JPH04212330A - 磁気共鳴映像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気共鳴映像装置に係り
、特に一様コイルとサーフェイスコイルを用いて高Ｓ／
Ｎ画像を取得する磁気共鳴映像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気共鳴映像装置は、　１Ｈの画像化に
関しては撮像時間が数分かかるとしても、ほぼ完成され
ていると考えられる。臨床的にも静止または遅い動きを
伴う部位の撮像においては、実用上ほとんど問題ない程
度に良質の画像を提供している。

【０００３】しかし、近年、動きの早い部位（心臓など
）の撮像を可能とする高速イメージング（映像化時間〜
５０ｍｓ程度）や、　１Ｈ以外の３１Ｐ，１９Ｆ，１３
Ｃ，２３Ｎ等の核種のイメージングへの要求が大きくな
っている。これらの場合、技術的にはＳ／Ｎの向上が大
きな課題となる。例えば、高速イメージングにおいては
撮像時間が短くなることによるＳ／Ｎの劣化があり、３
１Ｐに関しては体内存在量が　１Ｈの１０−４程度と極
めて微量であることによるＳ／Ｎ不足が挙げられる。

【０００４】Ｓ／Ｎを良くするために、従来より磁気共
鳴信号の受信にサーフェイスコイルを用いることが行わ
れている。サーフェイスコイルは被検体の関心部位に密
着させて設置され、密着部位周辺の信号を高Ｓ／Ｎで検
出できるものであるが、密着部位周辺の画像しか得られ
ないという欠点があり、被検体の所定断面を全域にわた
って高Ｓ／Ｎで画像化することができない。

【０００５】一方、被検体の所望領域において静磁場に
垂直な面内で略均一な高周波磁場を発生する、いわゆる
一様コイル（例えば鞍型コイル、Ｓｌｏｔｔｅｄ　ｔｕ
ｂｅ　ｒｅｓｏｎａｔｏｒ、鳥かご型コイル等）を磁気
共鳴信号の受信に用いると、被検体の所望断面全体の画
像が得られる。この一様コイルをクォードラチャ受信方
式で使用すれば、画像全体でＳ／Ｎを２１／２　倍向上
させることができる。しかし、一様コイルを用いて得ら
れる磁気共鳴信号のＳ／Ｎは、サーフェイスコイルを用
いた場合の密着部位周辺ほどの高いＳ／Ｎを得ることは
できない。

【０００６】以上のような問題を解決するため、例えば
米国特許４，８２５，１６２号明細書には、被検体の画
像化すべき所望の領域に複数個のサーフェイスコイルを
配置し、これら複数個のサーフェイスコイルを介して被
検体からの磁気共鳴信号をそれぞれ検出し、検出された
磁気共鳴信号について各々画像化処理を行なって複数系
列の画像データを生成した後、同じ空間位置に対応する
画素データ（単一複素信号または一次元複素信号＝スペ
クトル信号）どうしを、各々のサーフェイスコイルが発
生する高周波磁場の分布に基づいて予め決められた重み
関数を乗じて加算することによって各画素のデータを作
り、所望領域の一つの画像を合成することにより、高Ｓ
／Ｎ画像を得る技術が開示されている。

【０００７】また、この公知技術では一枚の画像を得る
のに要する時間内に、複数個のサーフェイスコイルによ
って磁気共鳴信号を同時に観測するため、サーフェイス
コイルが定常的に互いに干渉しないように、すなわち一
つのサーフェイスコイルに所定の周波数の高周波電流を
流しても、他のサーフェイスコイルには高周波電流が流
れないように、コイルの相互結合を防止するデカップリ
ング手段が設けられている。

【０００８】しかし、この公知技術では予め重み関数の
決定のために、各々のサーフェイスコイルが発生する高
周波磁場分布を求めておかなければならない。この高周
波磁場分布を計算機シミュレーションにより求めるとす
れば、被検体の構造、電気伝導率や誘電率を知る必要が
あり、実質的に不可能である。また、実験的に高周波磁
場分布を求めるには、予め例えば送信用として用いられ
る一様コイルを使って画像化すべき所望の領域全体につ
いての均一な画像を取得する必要があり、余分な時間を
必要とする。また、その時にはさらに各々のサーフェイ
スコイルをピンダイオードなどを用いたデカップリング
回路により能動的に所定の周波数について不感状態にし
ておく必要があり、回路が複雑になってしまう。

【０００９】また、被検体の関心領域を覆うように複数
個のサーフェイスコイルを配置した場合、得られる磁気
共鳴信号のＳ／Ｎは、コイル近傍では一様コイルをクォ
ードラチャ受信方式で使用した場合に比較して良くなる
が、被検体の中心、すなわちどのサーフェイスコイルか
らも最も遠い点におけるＳ／Ｎは、一様コイルをクォド
ラチャ受信方式で用いた場合と同等あるいはそれを上回
るという理論的確証はまだ得られていない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、複数
個のサーフェイスコイル用いて同時に磁気共鳴信号を収
集し、得られた画像データを重み付け加算することによ
り高Ｓ／Ｎ画像を得る従来の技術においては、予め各々
のサーフェイスコイルが発生する高周波磁場分布に基づ
いて重み関数を決定しておかなければならず、そのため
に余分な時間を必要としたり、複雑な回路を必要とする
という問題があった。

【００１１】また、サーフェイスコイルを用いれば被検
体の密着部位周辺では高Ｓ／Ｎで画像化ができるが、密
着部位から離れるに従って急激にＳ／Ｎが低下する。

【００１２】一方、クォードラチャ受信方式を用いた一
様コイルを用いると、所望断面全体の画像が得られるが
、サーフェイスコイルを用いた場合の密着部位周辺のＳ
／Ｎには及ばない。

