分間処理後に、また、使用する現像剤溶液に対す
る非露光区域の抵抗をも測定した(第3表)。 これらの結果は、この転換方法を使用しても、写真植字
が可能であることを示している。最短転換時間を測定す
るために、次の様な実験を行った。すなわち、印刷版を
65秒間露光した後、水浴中80℃または循環空気炉中
135℃で異なった時間熱処理し、冷却せずに、原画な
しに45秒間露光し、1分間現像する。第4表に得られ
た連続明暗くさびの再現性を示す。 これらの結果から、水浴中における熱処理は、転換時間
に関しても有利であることが分かる。
【実施例2】実施例1による反転処理を繰り返したが、
十分に脱イオン化した水の代わりに、各種の界面活性剤
の水溶液を吹き付け、バッフルを付けた。温度は一定で
75℃であり、溶液の転換時間は1分間である。結果を
第5表に示す。 使用した界面活性剤は、バイエルAGから入手したフッ
ソ系界面活性剤である。界面活性剤を含有する溶液は、
複写層に関して、明らかに良好な湿潤性を示した。反転
処理に対する悪影響は見られなかった。
【実施例3】実施例1による反転処理を繰り返したが、
十分に脱イオン化した水の代わりに、硫酸またはケイ酸
ナトリウムを加えて異なったpH値に調節した溶液を使
用した。転換は、浸漬浴中で、時間1分間、温度75℃
で行った(第6表)。 これらの結果は、反転特性が広いpH範囲に渡って一定
であることを示している。
【実施例4】実施例1に準じて、緩衝液を加えた、およ
び加えていない水溶液を使用して反転処理を行い、負荷
の増加(最終値:水溶液1リットルあたり1m2の転換
層)が反転処理における変化をもたらすか、否かを試験
した(第7表)。温度75℃、時間1分間。
【実施例5】実施例1と同様に、ただし塩基として2,
4−ジエトキシ−6−ジエチルアミノ−s−トリアジン
を加えずに塗布溶液を調製する。この溶液を実施例1に
準じて処理したアルミニウムホイルに塗布し、乾燥塗膜
厚を2μmにする。露光、反転処理、および現像は実施
例1に記載する手順に相当する。転換は十分に脱イオン
した水中で行い、現像には、トリエチレンテトラミンの
5%濃度溶液を使用する。転換時間は1分間で、現像時
間は30秒間である。 この実施例は、転換溶液に塩基性物質を加えても、画像
反転寛容度を拡大できることを示している。
【実施例6】下記の組成を有する塗布溶液を調製する。 5    pbwの、分子量20,000の、メタクリ
ル酸−2−ヒドロキシフェニルの高重合体、1.4pb
wの、トリエチレングリコールと2−エチルブチルアル
デヒドの重縮合により得られた、ヒドロキシル価140
のオリゴマー性アセタール、0.2pbwの2−(4−
スチリルフェニル)−4,6−ビストリクロロメチル−
s−トリアジン、0.03pbwのクリスタルバイオレ
ット(C.I.  42555)、100pbwの、実
施例1で使用した溶剤混合物。この溶液を、実施例1と
同様に前処理したアルミニウムシートにスピンコーティ
ングにより塗布した。100℃で2分間乾燥した後、2
.5μmの層厚が得られた。次いで、この複写層に、厚
さ2μmの、ポリビニルアルコール(K値4、残留アセ
チル基含有量12%、DE−A  3715790によ
る)の非感光性カバー層を水溶液から塗布した。この材
料を反転処理に使用した。 連続明暗階段くさびを通して露光:20秒間転換:高温
空気中130℃で1分間、または十分に脱イオンした水
浴中90℃で1分間 原画なしに、予め冷却せずに露光:20秒間下記の現像
液で30秒間現像 5.3pbwのケイ酸ナトリウムx9H2O3.4pb
wのリン酸三ナトリウムx12H2O0.3pbwのリ
ン酸水素ナトリウム(無水)91.0pbwの水 両方の場合で1〜3の工程を再現する。この実施例は、
本発明に係わる方法が、酸により開裂し得るC−O−C
結合による反転処理にも適していることを示している。
【実施例7】下記の組成を有する塗布溶液を調製する。 5    pbwの、実施例6の重合体結合剤、0.5
pbwの、3モルの1,2−ナフトキノンジアジドキノ
ン−2−ジアジド−4−スルホニルクロリドと1モルの
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンとのエステ
ル化成成物、1.2pbwの、実施例6のオリゴマー性
アセタール、0.15pbwの  2−(4−スチリル
フェニル)−4,6−ビストリクロロメチル−s−トリ
アジン、0・03pbwの、実施例6に記載する染料、
100pbwの、実施例1の溶剤混合物。これらの溶液
を、実施例1に記載するようにして前処理したアルミニ
ウムシートに、100℃で2分間乾燥後の層厚が2,0
00nmになる様に塗布した。この複写層に、実施例6
の様に、ポリビニルアルコールのカバー層を塗布した。 露光、反転処理および現像を実施例6と全く同様に行っ
た。高温空気による転換および高温水による転換とも、
階段1〜3を再現した。この実施例は、本発明に係わる
方法が、感光性層が1,2−キノンジアジドおよび酸に
より開裂し得るC−O−C基を有する化合物と露光によ
り強酸を形成する化合物との組合わせを含む、ハイブリ
ッド材料の反転処理にも適していることを示している。
【実施例8】実施例1による反転処理を繰り返したが、
十分に脱イオン化した水の代わりに、各種のグリセロー
ル−水混合物を使用した。転換は浸漬浴中で15秒間行
った。使用した温度および実施例1の現像剤で得られた
結果を第9表に示す。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】層支持体、およびその層支持体に塗布した
    、必須成分として、1,2−キノンジアジドおよび/ま
    たは活性線照射の作用により強酸を形成する化合物と、
    少なくとも一つの酸により開裂し得るC−O−C基を有
    する化合物との混合物を含む、通常は陽画処理感光性ま
    たは照射感応性の層からなる感光性または照射感応記録
    材料に、画像を映す様に照射し、熱処理し、冷却後全体
    を照射し、次いでアルカリ性現像剤で現像する陰画複写
    物の製造方法であって、熱処理を、水または水溶液で、
    50〜100℃の範囲の温度で、約1秒間〜5分間の時
    間内で行い、その記録材料がまだ熱い内に、その全体を
    照射し、その後、約10秒間〜2分間の時間内で現像す
