JPH04211907A - ウエハー製造装置 - Google Patents
ウエハー製造装置Info
- Publication number
- JPH04211907A JPH04211907A JP1808591A JP1808591A JPH04211907A JP H04211907 A JPH04211907 A JP H04211907A JP 1808591 A JP1808591 A JP 1808591A JP 1808591 A JP1808591 A JP 1808591A JP H04211907 A JPH04211907 A JP H04211907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grindstone
- wafer
- semiconductor ingot
- grinding
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野】この発明は半導体の製造工程にお
いて、半導体の材料を薄片状のウエハーに切断するウエ
ハーの製造装置に係るものである。
いて、半導体の材料を薄片状のウエハーに切断するウエ
ハーの製造装置に係るものである。
【従来の技術】従来、シリコン等の材料（半導体インゴ
ットという）をウエハーに切断するには、主として高速
回転する内周刃に、半導体インゴットを押し付ける方法
によっていたが、切断刃の保持方法、両刃面の切断性能
のアンバランス、クーラント、風圧の不均一等の原因に
より切断面の平面度、従って切断されたウエハーの面精
度を上げることが困難であった。特に近来、生産効率を
向上させるために半導体インゴットの径を大きくする、
いわゆる、大口径化の技術的要請が強いが、大口径化す
る程、これに伴ってウエハーの両面のそり（平面度誤差
）が大となる点が問題になってきている。また、ウエハ
ーのそりが大きく、面精度が悪いと、後工程の研削、ラ
ッピング加工における修正、仕上げに多大の工数と経費
と有し、必ずしも満足な面精度が得られなかった。
ットという）をウエハーに切断するには、主として高速
回転する内周刃に、半導体インゴットを押し付ける方法
によっていたが、切断刃の保持方法、両刃面の切断性能
のアンバランス、クーラント、風圧の不均一等の原因に
より切断面の平面度、従って切断されたウエハーの面精
度を上げることが困難であった。特に近来、生産効率を
向上させるために半導体インゴットの径を大きくする、
いわゆる、大口径化の技術的要請が強いが、大口径化す
る程、これに伴ってウエハーの両面のそり（平面度誤差
）が大となる点が問題になってきている。また、ウエハ
ーのそりが大きく、面精度が悪いと、後工程の研削、ラ
ッピング加工における修正、仕上げに多大の工数と経費
と有し、必ずしも満足な面精度が得られなかった。
【発明の概要】本発明は、少なくともウエハーの片面の
平面度を飛躍的に改善する方法並びに装置を提供するも
のである。本発明は、半導体インゴットからウエハーを
切断するスライシング機の切断機能に半導体インゴット
の端面を平面研削する機能を付加し、即ち、１台の機械
で切断加工と半導体インゴットの端面研削加工を行い、
切断されたウエハーの片面の平面度を高精度に仕上げる
ことを可能とするもので、半導体インゴットの端面研削
は、切断と同時に進行してもよいし、または、端面研削
と切断とを交互に行ってもよい。
平面度を飛躍的に改善する方法並びに装置を提供するも
のである。本発明は、半導体インゴットからウエハーを
切断するスライシング機の切断機能に半導体インゴット
の端面を平面研削する機能を付加し、即ち、１台の機械
で切断加工と半導体インゴットの端面研削加工を行い、
切断されたウエハーの片面の平面度を高精度に仕上げる
ことを可能とするもので、半導体インゴットの端面研削
は、切断と同時に進行してもよいし、または、端面研削
と切断とを交互に行ってもよい。
【実施例】以下、本発明のウエハー製造装置の実施例を
図面を参照して説明する。図１に、内周刃のブレードを
中空スピンドルに取付けた横型スライシング機に適用し
た第１実施例を示す。図において、半導体インゴット１
は、中空スピンドル３に取付けられ、高速回転する内周
刃のブレード２に対して図示しない保持機構、送り機構
により、矢印Ａ方向に移動して薄片状のウエハーに切断
される。図に於いて、横型スライシング機に於いて、内
周刃のブレード２は高速回転する中空スピンドル３に張
設され、高速回転される。半導体インゴット１は図示し
ない保持機構、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して
薄片状のウエハーに切断される。一方、横型スライシン
グ機の同一機上の中空スピンドル３内に砥石軸５Ａが中
空スピンドル３と同軸方向に配置され、砥石軸５Ａの先
端に砥石５が設けられる。ウエハー切断時半導体インゴ
ット１の端面４に対して、平面研削用の回転する砥石５
を当て、半導体インゴット１を矢印Ａ方向に移動させる
と、まず端面４が砥石５によって研削され、次にブレー
ド２が半導体インゴット１に切り込んでウエハーに切断
する。その際、切断されるウエハーに欠けや割れやひび
が生じないように、砥石５で研削されている部分にはブ