【００１３】本発明の目的は、複数個のサーフェイスコ
イルを介して同時に磁気共鳴信号を検出し、得られた画
像データを重み付け加算することにより高Ｓ／Ｎ画像を
得る場合に、重み関数を求めるためのデータをサーフェ
イスコイルを介して磁気共鳴信号を検出する時間内に取
得することができる磁気共鳴映像装置を提供することに
ある。

【００１４】本発明の他の目的は、被検体の表面近傍で
はサーフェイスコイルを用いた場合と同等の高いＳ／Ｎ
が得られ、また被検体の深部でも少なくとも一様コイル
にクォードラチャ受信方式を適用した場合に実現される
のと同等のＳ／Ｎを達成できる磁気共鳴映像装置を提供
することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数個のサー
フェイスコイルを介して磁気共鳴信号を検出するのと同
じ時間内に、従来では専ら送信用として用いられていた
一様コイルを介して磁気共鳴信号を検出し、これらサー
フェイスコイルおよび一様コイルを介して得られた磁気
共鳴信号に対してフーリエ変換を含む画像化処理を施し
て得られた複数チャネルの画像データを用いて、画像生
成に用いる重み関数を決定するのに必要なデータ、例え
ばサーフェイスコイルの高周波磁場分布を求めるように
したものである。

【００１６】また、本発明はインダクタンス素子および
キャパシタンス素子を梯子状に配設して一様コイルを構
成するとともに、これらインダクタンス素子およびキャ
パシタンス素子で囲まれた空間内に複数個のサーフェイ
スコイルを配置し、これら一様コイルとサーフェイスコ
イルとの相互結合を防止する手段と、一様コイルおよび
複数個のサーフェイスコイルをそれぞれ介して被検体か
らの複数チャネルの磁気共鳴信号を検出する信号検出手
段を備えたものである。

【００１７】

【作用】このように複数個のサーフェイスコイルを介し
て磁気共鳴信号を検出するのと同じ時間内に、一様コイ
ルを介しても磁気共鳴信号を受信することにより、サー
フェイスコイルによる高Ｓ／Ｎ画像と共に、被検体の画
像化すべき所望の領域全体の均一な画像データが得られ
、これらの画像データを用いて各サーフェイスコイルの
高周波磁場分布が求まる。

【００１８】従って、各チャネルの磁気共鳴信号に高周
波磁場分布に応じた重み関数を乗じた後、各画素毎にデ
ータを加算するか、または複数チャネルの磁気共鳴信号
と重み関数の逆フーリエ変換結果との複数チャネルの畳
み込み積分結果の加算合成結果をフーリエ変換すること
により、所望領域の高Ｓ／Ｎ画像が得られる。

【００１９】また、一様コイルを構成するインダクタン
ス素子およびキャパシタンス素子で囲まれた空間内に複
数個のサーフェイスコイルを一様コイルとの相互結合を
防止した状態で配置し、これら両コイルを用いて磁気共
鳴信号を検出することによって、被検体の表面近傍では
サーフェイスコイルを使用したときと同等の高Ｓ／Ｎが
達成され、また被検体の深部でも少なくともクォードラ
チャ受信方式を適用した一様コイルで実現されるのと同
等のＳ／Ｎが得られる。

【００２０】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明の一実施例に係る磁気共鳴映像装
置の構成を示すブロック図である。

【００２１】図１において、静磁場磁石１は励磁用電源
２により励磁され、被検体５に一様な静磁場を印加する
。勾配磁場コイル３はシステムコントローラ１６によっ
て制御される駆動回路（駆動アンプ）４によって駆動さ
れ、寝台６上の被検体５（例えば人体）に対して、注目
する所望の断層面内の直交するＸ，Ｙ方向及びこれらに
垂直なＺ方向に磁場強度が直線的に変化する勾配磁場Ｇ
ｘ，Ｇｙ，Ｇｚを印加する。被検体５にはさらにシステ
ムコントローラ１６による制御下で、送信部７からの高
周波信号がデュプレクサ８を介して送受信兼用コイルで
ある一様コイル９に印加されることによって発生される
高周波磁場が印加される。

【００２２】一様コイル９の内側に、被検体５に近接し
て信号検出用コイルであるマルチサーフェイスコイル１
０が配置されている。そして、一様コイル９とマルチサ
ーフェイスコイル１０で、被検体５からの磁気共鳴信号
が受信される。一様コイル９で受信された磁気共鳴信号
はデュプレクサ８を介して受信部１１に導かれ、マルチ
サーフェイスコイル１０で受信された磁気共鳴信号は直
接、受信部１１に導かれる。デュプレクサ８は、一様コ
イル９を送信と受信とに切り替えて使用するためのもの
であり、送信時には送信部７からの高周波信号を一様コ
イル９に伝達し、受信時には一様コイル９からの受信信
号を受信部１１に導く働きをする。

【００２３】受信部１１に入力された磁気共鳴信号は増
幅および検波された後、システムコントローラ１６によ
る制御下で、データ収集部１２に送られる。データ収集
部１２では、受信部１１を介して入力された磁気共鳴信
号をシステムコントローラ１６の制御下で収集し、それ
をＡ／Ｄ変換した後、電子計算機１３に画像再構成用デ
ータとして送る。

【００２４】電子計算機１３はコンソール１４により制
御され、データ収集部１２から入力された画像再構成用
データについて２次元フーリエ変換を含む画像再構成処
理を行う。この画像再構成によって、マルチサーフェイ
スコイル１０のコイル数に等しいチャネル数の画像デー
タを得た後、これらの画像データを重み付け加算して一
枚の画像に対応した画像データを合成する。また、電子
計算機１３はシステムコントローラ１６の制御をも行う
。電子計算機１３により得られた画像データは画像ディ
スプレイ１５に供給され、画像が表示される。

