JPH04214564A - 照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法 - Google Patents

照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法

Info

Publication number
JPH04214564A
JPH04214564A JP3042526A JP4252691A JPH04214564A JP H04214564 A JPH04214564 A JP H04214564A JP 3042526 A JP3042526 A JP 3042526A JP 4252691 A JP4252691 A JP 4252691A JP H04214564 A JPH04214564 A JP H04214564A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
hydrogen
sensitive
mixture
alkyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3042526A
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Elsaesser
アンドレアス、エルゼサー
Hans W Frass
ハンス、ウェルナー、フラス
Otfried Gaschler
オトフリート、ガシュラー
Dieter Mohr
ディーター、モール
Gerhard Buhr
ゲルハルト、ブール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Publication of JPH04214564A publication Critical patent/JPH04214564A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】本発明は、照射感応性混合物、そこから製
造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造
方法に関する。本発明は、必須成分として水に不溶で、
アルカリ水溶液に可溶な重合体結合剤および1,2−キ
ノンジアジドを含む、通常は陽画作用であるが、処理に
より、陰画作用する照射感応性混合物から出発する。こ
れらの照射感応性混合物は、それらの現像剤溶液中の溶
解度が照射により増加すると陽画作用する。また、公知
の処理方法により、これらの混合物から原画の反転陰画
複写も得られる。この処理様式には、画像露光の後に熱
処理が必要で、その際に、この操作に適した装置内で、
材料を一定温度で一定時間加熱する。これにより、照射
した区域の混合物が現像剤溶解性から通常は最早照射感
応性ではない、現像剤不溶性の状態に転換する。 【0002】陰画処理には、その混合物を含む複写層の
画像照射、熱処理、全面照射、およびそれに続く現像、
の個々の工程が必要である。この方法の変形(US−A
4,544,627)では、熱処理工程で画像識別を行
うが、その手順は、その混合物を含む複写層の全面照射
、例えばIRレーザー光線を使用して画像を形成するよ
うに加熱、および現像である。 【0003】一般的に画像反転の用語で総称されるこの
方法を、混合物に特別な添加剤を加えずに行うことは原
理的には可能であるが(US−A  4,576,90
1に相当するEP−A  131,238)、下記の2
つの効果を有する物質を加えるのが一般的である。すな
わち、一方で、画像反転範囲を広げる必要があり、他方
、転換後に現像剤に不溶になった区域に対する現像剤の
攻撃を少なくする必要があることである。 【0004】画像反転範囲とは、転換を行うことができ
る温度幅または転換に必要な時間の許容幅のことである
。 【0005】使用すべき混合物添加剤は、2つのグルー
プ、すなわち照射により形成されるインデンカーボリッ
ク酸(carboric acid) の存在下で、熱
により感光性混合物中で架橋反応を引き起こす添加剤、
および照射により形成される酸の脱炭酸に必要なエネル
ギーを減少させる添加剤、の2つのグループに分けられ
る(S.A.マクドナルドら、「画像反転、陽画フォト
レジストにおける陰画像の製作」、インターフェース8
2、サンディエゴ1982)。 【0006】第一のグループに含まれる添加剤としては
、レゾール(GB−A2,082,339)、アルコキ
シメチル− またはグリシジル置換した芳香族化合物(
EP−A  0,212,482)、モノマー性または
オリゴマー性メラミン− または尿素−ホルムアルデヒ
ド縮合生成物(EP−A  0,133,216、DE
−A3,711,264)があり、第二のグループには
、沸点が200℃よりも高い第二または第三アミン(U
S−A  4,196,003)、アンモニウム塩(U
S−A  4,696,891に相当するEP−A  
0,141,400)およびホスホニウム塩(DE−A
  3,437,687)、モナゾリン(US−A  
4,104,070に相当するDE−A  2,529