レード２の切り込み先端が達しないようにブレード２と
砥石５を配設する。即ち、砥石５による半導体インゴッ
ト端面の研削位置は、ブレード２による半導体インゴッ
トの切込み位置より先行させ、ブレード２による半導体
インゴットの切込み位置は半導体インゴット端面の研削
位置より常に遅れてなされる。端面研削が終了した所で
砥石５は後退（図では右方向に移動）し、半導体インゴ
ット１も原位置に復帰して次の加工サイクルに入る。こ
の方式では、半導体インゴット１の端面研削と切断が並
行して、ほぼ同時に行えるので、ロス時間がなく、極め
て能率的である。本発明の装置は、この実施例に限らず
、縦型形式または外周刃方式のスライシング機にも適用
することができる。
図面を参照して説明する。図１に、内周刃のブレードを
中空スピンドルに取付けた横型スライシング機に適用し
た第１実施例を示す。図において、半導体インゴット１
は、中空スピンドル３に取付けられ、高速回転する内周
刃のブレード２に対して図示しない保持機構、送り機構
により、矢印Ａ方向に移動して薄片状のウエハーに切断
される。図に於いて、横型スライシング機に於いて、内
周刃のブレード２は高速回転する中空スピンドル３に張
設され、高速回転される。半導体インゴット１は図示し
ない保持機構、送り機構により、矢印Ａ方向に移動して
薄片状のウエハーに切断される。一方、横型スライシン
グ機の同一機上の中空スピンドル３内に砥石軸５Ａが中
空スピンドル３と同軸方向に配置され、砥石軸５Ａの先
端に砥石５が設けられる。ウエハー切断時半導体インゴ
ット１の端面４に対して、平面研削用の回転する砥石５
を当て、半導体インゴット１を矢印Ａ方向に移動させる
と、まず端面４が砥石５によって研削され、次にブレー
ド２が半導体インゴット１に切り込んでウエハーに切断
する。その際、切断されるウエハーに欠けや割れやひび
が生じないように、砥石５で研削されている部分にはブ
レード２の切り込み先端が達しないようにブレード２と
砥石５を配設する。即ち、砥石５による半導体インゴッ
ト端面の研削位置は、ブレード２による半導体インゴッ
トの切込み位置より先行させ、ブレード２による半導体
インゴットの切込み位置は半導体インゴット端面の研削
位置より常に遅れてなされる。端面研削が終了した所で
砥石５は後退（図では右方向に移動）し、半導体インゴ
ット１も原位置に復帰して次の加工サイクルに入る。こ
の方式では、半導体インゴット１の端面研削と切断が並
行して、ほぼ同時に行えるので、ロス時間がなく、極め
て能率的である。本発明の装置は、この実施例に限らず
、縦型形式または外周刃方式のスライシング機にも適用
することができる。
【発明の効果】以上詳述したように、本発明を採用する
ことにより、同一機上で、端面研削機構を付加する以外
は、すべてスライシング機の機構を利用して、半導体イ
ンゴットと取付け等の段取り替えを要せず、切断加工と
並行して、または切断加工サイクル中に、半導体インゴ
ットの端面を高精度に研削することが可能となる。従っ
て、半導体インゴット端面の平面度の測定管理が不要と
なり、切断されたウエハーの品質、即ち、片面の平面度
を飛躍的に向上させることができる。また、後工程の工
数、経費等が著しく削減され、生産性を高めることがで
きる等多大の効果が得られる。
ことにより、同一機上で、端面研削機構を付加する以外
は、すべてスライシング機の機構を利用して、半導体イ
ンゴットと取付け等の段取り替えを要せず、切断加工と
並行して、または切断加工サイクル中に、半導体インゴ
ットの端面を高精度に研削することが可能となる。従っ
て、半導体インゴット端面の平面度の測定管理が不要と
なり、切断されたウエハーの品質、即ち、片面の平面度
を飛躍的に向上させることができる。また、後工程の工
数、経費等が著しく削減され、生産性を高めることがで
きる等多大の効果が得られる。
【図１】図１は本発明の実施例の機構説明図
１…半導体インゴット
２…ブレード
４…端面
５…端面研削砥石
Claims (1)
- 【請求項１】回転するスピンドルに切断刃を取付けて半
導体材料を薄片状に切断するウエハー製造装置に於いて
、前記スピンドルは中空に形成され、前記スピンドルの
内部でスピンドルと同軸方向に砥石軸を配置すると共に
この砥石軸の先端に切断された半導体材料の端面を研削
する砥石を取付けたことを特徴とするウエハー製造装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018085A JPH0613173B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | ウエハー製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018085A JPH0613173B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | ウエハー製造装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22935684A Division JPS61106207A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | ウエハー製造方法並びに装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211907A true JPH04211907A (ja) | 1992-08-03 |