【００２５】図２は、一様コイル９およびマルチサーフ
ェイスコイル１０の構成・配置を示す概略断面図である
。一様コイル９は被検体５の画像化すべき領域全体に対
して高周波磁場を印加し、さらに被検体５からの磁気共
鳴信号を受信検出するためのもので、被検体５を覆うよ
うに配置されている。一様コイル９は被検体５の画像化
すべき領域に均一な高周波磁場を印加することができる
コイルであり、具体的には例えば鞍型コイルや分布定数
型コイル、あるいはこれらのコイルを用いて構成される
クォードラチャ送受信コイルが使用される。マルチサー
フェイスコイル１０は一様コイル９の内側に設けられ、
被検体５の画像化すべき所望の領域を取囲むように被検
体５に近接して配置された複数個（この例では６個）の
サーフェイスコイル１０ａ〜１０ｆからなる。

【００２６】図３に図１における受信部１１の詳細を示
す。一様コイル９に対応してプリアンプ２１、検波回路
（ＤＥＴ）２２およびローパスフィルタ（ＬＰＦ）から
なる第１の信号検出手段が設けられ、また各サーフェイ
スコイル１０ａ〜１０ｆに対応して、プリアンプ３１ａ
〜３１ｆ、検波回路３２ａ〜３２ｆおよびローパスフィ
ルタ３３ａ〜３３ｆからなる第２の信号検出手段がそれ
ぞれ設けられている。すなわち、一様コイル９およびサ
ーフェイスコイル１０ａ〜１０ｆでそれぞれ受信された
磁気共鳴信号は、プリアンプ２１および３１ａ〜３１ｆ
で増幅され、さらに検波回路２２および３２ａ〜３２ｆ
により検波された後、ローパスフィルタ２３および３３
ａ〜３３ｆで不要成分が除去されてから、データ収集部
１２に入力される。

【００２７】データ収集部１２では、受信部１１から入
力された磁気共鳴信号の検波出力をサンプルホールドし
てＡ／Ｄ変換器によりディジタル化することによって、
画像再構成用データの収集を行う。このディジタル化さ
れた画像再構成用データが図１の電子計算機１３に取込
まれる。データ収集部１２におけるデータ収集方式とし
ては、取得すべき画像の帯域で決まるサンプリング時間
（Δｔとする）毎に受信部１１内の全てのローパスフィ
ルタ出力をサンプルホールドし、Δｔの間に各サンプル
ホールド出力を走査してディジタル化する方式と、Δｔ
の間に各ローパスフィルタ出力を順次サンプルホールド
してディジタル化する方式とがあり、これらのいずれを
用いてもよい。

【００２８】一様コイル９とサーフェイスコイル１０ａ
〜１０ｆとは近接して配置される関係上、両コイル間の
デカップリングが必要となる。このデカップリングのた
め、例えばサーフェイスコイルとして図４に示す微分型
コイル４０が用いられる。これは図５にその原理を示す
ように、２つの同形のリング状コイル４１，４２を同軸
かつ平行に配置し、互いに空間的に逆向きの電流が流れ
るように結線したものであり、従来よりスクイッド磁束
計で微分型コイルとして用いられているものと同様であ
る。この微分型コイル４０と、その両端に接続されたキ
ャパシタンス素子４３〜４５からなる同調・整合回路と
により一つのサーフェイスコイルが構成される。同調・
整合回路は受信部１１内のプリアンプに接続される。

【００２９】このように構成された微分型コイルからな
るサーフェイスコイルでは、一様コイル９より発生され
る空間的に均一の高周波磁場Ｂ１　が鎖交したとき、両
コイル４１，４２に等しい誘導起電力が生じようとする
が、コイル４１，４２が上記のように結線されているた
め、両コイル４１，４２に誘導される起電力が打ち消し
合って、高周波電流は流れない。従って、このサーフェ
イスコイルは外側に配置される一様コイル９に対して常
時デカップリングされていることになる。但し、この場
合には一様コイル９の性質として微分型コイルからなる
サーフェイスコイルが配置された領域において空間的に
十分均一な高周波磁場を発生する必要がある。

【００３０】微分型コイルをサーフェイスコイルとして
用いた場合のＳ／Ｎについては、文献：Ｍａｇｎ．Ｒｅ
ｓｏｎ．Ｍｅｄ．３，５９０−６０３（１９８６）で検
討されている。すなわち、この微分型コイルからなるサ
ーフェイスコイルのＳ／Ｎは被検体からのノイズ成分が
支配的であれば、１ターンコイルからなる通常のサーフ
ェイスコイルの場合のＳ／Ｎと同等であるが、コイル自
身の高周波ロスが無視できない状況では、通常のサーフ
ェイスコイルのＳ／Ｎに対して劣るため、実際のコイル
の製作・配置には、サーフェイスコイルと被検体との距
離や、２つのコイル４１，４２の間隔を十分に検討する
必要がある。

【００３１】次に、サーフェイスコイル１０ａ〜１０ｆ
として微分型コイルを用いた場合の隣接するサーフェイ
スコイル間のデカップリング法について、図６〜図９を
用いて説明する。図６および図７は、隣接する微分型コ
イルからなるサーフェイスコイル（図では１０ａ，１０
ｂ）が平面的に配置された場合のデカップリング法を示
し、図８および図９はサーフェイスコイル１０ａ，１０
ｂが円周上に配置された場合のデカップリング法を示し
ている。