,054)およびN−置換エチレンジアミン(DE−A
  2,855,723)、アミノアルコキシ−s−ト
リアジン(DE−A  3,711,263)、トリス
フェノキシ−s−トリアジン(DE−A  3,725
,949)またはキノンまたは芳香族ケトン(US−A
  4,356,255)が含まれる。 【0007】第三の方法は、例えば材料をアンモニア雰
囲気にさらす、DE−A3,541,451およびUS
−A  4,775,609に記載する様な、画像反転
範囲を広くするための添加剤が最初から照射感応性層に
は存在せず、画像照射と熱処理との間で加える方法であ
る。 【0008】酸触媒架橋反応に関与する第一のグループ
の混合物添加剤は、一般に第二のグループの添加剤より
も、混合物の貯蔵寿命をより強く損なうので、第二のグ
ループの添加剤の方が好ましい。 【0009】画像反転用に工業界で必要とされる処理範
囲の幅は、例えばDE−A  3,711,263に記
載されるアミノアルコキシ−s−トリアジンの様な第二
グループの添加剤により達成される。しかし、転換され
た画像区域に対する現像剤溶液の攻撃性がなお比較的高
いことが難点である。このために、陰画潜像を現像する
時に、フォトレジストのかなりの部分がこれらの区域で
除去されることがある。その結果、この様にして製作し
た印刷版で得られる印刷部数は少なく、現像剤は大量の
転換されたレジスト材料を含み、そのために現像剤中の
レジストの溶解性が制限され、現像剤が早期に使用不可
能になる。 【0010】そこで、本発明の目的は、貯蔵寿命が長く
、画像反転範囲が広く、転換後は、公知の混合物よりも
現像剤による攻撃が少ない照射感応性混合物を提供する
ことである。 【0011】本発明は、必須成分として水に不溶で、ア
ルカリ水溶液に可溶な結合剤、1,2−キノンジアジド
、および熱処理により露光した区域の現像剤溶解性を低
くする化合物を含む照射感応性混合物から出発する。 この混合物は、現像剤溶解性を低下させる化合物として
、少なくとも一つの、式I で表され、ここで、 R1 が水素またはメチルであり、 R2 が水素、アルキル、置換した、または置換してい
ないアリール、または置換した、または置換していない
していないアリールアミノカルボニルであり、R3 が
置換した、または置換していないアリーレンまたはアリ
ーレンアルキレンであり、 Qが水素、−CH4−p 、CR5 R6 であって、
R5 およびR6 は同一でも異なっていてもよく、水
素、アルキルまたはアリール、カルボニル、酸素または
硫黄原子またはスルホニルであり、 mが1、2または3であり、 nが≧1および≦50の数であり、 pが1、2または3である ウレタンを含む。 【0012】好ましい化合物は、式I で表され、R1
 が水素またはメチルであり、 R2 が水素、C1 −C2 アルキル、アルキルで置
換できるフェニル、ナフチル、またはフェニルアミノカ
ルボニルであり、 R3 がアルキルで置換できるフェニレンであり、Qが
水素、またはメチレンであり、 mが1または2であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1または2である。 【0013】特に好ましい化合物は、式I で表され、
R1 が水素であり、 R2 がアルキルで置換できるフェニル、フェニルアミ
ノカルボニルであり、 R3 がフェニレンであり、 Qが水素であり、 mが1であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1である。 【0014】本発明に係わるウレタン化合物の調製は、
簡単な方法で、相当する単または二官能アルコールを単
、二または三官能のイソシアネートと反応させることに
より行う。 【0015】本発明に係わるウレタン化合物の例として
は、エチレングリコールモノメチルまたは −エチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルまたは −エ
チルエーテル、ジ− 、トリ− またはテトラエチレン
またはプロピレングリコールモノメチル、 −エチルま
たは −ブチルエーテル、ヘキストAG製のゲナポール
R タイプの様な脂肪族アルコールエトキシレート、ノ
ニルフェノールエトキシレート(アルコパルR−N、ヘ
キストAG)の様なアルキルフェノールエトキシレート
、サポゲナートR −T(ヘキストAG)の様なトリブ
チルフェノールエトキシレート、エチレンオキシド/プ
ロピレンオキシド共重合体のモノブチルエーテル(ポリ
グリコールR −Bタイプ、ヘキストAG)などの単官
能アルコール、および/またはモノ− 、ジ− 、トリ
− 、テトラ−、ペンタエチレンまたはプロピレングリ
コール、ヘキストAGまたはBASFAG製のゲナポー
ルR −PFまたはプルリオールR −PEタイプの様
なエチレン/プロピレンブロック重合体などの二官能ア
ルコールと、フェニル、3−または4−クロロフェニル
、3,4−ジクロロフェニル、3−トリフルオロメチル
フェニル、4−メチルフェニル、4−イソプロピルフェ
ニル、1−ナフチルイソシアネートなどの単官能イソシ