| JPH0613173B2 JPH0613173B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=11961812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018085A Expired - Lifetime JPH0613173B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | ウエハー製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613173B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382257A (en) * | 1943-04-21 | 1945-08-14 | Albert Ramsay | Manufacture of piezoelectric oscillator blanks |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3018085A patent/JPH0613173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382257A (en) * | 1943-04-21 | 1945-08-14 | Albert Ramsay | Manufacture of piezoelectric oscillator blanks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613173B2 (ja) | 1994-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4344260A (en) | Method for precision shaping of wafer materials | |
| JP5238317B2 (ja) | シリコンブロックの研削研磨機及びシリコンウエハの加工方法 | |
| JP2011255454A5 (ja) | ||
| US4896459A (en) | Apparatus for manufacturing thin wafers of hard, non-metallic material such as for use as semiconductor substrates | |
| JP3328193B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| JP5517156B2 (ja) | インゴットブロックの複合面取り加工装置 | |
| US5845630A (en) | Process and apparatus for fabricating a semiconductor wafer | |
| JPH0212729B2 (ja) | ||
| US4881518A (en) | Apparatus for manufacturing and handling thin wafers | |
| US4587765A (en) | Method of an apparatus for grinding work surface | |
| JP3848779B2 (ja) | 内面研削装置 | |
| JPH04211907A (ja) | ウエハー製造装置 | |
| JPH04211908A (ja) | 半導体ウエハー製造方法 | |
| JPS61114813A (ja) | 切断方法 | |
| JPH0752007A (ja) | ロータリ研削盤及び研削方法 | |
| JPH0615634A (ja) | ウエハのスライシング方法 | |
| JP2007044853A (ja) | ウェーハ面取り方法及びウェーハ面取り装置 | |
| JP7398852B1 (ja) | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 | |
| JPH05318294A (ja) | Ｓｉウエハの研削方法 | |
| JP3365439B2 (ja) | 研削装置 | |
| GB2116085A (en) | Grinding machine and method of grinding a workpiece | |
| JPS62224537A (ja) | 薄基板製造用の複合加工機 | |
| JP2001310247A (ja) | 回転ワークの研削方法 | |
| JPH01210313A (ja) | ウエハの切断装置 | |
| JP2003011041A (ja) | 圧電素子のベベル面加工方法および圧電素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |