JPH04214564A - 照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法 - Google Patents
照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、照射感応性混合物、そこから製
造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造
方法に関する。本発明は、必須成分として水に不溶で、
アルカリ水溶液に可溶な重合体結合剤および1,2−キ
ノンジアジドを含む、通常は陽画作用であるが、処理に
より、陰画作用する照射感応性混合物から出発する。こ
れらの照射感応性混合物は、それらの現像剤溶液中の溶
解度が照射により増加すると陽画作用する。また、公知
の処理方法により、これらの混合物から原画の反転陰画
複写も得られる。この処理様式には、画像露光の後に熱
処理が必要で、その際に、この操作に適した装置内で、
材料を一定温度で一定時間加熱する。これにより、照射
した区域の混合物が現像剤溶解性から通常は最早照射感
応性ではない、現像剤不溶性の状態に転換する。 【0002】陰画処理には、その混合物を含む複写層の
画像照射、熱処理、全面照射、およびそれに続く現像、
の個々の工程が必要である。この方法の変形(US−A
4,544,627)では、熱処理工程で画像識別を行
うが、その手順は、その混合物を含む複写層の全面照射
、例えばIRレーザー光線を使用して画像を形成するよ
うに加熱、および現像である。 【0003】一般的に画像反転の用語で総称されるこの
方法を、混合物に特別な添加剤を加えずに行うことは原
理的には可能であるが(US−A 4,576,90
1に相当するEP−A 131,238)、下記の2
つの効果を有する物質を加えるのが一般的である。すな
わち、一方で、画像反転範囲を広げる必要があり、他方
、転換後に現像剤に不溶になった区域に対する現像剤の
攻撃を少なくする必要があることである。 【0004】画像反転範囲とは、転換を行うことができ
る温度幅または転換に必要な時間の許容幅のことである
。 【0005】使用すべき混合物添加剤は、2つのグルー
プ、すなわち照射により形成されるインデンカーボリッ
ク酸(carboric acid) の存在下で、熱
により感光性混合物中で架橋反応を引き起こす添加剤、
および照射により形成される酸の脱炭酸に必要なエネル
ギーを減少させる添加剤、の2つのグループに分けられ
る(S.A.マクドナルドら、「画像反転、陽画フォト
レジストにおける陰画像の製作」、インターフェース8
2、サンディエゴ1982)。 【0006】第一のグループに含まれる添加剤としては
、レゾール(GB−A2,082,339)、アルコキ
シメチル− またはグリシジル置換した芳香族化合物(
EP−A 0,212,482)、モノマー性または
オリゴマー性メラミン− または尿素−ホルムアルデヒ
ド縮合生成物(EP−A 0,133,216、DE
−A3,711,264)があり、第二のグループには
、沸点が200℃よりも高い第二または第三アミン(U
S−A 4,196,003)、アンモニウム塩(U
S−A 4,696,891に相当するEP−A
0,141,400)およびホスホニウム塩(DE−A
3,437,687)、モナゾリン(US−A
4,104,070に相当するDE−A 2,529
,054)およびN−置換エチレンジアミン(DE−A
2,855,723)、アミノアルコキシ−s−ト
リアジン(DE−A 3,711,263)、トリス
フェノキシ−s−トリアジン(DE−A 3,725
,949)またはキノンまたは芳香族ケトン(US−A
4,356,255)が含まれる。 【0007】第三の方法は、例えば材料をアンモニア雰
囲気にさらす、DE−A3,541,451およびUS
−A 4,775,609に記載する様な、画像反転
範囲を広くするための添加剤が最初から照射感応性層に
は存在せず、画像照射と熱処理との間で加える方法であ
る。 【0008】酸触媒架橋反応に関与する第一のグループ
の混合物添加剤は、一般に第二のグループの添加剤より
も、混合物の貯蔵寿命をより強く損なうので、第二のグ
ループの添加剤の方が好ましい。 【0009】画像反転用に工業界で必要とされる処理範
囲の幅は、例えばDE−A 3,711,263に記
載されるアミノアルコキシ−s−トリアジンの様な第二
グループの添加剤により達成される。しかし、転換され
た画像区域に対する現像剤溶液の攻撃性がなお比較的高
いことが難点である。このために、陰画潜像を現像する
時に、フォトレジストのかなりの部分がこれらの区域で
除去されることがある。その結果、この様にして製作し
た印刷版で得られる印刷部数は少なく、現像剤は大量の
転換されたレジスト材料を含み、そのために現像剤中の
レジストの溶解性が制限され、現像剤が早期に使用不可
能になる。 【0010】そこで、本発明の目的は、貯蔵寿命が長く
、画像反転範囲が広く、転換後は、公知の混合物よりも
現像剤による攻撃が少ない照射感応性混合物を提供する
ことである。 【0011】本発明は、必須成分として水に不溶で、ア
ルカリ水溶液に可溶な結合剤、1,2−キノンジアジド
、および熱処理により露光した区域の現像剤溶解性を低
くする化合物を含む照射感応性混合物から出発する。 この混合物は、現像剤溶解性を低下させる化合物として
、少なくとも一つの、式I で表され、ここで、 R1 が水素またはメチルであり、 R2 が水素、アルキル、置換した、または置換してい
ないアリール、または置換した、または置換していない
していないアリールアミノカルボニルであり、R3 が
置換した、または置換していないアリーレンまたはアリ
ーレンアルキレンであり、 Qが水素、−CH4−p 、CR5 R6 であって、
R5 およびR6 は同一でも異なっていてもよく、水
素、アルキルまたはアリール、カルボニル、酸素または
硫黄原子またはスルホニルであり、 mが1、2または3であり、 nが≧1および≦50の数であり、 pが1、2または3である ウレタンを含む。 【0012】好ましい化合物は、式I で表され、R1
が水素またはメチルであり、 R2 が水素、C1 −C2 アルキル、アルキルで置
換できるフェニル、ナフチル、またはフェニルアミノカ
ルボニルであり、 R3 がアルキルで置換できるフェニレンであり、Qが
水素、またはメチレンであり、 mが1または2であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1または2である。 【0013】特に好ましい化合物は、式I で表され、
R1 が水素であり、 R2 がアルキルで置換できるフェニル、フェニルアミ
ノカルボニルであり、 R3 がフェニレンであり、 Qが水素であり、 mが1であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1である。 【0014】本発明に係わるウレタン化合物の調製は、
簡単な方法で、相当する単または二官能アルコールを単
、二または三官能のイソシアネートと反応させることに
より行う。 【0015】本発明に係わるウレタン化合物の例として
は、エチレングリコールモノメチルまたは −エチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルまたは −エ
チルエーテル、ジ− 、トリ− またはテトラエチレン
