JPH042119A - 不純物拡散方法 - Google Patents
不純物拡散方法Info
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- JPH042119A JPH042119A JP2102637A JP10263790A JPH042119A JP H042119 A JPH042119 A JP H042119A JP 2102637 A JP2102637 A JP 2102637A JP 10263790 A JP10263790 A JP 10263790A JP H042119 A JPH042119 A JP H042119A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/923—Diffusion through a layer
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、不純物拡散方法に関し、特に■−■族化合物
半導体に亜鉛元素を固相拡散する方法の改良に関するも
のである。
半導体に亜鉛元素を固相拡散する方法の改良に関するも
のである。
化合物半導体を用いて製造されるフォトダイオード、半
導体レーザ等の光デバイスにおいて、重要な技術のひと
つに不純物拡散技術があり、そしてＩｎＰ系の半導体材
料に不純物Ｚｎを拡散させ、Ｐ型半導体領域を得る方法
に気相拡散法や固相拡散法が用いられている。
導体レーザ等の光デバイスにおいて、重要な技術のひと
つに不純物拡散技術があり、そしてＩｎＰ系の半導体材
料に不純物Ｚｎを拡散させ、Ｐ型半導体領域を得る方法
に気相拡散法や固相拡散法が用いられている。
上記気相拡散法は、例えば特開昭６３−２０８７８号公
報に示されるように、基板上に拡散防止膜を選択的に形
成し、該基板を拡散不純物とともに真空容器内に封入し
、熱処理により拡散を行う方法である。
報に示されるように、基板上に拡散防止膜を選択的に形
成し、該基板を拡散不純物とともに真空容器内に封入し
、熱処理により拡散を行う方法である。
また固相拡散法は、拡散しようとする半導体表面に不純
物あるいは不純物を含む化合物等をスパッタあるいは電
子ビーム蒸着法等によって薄膜状に形成し、その膜から
半導体中に不純物を供給し拡散させる方法である（特開
昭６２−９８７２１号公報参照）。
物あるいは不純物を含む化合物等をスパッタあるいは電
子ビーム蒸着法等によって薄膜状に形成し、その膜から
半導体中に不純物を供給し拡散させる方法である（特開
昭６２−９８７２１号公報参照）。
以下ＩｎＰ基板にＺｎを固相拡散する方法を第２図（ａ
）を用いて説明する。
）を用いて説明する。
まず半絶縁性のＩｎＰ基板１上に拡散源層としてのＺｎ
Ｏスパッタ膜３を１５００λ程度の厚さに形成する。続
いてＳ ｉＯｚスパッタ膜４を１０００λ程度の厚さに
形成する。その後１気圧程度のＮ２雰囲気中で５５０°
Ｃで１時間拡散を行う。
Ｏスパッタ膜３を１５００λ程度の厚さに形成する。続
いてＳ ｉＯｚスパッタ膜４を１０００λ程度の厚さに
形成する。その後１気圧程度のＮ２雰囲気中で５５０°
Ｃで１時間拡散を行う。
ここでＳｉＯ□膜４を形成しているのは、熱処理の際拡
散源のスパッタ膜３からＺｎが逃げてい（のを防止する
ためである。
散源のスパッタ膜３からＺｎが逃げてい（のを防止する
ためである。
また第２図ら）はこの固相拡散技術によって、ＩｎＰ基
板１中に不純物Ｚｎを拡散させた時のキャリア濃度のデ
プスプロファイルを示している。
板１中に不純物Ｚｎを拡散させた時のキャリア濃度のデ
プスプロファイルを示している。
このプロファイルでは、表面でのキャリア濃度は約１０
１８０．、−２であるが、キャリア濃度は深さ方向に急
激に減少しており、表面から約８μｍの深さで緩やかな
濃度勾配の拡散フロントを持っている。また、拡散後の
ＩｎＰ表面は多数の荒れが観測された。さらに拡散温度
を上げ５７０°Ｃで拡散を行うと、キャリア濃度は５５
０°Ｃのときとほぼ同じであり、表面荒れはさらに進行
することが認められた。
１８０．、−２であるが、キャリア濃度は深さ方向に急
激に減少しており、表面から約８μｍの深さで緩やかな
濃度勾配の拡散フロントを持っている。また、拡散後の
ＩｎＰ表面は多数の荒れが観測された。さらに拡散温度
を上げ５７０°Ｃで拡散を行うと、キャリア濃度は５５
０°Ｃのときとほぼ同じであり、表面荒れはさらに進行
することが認められた。
［発明が解決しようとする課題］
このように従来の固相拡散技術によってＩｎＰ中にＺｎ
を拡散させる方法では、表面近傍でのみキャリア濃度が
高く、濃度分布は深さ方向に急激に減少する不均一な分
布となり、しかも表面が著しく荒れるというデバイス作
製用プロセスとしては極めて不都合な問題があった。さ
