JPH04211908A - 半導体ウエハー製造方法 - Google Patents
半導体ウエハー製造方法Info
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- JPH04211908A JPH04211908A JP1808691A JP1808691A JPH04211908A JP H04211908 A JPH04211908 A JP H04211908A JP 1808691 A JP1808691 A JP 1808691A JP 1808691 A JP1808691 A JP 1808691A JP H04211908 A JPH04211908 A JP H04211908A
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- wafer
- semiconductor ingot
- grindstone
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- grinding
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野】この発明は半導体の製造工程にお
いて、半導体の材料を薄片状のウエハーに切断するウエ
ハーの製造方法並びに装置に係るものである。
いて、半導体の材料を薄片状のウエハーに切断するウエ
ハーの製造方法並びに装置に係るものである。
【従来の技術】従来、シリコン等の材料（半導体インゴ
ットという）をウエハーに切断するには、主として高速
回転する内周刃に、半導体インゴットを押し付ける方法
によっていたが、切断刃の保持方法、両刃面の切断性能
のアンバランス、クーラント、風圧の不均一等の原因に
より切断面の平面度、従って切断されたウエハーの面精
度を上げることが困難であった。特に近来、生産効率を
向上させるために半導体インゴットの径を大きくする、
いわゆる、大口径化の技術的要請が強いが、大口径化す
る程、これに伴ってウエハーの両面のそり（平面度誤差
）が大となる点が問題になってきている。また、ウエハ
ーのそりが大きく、面精度が悪いと、後工程の研削、ラ
ッピング加工における修正、仕上げに多大の工数と経費
と有し、必ずしも満足な面精度が得られなかった。
ットという）をウエハーに切断するには、主として高速
回転する内周刃に、半導体インゴットを押し付ける方法
によっていたが、切断刃の保持方法、両刃面の切断性能
のアンバランス、クーラント、風圧の不均一等の原因に
より切断面の平面度、従って切断されたウエハーの面精
度を上げることが困難であった。特に近来、生産効率を
向上させるために半導体インゴットの径を大きくする、
いわゆる、大口径化の技術的要請が強いが、大口径化す
る程、これに伴ってウエハーの両面のそり（平面度誤差
）が大となる点が問題になってきている。また、ウエハ
ーのそりが大きく、面精度が悪いと、後工程の研削、ラ
ッピング加工における修正、仕上げに多大の工数と経費
と有し、必ずしも満足な面精度が得られなかった。
【発明の概要】本発明は、少なくともウエハーの片面の
平面度を飛躍的に改善する方法並びに装置を提供するも
のである。本発明は、半導体インゴットからウエハーを
切断するスライシング機の切断機能に半導体インゴット
の端面を平面研削する機能を付加し、即ち、１台の機械
で切断加工と半導体インゴットの端面研削加工を行い、
切断されたウエハーの片面の平面度を高精度に仕上げる
ことを可能とするもので、半導体インゴットは、端面研
削と切断とが交互に行われる。
平面度を飛躍的に改善する方法並びに装置を提供するも
のである。本発明は、半導体インゴットからウエハーを
切断するスライシング機の切断機能に半導体インゴット
の端面を平面研削する機能を付加し、即ち、１台の機械
で切断加工と半導体インゴットの端面研削加工を行い、
切断されたウエハーの片面の平面度を高精度に仕上げる
ことを可能とするもので、半導体インゴットは、端面研
削と切断とが交互に行われる。
【実施例】以下、本発明の方法並びに装置の実施例を図
面を参照して説明する。図１に、内周刃のブレードをス
ピンドルに取付けた横型スライシング機に適用した実施
例を示す。図において、半導体インゴット１は、スピン
ドル７に取付けられ、高速回転する内周刃のブレード６
に対して図示しない保持機構、送り機構により、矢印Ｂ
、Ａ方向に移動して薄片状のウエハーに切断される。 図に於いて、横型スライシング機に於いて、内周刃のブ
レード６は高速回転するスピンドル７に張設され、高速
回転される。半導体インゴット１は図示しない保持機構
、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して薄片状のウエ
ハーに切断される。横型スライシングの同一機上で、ブ
レード６のスピンドル７の外側に近接して砥石軸８Ａを
設け、砥石軸８Ａの先端に端面研削用砥石８を設けて半
導体インゴット１の端面方向に向ける。半導体インゴッ
ト１の移動機構の移動ストロークを大きくして、切断加
工の直前に、半導体インゴット１を、図１の１点鎖線で
示すように砥石８の位置に移動させて、端面研削を行い
、半導体インゴット１を矢印Ｄ、Ｃ、Ｂと移動させ、ブ
レード６の中央開口部に送り込み、矢印Ａ方向の送りに
よりブレード６が切り込んでウエハー切断を行う。本発
明の方法並びに装置は、この実施例に限らず、縦型形式
または外周刃方式のスライシング機にも適用することが
できる。
面を参照して説明する。図１に、内周刃のブレードをス
ピンドルに取付けた横型スライシング機に適用した実施
例を示す。図において、半導体インゴット１は、スピン
ドル７に取付けられ、高速回転する内周刃のブレード６
に対して図示しない保持機構、送り機構により、矢印Ｂ
、Ａ方向に移動して薄片状のウエハーに切断される。 図に於いて、横型スライシング機に於いて、内周刃のブ
レード６は高速回転するスピンドル７に張設され、高速
回転される。半導体インゴット１は図示しない保持機構
、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して薄片状のウエ
ハーに切断される。横型スライシングの同一機上で、ブ
レード６のスピンドル７の外側に近接して砥石軸８Ａを
設け、砥石軸８Ａの先端に端面研削用砥石８を設けて半
導体インゴット１の端面方向に向ける。半導体インゴッ
ト１の移動機構の移動ストロークを大きくして、切断加
工の直前に、半導体インゴット１を、図１の１点鎖線で
示すように砥石８の位置に移動させて、端面研削を行い
、半導体インゴット１を矢印Ｄ、Ｃ、Ｂと移動させ、ブ
レード６の中央開口部に送り込み、矢印Ａ方向の送りに
よりブレード６が切り込んでウエハー切断を行う。本発
明の方法並びに装置は、この実施例に限らず、縦型形式
または外周刃方式のスライシング機にも適用することが
できる。
【発明の効果】以上詳述したように、本発明を採用する
ことにより、同一機上で、端面研削機構を付加する以外
は、すべてスライシング機の機構を利用して、半導体イ
ンゴットと取付け等の段取り替えを要せず、切断加工サ
イクル中に、半導体インゴットの端面を高精度に研削す
ることが可能となる。従って、半導体インゴット端面の
平面度の測定管理が不要となり、切断されたウエハーの
品質、即ち、片面の平面度を飛躍的に向上させることが
できる。また、後工程の工数、経費等が著しく削減され
、生産性を高めることができる等多大の効果が得られる
。
ことにより、同一機上で、端面研削機構を付加する以外
は、すべてスライシング機の機構を利用して、半導体イ
ンゴットと取付け等の段取り替えを要せず、切断加工サ
イクル中に、半導体インゴットの端面を高精度に研削す
ることが可能となる。従って、半導体インゴット端面の
平面度の測定管理が不要となり、切断されたウエハーの
品質、即ち、片面の平面度を飛躍的に向上させることが
できる。また、後工程の工数、経費等が著しく削減され
、生産性を高めることができる等多大の効果が得られる
。
【図１】図１は本発明の実施例の機構説明図
４…半導体インゴット
６…ブレード
４…端面
８…端面研削砥石
Claims (2)
- 【請求項１】回転するスピンドルに切断刃を取付けて半
導体材料を薄片状に切断するウエハー製造方法に於いて
、砥石がスピンドルの外側に近接して配置され、この砥
石で半導体材料の端面を研削する研削工程と、切断刃に
よって半導体材料をウエハーに切断する工程と、の両工
程を交互に繰り返し行うことを特徴とするウエハー製造
方法。 - 【請求項２】回転するスピンドルに切断刃を取付けて半
導体材料を薄片状に切断するウエハー製造装置に於いて
、前記スピンドル外側の近傍に回転する砥石軸を取付け
、切断された半導体材料の端面を研削する砥石を前記砥
石軸の先端に取付けたことを特徴とするウエハー製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018086A JP2537573B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体ウエハ―製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018086A JP2537573B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体ウエハ―製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22935684A Division JPS61106207A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | ウエハー製造方法並びに装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211908A true JPH04211908A (ja) | 1992-08-03 |
| JP2537573B2 JP2537573B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=11961839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018086A Expired - Lifetime JP2537573B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体ウエハ―製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537573B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382257A (en) | 1943-04-21 | 1945-08-14 | Albert Ramsay | Manufacture of piezoelectric oscillator blanks |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3018086A patent/JP2537573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2537573B2 (ja) | 1996-09-25 |
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