またはプロピレングリコールモノメチル、 −エチルま
たは −ブチルエーテル、ヘキストAG製のゲナポール
R タイプの様な脂肪族アルコールエトキシレート、ノ
ニルフェノールエトキシレート(アルコパルR−N、ヘ
キストAG)の様なアルキルフェノールエトキシレート
、サポゲナートR −T(ヘキストAG)の様なトリブ
チルフェノールエトキシレート、エチレンオキシド/プ
ロピレンオキシド共重合体のモノブチルエーテル(ポリ
グリコールR −Bタイプ、ヘキストAG)などの単官
能アルコール、および/またはモノ− 、ジ− 、トリ
− 、テトラ−、ペンタエチレンまたはプロピレングリ
コール、ヘキストAGまたはBASFAG製のゲナポー
ルR −PFまたはプルリオールR −PEタイプの様
なエチレン/プロピレンブロック重合体などの二官能ア
ルコールと、フェニル、3−または4−クロロフェニル
、3,4−ジクロロフェニル、3−トリフルオロメチル
フェニル、4−メチルフェニル、4−イソプロピルフェ
ニル、1−ナフチルイソシアネートなどの単官能イソシ
アネート、および/または2,4−または2,6−トル
エンジイソシアネート、4,4’ −または2,4’
または2,2’ −ジフェニルメタンジイソシアネート
、または1,5−ナフチルジイソシアネートなどの二官
能イソシアネート、および/またはトリフェニルメタン
トリイソシアネート、トリメチルプロパンとトルエンジ
イソシアネートからの付加物(デスモジュールR 、バ
イエルAG)の様な三官能イソシアネートとの反応生成
物である。 【0016】照射感応性混合物中の、本発明に係わるウ
レタンの濃度は、比較的広い範囲で変えることができる
。一般に、その量は、照射感応性混合物の不揮発成分の
重量に対して、0.5〜30、好ましくは1〜25重量
%である。以下に、照射感応性混合物および層の組成、
基材の種類、および記録材料処理の製造工程をさらに詳
細に説明する。 【0017】本発明に係わる照射感応性混合物は、1,
2−キノンジアジドとして好ましくは、4−または5−
位置にアリールオキシスルホニル基の様な電気的に陰性
な置換基を有する1,2−ナフトキノン 2−ジアジ
ド誘導体を含む。使用する1,2−キノンジアジドは、
特に1,2−ナフトキノン 2−ジアジドの4−スル
ホン酸エステルまたはスルホンアミドである。この種の
好適な化合物は公知であり、例えばGB−B 739
,654に相当するDE−C 938,233および
GB−B 1,561,438に相当するDE−A
2,547,905に記載されている。 【0018】1,2−キノンジアジドの量は、その混合
物の全固体含有量に対して、一般に3〜50、好ましく
は7〜35重量%である。 【0019】使用する結合剤は、遊離フェノール性水酸
基を有する重縮合生成物または重合体で、フェノール性
水酸基の量は、好ましくは結合剤1gあたり1〜10m
molである。重縮合生成物の例としては、ノボラック
型のフェノール樹脂またはヒドロキシル置換したアラミ
ドがある。重合体の例としては、ビニルフェノールの単
独重合体および共重合体(US−A 3,869,2
92に相当するDE−A2,322,230およびUS
−A 4,678,737に相当するDE−A3,4
06,927)、アクリル酸のフェノールエステルの重
合体(JP−A76/36129およびEP−A 0
,212,439)またはヒドロキシフェニルマレイミ
ドの共重合体(EP−A 0,187,517)があ
る。これらの結合剤のガラス転位温度は、用途に応じて
異なる。張り合わせし易い必要があるドライレジスト用
途には、≦100℃のガラス転位温度が有利である。平
版印刷またはマイクロエレクトロニクス回路の製造には
、≧100℃のガラス転位温度が好ましい。結合剤の量
は、一般に混合物の不揮発成分の20〜90重量、好ま
しくは50〜85重量である。 【0020】さらに、それ自体コモノマーで変性してあ
ってもよい、数多くの他のオリゴマーおよび重合体、例
えばポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル
、ポリアクリル酸エステル、ポリビニルエーテルおよび
ポリビニルピロリドンの様なビニル重合体も使用するこ
とができる。 【0021】これらの添加剤の最も好ましい比率は、応
用技術的な必要条件および現像条件に対する影響により
異なるが、一般に懸垂フェノール基を有する結合剤の2
0重量%以下である。可撓性、密着性、光沢、等の特殊
な必要条件を満たすためには、照射感応性層は、さらに
、ポリグリコール、セルロースエーテルの様な物質、例
えばエチルセルロース、湿潤剤、微粒の顔料を少量含む
こともできる。 【0022】さらに、可溶な、あるいは微粒で分散可能
な染料および、用途に応じて、UV吸収剤を照射感応性
混合物に加えることもできる。 【0023】混合物に加える染料の種類に応じて、露光
の直後に記録材料上に原画の目に見える複写を得るため
に、光化学的酸形成剤を加えて露光コントラストを高く
するのが好ましい場合がある。 【0024】露光により強酸を形成する好適な照射感応
性成分としては、ホスホニウム、スルホニウム、および
イオドニウム塩、ハロゲン化合物および有機金属−有機
ハロゲンの組合わせの様な、多数の公知の化合物および
混合物がある。 【0025】原則として、光化学的フリーラジカル開始
剤と呼ばれるすべての有機ハロゲン化合物、例えば少な
くとも一つのハロゲン原子を炭素または芳香族環の上に
含む化合物を、ヒドロハリック酸(hydrohali
c acid)を形成するハロゲン含有感光性化合物と
して効果的に使用することができる(US−A 3,
779,778)。 これらの化合物の中で、US−A 4,189,32
3に相当するDE−A2,718,259に開示されて
いる様な、ハロメチル基、特にトリクロロメチル基を含
み、トリアジン環上に芳香族または不飽和置換基を含む
、s−トリアジン誘導体が好ましい。また、2−トリク
ロロメチル−1,2,4−オキサジアゾール(US−A
4,212,970に相当するDE−A 2,8
51,471)も好ましい。これらのハロゲン含有化合
物の効果は、公知の増感剤によってもスペクトル的な影
響を受け、増加し得る。 【0026】本発明は、基材、およびその基材に塗布し
た、本発明に係わる照射感応性混合物を含む照射感応性
層からなる照射感応性記録材料にも関する。 【0027】好適な層基材に塗布するために、混合物は
一般に溶剤に溶解する。溶剤の選択は、意図する塗布方
法、層の厚さおよび乾燥条件と適合していなければなら
ない。本発明に係わる混合物に好適な溶剤は、メチルエ
チルケトンの様なケトン、トリクロロエチレンおよび1
,1,1−トリクロロエタンの様な塩素化炭化水素、n
−プロパノールの様なアルコール、テトラヒドロフラン
の様なエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルの様なアルコールエーテル、および酢酸ブチルの様な
エステルである。また、特殊目的用のアセトニトリル、
ジオキサンまたはジメチルホルムアミドの様な溶剤をさ
らに含む混合物を使用することもできる。原則として、
層成分と不可逆的に反応しなければ、どの様な溶剤でも
使用できる。グリコールの部分エーテル、特にエチレン
グリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルを単独で、または混合物として
使用するのが特に好ましい。 【0028】約10μm 未満の層厚には、通常、層基
材として金属を使用する。オフセット印刷版には、圧延
し、機械的および/または電気化学的に粗粒化し、この
目的のために陽極酸化し、さらに化学的に、例えばポリ
ビニルホスホン酸、ケイ酸塩、リン酸塩、ヘキサフルオ
ロジルコニウム酸塩または加水分解テトラエチルオルト
ケイ酸塩で前処理したアルミニウムを使用することがで
きる。 【0029】層基材は、公知の方法で、スピンコーティ
ング、スプレー、浸し塗り、ローラー塗布、平フィルム
ダイス、ナイフまたはカーテン塗布により塗布する。 【0030】露光には、蛍光ランプ、キセノンパルスラ
ンプ、金属ハロゲン化物でドーピングした高圧水銀蒸気
ランプおよびカーボンアークランプの様な通常の光源を
使用することができる。 【0031】露光または照射とは、本明細書では、約5
00nm未満の波長領域における活性線電磁照射の作用
を意味する。この波長領域で照射する照射源はすべて原
則的に好適である。 【0032】レーザー光線装置、特に照射源として例え
ばアルゴンまたはクリプトンイオンレーザーを備えた自
動処理機構を使用するのも有利である。さらに照射は、
電子線で行うこともでき、X線も画像形成に使用できる
。 【0033】画像を映す様に露光または照射した層は、
公知の方法で、市販のナフトキノンジアジド層および複
写レジスト用に公知の現像剤と同じ現像剤で除去するこ
とができる、あるいは本発明に係わる材料は、その複写
特性において、現像装置およびプログラム化したスプレ
ー現像装置の様な公知の手段にも効率的に適用すること
ができる。現像剤水溶液は、例えば、アルカリ金属リン
酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩またはアルカリ金属水酸化
物および、さらに、湿潤剤および必要であれば少量の有
機溶剤を含むこともできる。また、場合によっては、溶
剤/水の混合物を現像剤として使用することもできる。 最も好ましい現像剤の選択は、特定の場合に使用する層
で実験することにより決定できる。必要であれば、現像
を機械的に促進することもできる。 【0034】印刷版用途には、GB−B 1,154
,749号からジアゾ層に関して公知の様に、現像した
版を短時間、高温に加熱し、印刷時の耐性を高めると共
に、洗い流し剤、補正液およびUV硬化性印刷インクに
対する耐性をも高めることができる。 【0035】すでに冒頭で述べたように、本発明に係わ
る照射感応性記録材料は、通常は陽画作用材料として処
理できる。しかし、この記録材料は、陰画処理様式およ
び両処理様式の組合わせ(写真植字)として使用するこ
ともできる。本発明に係わる材料は、基材およびその基
材に塗布した照射感応性層からなる、通常は陽画作用照
射感応性型の記録材料を、画像を移すように露光し、熱
処理し、原画を使用せずに層全体を露光し、その後現像
剤で現像する、陰画記録材料の製作に特に適しており、
その際、請求項8に記載する照射感応性記録材料を使用
し、熱処理を80〜150℃の温度で10秒間〜5分間
行う。 【0036】本発明により、貯蔵寿命が長く、照射感応
性が良く、技術的に望ましい広い画像反転範囲を有し、
転換後の画像区域は公知の材料よりも耐現像剤性がはる
かに高い。 【0037】好ましい実施形態の例を以下に示す。これ
らの実施例では、重量部(pbw) および体積部(p
bv) は、g対立方cmの比になっている。他に指示
が無い限り、百分率および量比率は重量の単位で表すも
のとする。 実施例1 塗布溶液を、約 8.0pbw の、平均分子量が6,000のm−クレ
ゾール−ホルムアルデヒド型ノボラック、 1.6pbw の、1モルの4−クロロスルホニル−1
,2−ナフトキノン2−ジアジドおよび1モルのp−ク
ミルフェノールから得たエステル交換反応生成物、0.
4pbw の、表1および2の添加剤、0.1pbw
のクリスタルバイオレット、カラーインデックス(C.
I.)42555、 0.02pbw のスダンイエローGGN、C.I.1
1021、および 100pbw のテトラヒドロフランおよびプロピレン
グリコールモノメチルエーテル(55:45)の溶剤混
合物から調製する。 【0038】この溶液を、塩酸中で粗粒化し、硫酸中で
陽極酸化し、ポリビニルホスホン酸で疎水化したアルミ
ニウムにスピンコーティングにより塗布する。 【0039】100℃で2分間乾燥することにより、2
μm の層厚が得られる。 【0040】この印刷版を、各0.15の13濃度段階
を有する連続明暗くさび(ヘキストAG製の階段くさび
BK01)を通して、110cmの距離から、5kWの
ハロゲン化金属ランプの下で65秒間露光し、空気循環
炉中で130℃で2分間転換させ、原画を使用せずに4
5秒間全面露光し、次いで下記の現像剤で1分間現像す
る。 7.6pbw のK2 SiO3
表2は、完全に被覆した階段から、曇りを生じ
る最初の階段までの、連続明暗くさびの再現を示す。ま
た、この表は、画像露光の後に現像を行った場合に、す
なわち陽画処理を行った場合に、どの階段の被覆が無く
なるかを示す。 【0041】表1:本発明に係わるウレタン化合物【0
042】 【表1】 【0043】 【表2】 【0044】 【表3】
実施例 No. 添加剤
陰画処理
陽画処理1−1
1(表1) 2−5
21−2
2
2−5
21−3 3
2−5
21−4
4
2−5 21−5
5
2−5
21−6 6
2−5
21−7
7
2−5
21−8 8
2−5
21−9
9
2−5 21−1
0 10
2−5
21−11 11
2−5
21−12
12 2
−5 21−13
13
2−5
21−14 14
2−5
21−15
15 2−
5 21−16
16
2−5
21−17 17
2−5
21−18
18 2−5
21−19
19
2−5
21−20 20
2−5
21−21 2−ジエチルア
ミノ−4,6− 2−5
2 ジエトキシ−s
−トリアジン 層にひどい攻撃
DE−A 3,711,263
による 1−22 ヘキサキス
1−4
2 (メトキシメチル
)メラミン 層に中〜強度の攻撃
EP−A 0,133,216
による
これらの結果から、すべ
ての場合で陽画処理は困難なく行うことができるが、陰
画処理は、本発明に係わる添加剤の存在下でのみ、転換
画像区域がひどい攻撃を受けずに行えることが分かる。 【0045】自動オフセット印刷機で、これらの陽画お
よび陰画処理した印刷版の幾つかについて印刷部数を測
定した。 【0046】 実施例
印刷部数
No. 陽画処理
陰画処理
1−5 90,00
0 80,000
1−6 90,000
80,000 1−14
90,000 80
,000 1−17
90,000 80,000
1−21 (DE−A 3,711,263)
90,000 50,000
1−22 (EP−A 133,216)
90,000 60,000 これらの結果から、本発明に係わる添加剤を含む照射感
応性層を有する印刷版の場合、陰画処理で得られる印刷
部数は、陽画処理で得られる印刷部数とほとんど変わら
ないことが分かる。対照的に、画像区域が陰画処理の際
に現像剤により攻撃された比較用印刷版では、陰画処理
における印刷部数が陽画処理のそれよりも著しく低下し
ている。 【0047】さらに、多数の板について、陰画処理にお
ける処理範囲を測定した。これは、陰画処理における熱
処理の温度を変えた以外は、上記の様にして板を調製し
て行った。 【0048】結果を下記の表に示す。 【0049】 実施例 No.