【００３２】図６の場合は、２つの微分型サーフェイス
コイル１０ａ，１０ｂをコイルの囲む面積で決まる面積
Ｓだけ面内で重ねることにより、デカップリングを行っ
ている。１ターンのコイルについての同様なデカップリ
ング法は、例えば米国特許第４，８２５，１６２号明細
書に記載されている。図７ではコイル１０ａ，１０ｂを
軸方向（コイルで囲まれた面に垂直の方向）にずらせる
ことにより、デカップリングを行っている。図８は、図
６の方法を変形したものである。すなわち、微分コイル
型サーフェイスコイル１０ａ，１０ｂを湾曲させた上で
円周上に配置した場合、外周側のコイル４１の重なり部
分の面積Ｓ′と、内周側のコイル４２の重なり部分の面
積Ｓ″とが異なってしまうが、Ｓ″＞Ｓ＞Ｓ′の条件を
満たす特定の位置にコイル１０ａ，１０ｂを配置するこ
とにより、デカップリングが可能となる。図９は図７を
変形したもので、コイル４１とコイル４２が角度θで配
置されている場合である。この場合は、図のｘ，ｙ方向
に一方の微分型サーフェイスコイル１０ｂを調整するこ
とにより、デカップリングを実現できる。

【００３３】これらのデカップリング法は、全て一方の
微分型コイルに電流が流れた時に発生する磁場のうち、
他方の微分型コイルに鎖交する磁場の総和が０になって
いる状態である。このように、種々の配置においてデカ
ップリングが可能であることが、微分型コイルを用いた
サーフェイスコイルのもう一つの特徴である。

【００３４】次に、隣接していないサーフェイスコイル
間のデカップリング法について説明する。隣接していな
いサーフェイスコイル間のカップリングは、隣接したサ
ーフェイスコイル間のカップリングに比べて少ない。そ
こで、隣接していないサーフェイスコイル間には精密な
デカップリング法を用いず、見掛けのＱを低くすること
によりカップリングの影響を抑えられることに着目して
、デカップリングを行えば十分である。具体的には、微
分型サーフェイスコイルの各々にＱダンプ回路を付加す
ればよい。

【００３５】図１０はＱダンプ回路の具体例であり、コ
イル５０はインダクタンスＬとキャパシタンス素子ンス
Ｃで特定の周波数ｆｏ　に共振しているとする。並列抵
抗Ｒｐ　は共振状態におけるコイル５０のインピーダン
スを示し、Ｑ値を用いてＲｐ　＝２πｆｏ　ＬＱと表わ
される。

【００３６】このコイル５０の両端にゲインＫ倍のアン
プ５１の反転入力端子および非反転入力端子を接続し、
さらにアンプ５１の出力端子と反転入力端子との間に帰
還抵抗５２（抵抗値Ｒｆ　とする）を接続して、アンプ
５１の出力端子と非反転入力端子を外部接続端子とする
。 アンプ５１は実際には、図３におけるプリアンプ３１ａ
〜３１ｆが用いられる。

【００３７】図１０のコイル５０とアンプ５１および帰
還抵抗５２からなるＱダンプ回路は図１に示す等価回路
で表わされる。図１１の抵抗Ｒｄ　は、Ｒｄ　＝Ｒｆ　
／（Ｋ＋１）で与えられる。

【００３８】従って、アンプ５１のゲインＫを十分に大
きくすれば、Ｒｐ　＞＞Ｒｄ　となり、両端のインピー
ダンスが低くなることによって、見掛けのＱが低下する
ことになる。

【００３９】実際の微分型サーフェイスコイルの配置状
態によっては、隣接していないサーフェイスコイル間の
カップリングが十分小さいこともあり、その場合にはこ
の様なＱダンプ回路は不要である。

【００４０】一様コイル９と各々のサーフェイスコイル
１０ａ〜１０ｆとの間、または隣接するサーフェイスコ
イル間のデカップリングがコイル形状や配置によって十
分にできない場合には、サーフェイスコイル１０ａ〜１
０ｆの方にＱダンプ回路を用いた方がよい。

【００４１】次に、本実施例における高Ｓ／Ｎ画像化の
手順を具体的に説明する。一例として二次元画像を得る
場合の画像化シーケンスを図１２に示す。この画像化シ
ーケンスは、高周波磁場（高周波パルス）として９０°
パルス−１８０°パルスを用いた公知のスピンエコー法
により二次元画像を得るためのパルスシーケンスであり
、Ｇｓはスライス方向の勾配磁場、Ｇｒはリード方向の
勾配磁場、Ｇｅはエンコード方向の勾配磁場の印加タイ
ミングをそれぞれ示す。

【００４２】図１２のようにエンコード用勾配磁場Ｇｅ
の振幅を変えながら磁気共鳴信号を収集する。高周波パ
ルスの印加は一様コイル９を用いて行い、磁気共鳴信号
の受信は一様コイル９および全てのサーフェイスコイル
１０ａ〜１０ｆ（マルチサーフェイスコイル１０）を用
いて行う。各コイル９，１０ａ〜１０ｆを介して受信部
１１で検出された磁気共鳴信号は、データ収集部１２を
介して画像再構成用データとして電子計算機１３に取り
込まれ、電子計算機１３内で２次元フーリエ変換される
ことにより、画像再構成がなされる。この画像再構成に
よって、一様コイル９を介して得られた１チャネルの画
像データと各サーフェイスコイル１０ａ〜１０ｆを介し
て得られた複数チャネル（この例では６チャネル）の画
像データが得られる。そして、サーフェイスコイル１０
ａ〜１０を介して得られた６チャネルの画像データ、さ
らには一様コイル９を介して得られた１チャネルを加え
た合計７チャネルの画像データが、Ｓ／Ｎが最大となる
ように所定の重み関数により重み付け加算されることに
よって、一枚の画像の画像データが合成される。