らに拡散温度を上げてもキャリア濃度は上がらず、１０
”ｃｍ−”以上の高キャリア濃度を得ることは困難で
あった。
を拡散させる方法では、表面近傍でのみキャリア濃度が
高く、濃度分布は深さ方向に急激に減少する不均一な分
布となり、しかも表面が著しく荒れるというデバイス作
製用プロセスとしては極めて不都合な問題があった。さ
らに拡散温度を上げてもキャリア濃度は上がらず、１０
”ｃｍ−”以上の高キャリア濃度を得ることは困難で
あった。
本発明は以上のような従来の問題点を解消するためにな
されたもので、拡散後の表面荒れを無くし、デバイス作
製用のプロセスとして適用可能にすることができ、また
、半導体材料表面部でのキャリア濃度が１０ ”ｃｍ−
３以上と高くかつキャリア濃度分布が均一であり、しか
も半導体材料内部での拡散フロントが急峻である拡散デ
プスプロファイルを得ることができる不純物拡散方法を
得ることを目的とする。
されたもので、拡散後の表面荒れを無くし、デバイス作
製用のプロセスとして適用可能にすることができ、また
、半導体材料表面部でのキャリア濃度が１０ ”ｃｍ−
３以上と高くかつキャリア濃度分布が均一であり、しか
も半導体材料内部での拡散フロントが急峻である拡散デ
プスプロファイルを得ることができる不純物拡散方法を
得ることを目的とする。
本件発明者は、不純物拡散方法では、ＩｎＰ表面に直接
拡散源となるＺｎＯ膜を形成した場合、拡散中、表面の
リン（Ｐ）と亜鉛（Ｚｎ）が合金反応を起こしＺｎ、Ｐ
２が形成され、この合金化が表面荒れとして観測され、
また上記表面での合金化がＩｎＰ中へのＺｎの拡散の障
害となっていることを見出した。
拡散源となるＺｎＯ膜を形成した場合、拡散中、表面の
リン（Ｐ）と亜鉛（Ｚｎ）が合金反応を起こしＺｎ、Ｐ
２が形成され、この合金化が表面荒れとして観測され、
また上記表面での合金化がＩｎＰ中へのＺｎの拡散の障
害となっていることを見出した。
そこで、本発明に係る不純物拡散方法は、化合物半導体
材料に不純物を拡散する際、上記化合物半導体の構成元
素のうち上記不純物と合金反応する元素を含まない第１
の半導体層を上記化合物半導体材料表面に形成し、該第
１の半導体層を上記不純物を含む第２の半導体層で被覆
し、その後熱処理を行うようにしたものである。
材料に不純物を拡散する際、上記化合物半導体の構成元
素のうち上記不純物と合金反応する元素を含まない第１
の半導体層を上記化合物半導体材料表面に形成し、該第
１の半導体層を上記不純物を含む第２の半導体層で被覆
し、その後熱処理を行うようにしたものである。
本発明においては、固相拡散を行う際、化合物半導体材
料上に、該半導体材料の構成元素と合金反応を起こす拡
散不純物を含まない半導体層を形成し、該半導体層上に
拡散源層を形成するようにしたから、化合物半導体材料
と接触する半導体層の不純物濃度が低くなり、上記合金
反応が大きく抑制され、表面の荒れをなくすことができ
る。また上記合金反応の抑制により、不純物の半導体材
料への拡散が促進されることとなり、これにより該半導
体材料表面部でのキャリア濃度を高くかつ均一にでき、
さらに半導体材料の内部で急峻な拡散フロントを得るこ
とができる。
料上に、該半導体材料の構成元素と合金反応を起こす拡
散不純物を含まない半導体層を形成し、該半導体層上に
拡散源層を形成するようにしたから、化合物半導体材料
と接触する半導体層の不純物濃度が低くなり、上記合金
反応が大きく抑制され、表面の荒れをなくすことができ
る。また上記合金反応の抑制により、不純物の半導体材
料への拡散が促進されることとなり、これにより該半導
体材料表面部でのキャリア濃度を高くかつ均一にでき、
さらに半導体材料の内部で急峻な拡散フロントを得るこ
とができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例による不純物拡散方
法を説明するための図であり、図において第２図と同一
符号は同一または相当部分を示し、２は絶縁性のＩｎＰ
半導体基板１上に形成されたＩｎＧａＡｓ層で、該Ｉ
ｎＧａＡｓ層２上には、拡散源となるＺｎＯスパッタ膜
３及びＳｉｎ、膜４が順次形成されている。
法を説明するための図であり、図において第２図と同一
符号は同一または相当部分を示し、２は絶縁性のＩｎＰ
半導体基板１上に形成されたＩｎＧａＡｓ層で、該Ｉ
ｎＧａＡｓ層２上には、拡散源となるＺｎＯスパッタ膜
３及びＳｉｎ、膜４が順次形成されている。
次に固相拡散方法について説明する。
半絶縁性のＩｎＰ基板１上に有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣｖＤ）あるいは液相成長法（ＬＰＥ）等によって、Ｉ
ｎＧａＡｓ層２を厚さ０．８μｍ程度成長する。続い
てこのＩｎＧａＡｓ層２上に拡散源となるＺｎＯスパッ
タ膜３を厚さ１５００人程度成長し、さらにＳｉＯ□ス