    ることを特徴とする、方法。
  2. 【請求項2】熱処理を約60〜90℃の温度範囲で行う
    ことを特徴とする、請求項1に記載する方法。
  3. 【請求項3】熱処理を約5秒間〜1分間の時間内で行う
    ことを特徴とする、請求項1に記載する方法。
  4. 【請求項4】熱処理を、少なくとも一つの界面活性物質
    を含む水溶液を使用して行うことを特徴とする、請求項
    1に記載する方法。
  5. 【請求項5】水溶液のpH値が5〜8であることを特徴
    とする、請求項1または4に記載する方法。
  6. 【請求項6】水溶液に、pH値が5〜8になる様に緩衝
    剤を加えることを特徴とする、請求項1、4および5の
    いずれか1項に記載する方法。
  7. 【請求項7】水溶液が錯化剤を含むことを特徴とする、
    請求項1に記載する方法。
  8. 【請求項8】水溶液が、その熱伝導性を増加させるため
    の添加物を含むことを特徴とする、請求項1に記載する
    方法。
  9. 【請求項9】水溶液が消泡剤を含むことを特徴とする、
    請求項1に記載する方法。
  10. 【請求項10】水溶液が、その粘度を増加させるための
    添加物を含むことを特徴とする、請求項1に記載する方
    法。
  11. 【請求項11】全体照射を約50〜90℃の温度範囲で
    行うことを特徴とする、請求項1に記載する方法。
  12. 【請求項12】現像を約15秒間〜1分間の時間内で行
    うことを特徴とする、請求項1に記載する方法。
JP2419230A 1989-12-12 1990-12-12 陰画複写物の製造方法 Pending JPH04211264A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3940911A DE3940911A1 (de) 1989-12-12 1989-12-12 Verfahren zur herstellung negativer kopien
DE3940911.2 1989-12-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04211264A true JPH04211264A (ja) 1992-08-03

Family

ID=6395255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2419230A Pending JPH04211264A (ja) 1989-12-12 1990-12-12 陰画複写物の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5227281A (ja)
EP (1) EP0432609B1 (ja)
JP (1) JPH04211264A (ja)
CA (1) CA2031847A1 (ja)
DE (2) DE3940911A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06243514A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Victor Co Of Japan Ltd フォトレジスト現像装置及び現像方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1026834A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 画像形成方法
TW464944B (en) * 1997-01-16 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Baking apparatus and baking method
US6855480B2 (en) 2001-04-19 2005-02-15 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
TW594390B (en) * 2001-05-21 2004-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same
US6644168B1 (en) 2002-08-12 2003-11-11 General Dynamics Armament And Technical Products, Inc. System and method for active control of recoil mechanism
US7036612B1 (en) * 2003-06-18 2006-05-02 Sandia Corporation Controllable magneto-rheological fluid-based dampers for drilling
US7556140B2 (en) * 2006-08-31 2009-07-07 Martin Engineering Company Bulk material handling system
US7669708B2 (en) * 2006-08-31 2010-03-02 Martin Engineering Company Bulk material handling system and control
US8205741B2 (en) 2010-08-06 2012-06-26 Martin Engineering Company Method of adjusting conveyor belt scrapers and open loop control system for conveyor belt scrapers

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL185407B (nl) * 1953-03-11 Mitsui Petrochemical Ind Werkwijze voor het polymeriseren of copolymeriseren van 1-alkenen alsmede katalysatorsamenstelling voor toepassing van deze werkwijze.