【００４３】一般に、コイルで検出されるノイズは、ほ
とんど被検体５からの誘導的ノイズであると考えると、
上記の重み関数は［数１］〜［数３］で与えられる。

【００４４】但し、Ｒは画像上の位置（画素位置）を示
す位置ベクトル、ｒは被検体のある空間の位置を示すベ
クトル、ｋｉ　（Ｒ）はｉ番目のサーフェイスコイルで
得られた画像データに対する重み関数、ｈｉ　（Ｒ）は
ｉ番目のサーフェイスコイルが発生する高周波磁場分布
、λ（Ｒ）はサーフェイスコイルの高周波磁場分布に起
因する、重み付け加算後の画像データの感度むらを補正
する補正関数、Ｅｉ　（ｒ）はｉ番目のサーフェイスコ
イルに単位高周波電流を流した時に発生する電場である
。なお、Ｈｉｊの積分は被検体の全体について行われる
。

【００４５】コイルのノイズとしては、コイル自身に起
因する高周波抵抗のノイズ、被検体に起因する誘電的ま
たは誘導的ノイズがあるが、コイルを被検体に装着した
状態では、被検体からのノイズが大部分を占めると考え
られる。コイル自身に起因するノイズが無視できない場
合には、この影響を行列［Ｈｉｊ］の対角要素を変更す
ることにより考慮すればよい。但し、実際上は［Ｈｉｊ
］の対角要素は非対角要素に比べ小さくなるため、簡単
のために［Ｈｉｊ］の非対角要素を０と置いた重み関数
を用いてもよい。

【００４６】重み関数ｋ（Ｒ）を決定するには、各サー
フェイスコイル１０ａ〜１０ｆの高周波磁場分布ｈ（Ｒ
）を求める必要がある。以下、これについて説明する。 ｈ（ｒ）には近似的にｈ（Ｒ）を代用することができる
。まず、一様コイル９およびサーフェイスコイル１０ａ
〜１０ｆを介してそれぞれ得られた画像データの位相補
正を行う。ここで、一様コイル９を用いて図１３に示す
ような画像が得られたとする。図１３で太線は一様コイ
ル９の位置、破線はサーフェイスコイル１０ａの位置を
それぞれ示す。

【００４７】図１３の一点鎖線Ａ上における画像のヒス
トグラムを図１４（ａ）に示し、またサーフェイスコイ
ル１０ａによって得られた画像の同じ位置に相当するヒ
ストグラムを図１４（ｂ）に示す。図１４（ａ）（ｂ）
において、横軸は位置を表わし、縦軸はそれぞれの画像
における信号強度ＳＴ　，ＳＳ　を表わす。図１４（ｂ
）によれば、サーフェイスコイル１０ａによって得られ
た画像は、サーフェイスコイル１０ａの位置から離れる
に従って感度が落ちていることが分かる。なお、画像の
Ｓ／Ｎが悪い場合には、移動平均などの平滑化処理を適
宜行うことが望ましい。

【００４８】次に、被検体５の各部位の信号強度比ｈａ
（＝ＳＳ　／ＳＴ　）を求める。図１４（ａ）（ｂ）に
示した一点鎖線Ａ上における画像のヒストグラムから、
この信号強度比ｈａ　を計算した結果を図１４（ｃ）に
示す。 元々信号源のない点や、緩和時間などの影響で信号が出
てこなかった点は、画像データが抜けてしまうので、補
間等の処理を行う。サーフェイスコイルが発生する高周
波磁場分布は直交関数で展開できるので、得られている
画像データを使って最小二乗法等により直交関数系の各
項の係数を決定するという方法を用いてもよい。これら
の方法により、サーフェイスコイル１０ａの画像化領域
全体にわたる、図１４（ｄ）にヒストグラムを示すよう
な高周波磁場分布ｈａ（Ｒ）を求めることができる。

【００４９】なお、高周波磁場分布ｈａ（Ｒ）として、
単純に図１４（ｃ）のヒストグラムのように被検体５の
部位の信号強度比ｈａ（＝ＳＳ　／ＳＴ　）をとったも
のを用いても構わない。

【００５０】一方、一様コイル９を介して得られた画像
において、被検体５等の影響で一様コイル９の高周波磁
場分布が不均一になる場合には、前もって一様コイル９
の高周波磁場分布を求めておくことが必要である。

【００５１】以上の説明では、各サーフェイスコイルか
ら得られた磁気共鳴信号の生データを画像再構成用デー
タとし、これをフーリエ変換した画像データを重み付け
加算することにより、所望領域の高Ｓ／Ｎの画像を得る
ようにしたが、次のような方法を用いることもできる。 すなわち、フーリエ変換前の各サーフェイスコイルから
の磁気共鳴信号の生データと、これらにそれぞれ対応す
る重み関数の逆フーリエ変換結果との畳み込み積分を行
い、得られた複数チャネルの畳み込み積分結果を加算合
成した後、フーリエ変換することによっても、同様に所
望領域の高Ｓ／Ｎ画像を得ることができる。

【００５２】例えば２次元画像の場合についてｉ番目の
サーフェイスコイルによって得られる磁気共鳴信号の生
データをＩｆｉ（Ｋｘ，Ｋｙ）、フーリエ変換後の画像
データをＩｉ　（Ｘ，Ｙ）、ｉ番目の画像の重み関数を
ｋｉ　（Ｘ，Ｙ）、この重み関数ｋｉ　（Ｘ，Ｙ）の逆
フーリエ変換をｋｆｉ（Ｋｘ，Ｋｙ）とし、最終的に得
られる高Ｓ／Ｎ画像をＩ（Ｘ，Ｙ）とすると、［数４］
に示すような関係が成り立つ。