パッタ膜４を厚さ１０００人程度成長する。その後、６
００°Ｃ１気圧のＮ２雰囲気中で１時間拡散を行うや 第１図（ｂ）は上記固相拡散方法によって、ＩｎＰ基板
ｌ中に不純物Ｚｎを固相拡散した時のキャリア濃度のデ
プスプロファイルを示しており、横軸にＩｎＰ基板表面
からの拡散深さ、樅軸にキャリア濃度をとっている。
ＣｖＤ）あるいは液相成長法（ＬＰＥ）等によって、Ｉ
ｎＧａＡｓ層２を厚さ０．８μｍ程度成長する。続い
てこのＩｎＧａＡｓ層２上に拡散源となるＺｎＯスパッ
タ膜３を厚さ１５００人程度成長し、さらにＳｉＯ□ス
パッタ膜４を厚さ１０００人程度成長する。その後、６
００°Ｃ１気圧のＮ２雰囲気中で１時間拡散を行うや 第１図（ｂ）は上記固相拡散方法によって、ＩｎＰ基板
ｌ中に不純物Ｚｎを固相拡散した時のキャリア濃度のデ
プスプロファイルを示しており、横軸にＩｎＰ基板表面
からの拡散深さ、樅軸にキャリア濃度をとっている。
表面から約８μｍの深さまでキャリア濃度が約２ Ｘ
１０ ”ｃ＋＋＋−’の均一な分布をしており、約１０
μｍの深さで急峻な拡散フロントが見られる。急峻な拡
散フロントはデバイス作製上有利となる。
１０ ”ｃ＋＋＋−’の均一な分布をしており、約１０
μｍの深さで急峻な拡散フロントが見られる。急峻な拡
散フロントはデバイス作製上有利となる。
さらに拡散後のＩｎＰ基板１表面には全くの荒れは見ら
れない。これはＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓ７ｉ１を
挿入したことにより、拡散不純物Ｚｎと基板の構成元素
Ｐの合金化が抑えられ、ＺｎがＩｎＰ中に拡散し易くな
ったためである。
れない。これはＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓ７ｉ１を
挿入したことにより、拡散不純物Ｚｎと基板の構成元素
Ｐの合金化が抑えられ、ＺｎがＩｎＰ中に拡散し易くな
ったためである。
第３図は上記固相拡散技術を用いて製造した半導体レー
ザを示しており、図中３０は半導体レーザで、ＩｎＰ基
板３１上にｎ形ＩｎＰクラッド層３２．１ｎＣｙａＡｓ
ＰｎＧａＡｓＰ活性ｎＰクラッド層３４が順次形成しで
ある。また該１ｎＰクラッド層３４上には、Ｚｎ不純物
と合金反応するＰを含まないＩ ｎＧａＡｓ層３５が形
成してあり、拡散領域３６は、該ＩｎＣｙａＡｓｎＧａ
Ａｓ層３５上散源層（図示せず）からのＺｎ不純物の拡
散により形成されている。なお３７及び３８はそれぞれ
ｐ電極及びｎ電極である。
ザを示しており、図中３０は半導体レーザで、ＩｎＰ基
板３１上にｎ形ＩｎＰクラッド層３２．１ｎＣｙａＡｓ
ＰｎＧａＡｓＰ活性ｎＰクラッド層３４が順次形成しで
ある。また該１ｎＰクラッド層３４上には、Ｚｎ不純物
と合金反応するＰを含まないＩ ｎＧａＡｓ層３５が形
成してあり、拡散領域３６は、該ＩｎＣｙａＡｓｎＧａ
Ａｓ層３５上散源層（図示せず）からのＺｎ不純物の拡
散により形成されている。なお３７及び３８はそれぞれ
ｐ電極及びｎ電極である。
この場合、Ｚｎ拡散層表面での不純物濃度が高くかつ均
一であるためｐ電極３７とＩｎＰクラッド層３４との間
で良好なオーミックコンタクトをとることができる。
一であるためｐ電極３７とＩｎＰクラッド層３４との間
で良好なオーミックコンタクトをとることができる。
また本実施例の固相拡散法では急峻な拡散フロントが得
られるため、これを半導体レーザの導波路の形成に用い
た場合、光の閉じ込めを効果的に行うことができる。
られるため、これを半導体レーザの導波路の形成に用い
た場合、光の閉じ込めを効果的に行うことができる。
第４図は上記固相拡散技術を用いて製造したホトダイオ
ードを示しており、４０はホトダイオードで、ＩｎＰ基
板４１上にｎ形１ｎＰ層４２．ｎ形１ｎＣｙａＡｓ層４
３．及びｎ形ＩｎＰ層４４が形成しである。また該Ｉｎ
Ｐ層４層上４上、Ｚｎ不純物と合金反応するＰを含まな
いＩｎＧａＡｓ層４５が形成してあり、拡散領域４６は
、該ＩｎＧａＡｓ層４５上に形成した拡散源層（図示せ
ず）からのＺｎ不純物の拡散により形成されている。
ードを示しており、４０はホトダイオードで、ＩｎＰ基
板４１上にｎ形１ｎＰ層４２．ｎ形１ｎＣｙａＡｓ層４
３．及びｎ形ＩｎＰ層４４が形成しである。また該Ｉｎ
Ｐ層４層上４上、Ｚｎ不純物と合金反応するＰを含まな
いＩｎＧａＡｓ層４５が形成してあり、拡散領域４６は
、該ＩｎＧａＡｓ層４５上に形成した拡散源層（図示せ
ず）からのＺｎ不純物の拡散により形成されている。
なお、４７は絶縁膜、４８．４９は電極である。
この場合、不純物濃度が高（均一であることから、良好
なオーミック電極を容易に形成でき、拡散フロントが急
峻であるため、ＰＮ接合部の位置を正確に制御すること
ができる。
なオーミック電極を容易に形成でき、拡散フロントが急