DE1447963B2 (de) * 1965-11-24 1972-09-07 KaIIe AG, 6202 Wiesbaden Biebnch Verfahren zur herstellung einer offsetdruckform aus einem vorsensibilisierten druckplattenmaterial
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
GB1375461A (ja) * 1972-05-05 1974-11-27
US4196003A (en) * 1974-02-01 1980-04-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
US4212970A (en) * 1977-11-28 1980-07-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. 2-Halomethyl-5-vinyl-1,3,4-oxadiazole compounds
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
GB2082339B (en) * 1980-08-05 1985-06-12 Horsell Graphic Ind Ltd Lithographic printing plates and method for processing
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE3325022A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
DE3325023A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
IT1169682B (it) * 1983-11-08 1987-06-03 I M G Ind Materiali Grafici Sp Composizione per fotoriproduzioni
US4568631A (en) * 1984-04-30 1986-02-04 International Business Machines Corporation Process for delineating photoresist lines at pattern edges only using image reversal composition with diazoquinone
DE3437687A1 (de) * 1984-10-15 1986-04-17 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zum herstellen negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
CA1254432A (en) * 1984-12-28 1989-05-23 Conrad G. Houle High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist
GB2171530B (en) * 1985-02-27 1989-06-28 Imtec Products Inc Method of producing reversed photoresist images by vapour diffusion
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
DE3528930A1 (de) * 1985-08-13 1987-02-26 Hoechst Ag Polymere verbindungen und diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch
WO1988007705A1 (en) * 1987-03-27 1988-10-06 Horsell Graphic Industries Limited Processing of exposed lithographic printing plates
ZA872295B (ja) * 1986-03-13 1987-09-22
GB2188448B (en) * 1986-03-13 1989-11-15 Horsell Graphic Ind Ltd Reversal processing of exposed lithographic printing plates
DE3711263A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von druckformen
DE3715790A1 (de) * 1987-05-12 1988-11-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US4775609A (en) * 1987-05-18 1988-10-04 Hoescht Celanese Corporation Image reversal
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06243514A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Victor Co Of Japan Ltd フォトレジスト現像装置及び現像方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5227281A (en) 1993-07-13
CA2031847A1 (en) 1991-06-13
EP0432609A3 (en) 1991-12-18
DE59009857D1 (de) 1995-12-14
EP0432609A2 (de) 1991-06-19
EP0432609B1 (de) 1995-11-08
DE3940911A1 (de) 1991-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1399783B1 (en) Method of processing lithographic printing plate precursors
JP3258014B2 (ja) ポジ型放射線感応性混合物およびそれを使用して製造した記録材料
US6190825B1 (en) Polymers containing N-substituted maleimide units and their use in radiation-sensitive mixtures
FI80155C (fi) Straolningskaenslig blandning pao basen av med syra spaltbara foereningar.
KR930010774B1 (ko) 방사선감수성 조성물, 이를 사용하여 제조한 기록물질, 및 내열성 기록 양각 상의 제조방법
JP3235771B2 (ja) 橋かけポリマー
JPH0347493B2 (ja)
JPH04365048A (ja) 感光性組成物
JPH10293398A (ja) 放射線感応性混合物およびそこから製造したオフセット印刷板用の記録材料
JP2761482B2 (ja) 照射感応性混合物、その混合物を使用して製造する照射感応性記録材料およびレリーフ複写の製作方法
KR960015635B1 (ko) 감광성 조성물, 이로부터 제조한 감광성 복사물질 및 네가티브 릴리프 복사물의 생산방법
US5037721A (en) Positive radiation-sensitive mixture containing monomeric acid-cleavable compound and radiation-sensitive recording material produced therefrom
JP2783687B2 (ja) 照射感応性混合物およびこれから製造する照射感応性記録材料
US5401608A (en) Negative-working radiation-sensitive mixture and radiation-sensitive recording material produced therewith
JPH0844064A (ja) ポジ型放射線感応性混合物
US5227281A (en) Process for producing negative copies
US5292626A (en) Developer composition for irradiated, radiation-sensitive positive-working, negative-working and reversible reprographic layers
JP2559852B2 (ja) ポジ型の感放射線性混合物、および該混合物を含有する感放射線性複写材料
US6645700B2 (en) Developer for alkaline-developable lithographic printing plates
JP2002311588A (ja) パターン形成材料及びパターン形成方法
JPH04214564A (ja) 照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法
JPH0853401A (ja) 芳香族ジアゾニウム塩およびそれらの放射線感応性混合物における使用
JP3474196B2 (ja) 放射性感応性組成物及びそれを用いた記録媒体
JP4000407B2 (ja) 酸に不安定な保護基を有するフェノール樹脂
JPH08259627A (ja) ポリマーおよびそれから調製した感光性混合物