陰画処理における温度範囲(℃)
1−5
105 − 150
1−6 10
5 − 150
1−10 100 − 1
50 1−17
105 − 150
1−21
100 − 150
(DE−A 3,711,263) 層
が全体的に攻撃されている
1−22 130 −
150 (EP−A 13
3,216) 層が全体的に攻撃さ
れている これらの結果から、本発明に係わる添加剤により、酸触
媒で硬化する添加剤よりも明らかに優れているトリアジ
ン誘導体(DE−A 3,711,263)の処理範
囲に匹敵する処理範囲が得られることが分かる。 【0050】長期間の安定性を試験するために、板を被
覆乾燥室中に100℃に保管し、0.5時間の間隔で試
料を取り出し、上記の様に陽画処理した。貯蔵安定性は
、欠陥の無い処理が可能な、すなわち現像特性が損なわ
れない保管期間として表す。この試験は3時間で打ち切
った。 【0051】 これらの値から、本発明に係わる添加剤により得られる
層の貯蔵安定性は、三触媒で硬化する添加剤の貯蔵安定
性よりもはるかに高く、したがって、実際の必要条件を
満たしていることが分かる。 実施例2 塗布溶液を、約 1.700pbw の、1モルの2,3,4−トリヒド
ロキシベンゾフェノンおよび1モルの4−クロロスルホ
ニル−1,2−ナフトキノン 2−ジアジドから得た
エステル交換反応生成物、 0.600pbw の、表3の添加剤、8.500pb
w の、軟化点127〜145℃のクレゾール−ホルム
アルデヒド型ノボラック、 0.060pbw の2,4−ビス(トリクロロメチル
)−6−p−スチルベニル−s−トリアジン、0.07
0pbw のクリスタルバイオレット、C.I.425
55、 70.00pbw のプロピレングリコールモノメチル
エーテルおよび 70.00pbw のテトラヒドロフランから調製する
。 【0052】この溶液を、実施例1と同様に処理したア
ルミニウムホイルにスピンコーティングにより塗布し、
乾燥して2μm の層厚を得る。 【0053】実施例1と同じ試験を、同じ条件下で、同
じ現像剤を使用して行う。その結果を表3に示す。 【0054】表3
実施例
添加剤No. 連続明暗くさび 陰画処理の
貯蔵 印刷部数 No. No.
(表1) 評価 温度
範囲 安定性 陽画 陰画
陰画 陽
画 (時間)
2−1 5
1−4 3 110−150
〉3 n.d. n.d.2
−2 6 1−4 3
110−150 〉3 90,00
0 80,0002−3 16
1−4 3 110−150
〉3 n.d. n.d.2−4
17 1−4 3
110−150 〉3 90,000
80,0002−5 18
1−4 3 110−150 〉
3 90,000 80,0002−6 2
−ジエチル− 1−4 3 110−
150 〉3 90,000 50,
000 アミノ−4,6− 層が強
く ジエトキシ−s− 攻撃されている
トリアジン 2−7 ヘキサキス− 1−4 3
130−150 〉2 90,000
60,000 メトキシ−
層が攻撃 メチル− さ
れている メラミン
この試
験の結果も、アルカリ性の強い現像剤を使用する場合、
本発明に係わる添加剤が、陰画処理で最良の全体的な特
性を発揮することを示している。
造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造
方法に関する。本発明は、必須成分として水に不溶で、
アルカリ水溶液に可溶な重合体結合剤および1,2−キ
ノンジアジドを含む、通常は陽画作用であるが、処理に
より、陰画作用する照射感応性混合物から出発する。こ
れらの照射感応性混合物は、それらの現像剤溶液中の溶
解度が照射により増加すると陽画作用する。また、公知
の処理方法により、これらの混合物から原画の反転陰画
複写も得られる。この処理様式には、画像露光の後に熱
処理が必要で、その際に、この操作に適した装置内で、
材料を一定温度で一定時間加熱する。これにより、照射
した区域の混合物が現像剤溶解性から通常は最早照射感
応性ではない、現像剤不溶性の状態に転換する。 【0002】陰画処理には、その混合物を含む複写層の
画像照射、熱処理、全面照射、およびそれに続く現像、
の個々の工程が必要である。この方法の変形(US−A
4,544,627)では、熱処理工程で画像識別を行
うが、その手順は、その混合物を含む複写層の全面照射
、例えばIRレーザー光線を使用して画像を形成するよ
うに加熱、および現像である。 【0003】一般的に画像反転の用語で総称されるこの
方法を、混合物に特別な添加剤を加えずに行うことは原
理的には可能であるが(US−A 4,576,90
1に相当するEP−A 131,238)、下記の2
つの効果を有する物質を加えるのが一般的である。すな
わち、一方で、画像反転範囲を広げる必要があり、他方
、転換後に現像剤に不溶になった区域に対する現像剤の
攻撃を少なくする必要があることである。 【0004】画像反転範囲とは、転換を行うことができ
る温度幅または転換に必要な時間の許容幅のことである
。 【0005】使用すべき混合物添加剤は、2つのグルー
プ、すなわち照射により形成されるインデンカーボリッ
ク酸(carboric acid) の存在下で、熱
により感光性混合物中で架橋反応を引き起こす添加剤、
および照射により形成される酸の脱炭酸に必要なエネル
ギーを減少させる添加剤、の2つのグループに分けられ
る(S.A.マクドナルドら、「画像反転、陽画フォト
レジストにおける陰画像の製作」、インターフェース8
2、サンディエゴ1982)。 【0006】第一のグループに含まれる添加剤としては
、レゾール(GB−A2,082,339)、アルコキ
シメチル− またはグリシジル置換した芳香族化合物(
EP−A 0,212,482)、モノマー性または
オリゴマー性メラミン− または尿素−ホルムアルデヒ
ド縮合生成物(EP−A 0,133,216、DE
−A3,711,264)があり、第二のグループには
、沸点が200℃よりも高い第二または第三アミン(U
S−A 4,196,003)、アンモニウム塩(U
S−A 4,696,891に相当するEP−A
0,141,400)およびホスホニウム塩(DE−A
3,437,687)、モナゾリン(US−A
4,104,070に相当するDE−A 2,529
,054)およびN−置換エチレンジアミン(DE−A
2,855,723)、アミノアルコキシ−s−ト
リアジン(DE−A 3,711,263)、トリス
フェノキシ−s−トリアジン(DE−A 3,725
,949)またはキノンまたは芳香族ケトン(US−A
4,356,255)が含まれる。 【0007】第三の方法は、例えば材料をアンモニア雰
囲気にさらす、DE−A3,541,451およびUS
−A 4,775,609に記載する様な、画像反転
範囲を広くするための添加剤が最初から照射感応性層に
は存在せず、画像照射と熱処理との間で加える方法であ
る。 【0008】酸触媒架橋反応に関与する第一のグループ
の混合物添加剤は、一般に第二のグループの添加剤より
も、混合物の貯蔵寿命をより強く損なうので、第二のグ
ループの添加剤の方が好ましい。 【0009】画像反転用に工業界で必要とされる処理範
囲の幅は、例えばDE−A 3,711,263に記
載されるアミノアルコキシ−s−トリアジンの様な第二
グループの添加剤により達成される。しかし、転換され
た画像区域に対する現像剤溶液の攻撃性がなお比較的高
いことが難点である。このために、陰画潜像を現像する
時に、フォトレジストのかなりの部分がこれらの区域で
除去されることがある。その結果、この様にして製作し
た印刷版で得られる印刷部数は少なく、現像剤は大量の
転換されたレジスト材料を含み、そのために現像剤中の
レジストの溶解性が制限され、現像剤が早期に使用不可
能になる。 【0010】そこで、本発明の目的は、貯蔵寿命が長く
、画像反転範囲が広く、転換後は、公知の混合物よりも
現像剤による攻撃が少ない照射感応性混合物を提供する
ことである。 【0011】本発明は、必須成分として水に不溶で、ア
ルカリ水溶液に可溶な結合剤、1,2−キノンジアジド
、および熱処理により露光した区域の現像剤溶解性を低
くする化合物を含む照射感応性混合物から出発する。 この混合物は、現像剤溶解性を低下させる化合物として
、少なくとも一つの、式I で表され、ここで、 R1 が水素またはメチルであり、 R2 が水素、アルキル、置換した、または置換してい
ないアリール、または置換した、または置換していない
していないアリールアミノカルボニルであり、R3 が
置換した、または置換していないアリーレンまたはアリ
ーレンアルキレンであり、 Qが水素、−CH4−p 、CR5 R6 であって、
R5 およびR6 は同一でも異なっていてもよく、水
素、アルキルまたはアリール、カルボニル、酸素または
硫黄原子またはスルホニルであり、 mが1、2または3であり、 nが≧1および≦50の数であり、 pが1、2または3である ウレタンを含む。 【0012】好ましい化合物は、式I で表され、R1
が水素またはメチルであり、 R2 が水素、C1 −C2 アルキル、アルキルで置
換できるフェニル、ナフチル、またはフェニルアミノカ
ルボニルであり、 R3 がアルキルで置換できるフェニレンであり、Qが
水素、またはメチレンであり、 mが1または2であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1または2である。 【0013】特に好ましい化合物は、式I で表され、
R1 が水素であり、 R2 がアルキルで置換できるフェニル、フェニルアミ
ノカルボニルであり、 R3 がフェニレンであり、 Qが水素であり、 mが1であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1である。 【0014】本発明に係わるウレタン化合物の調製は、
簡単な方法で、相当する単または二官能アルコールを単
、二または三官能のイソシアネートと反応させることに
より行う。 【0015】本発明に係わるウレタン化合物の例として
は、エチレングリコールモノメチルまたは −エチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルまたは −エ
チルエーテル、ジ− 、トリ− またはテトラエチレン
またはプロピレングリコールモノメチル、 −エチルま
たは −ブチルエーテル、ヘキストAG製のゲナポール
R タイプの様な脂肪族アルコールエトキシレート、ノ
ニルフェノールエトキシレート(アルコパルR−N、ヘ
キストAG)の様なアルキルフェノールエトキシレート
、サポゲナートR −T(ヘキストAG)の様なトリブ
チルフェノールエトキシレート、エチレンオキシド/プ
ロピレンオキシド共重合体のモノブチルエーテル(ポリ
グリコールR −Bタイプ、ヘキストAG)などの単官
能アルコール、および/またはモノ− 、ジ− 、トリ
− 、テトラ−、ペンタエチレンまたはプロピレングリ
コール、ヘキストAGまたはBASFAG製のゲナポー
ルR −PFまたはプルリオールR −PEタイプの様
なエチレン/プロピレンブロック重合体などの二官能ア
ルコールと、フェニル、3−または4−クロロフェニル
、3,4−ジクロロフェニル、3−トリフルオロメチル
フェニル、4−メチルフェニル、4−イソプロピルフェ
ニル、1−ナフチルイソシアネートなどの単官能イソシ
アネート、および/または2,4−または2,6−トル
エンジイソシアネート、4,4’ −または2,4’
または2,2’ −ジフェニルメタンジイソシアネート
、または1,5−ナフチルジイソシアネートなどの二官
能イソシアネート、および/またはトリフェニルメタン
トリイソシアネート、トリメチルプロパンとトルエンジ
イソシアネートからの付加物(デスモジュールR 、バ
イエルAG)の様な三官能イソシアネートとの反応生成
物である。 【0016】照射感応性混合物中の、本発明に係わるウ
レタンの濃度は、比較的広い範囲で変えることができる
。一般に、その量は、照射感応性混合物の不揮発成分の
重量に対して、0.5〜30、好ましくは1〜25重量
%である。以下に、照射感応性混合物および層の組成、
基材の種類、および記録材料処理の製造工程をさらに詳
細に説明する。 【0017】本発明に係わる照射感応性混合物は、1,
2−キノンジアジドとして好ましくは、4−または5−
位置にアリールオキシスルホニル基の様な電気的に陰性
な置換基を有する1,2−ナフトキノン 2−ジアジ
ド誘導体を含む。使用する1,2−キノンジアジドは、
特に1,2−ナフトキノン 2−ジアジドの4−スル
ホン酸エステルまたはスルホンアミドである。この種の
好適な化合物は公知であり、例えばGB−B 739
,654に相当するDE−C 938,233および
GB−B 1,561,438に相当するDE−A
2,547,905に記載されている。 【0018】1,2−キノンジアジドの量は、その混合
物の全固体含有量に対して、一般に3〜50、好ましく
は7〜35重量%である。 【0019】使用する結合剤は、遊離フェノール性水酸
基を有する重縮合生成物または重合体で、フェノール性
水酸基の量は、好ましくは結合剤1gあたり1〜10m
molである。重縮合生成物の例としては、ノボラック
型のフェノール樹脂またはヒドロキシル置換したアラミ
ドがある。重合体の例としては、ビニルフェノールの単
独重合体および共重合体(US−A 3,869,2
92に相当するDE−A2,322,230およびUS
−A 4,678,737に相当するDE−A3,4
06,927)、アクリル酸のフェノールエステルの重
合体(JP−A76/36129およびEP−A 0
,212,439)またはヒドロキシフェニルマレイミ
ドの共重合体(EP−A 0,187,517)があ
る。これらの結合剤のガラス転位温度は、用途に応じて
異なる。張り合わせし易い必要があるドライレジスト用
途には、≦100℃のガラス転位温度が有利である。平
版印刷またはマイクロエレクトロニクス回路の製造には
、≧100℃のガラス転位温度が好ましい。結合剤の量
は、一般に混合物の不揮発成分の20〜90重量、好ま
しくは50〜85重量である。 【0020】さらに、それ自体コモノマーで変性してあ
ってもよい、数多くの他のオリゴマーおよび重合体、例
えばポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル
、ポリアクリル酸エステル、ポリビニルエーテルおよび
ポリビニルピロリドンの様なビニル重合体も使用するこ
とができる。 【0021】これらの添加剤の最も好ましい比率は、応
用技術的な必要条件および現像条件に対する影響により
異なるが、一般に懸垂フェノール基を有する結合剤の2
0重量%以下である。可撓性、密着性、光沢、等の特殊
な必要条件を満たすためには、照射感応性層は、さらに
、ポリグリコール、セルロースエーテルの様な物質、例
えばエチルセルロース、湿潤剤、微粒の顔料を少量含む
こともできる。 【0022】さらに、可溶な、あるいは微粒で分散可能
な染料および、用途に応じて、UV吸収剤を照射感応性
混合物に加えることもできる。 【0023】混合物に加える染料の種類に応じて、露光
の直後に記録材料上に原画の目に見える複写を得るため
に、光化学的酸形成剤を加えて露光コントラストを高く
するのが好ましい場合がある。 【0024】露光により強酸を形成する好適な照射感応
性成分としては、ホスホニウム、スルホニウム、および
イオドニウム塩、ハロゲン化合物および有機金属−有機
ハロゲンの組合わせの様な、多数の公知の化合物および
混合物がある。 【0025】原則として、光化学的フリーラジカル開始
剤と呼ばれるすべての有機ハロゲン化合物、例えば少な
くとも一つのハロゲン原子を炭素または芳香族環の上に
含む化合物を、ヒドロハリック酸(hydrohali
c acid)を形成するハロゲン含有感光性化合物と
して効果的に使用することができる(US−A 3,
779,778)。 これらの化合物の中で、US−A 4,189,32
3に相当するDE−A2,718,259に開示されて
いる様な、ハロメチル基、特にトリクロロメチル基を含
み、トリアジン環上に芳香族または不飽和置換基を含む
、s−トリアジン誘導体が好ましい。また、2−トリク
ロロメチル−1,2,4−オキサジアゾール(US−A
4,212,970に相当するDE−A 2,8
51,471)も好ましい。これらのハロゲン含有化合
物の効果は、公知の増感剤によってもスペクトル的な影
響を受け、増加し得る。 【0026】本発明は、基材、およびその基材に塗布し
た、本発明に係わる照射感応性混合物を含む照射感応性
層からなる照射感応性記録材料にも関する。 【0027】好適な層基材に塗布するために、混合物は
一般に溶剤に溶解する。溶剤の選択は、意図する塗布方
法、層の厚さおよび乾燥条件と適合していなければなら
ない。本発明に係わる混合物に好適な溶剤は、メチルエ
チルケトンの様なケトン、トリクロロエチレンおよび1
,1,1−トリクロロエタンの様な塩素化炭化水素、n
−プロパノールの様なアルコール、テトラヒドロフラン
の様なエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルの様なアルコールエーテル、および酢酸ブチルの様な
エステルである。また、特殊目的用のアセトニトリル、
ジオキサンまたはジメチルホルムアミドの様な溶剤をさ
らに含む混合物を使用することもできる。原則として、
層成分と不可逆的に反応しなければ、どの様な溶剤でも
使用できる。グリコールの部分エーテル、特にエチレン
グリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルを単独で、または混合物として
使用するのが特に好ましい。 【0028】約10μm 未満の層厚には、通常、層基
材として金属を使用する。オフセット印刷版には、圧延
し、機械的および/または電気化学的に粗粒化し、この
目的のために陽極酸化し、さらに化学的に、例えばポリ
ビニルホスホン酸、ケイ酸塩、リン酸塩、ヘキサフルオ
ロジルコニウム酸塩または加水分解テトラエチルオルト
ケイ酸塩で前処理したアルミニウムを使用することがで
きる。 【0029】層基材は、公知の方法で、スピンコーティ
ング、スプレー、浸し塗り、ローラー塗布、平フィルム
ダイス、ナイフまたはカーテン塗布により塗布する。 【0030】露光には、蛍光ランプ、キセノンパルスラ
ンプ、金属ハロゲン化物でドーピングした高圧水銀蒸気
ランプおよびカーボンアークランプの様な通常の光源を
使用することができる。 【0031】露光または照射とは、本明細書では、約5
00nm未満の波長領域における活性線電磁照射の作用
を意味する。この波長領域で照射する照射源はすべて原
則的に好適である。 【0032】レーザー光線装置、特に照射源として例え
ばアルゴンまたはクリプトンイオンレーザーを備えた自
動処理機構を使用するのも有利である。さらに照射は、
電子線で行うこともでき、X線も画像形成に使用できる
。 【0033】画像を映す様に露光または照射した層は、
公知の方法で、市販のナフトキノンジアジド層および複
写レジスト用に公知の現像剤と同じ現像剤で除去するこ
とができる、あるいは本発明に係わる材料は、その複写
特性において、現像装置およびプログラム化したスプレ
ー現像装置の様な公知の手段にも効率的に適用すること
ができる。現像剤水溶液は、例えば、アルカリ金属リン
酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩またはアルカリ金属水酸化
物および、さらに、湿潤剤および必要であれば少量の有
機溶剤を含むこともできる。また、場合によっては、溶
剤/水の混合物を現像剤として使用することもできる。 最も好ましい現像剤の選択は、特定の場合に使用する層
で実験することにより決定できる。必要であれば、現像
を機械的に促進することもできる。 【0034】印刷版用途には、GB−B 1,154
,749号からジアゾ層に関して公知の様に、現像した
版を短時間、高温に加熱し、印刷時の耐性を高めると共
に、洗い流し剤、補正液およびUV硬化性印刷インクに
対する耐性をも高めることができる。 【0035】すでに冒頭で述べたように、本発明に係わ
る照射感応性記録材料は、通常は陽画作用材料として処
理できる。しかし、この記録材料は、陰画処理様式およ
び両処理様式の組合わせ(写真植字)として使用するこ
ともできる。本発明に係わる材料は、基材およびその基
材に塗布した照射感応性層からなる、通常は陽画作用照
射感応性型の記録材料を、画像を移すように露光し、熱
処理し、原画を使用せずに層全体を露光し、その後現像
剤で現像する、陰画記録材料の製作に特に適しており、
その際、請求項8に記載する照射感応性記録材料を使用
し、熱処理を80〜150℃の温度で10秒間〜5分間
行う。 【0036】本発明により、貯蔵寿命が長く、照射感応
性が良く、技術的に望ましい広い画像反転範囲を有し、
転換後の画像区域は公知の材料よりも耐現像剤性がはる
かに高い。 【0037】好ましい実施形態の例を以下に示す。これ
らの実施例では、重量部(pbw) および体積部(p
bv) は、g対立方cmの比になっている。他に指示
が無い限り、百分率および量比率は重量の単位で表すも
のとする。 実施例1 塗布溶液を、約 8.0pbw の、平均分子量が6,000のm−クレ
ゾール−ホルムアルデヒド型ノボラック、 1.6pbw の、1モルの4−クロロスルホニル−1
,2−ナフトキノン2−ジアジドおよび1モルのp−ク
ミルフェノールから得たエステル交換反応生成物、0.
4pbw の、表1および2の添加剤、0.1pbw
のクリスタルバイオレット、カラーインデックス(C.
I.)42555、 0.02pbw のスダンイエローGGN、C.I.1
1021、および 100pbw のテトラヒドロフランおよびプロピレン
グリコールモノメチルエーテル(55:45)の溶剤混
合物から調製する。 【0038】この溶液を、塩酸中で粗粒化し、硫酸中で
陽極酸化し、ポリビニルホスホン酸で疎水化したアルミ
ニウムにスピンコーティングにより塗布する。 【0039】100℃で2分間乾燥することにより、2
μm の層厚が得られる。 【0040】この印刷版を、各0.15の13濃度段階
を有する連続明暗くさび(ヘキストAG製の階段くさび
BK01)を通して、110cmの距離から、5kWの
ハロゲン化金属ランプの下で65秒間露光し、空気循環
炉中で130℃で2分間転換させ、原画を使用せずに4
5秒間全面露光し、次いで下記の現像剤で1分間現像す
る。 7.6pbw のK2 SiO3
表2は、完全に被覆した階段から、曇りを生じ
る最初の階段までの、連続明暗くさびの再現を示す。ま
た、この表は、画像露光の後に現像を行った場合に、す
なわち陽画処理を行った場合に、どの階段の被覆が無く
なるかを示す。 【0041】表1:本発明に係わるウレタン化合物【0
042】 【表1】 【0043】 【表2】 【0044】 【表3】
実施例 No. 添加剤
陰画処理
陽画処理1−1
1(表1) 2−5
21−2
2
2−5
21−3 3
2−5
21−4
4
2−5 21−5
5
2−5
21−6 6
2−5
21−7
7
2−5
21−8 8
2−5
21−9
9
2−5 21−1
0 10
2−5
21−11 11
2−5
21−12
12 2
−5 21−13
13
2−5
21−14 14
2−5
21−15
15 2−
5 21−16
16
2−5
21−17 17
2−5
21−18
18 2−5
21−19
19
2−5
21−20 20
2−5
21−21 2−ジエチルア
ミノ−4,6− 2−5
2 ジエトキシ−s
−トリアジン 層にひどい攻撃
DE−A 3,711,263
による 1−22 ヘキサキス
1−4
2 (メトキシメチル
)メラミン 層に中〜強度の攻撃
EP−A 0,133,216
による
これらの結果から、すべ
ての場合で陽画処理は困難なく行うことができるが、陰
画処理は、本発明に係わる添加剤の存在下でのみ、転換
画像区域がひどい攻撃を受けずに行えることが分かる。 【0045】自動オフセット印刷機で、これらの陽画お
よび陰画処理した印刷版の幾つかについて印刷部数を測
定した。 【0046】 実施例
印刷部数
No. 陽画処理
陰画処理
1−5 90,00
0 80,000
1−6 90,000
80,000 1−14
90,000 80
,000 1−17
90,000 80,000
1−21 (DE−A 3,711,263)
90,000 50,000
1−22 (EP−A 133,216)
90,000 60,000 これらの結果から、本発明に係わる添加剤を含む照射感
応性層を有する印刷版の場合、陰画処理で得られる印刷
部数は、陽画処理で得られる印刷部数とほとんど変わら
ないことが分かる。対照的に、画像区域が陰画処理の際
に現像剤により攻撃された比較用印刷版では、陰画処理
における印刷部数が陽画処理のそれよりも著しく低下し
ている。 【0047】さらに、多数の板について、陰画処理にお
ける処理範囲を測定した。これは、陰画処理における熱
処理の温度を変えた以外は、上記の様にして板を調製し
て行った。 【0048】結果を下記の表に示す。 【0049】 実施例 No.
陰画処理における温度範囲(℃)
1−5
105 − 150
1−6 10
5 − 150
1−10 100 − 1
50 1−17
105 − 150
1−21
100 − 150
(DE−A 3,711,263) 層
が全体的に攻撃されている
1−22 130 −
150 (EP−A 13
3,216) 層が全体的に攻撃さ
れている これらの結果から、本発明に係わる添加剤により、酸触
媒で硬化する添加剤よりも明らかに優れているトリアジ
ン誘導体(DE−A 3,711,263)の処理範
囲に匹敵する処理範囲が得られることが分かる。 【0050】長期間の安定性を試験するために、板を被
覆乾燥室中に100℃に保管し、0.5時間の間隔で試
料を取り出し、上記の様に陽画処理した。貯蔵安定性は
、欠陥の無い処理が可能な、すなわち現像特性が損なわ
れない保管期間として表す。この試験は3時間で打ち切
った。 【0051】 これらの値から、本発明に係わる添加剤により得られる
層の貯蔵安定性は、三触媒で硬化する添加剤の貯蔵安定
性よりもはるかに高く、したがって、実際の必要条件を
満たしていることが分かる。 実施例2 塗布溶液を、約 1.700pbw の、1モルの2,3,4−トリヒド
ロキシベンゾフェノンおよび1モルの4−クロロスルホ
ニル−1,2−ナフトキノン 2−ジアジドから得た
エステル交換反応生成物、 0.600pbw の、表3の添加剤、8.500pb
w の、軟化点127〜145℃のクレゾール−ホルム
アルデヒド型ノボラック、 0.060pbw の2,4−ビス(トリクロロメチル
)−6−p−スチルベニル−s−トリアジン、0.07
0pbw のクリスタルバイオレット、C.I.425
55、 70.00pbw のプロピレングリコールモノメチル
エーテルおよび 70.00pbw のテトラヒドロフランから調製する
。 【0052】この溶液を、実施例1と同様に処理したア
ルミニウムホイルにスピンコーティングにより塗布し、
乾燥して2μm の層厚を得る。 【0053】実施例1と同じ試験を、同じ条件下で、同
じ現像剤を使用して行う。その結果を表3に示す。 【0054】表3
実施例
添加剤No. 連続明暗くさび 陰画処理の
貯蔵 印刷部数 No. No.
(表1) 評価 温度
範囲 安定性 陽画 陰画
陰画 陽
画 (時間)
2−1 5
1−4 3 110−150
〉3 n.d. n.d.2
−2 6 1−4 3
110−150 〉3 90,00
0 80,0002−3 16
1−4 3 110−150
〉3 n.d. n.d.2−4
17 1−4 3
110−150 〉3 90,000
80,0002−5 18
1−4 3 110−150 〉
3 90,000 80,0002−6 2
−ジエチル− 1−4 3 110−
150 〉3 90,000 50,
000 アミノ−4,6− 層が強
く ジエトキシ−s− 攻撃されている
トリアジン 2−7 ヘキサキス− 1−4 3
130−150 〉2 90,000
60,000 メトキシ−
層が攻撃 メチル− さ
れている メラミン
この試
験の結果も、アルカリ性の強い現像剤を使用する場合、
本発明に係わる添加剤が、陰画処理で最良の全体的な特
性を発揮することを示している。
Claims (9)
- 【請求項1】必須成分として、水に不溶でありアルカリ
水溶液に可溶な結合剤、1,2−キノンジアジド、およ
び熱処理により露光した区域の現像剤溶解性を低くする
化合物を含む照射感応性混合物であって、その混合物が
前記現像剤溶解性を低くする化合物として、少なくとも
一つの、式I で表され、 ここで、 R1 が水素またはメチルであり、 R2 が水素、アルキル、置換した、または置換してい
ないアリール、または置換した、または置換していない
アリールアミノカルボニルであり、 R3 が置換した、または置換していないアリーレンま
たはアリーレンアルキレンであり、 Qが水素、−CH4−p 、CR5 R6 であって、
R5 およびR6 は同一でも異なっていてもよく、水
素、アルキルまたはアリール、カルボニル、酸素または
硫黄原子またはスルホニルであり、 mが1、2または3であり、 nが≧1および≦50の数であり、 pが1、2または3である ウレタンを含むことを特徴とする、照射感応性混合物。 - 【請求項2】少なくとも一つの、式I で表され、R1
が水素またはメチルであり、 R2 が水素、C1 −C2 アルキル、アルキルで置
換できるフェニル、ナフチル、またはフェニルアミノカ
ルボニルであり、 R3 がアルキルで置換できるフェニレンであり、Qが
水素、またはメチレンであり、 mが1または2であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1または2である 化合物を含むことを特徴とする、請求項1に記載する混
合物。 - 【請求項3】少なくとも一つの、式I で表され、R1
が水素であり、 R2 がアルキルで置換できるフェニル、フェニルアミ
ノカルボニルであり、 R3 がフェニレンであり、 Qが水素であり、 mが1であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1である 化合物を含むことを特徴とする、請求項1または2に記
載する混合物。 - 【請求項4】その混合物の不揮発成分の重量に対して0
.5〜30重量%の、式I の化合物を含むことを特徴
とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載する照射感
応性混合物。 - 【請求項5】1,2−キノンジアジドが、4−または5
−位置に電気陰性置換基を有する1,2−ナフトキノン
2−ジアジド誘導体であることを特徴とする、請求
項1に記載する照射感応性混合物。 - 【請求項6】その電気陰性置換基がアリールオキシスル
ホニル基であることを特徴とする、請求項5に記載する
照射感応性混合物。 - 【請求項7】結合剤が、結合剤1gあたり1〜10mm
olのフェノール性水酸基を含む重縮合生成物または重
合体であることを特徴とする、請求項1に記載する照射
感応性混合物。 - 【請求項8】基材、およびその基材に塗布した、請求項
1〜7のいずれか1項に記載する混合物を含む照射感応
性層からなることを特徴とする、照射感応性記録材料。 - 【請求項9】基材、およびその基材に塗布した照射感応
性層からなる、通常は陽画作用照射感応性型の記録材料
を、画像を映す様に露光し、熱処理し、原画を使用せず
にその層全体を露光し、それに続いて現像剤で現像する
ことにより、陰画記録材料を製作するための方法であっ
て、請求項8に記載する照射感応性記録材料を使用する
こと、および熱処理を80〜150℃の温度で、10秒
間〜5分間行うことを特徴とする方法。
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|---|---|---|---|
| DE4004719A DE4004719A1 (de) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen |
| DE4004719.9 | 1990-02-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214564A true JPH04214564A (ja) | 1992-08-05 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3042526A Pending JPH04214564A (ja) | 1990-02-15 | 1991-02-14 | 照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法 |
Country Status (6)
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572089B1 (ko) * | 1998-06-08 | 2006-04-17 | 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 | 신규폴리옥시에틸렌알킬페놀에테르 유도체를 함유하는 금속표면처리제 |
| JP2009031404A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215861A (en) * | 1992-03-17 | 1993-06-01 | International Business Machines Corporation | Thermographic reversible photoresist |
| US6787642B2 (en) * | 2001-03-23 | 2004-09-07 | The Regents Of The University Of California | Use of insect cell membrane transporters as novel target sites for inspection |
| KR20180044332A (ko) * | 2015-08-21 | 2018-05-02 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 기판 상의 패터닝된 뱅크 구조체들 및 형성 방법 |
| CN110683968B (zh) * | 2019-10-14 | 2021-08-06 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种稠油开采用泡沫剂及其制备方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE526866A (ja) * | 1953-03-11 | |||
| DE1447963B2 (de) * | 1965-11-24 | 1972-09-07 | KaIIe AG, 6202 Wiesbaden Biebnch | Verfahren zur herstellung einer offsetdruckform aus einem vorsensibilisierten druckplattenmaterial |
| US3779778A (en) * | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
| GB1375461A (ja) * | 1972-05-05 | 1974-11-27 | ||
| US4196003A (en) * | 1974-02-01 | 1980-04-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive o-quinone diazide copying composition |
| DE2529054C2 (de) * | 1975-06-30 | 1982-04-29 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes |
| DE2547905C2 (de) * | 1975-10-25 | 1985-11-21 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
| US4189323A (en) * | 1977-04-25 | 1980-02-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive copying composition |
| US4212970A (en) * | 1977-11-28 | 1980-07-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 2-Halomethyl-5-vinyl-1,3,4-oxadiazole compounds |
| JPS5560944A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image forming method |
| JPS566236A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive material and pattern forming method using it |
| GB2082339B (en) * | 1980-08-05 | 1985-06-12 | Horsell Graphic Ind Ltd | Lithographic printing plates and method for processing |
| DE3325023A1 (de) * | 1983-07-11 | 1985-01-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden |
| DE3325022A1 (de) * | 1983-07-11 | 1985-01-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden |
| IT1169682B (it) * | 1983-11-08 | 1987-06-03 | I M G Ind Materiali Grafici Sp | Composizione per fotoriproduzioni |
| DE3406927A1 (de) * | 1984-02-25 | 1985-08-29 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen |
| CA1254432A (en) * | 1984-12-28 | 1989-05-23 | Conrad G. Houle | High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist |
| GB2171530B (en) * | 1985-02-27 | 1989-06-28 | Imtec Products Inc | Method of producing reversed photoresist images by vapour diffusion |
| DE3528930A1 (de) * | 1985-08-13 | 1987-02-26 | Hoechst Ag | Polymere verbindungen und diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch |
| JPH07120039B2 (ja) * | 1986-11-14 | 1995-12-20 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
| DE3711264A1 (de) * | 1987-04-03 | 1988-10-13 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial |
| JPH0727208B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1995-03-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
| US4775609A (en) * | 1987-05-18 | 1988-10-04 | Hoescht Celanese Corporation | Image reversal |
| DE3725949A1 (de) * | 1987-08-05 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien |
| US4835086A (en) * | 1988-02-12 | 1989-05-30 | Hoechst Celanese Corporation | Polysulfone barrier layer for bi-level photoresists |
| US4889787A (en) * | 1988-04-25 | 1989-12-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Low gain positive acting diazo oxide pre-press proofing system with polyvinyl ether and particulate slip agent in adhesive layer |
| US5024922A (en) * | 1988-11-07 | 1991-06-18 | Moss Mary G | Positive working polyamic acid/imide and diazoquinone photoresist with high temperature pre-bake |
| DE3900735A1 (de) * | 1989-01-12 | 1990-07-26 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
-
1990
- 1990-02-15 DE DE4004719A patent/DE4004719A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-02-05 CA CA002035722A patent/CA2035722A1/en not_active Abandoned
- 1991-02-08 EP EP91101749A patent/EP0442386B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-08 DE DE59107744T patent/DE59107744D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-13 KR KR1019910002500A patent/KR910015887A/ko not_active Withdrawn
- 1991-02-14 JP JP3042526A patent/JPH04214564A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-26 US US08/039,554 patent/US5368975A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572089B1 (ko) * | 1998-06-08 | 2006-04-17 | 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 | 신규폴리옥시에틸렌알킬페놀에테르 유도체를 함유하는 금속표면처리제 |
| JP2009031404A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0442386A3 (en) | 1991-12-18 |
| EP0442386B1 (de) | 1996-05-01 |
| CA2035722A1 (en) | 1991-08-16 |
| DE4004719A1 (de) | 1991-08-22 |
| DE59107744D1 (de) | 1996-06-05 |
| KR910015887A (ko) | 1991-09-30 |
| EP0442386A2 (de) | 1991-08-21 |
| US5368975A (en) | 1994-11-29 |
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