峻であるため、ＰＮ接合部の位置を正確に制御すること
ができる。
このように本実施例では、リンを構成元素として含むＩ
ｎＰ層表面を、リンを構成元素として含まないＩ ｎＧ
ａＡｓ層で被覆し、該Ｉ ｎＧａＡｓ層上に上記不純物
Ｚｎを含む拡散源ＺｎＯ層を形成し、熱処理によりＺｎ
を上記ＩｎＰ層に拡散するようにしたので、ＩｎＰ層と
接触する半導体層の不純物濃度が低くなり、上記合金反
応が大きく抑制され、表面の荒れをなくすことができる
。また上記合金反応の抑制により、Ｚｎ不純物のＩｎＰ
層への拡散が促進されることとなり、これにより該Ｉｎ
Ｐ層表面部でのキャリア濃度を高くかつ均一にでき、さ
らにＩｎＰ層の内部でゑ、峻な拡散フロントを得ること
ができる。
ｎＰ層表面を、リンを構成元素として含まないＩ ｎＧ
ａＡｓ層で被覆し、該Ｉ ｎＧａＡｓ層上に上記不純物
Ｚｎを含む拡散源ＺｎＯ層を形成し、熱処理によりＺｎ
を上記ＩｎＰ層に拡散するようにしたので、ＩｎＰ層と
接触する半導体層の不純物濃度が低くなり、上記合金反
応が大きく抑制され、表面の荒れをなくすことができる
。また上記合金反応の抑制により、Ｚｎ不純物のＩｎＰ
層への拡散が促進されることとなり、これにより該Ｉｎ
Ｐ層表面部でのキャリア濃度を高くかつ均一にでき、さ
らにＩｎＰ層の内部でゑ、峻な拡散フロントを得ること
ができる。
なお、上記実施例ではＩｎＰ中への拡散について説明し
たが、これはリンを含む三元あるいは四元の化合物半導
体、例えばＩｎＣａＰ、ＩｎＣａＡｓＰ等にも適用でき
る。要するに、拡散源層とＩｎＰ層、との間に挿入した
層は、その組成に亜鉛と合金反応するリンを含んでいな
ければ良く、その膜厚も制限されない。
たが、これはリンを含む三元あるいは四元の化合物半導
体、例えばＩｎＣａＰ、ＩｎＣａＡｓＰ等にも適用でき
る。要するに、拡散源層とＩｎＰ層、との間に挿入した
層は、その組成に亜鉛と合金反応するリンを含んでいな
ければ良く、その膜厚も制限されない。
さらに、Ｚｎを拡散する半導体層は、リンを構成元素と
して含む半導体層に限られるものではなく、例えばＡ／
！ Ｉ ｎＧａＡｓ等のアルミニウムを構成元素とする
化合物半導体層であってもよい。
して含む半導体層に限られるものではなく、例えばＡ／
！ Ｉ ｎＧａＡｓ等のアルミニウムを構成元素とする
化合物半導体層であってもよい。
この場合、Ａ！とＺｎや０が反応することとなるので、
上記化合物半導体層表面をアミニウムを構成元素として
含まない半導体層、例えばＩｎＧａＡｓ層で被覆し、そ
の後熱処理を行って拡散する。
上記化合物半導体層表面をアミニウムを構成元素として
含まない半導体層、例えばＩｎＧａＡｓ層で被覆し、そ
の後熱処理を行って拡散する。
これにより、上記反応を抑制することができ、上記実施
例と同様の効果が得られる。
例と同様の効果が得られる。
以上のように本発明に係る不純物拡散方法によれば、化
合物半導体材料に不純物を拡散する際、上記化合物半導
体の構成元素のうち上記不純物と合金反応する元素を含
まない第１の半導体層を上記化合物半導体材料表面に形
成し、該第１の半導体層を上記不純物を含む第２の半導
体層で被覆し、その後熱処理を行うようにしたので、拡
散後の表面荒れが無＜ １０ ”ｃｍ−’以上のキャリ
ア濃度を得ることができるとともに、拡散フロントの急
峻なプロファイルを得ることができ、半導体レーザやフ
ォトダイオード等のデバイスに適用することが可能であ
る。
合物半導体材料に不純物を拡散する際、上記化合物半導
体の構成元素のうち上記不純物と合金反応する元素を含
まない第１の半導体層を上記化合物半導体材料表面に形
成し、該第１の半導体層を上記不純物を含む第２の半導
体層で被覆し、その後熱処理を行うようにしたので、拡
散後の表面荒れが無＜ １０ ”ｃｍ−’以上のキャリ
ア濃度を得ることができるとともに、拡散フロントの急
峻なプロファイルを得ることができ、半導体レーザやフ
ォトダイオード等のデバイスに適用することが可能であ
る。
第１図は本発明の一実施例による不純物拡散方法を説明
するための図、第２図は従来の不純物拡散方法を説明す
るための図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の不純
物拡散方法を用いて作製した半導体レーザ及びホトダイ
オードの構造を示す断面図である。 １−・・Ｉ ｎ Ｐ基板、２− Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ層、３−ＺｎＯ層、４＝ＳｉＯｇ層。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
するための図、第２図は従来の不純物拡散方法を説明す
るための図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の不純