アネート、および/または2,4−または2,6−トル
エンジイソシアネート、4,4’ −または2,4’ 
または2,2’ −ジフェニルメタンジイソシアネート
、または1,5−ナフチルジイソシアネートなどの二官
能イソシアネート、および/またはトリフェニルメタン
トリイソシアネート、トリメチルプロパンとトルエンジ
イソシアネートからの付加物(デスモジュールR 、バ
イエルAG)の様な三官能イソシアネートとの反応生成
物である。 【0016】照射感応性混合物中の、本発明に係わるウ
レタンの濃度は、比較的広い範囲で変えることができる
。一般に、その量は、照射感応性混合物の不揮発成分の
重量に対して、0.5〜30、好ましくは1〜25重量
%である。以下に、照射感応性混合物および層の組成、
基材の種類、および記録材料処理の製造工程をさらに詳
細に説明する。 【0017】本発明に係わる照射感応性混合物は、1,
2−キノンジアジドとして好ましくは、4−または5−
位置にアリールオキシスルホニル基の様な電気的に陰性
な置換基を有する1,2−ナフトキノン  2−ジアジ
ド誘導体を含む。使用する1,2−キノンジアジドは、
特に1,2−ナフトキノン  2−ジアジドの4−スル
ホン酸エステルまたはスルホンアミドである。この種の
好適な化合物は公知であり、例えばGB−B  739
,654に相当するDE−C  938,233および
GB−B  1,561,438に相当するDE−A 
 2,547,905に記載されている。 【0018】1,2−キノンジアジドの量は、その混合
物の全固体含有量に対して、一般に3〜50、好ましく
は7〜35重量%である。 【0019】使用する結合剤は、遊離フェノール性水酸
基を有する重縮合生成物または重合体で、フェノール性
水酸基の量は、好ましくは結合剤1gあたり1〜10m
molである。重縮合生成物の例としては、ノボラック
型のフェノール樹脂またはヒドロキシル置換したアラミ
ドがある。重合体の例としては、ビニルフェノールの単
独重合体および共重合体(US−A  3,869,2
92に相当するDE−A2,322,230およびUS
−A  4,678,737に相当するDE−A3,4
06,927)、アクリル酸のフェノールエステルの重
合体(JP−A76/36129およびEP−A  0
,212,439)またはヒドロキシフェニルマレイミ
ドの共重合体(EP−A  0,187,517)があ
る。これらの結合剤のガラス転位温度は、用途に応じて
異なる。張り合わせし易い必要があるドライレジスト用
途には、≦100℃のガラス転位温度が有利である。平
版印刷またはマイクロエレクトロニクス回路の製造には
、≧100℃のガラス転位温度が好ましい。結合剤の量
は、一般に混合物の不揮発成分の20〜90重量、好ま
しくは50〜85重量である。 【0020】さらに、それ自体コモノマーで変性してあ
ってもよい、数多くの他のオリゴマーおよび重合体、例
えばポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル
、ポリアクリル酸エステル、ポリビニルエーテルおよび
ポリビニルピロリドンの様なビニル重合体も使用するこ
とができる。 【0021】これらの添加剤の最も好ましい比率は、応
用技術的な必要条件および現像条件に対する影響により
異なるが、一般に懸垂フェノール基を有する結合剤の2
0重量%以下である。可撓性、密着性、光沢、等の特殊
な必要条件を満たすためには、照射感応性層は、さらに
、ポリグリコール、セルロースエーテルの様な物質、例
えばエチルセルロース、湿潤剤、微粒の顔料を少量含む
こともできる。 【0022】さらに、可溶な、あるいは微粒で分散可能
な染料および、用途に応じて、UV吸収剤を照射感応性
混合物に加えることもできる。 【0023】混合物に加える染料の種類に応じて、露光
の直後に記録材料上に原画の目に見える複写を得るため
に、光化学的酸形成剤を加えて露光コントラストを高く
するのが好ましい場合がある。 【0024】露光により強酸を形成する好適な照射感応
性成分としては、ホスホニウム、スルホニウム、および
イオドニウム塩、ハロゲン化合物および有機金属−有機
ハロゲンの組合わせの様な、多数の公知の化合物および
混合物がある。 【0025】原則として、光化学的フリーラジカル開始
剤と呼ばれるすべての有機ハロゲン化合物、例えば少な
くとも一つのハロゲン原子を炭素または芳香族環の上に
含む化合物を、ヒドロハリック酸(hydrohali
c acid)を形成するハロゲン含有感光性化合物と
して効果的に使用することができる(US−A  3,
779,778)。 これらの化合物の中で、US−A  4,189,32
3に相当するDE−A2,718,259に開示されて
いる様な、ハロメチル基、特にトリクロロメチル基を含
み、トリアジン環上に芳香族または不飽和置換基を含む
、s−トリアジン誘導体が好ましい。また、2−トリク
ロロメチル−1,2,4−オキサジアゾール(US−A
  4,212,970に相当するDE−A  2,8
51,471)も好ましい。これらのハロゲン含有化合
物の効果は、公知の増感剤によってもスペクトル的な影
響を受け、増加し得る。 【0026】本発明は、基材、およびその基材に塗布し
た、本発明に係わる照射感応性混合物を含む照射感応性
層からなる照射感応性記録材料にも関する。 【0027】好適な層基材に塗布するために、混合物は
一般に溶剤に溶解する。溶剤の選択は、意図する塗布方
法、層の厚さおよび乾燥条件と適合していなければなら
ない。本発明に係わる混合物に好適な溶剤は、メチルエ
チルケトンの様なケトン、トリクロロエチレンおよび1
,1,1−トリクロロエタンの様な塩素化炭化水素、n
−プロパノールの様なアルコール、テトラヒドロフラン
の様なエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルの様なアルコールエーテル、および酢酸ブチルの様な
エステルである。また、特殊目的用のアセトニトリル、
ジオキサンまたはジメチルホルムアミドの様な溶剤をさ
らに含む混合物を使用することもできる。原則として、
層成分と不可逆的に反応しなければ、どの様な溶剤でも
使用できる。グリコールの部分エーテル、特にエチレン
グリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルを単独で、または混合物として
使用するのが特に好ましい。 【0028】約10μm 未満の層厚には、通常、層基
材として金属を使用する。オフセット印刷版には、圧延
し、機械的および/または電気化学的に粗粒化し、この
目的のために陽極酸化し、さらに化学的に、例えばポリ
ビニルホスホン酸、ケイ酸塩、リン酸塩、ヘキサフルオ
ロジルコニウム酸塩または加水分解テトラエチルオルト
ケイ酸塩で前処理したアルミニウムを使用することがで
きる。 【0029】層基材は、公知の方法で、スピンコーティ
ング、スプレー、浸し塗り、ローラー塗布、平フィルム
ダイス、ナイフまたはカーテン塗布により塗布する。 【0030】露光には、蛍光ランプ、キセノンパルスラ
ンプ、金属ハロゲン化物でドーピングした高圧水銀蒸気
ランプおよびカーボンアークランプの様な通常の光源を
使用することができる。 【0031】露光または照射とは、本明細書では、約5
00nm未満の波長領域における活性線電磁照射の作用
を意味する。この波長領域で照射する照射源はすべて原
則的に好適である。 【0032】レーザー光線装置、特に照射源として例え
ばアルゴンまたはクリプトンイオンレーザーを備えた自
動処理機構を使用するのも有利である。さらに照射は、
電子線で行うこともでき、X線も画像形成に使用できる
。 【0033】画像を映す様に露光または照射した層は、
公知の方法で、市販のナフトキノンジアジド層および複
写レジスト用に公知の現像剤と同じ現像剤で除去するこ
とができる、あるいは本発明に係わる材料は、その複写
特性において、現像装置およびプログラム化したスプレ
ー現像装置の様な公知の手段にも効率的に適用すること
ができる。現像剤水溶液は、例えば、アルカリ金属リン
酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩またはアルカリ金属水酸化
物および、さらに、湿潤剤および必要であれば少量の有
機溶剤を含むこともできる。また、場合によっては、溶
剤/水の混合物を現像剤として使用することもできる。 最も好ましい現像剤の選択は、特定の場合に使用する層
で実験することにより決定できる。必要であれば、現像
を機械的に促進することもできる。 【0034】印刷版用途には、GB−B  1,154
,749号からジアゾ層に関して公知の様に、現像した
版を短時間、高温に加熱し、印刷時の耐性を高めると共
に、洗い流し剤、補正液およびUV硬化性印刷インクに
対する耐性をも高めることができる。 【0035】すでに冒頭で述べたように、本発明に係わ
る照射感応性記録材料は、通常は陽画作用材料として処
理できる。しかし、この記録材料は、陰画処理様式およ
び両処理様式の組合わせ(写真植字)として使用するこ
ともできる。本発明に係わる材料は、基材およびその基
材に塗布した照射感応性層からなる、通常は陽画作用照
射感応性型の記録材料を、画像を移すように露光し、熱
処理し、原画を使用せずに層全体を露光し、その後現像
剤で現像する、陰画記録材料の製作に特に適しており、
その際、請求項8に記載する照射感応性記録材料を使用
し、熱処理を80〜150℃の温度で10秒間〜5分間
行う。 【0036】本発明により、貯蔵寿命が長く、照射感応
性が良く、技術的に望ましい広い画像反転範囲を有し、
転換後の画像区域は公知の材料よりも耐現像剤性がはる
かに高い。 【0037】好ましい実施形態の例を以下に示す。これ
らの実施例では、重量部(pbw) および体積部(p
bv) は、g対立方cmの比になっている。他に指示
が無い限り、百分率および量比率は重量の単位で表すも
のとする。 実施例1   塗布溶液を、約 8.0pbw の、平均分子量が6,000のm−クレ
ゾール−ホルムアルデヒド型ノボラック、 1.6pbw の、1モルの4−クロロスルホニル−1
,2−ナフトキノン2−ジアジドおよび1モルのp−ク
ミルフェノールから得たエステル交換反応生成物、0.
4pbw の、表1および2の添加剤、0.1pbw 
のクリスタルバイオレット、カラーインデックス(C.
I.)42555、 0.02pbw のスダンイエローGGN、C.I.1
1021、および 100pbw のテトラヒドロフランおよびプロピレン
グリコールモノメチルエーテル(55:45)の溶剤混
合物から調製する。 【0038】この溶液を、塩酸中で粗粒化し、硫酸中で
陽極酸化し、ポリビニルホスホン酸で疎水化したアルミ
ニウムにスピンコーティングにより塗布する。 【0039】100℃で2分間乾燥することにより、2
μm の層厚が得られる。 【0040】この印刷版を、各0.15の13濃度段階
を有する連続明暗くさび(ヘキストAG製の階段くさび
BK01)を通して、110cmの距離から、5kWの
ハロゲン化金属ランプの下で65秒間露光し、空気循環
炉中で130℃で2分間転換させ、原画を使用せずに4
5秒間全面露光し、次いで下記の現像剤で1分間現像す
る。           7.6pbw のK2 SiO3
    表2は、完全に被覆した階段から、曇りを生じ
る最初の階段までの、連続明暗くさびの再現を示す。ま
た、この表は、画像露光の後に現像を行った場合に、す
なわち陽画処理を行った場合に、どの階段の被覆が無く
なるかを示す。 【0041】表1:本発明に係わるウレタン化合物【0
042】 【表1】       【0043】 【表2】       【0044】 【表3】                          
                         
                      実施例   No.               添加剤  
              陰画処理       
       陽画処理1−1           
 1(表1)              2−5  
                21−2     
       2                 
     2−5                 
 21−3            3       
               2−5       
           21−4          
  4                      
2−5                  21−5
            5            
          2−5            
      21−6            6  
                    2−5  
                21−7     
       7                 
     2−5                 
 21−8            8       
               2−5       
           21−9          
  9                      
2−5                  21−1
0          10            
        2−5              
    21−11          11    
                2−5      
            21−12        
  12                    2
−5                  21−13
          13             
       2−5               
   21−14          14     
               2−5       
           21−15         
 15                    2−
5                  21−16 
         16              
      2−5                
  21−17          17      
              2−5        
          21−18          
18                    2−5
                  21−19  
        19               
     2−5                 
 21−20          20       
             2−5         
         21−21    2−ジエチルア
ミノ−4,6−  2−5             
     2            ジエトキシ−s
−トリアジン    層にひどい攻撃        
    DE−A  3,711,263      
      による 1−22    ヘキサキス            
        1−4              
    2            (メトキシメチル
)メラミン    層に中〜強度の攻撃       
     EP−A  0,133,216     
       による               
                         
              これらの結果から、すべ
ての場合で陽画処理は困難なく行うことができるが、陰
画処理は、本発明に係わる添加剤の存在下でのみ、転換
画像区域がひどい攻撃を受けずに行えることが分かる。 【0045】自動オフセット印刷機で、これらの陽画お
よび陰画処理した印刷版の幾つかについて印刷部数を測
定した。 【0046】                  実施例            
            印刷部数         
   No.               陽画処理
            陰画処理         
     1−5            90,00
0        80,000          
1−6            90,000    
    80,000          1−14 
         90,000        80
,000          1−17       
   90,000        80,000  
        1−21         (DE−A 3,711,263) 
   90,000        50,000  
        1−22         (EP−A 133,216)   
   90,000        60,000   これらの結果から、本発明に係わる添加剤を含む照射感
応性層を有する印刷版の場合、陰画処理で得られる印刷
部数は、陽画処理で得られる印刷部数とほとんど変わら
ないことが分かる。対照的に、画像区域が陰画処理の際
に現像剤により攻撃された比較用印刷版では、陰画処理
における印刷部数が陽画処理のそれよりも著しく低下し
ている。 【0047】さらに、多数の板について、陰画処理にお
ける処理範囲を測定した。これは、陰画処理における熱
処理の温度を変えた以外は、上記の様にして板を調製し
て行った。 【0048】結果を下記の表に示す。 【0049】                        実施例  No.   