物拡散方法を用いて作製した半導体レーザ及びホトダイ
オードの構造を示す断面図である。 １−・・Ｉ ｎ Ｐ基板、２− Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ層、３−ＺｎＯ層、４＝ＳｉＯｇ層。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）化合物半導体材料に不純物を拡散する方法におい
て、 上記化合物半導体の構成元素のうち上記不純物と合金反
応する元素を含まない第１の半導体層を上記化合物半導
体材料表面に形成する第１の工程と、 上記第１の半導体層を上記不純物を含む第２の半導体層
で被覆し、その後熱処理により上記不純物を拡散する第
２の工程とを含むことを特徴とする不純物拡散方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102637A JP2566661B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 不純物拡散方法 |
| US07/596,542 US5122478A (en) | 1990-04-18 | 1990-10-11 | Impurity diffusion method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102637A JP2566661B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 不純物拡散方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042119A true JPH042119A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2566661B2 JP2566661B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=14332759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2102637A Expired - Lifetime JP2566661B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 不純物拡散方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5122478A (ja) |
| JP (1) | JP2566661B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2786952B2 (ja) * | 1991-02-27 | 1998-08-13 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| SE511314C2 (sv) * | 1997-02-07 | 1999-09-06 | Ericsson Telefon Ab L M | Framställning av heterobipolär transistor och laserdiod på samma substrat |
| JP4172184B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2008-10-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板への亜鉛拡散方法、半導体基板の加熱方法。 |
| DE102004026231B4 (de) * | 2004-05-28 | 2019-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer Halbleiterschicht und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298721A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ３−Ｖ族化合物半導体へのＺｎ固相拡散方法 |
| JPS6320878A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Mitsubishi Electric Corp | ホトダイオ−ドの製造方法 |
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| JP2566661B2 (ja) | 1996-12-25 |
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