    陰画処理における温度範囲(℃)      
            1−5          
    105  −  150          
      1−6              10
5  −  150                
1−10            100  −  1
50                1−17   
         105  −  150     
           1−21          
  100  −  150            
(DE−A 3,711,263)        層
が全体的に攻撃されている             
   1−22            130  −
  150            (EP−A 13
3,216)          層が全体的に攻撃さ
れている   これらの結果から、本発明に係わる添加剤により、酸触
媒で硬化する添加剤よりも明らかに優れているトリアジ
ン誘導体(DE−A  3,711,263)の処理範
囲に匹敵する処理範囲が得られることが分かる。 【0050】長期間の安定性を試験するために、板を被
覆乾燥室中に100℃に保管し、0.5時間の間隔で試
料を取り出し、上記の様に陽画処理した。貯蔵安定性は
、欠陥の無い処理が可能な、すなわち現像特性が損なわ
れない保管期間として表す。この試験は3時間で打ち切
った。 【0051】 これらの値から、本発明に係わる添加剤により得られる
層の貯蔵安定性は、三触媒で硬化する添加剤の貯蔵安定
性よりもはるかに高く、したがって、実際の必要条件を
満たしていることが分かる。 実施例2   塗布溶液を、約 1.700pbw の、1モルの2,3,4−トリヒド
ロキシベンゾフェノンおよび1モルの4−クロロスルホ
ニル−1,2−ナフトキノン  2−ジアジドから得た
エステル交換反応生成物、 0.600pbw の、表3の添加剤、8.500pb
w の、軟化点127〜145℃のクレゾール−ホルム
アルデヒド型ノボラック、 0.060pbw の2,4−ビス(トリクロロメチル
)−6−p−スチルベニル−s−トリアジン、0.07
0pbw のクリスタルバイオレット、C.I.425
55、 70.00pbw のプロピレングリコールモノメチル
エーテルおよび 70.00pbw のテトラヒドロフランから調製する
。 【0052】この溶液を、実施例1と同様に処理したア
ルミニウムホイルにスピンコーティングにより塗布し、
乾燥して2μm の層厚を得る。 【0053】実施例1と同じ試験を、同じ条件下で、同
じ現像剤を使用して行う。その結果を表3に示す。 【0054】表3                          
                         
                      実施例
  添加剤No. 連続明暗くさび  陰画処理の  
貯蔵        印刷部数  No.   No.
   (表1)      評価        温度
範囲    安定性    陽画      陰画  
                陰画      陽
画              (時間)      
            2−1    5     
     1−4    3    110−150 
    〉3    n.d.      n.d.2
−2    6          1−4    3
    110−150     〉3  90,00
0    80,0002−3    16     
   1−4    3    110−150   
  〉3    n.d.      n.d.2−4
    17        1−4    3   
 110−150     〉3  90,000  
  80,0002−5    18        
1−4    3    110−150     〉
3  90,000    80,0002−6  2
−ジエチル−   1−4    3    110−
150     〉3  90,000    50,
000        アミノ−4,6−   層が強
く        ジエトキシ−s− 攻撃されている
        トリアジン 2−7  ヘキサキス−   1−4    3   
 130−150     〉2  90,000  
  60,000        メトキシ−    
 層が攻撃        メチル−       さ
れている        メラミン         
                         
                      この試
験の結果も、アルカリ性の強い現像剤を使用する場合、
本発明に係わる添加剤が、陰画処理で最良の全体的な特
性を発揮することを示している。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】必須成分として、水に不溶でありアルカリ
    水溶液に可溶な結合剤、1,2−キノンジアジド、およ
    び熱処理により露光した区域の現像剤溶解性を低くする
    化合物を含む照射感応性混合物であって、その混合物が
    前記現像剤溶解性を低くする化合物として、少なくとも
    一つの、式I で表され、 ここで、 R1 が水素またはメチルであり、 R2 が水素、アルキル、置換した、または置換してい
    ないアリール、または置換した、または置換していない
    アリールアミノカルボニルであり、 R3 が置換した、または置換していないアリーレンま
    たはアリーレンアルキレンであり、 Qが水素、−CH4−p 、CR5 R6 であって、
    R5 およびR6 は同一でも異なっていてもよく、水
    素、アルキルまたはアリール、カルボニル、酸素または
    硫黄原子またはスルホニルであり、 mが1、2または3であり、 nが≧1および≦50の数であり、 pが1、2または3である ウレタンを含むことを特徴とする、照射感応性混合物。
  2. 【請求項2】少なくとも一つの、式I で表され、R1
     が水素またはメチルであり、 R2 が水素、C1 −C2 アルキル、アルキルで置
    換できるフェニル、ナフチル、またはフェニルアミノカ
    ルボニルであり、 R3 がアルキルで置換できるフェニレンであり、Qが
    水素、またはメチレンであり、 mが1または2であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1または2である 化合物を含むことを特徴とする、請求項1に記載する混
    合物。
  3. 【請求項3】少なくとも一つの、式I で表され、R1
     が水素であり、 R2 がアルキルで置換できるフェニル、フェニルアミ
    ノカルボニルであり、 R3 がフェニレンであり、 Qが水素であり、 mが1であり、 nが≧3および≦25の数であり、 pが1である 化合物を含むことを特徴とする、請求項1または2に記
    載する混合物。
  4. 【請求項4】その混合物の不揮発成分の重量に対して0
    .5〜30重量%の、式I の化合物を含むことを特徴
    とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載する照射感
    応性混合物。
  5. 【請求項5】1,2−キノンジアジドが、4−または5
    −位置に電気陰性置換基を有する1,2−ナフトキノン
      2−ジアジド誘導体であることを特徴とする、請求
    項1に記載する照射感応性混合物。
  6. 【請求項6】その電気陰性置換基がアリールオキシスル
    ホニル基であることを特徴とする、請求項5に記載する
    照射感応性混合物。
  7. 【請求項7】結合剤が、結合剤1gあたり1〜10mm
    olのフェノール性水酸基を含む重縮合生成物または重
    合体であることを特徴とする、請求項1に記載する照射
    感応性混合物。
  8. 【請求項8】基材、およびその基材に塗布した、請求項
    1〜7のいずれか1項に記載する混合物を含む照射感応
    性層からなることを特徴とする、照射感応性記録材料。
  9. 【請求項9】基材、およびその基材に塗布した照射感応
    性層からなる、通常は陽画作用照射感応性型の記録材料
    を、画像を映す様に露光し、熱処理し、原画を使用せず
    にその層全体を露光し、それに続いて現像剤で現像する
    ことにより、陰画記録材料を製作するための方法であっ
    て、請求項8に記載する照射感応性記録材料を使用する
    こと、および熱処理を80〜150℃の温度で、10秒
    間〜5分間行うことを特徴とする方法。
JP3042526A 1990-02-15 1991-02-14 照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法 Pending JPH04214564A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4004719A DE4004719A1 (de) 1990-02-15 1990-02-15 Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
DE4004719.9 1990-02-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04214564A true JPH04214564A (ja) 1992-08-05

Family

ID=6400231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3042526A Pending JPH04214564A (ja) 1990-02-15 1991-02-14 照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5368975A (ja)
EP (1) EP0442386B1 (ja)
JP (1) JPH04214564A (ja)
KR (1) KR910015887A (ja)
CA (1) CA2035722A1 (ja)
DE (2) DE4004719A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100572089B1 (ko) * 1998-06-08 2006-04-17 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 신규폴리옥시에틸렌알킬페놀에테르 유도체를 함유하는 금속표면처리제
JP2009031404A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215861A (en) * 1992-03-17 1993-06-01 International Business Machines Corporation Thermographic reversible photoresist
US6787642B2 (en) * 2001-03-23 2004-09-07 The Regents Of The University Of California Use of insect cell membrane transporters as novel target sites for inspection
KR20180044332A (ko) * 2015-08-21 2018-05-02 메르크 파텐트 게엠베하 기판 상의 패터닝된 뱅크 구조체들 및 형성 방법
CN110683968B (zh) * 2019-10-14 2021-08-06 中国石油化工股份有限公司 一种稠油开采用泡沫剂及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE526866A (ja) * 1953-03-11
DE1447963B2 (de) * 1965-11-24 1972-09-07 KaIIe AG, 6202 Wiesbaden Biebnch Verfahren zur herstellung einer offsetdruckform aus einem vorsensibilisierten druckplattenmaterial
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
GB1375461A (ja) * 1972-05-05 1974-11-27
US4196003A (en) * 1974-02-01 1980-04-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
DE2547905C2 (de) * 1975-10-25 1985-11-21 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
US4212970A (en) * 1977-11-28 1980-07-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. 2-Halomethyl-5-vinyl-1,3,4-oxadiazole compounds
JPS5560944A (en) * 1978-10-31 1980-05-08 Fuji Photo Film Co Ltd Image forming method
JPS566236A (en) * 1979-06-28 1981-01-22 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and pattern forming method using it
GB2082339B (en) * 1980-08-05 1985-06-12 Horsell Graphic Ind Ltd Lithographic printing plates and method for processing
DE3325023A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
DE3325022A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
IT1169682B (it) * 1983-11-08 1987-06-03 I M G Ind Materiali Grafici Sp Composizione per fotoriproduzioni
DE3406927A1 (de) * 1984-02-25 1985-08-29 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen
CA1254432A (en) * 1984-12-28 1989-05-23 Conrad G. Houle High-temperature resistant, selectively developable positive-working resist
GB2171530B (en) * 1985-02-27 1989-06-28 Imtec Products Inc Method of producing reversed photoresist images by vapour diffusion
DE3528930A1 (de) * 1985-08-13 1987-02-26 Hoechst Ag Polymere verbindungen und diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch
JPH07120039B2 (ja) * 1986-11-14 1995-12-20 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
DE3711264A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
JPH0727208B2 (ja) * 1987-04-20 1995-03-29 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US4775609A (en) * 1987-05-18 1988-10-04 Hoescht Celanese Corporation Image reversal
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
US4835086A (en) * 1988-02-12 1989-05-30 Hoechst Celanese Corporation Polysulfone barrier layer for bi-level photoresists
US4889787A (en) * 1988-04-25 1989-12-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Low gain positive acting diazo oxide pre-press proofing system with polyvinyl ether and particulate slip agent in adhesive layer
US5024922A (en) * 1988-11-07 1991-06-18 Moss Mary G Positive working polyamic acid/imide and diazoquinone photoresist with high temperature pre-bake
DE3900735A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-26 Hoechst Ag Neue mehrfunktionelle (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100572089B1 (ko) * 1998-06-08 2006-04-17 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 신규폴리옥시에틸렌알킬페놀에테르 유도체를 함유하는 금속표면처리제
JP2009031404A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP0442386A3 (en) 1991-12-18
EP0442386B1 (de) 1996-05-01
CA2035722A1 (en) 1991-08-16
DE4004719A1 (de) 1991-08-22
DE59107744D1 (de) 1996-06-05
KR910015887A (ko) 1991-09-30
EP0442386A2 (de) 1991-08-21
US5368975A (en) 1994-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19990068178A (ko) N-치환된 말레이미드 단위를 함유하는 중합체 및 방사선-감응성 혼합물에서의 이의 용도
US4699867A (en) Radiation-sensitive positive working composition and material with aqueous-alkaline soluble acryamide or methacryamide copolymer having hydroxyl or carboxyl groups
AU627196B2 (en) Radiation-curable composition and radiation-sensitive recording material prepared therefrom for use with high-energy radiation
US5650259A (en) Processes for pattern formation using photosensitive compositions and liquid development
JPH08253534A (ja) 橋かけポリマー
HK178995A (en) Positive-working photosensitive composition containing a dye and positive-working photosensitive recording material prepared from this composition
JPH05222257A (ja) ポリフェノールおよびアセタールをベースとする感光性組成物
EP0424124B1 (en) Positive-acting photoresist compositions
JPS5934293B2 (ja) 感光性組成物
KR960015635B1 (ko) 감광성 조성물, 이로부터 제조한 감광성 복사물질 및 네가티브 릴리프 복사물의 생산방법
JP2761482B2 (ja) 照射感応性混合物、その混合物を使用して製造する照射感応性記録材料およびレリーフ複写の製作方法
US5298364A (en) Radiation-sensitive sulfonic acid esters and their use
KR960016309B1 (ko) 포지티브 방사선 감수성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선 감수성 기록물질
EP0083078B1 (en) Photosensitive resin composition and method for forming fine patterns with said composition
JP2783687B2 (ja) 照射感応性混合物およびこれから製造する照射感応性記録材料
US5037721A (en) Positive radiation-sensitive mixture containing monomeric acid-cleavable compound and radiation-sensitive recording material produced therefrom
CA2017338A1 (en) Method of using selected photoactive compounds in high resolution acid hardening photoresists with near ultraviolet radiation
US5292626A (en) Developer composition for irradiated, radiation-sensitive positive-working, negative-working and reversible reprographic layers
JPH01263647A (ja) 感光性組成物、感光性複写材料及びネガチブレリーフ複写の製法
JP2559852B2 (ja) ポジ型の感放射線性混合物、および該混合物を含有する感放射線性複写材料
JPH04214564A (ja) 照射感応性混合物、それから製造する照射感応性記録材料およびレリーフ記録物の製造方法
JPH04211264A (ja) 陰画複写物の製造方法
EP0307752B1 (en) Poly(3-mono- and 3,5-disubstituted-4-acetoxystyrenes and 4-hydroxy-styrenes)and their use
US5776652A (en) Aromatic hexafluoropropanesulfonate diazonium salts and their use in radiation-sensitive mixtures
KR960016307B1 (ko) 1,2-나프토퀴논디아지드-기본 감광성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조한 복사물질