【００５３】この［数４］に示されるように、磁気共鳴
信号の生データＩｆｉ（Ｋｘ，Ｋｙ）と、重み関数ｋｉ
　（Ｘ，Ｙ）の逆フーリエ変換ｋｆｉ（Ｋｘ，Ｋｙ）と
の畳み込み積分結果を各サーフェイスコイルについて加
算したものが、最終的に得られる画像Ｉ（Ｘ，Ｙ）の逆
フーリエ変換に相当することが分かる。従って、これを
フーリエ変換すれば、画像Ｉ（Ｘ，Ｙ）が求まることに
なる。

【００５４】以上の実施例では、サーフェイスコイルと
して微分型コイルを用い、かつその配置を工夫すること
により、各サーフェイスコイル１０ａ〜１０ｆ間のデカ
ップリングを行ったが、デカップリング法は他に種々考
えられる。例えば、図１５〜図１７に示すようなデカッ
プリング回路を用いてもよい。図１５（ａ）は２種類の
値のリアクタンス素子Ｚ１　，Ｚ２　によるブリッジ回
路からなるデカップリング回路であり、その等価回路を
図１５（ｂ）に示す。端子ａ，ｂ及び端子ｃ，ｄは、そ
れぞれデカップリングすべき２つのサーフェイスコイル
１０ａ，１０ｂの両端に接続される。リアクタンス素子
Ｚ１　，Ｚ２として、図１６に示すようにキャパシタン
ス素子Ｃ１　，Ｃ２　を用いるか、または図１７に示す
ようにインダクタンス素子Ｌ１　，Ｌ２　を用い、それ
らの値を調整することにより、カップリングの効果を打
ち消すことができる。

【００５５】図１８は、このようなブリッジ回路による
デカップリング回路を１ターンコイルからなるサーフェ
イスコイル１０ａ，１０ｂ間のデカップリングに適用し
た例を示し、図１９は図４に示したような微分型コイル
を用いたサーフェイスコイル１０ａ，１０ｂ間のデカッ
プリングに適用した例を示している。

【００５６】また、図２０〜図２２には８の字型または
ループ状コイルからなるデカップリングコイル４３〜４
５を用いた例を示す。図２０は１ターンコイルからなる
サーフェイスコイル１０ａ，１０ｂにデカップリングコ
イル４３がカップリングしている。これによりコイル１
０ａ，１０ｂの一方に鎖交する磁束が０になるようにで
き、デカップリングが可能となる。図２１および図２２
は微分型コイルからなるサーフェイスコイル１０ａ，１
０ｂにデカップリングコイル４４，４５をカップリング
させており、同様にしてデカップリングがなされる。

【００５７】ここに示したデカップリングコイル４３，
４４はバタフライ型コイルであり、それ自身が一様コイ
ル９とはデカップリング状態を実現できる。但し、図２
２の例では一様コイル９の発生する高周波磁場の向きに
よってはデカップリングコイル４５が一様コイル９とカ
ップリングするため、適用に当たっては配置を考慮する
か、被検体から離すことが望まれる。

【００５８】先の実施例では、一様コイル９とサーフェ
イスコイル１０ａ〜１０ｆ間のデカップリングを行うた
めに、微分型コイルをサーフェイスコイルとして用いた
が、通常のコイルを用いた場合、一様コイル９とのデカ
ップリングに図１５〜図１７に示したようなデカップリ
ング回路を用いても構わない。

【００５９】次に、一様コイルおよびサーフェイスコイ
ルからなる高周波コイル部の他の実施例を説明する。図
２３は一様コイルとして鳥かご型コイル６１、サーフェ
イスコイルとして微分型コイル６４をそれぞれ用いた例
を示している。ここで示した鳥かご型コイル６１はハイ
パス型と呼ばれるもので、軸方向に平行で円周方向に所
定間隔で配列されたインダクタンス素子６３と、隣接す
るインダクタンス素子ンス素子６３間を接続するキャパ
シタンス素子６２とから構成されている。すなわち、イ
ンダクタンス素子６３とキャプスタン素子６２が梯子状
に配設されることにより、鳥かご型コイル６１が構成さ
れる。

【００６０】一方、微分型コイル６４は鳥かご型コイル
６１を構成するインダクタンス素子６３とキャパシタン
ス素子６２とで囲まれた空間内に、鳥かご型コイル６１
の半径方向に並べて配置された２つの導体ループからな
り、これら上下の導体ループを互いに逆向きに電流が流
れるようにキャパシタンス素子６５で接続して構成され
る。このようにすると、二つの導体ループに鎖交する各
々の磁束が等しければその磁束変化に対して誘導起電力
を生じない。従って、鳥かご型コイル６１と微分型コイ
ル６４とのデカップリングが可能である。

【００６１】微分型コイル６４の相互間についても、デ
カップリングを考慮することが望まれる。微分型コイル
６４については、図２４および図２５に示されるように
隣接するコイル間に導電性板６６を配置することによっ
て、カップリングする磁束を遮断することができる。こ
の導電性板６６は導電性板６６を挟んで両側のコイルが
対称となるような位置に配置されることが望ましく、ま
た面積が大きいほどデカップリング効果は大きい。

【００６２】次に、図２４および図２５で説明したデカ
ップリング法を実際に適用した例を図２６〜図２８に示
す。図２６ではハイパス型の鳥かご型コイル６１におけ
る軸方向に平行なインダクタンス素子（図２３のインダ
クタンス素子６３に相当する）を導電性板６７で構成す
ることにより、導電性板６７に微分型コイル６４間のデ
カップリングの役割を兼ねさせている。

【００６３】図２７および図２８は、いずれもローパス
型の鳥かご型コイル７１を用いた場合の例である。図２
７では、軸方向に平行なインダクタンス素子を導電性板
７２で構成すると共に、これらの導電性板７２の途中に
電極板７３と誘電体板７４とで構成されるキャパシタン
ス素子をそれぞれ挿入している。この場合、誘電体板７
４の厚みに相当する僅かな部分からでも磁束が漏れない
ように、電極板７３の端部を誘電体板７４の一部を覆う
ように折り曲げておくことが望ましい。図２８は、軸に
平行なインダクタンス素子をそれぞれ２枚の導電性板７
５，７６で構成し、各先端部が誘電体板７４を挟んで対
向するようにしたものである。

【００６４】図２９は、図１６で説明したデカップリン
グ回路を図２３における隣り合う微分型コイル６４間の
デカップリングに適用した例を示している。

【００６５】なお、上述の方法で隣り合う微分型コイル
間のデカップリングが不十分な場合（例えば図２６にお
ける導電性板６６の幅をあまり大きくとれない場合）や
、隣り合っていない微分型コイル間のカップリングがあ
る場合、それらを抑えるために図１０に示したようなＱ
ダンプ回路を併用して、見掛けのＱを低くすることが望
ましい。

【００６６】図３０〜図３３に、鳥かご型コイルと微分
型コイルとからなる高周波コイル部の他の構成例を示す
。図３０は、ハイパス型の鳥かご型コイル６１において
軸方向に平行なインダクタンス素子を導電性板６７で構
成するとともに、隣接する導電性板６７の中央部間を円
周方向に沿った導電性板６８により接続して、鳥かご型
コイル６１のインダクタンス素子（導電性板６７）とキ
ャパシタンス素子６２とで囲まれた各空間を軸方向に二
つの空間に分割し、これらの各分割空間に微分型コイル
６４をそれぞれ配置したものである。この場合、導電性
板６７，６８によって隣接する微分型コイル６４間のデ
カップリングが行われることになる。

【００６７】図３１は、ローパス型の鳥かご型コイル７
１について図３０と同様の構成を適用した例であり、軸
方向に中央に配置されたキャパシタンス素子７８の中心
に円環状導体板７７を通すことによって、鳥かご型コイ
ル７１のインダクタンス素子（導電性板７２）とキャパ
シタンス素子７８とで囲まれた各空間を軸方向に二つの
空間に分割し、各分割空間に微分型コイル６４を配置し
ている。

【００６８】図３２は、軸方向に３つ以上の微分型コイ
ル６４を配置するために、軸方向において隣り合う微分
型コイル６４間のデカップリングを各コイルの一部を重
ねることにより、互いに鎖交する磁束を零にすることで
行っている。なお、図１５および図１６で説明したよう
なデカップリング法を用いても、３つ以上の微分型コイ
ルを軸方向に配置することができる。

【００６９】図３３は、サーフェイスコイルとして微分
型コイル６４と８の字型コイル６９を併用した例を示す
。微分型コイル６４および８の字型コイル６９のいずれ
も、鳥かご型コイル６１とデカップリングが可能である
。また、両コイル６４，６９の間も互いに鎖交する磁束
の総和が零となるように配置できるので、図３３に示す
ように両コイル６４，６９を円周方向に交互に配置する
ことにより、隣接するサーフェイスコイル間のデカップ
リングを容易に達成でき、鳥かご型コイル６１の軸方向
に平行なインダクタンス素子６３をデカップリングを兼
ねる板状のような形状とする必要もなくなる。

【００７０】以上の実施例では、一様コイルとして鳥か
ご型コイルを用いたが、スロッテド・チューブ・リゾネ
ータも４つの間隙を持つので、この間隙を利用して微分
型コイル等からなるサーフェイスコイルを一様コイルと
近接して配置することが可能である。

【００７１】図３４は、図２３〜図２９を用いて説明し
たように、一様コイル９として鳥かご型コイルを用い、
サーフェイスコイル１０ａ〜１９ｈとして微分型コイル
を用いた高周波コイル部の配置を示す図であり、一様コ
イル９を構成する鳥かご型コイルにおけるインダクタン
ス素子とキャパシタンス素子とで囲まれた空間内にサン
プリングコイル１０ａ〜１０ｈが配置されている。この
ようにすると、一様コイル９およびサンプリングコイル
１０ａ〜１０ｈの両者を被検体５に近接して配置でき、
被検体５の表面部でも深部でも高いＳ／Ｎの画像が得ら
れる。

【００７２】

【発明の効果】本発明によれば、複数のサーフェイスコ
イルで磁気共鳴信号を同時に検出し画像化のためのデー
タ収集をするのと同じ時間内に、従来は高周波磁場の送
信用のみに用いられていた一様コイルでも磁気共鳴信号
を検出して画像化のためのデータ収集を行うことにより
、各サーフェイスコイルによる高Ｓ／Ｎ画像データと共
に、被検体の画像化すべき所望の領域全体の均一な画像
データが得られ、これらの画像データを用いて各サーフ
ェイスコイルの高周波磁場分布を求めることが可能とな
る。

【００７３】そして、この高周波磁場分布に基づいて決
められた重み関数を用いて各サーフェイスコイルから得
られた高Ｓ／Ｎ画像を重み付け加算するか、またはフー
リエ変換前の各サーフェイスコイルからの磁気共鳴信号
の生データと、これらにそれぞれ対応する重み関数の逆
フーリエ変換結果との畳み込み積分を行い、得られた複
数チャネルの畳み込み積分結果を加算合成した後、フー
リエ変換することによって、一枚の高Ｓ／画像を合成す
ることができる。

【００７４】また、単に重み付け加算して得られた画像
データが不均一な場合、各サーフェイスコイルにより得
られた高周波磁場分布により感度補正をすることによっ
て均一化することもできる。

【００７５】さらに、本発明によれば一様コイルを構成
するインダクタンス素子およびキャパシタンス素子で囲
まれた空間内に小型化された複数個のサーフェイスコイ
ルを配置するとともに、両コイル間あるいはサーフェイ
スコイル間のデカップリングを行い、これら両コイルを
用いて磁気共鳴信号を検出することができる。これによ
り、被検体の表面近傍おいてはサーフェイスコイルを使
用したときと同等の高いＳ／Ｎを達成でき、被検体の深
部においても少なくともクォードラチャ受信方式を適用
した一様コイルで実現されるのと同等のＳ／Ｎを実現す
ることが可能となる。

【００７６】

【数１】

【００７７】

【数２】

【００７８】

【数３】

【００７９】

【数４】

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明の一実施例に係る磁気共鳴映像装置
のブロック図

【図２】　　図１における被検体に対する一様コイルお
よびマルチサーフェイスコイルの配置例を示す概略断面
図

【図３】　　図１における受信部の詳細を示すブロッ
ク図

【図４】　　図３におけるサーフェイスコイルの具
体例を示す図

【図５】　　図４のサーフェイスコイルに用いられる微
分型コイルの原理を説明するための図

【図６】　　図４のサーフェイスコイルを用いた場合の
各サーフェイスコイル間のデカップリング法を示す図

【
図７】　　図４のサーフェイスコイルを用いた場合の各
サーフェイスコイル間のデカップリング法の例を示す図

【図８】　　図４のサーフェイスコイルを用いた場合の
各サーフェイスコイル間のデカップリング法の例を示す
図

【図９】　　図４のサーフェイスコイルを用いた場合
の各サーフェイスコイル間のデカップリング法の例を示
す図

【図１０】　　デカップリングのためのＱダンプ回
路の一例を示す図

【図１１】　　図１０の回路の等価回路を示す図

【図１
２】　　同実施例における画像化のためのパルスシーケ
ンスを示す図

【図１３】　　同実施例における一様コイルを介して得
られた画像を示す図

【図１４】　　同実施例におけるサーフェイスコイルが
発生する高周波磁場分布の求め方を説明するための図

【
図１５】　　キャパシタンス素子およびインダクタンス
素子を用いたサーフェイスコイル間のデカップリング法
の例を示す図

【図１６】　　キャパシタンス素子およびインダクタン
ス素子を用いたサーフェイスコイル間のデカップリング
法の例を示す図

【図１７】　　キャパシタンス素子およびインダクタン
ス素子を用いたサーフェイスコイル間のデカップリング
法の例を示す図

【図１８】　　キャパシタンス素子およびインダクタン
ス素子を用いたサーフェイスコイル間のデカップリング
法の例を示す図

【図１９】　　キャパシタンス素子およびインダクタン
ス素子を用いたサーフェイスコイル間のデカップリング
法の例を示す図

【図２０】　　デカップリング用コイルを用いたサーフ
ェイスコイル間のデカップリング法の例を示す図

【図２
１】　　デカップリング用コイルを用いたサーフェイス
コイル間のデカップリング法の例を示す図

【図２２】デ
カップリング用コイルを用いたサーフェイスコイル間の
デカップリング法の例を示す図

【図２３】　　ハイパス
型の鳥かご型コイルと微分型コイルを用いた高周波コイ
ル部の斜視図

【図２４】　　図２３における隣接する微分型コイル間
のデカップリング法を説明するための図

【図２５】　　図２４のデカップリング原理を説明する
ための図

【図２６】　　図２３のデカップリング法を適用した高
周波コイル部の斜視図

【図２７】　　ローパス型の鳥かご型コイルの一部を示
す図

【図２８】　　ローパス型の鳥かご型コイルの一部を示
す図

【図２９】　　図１６のデカップリング回路を図２３に
おける微分型コイル間のデカップリングに適用した例を
示す図

【図３０】　　鳥かご型コイルと微分型コイルとからな
る高周波コイル部の他の構成例を示す図

【図３１】　　鳥かご型コイルと微分型コイルとからな
る高周波コイル部の他の構成例を示す図

【図３２】　　鳥かご型コイルと微分型コイルとからな
る高周波コイル部の他の構成例を示す図

【図３３】　　鳥かご型コイルと微分型コイルとからな
る高周波コイル部の他の構成例を示す図

【図３４】　　一様コイルとして鳥かご型コイルを用い
、マルチサーフェイスコイルして微分型コイルを用いた
高周波コイル部の配置を示す図。

【符号の説明】

１…静磁場磁石　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　３…勾配磁場生成コイル ５…被検体　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　７…送信部８…デュプレクサ　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　９…一様コイル１０ａ〜
１０ｆ…サーフェイスコイル　　１１…受信部１２…デ
ータ収集部　　　　　　　　　　　　　　　　　　１３
…電子計算機 ４０…微分型コイル　　　　　　　　　　　　　　　　
　　４３〜４５…デカップリングコイル ５１…Ｑダンプ用アンプ　　　　　　　　　　　　　　
６１，７１…鳥かご型コイル ６２…キャパシタンス素子　　　　　　　　　　　　６
３…インダクタンス素子 ６４…微分型コイル　　　　　　　　　　　　　　　　
　　６５，７８…キャパシタンス素子 ６６〜６８，７２，７７…導電性板　　　　６９…８の
字コイル

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被検体に静磁場を印加すると共に、勾配磁
   場パルスを印加する手段と、被検体の画像化すべき所望
   領域において前記静磁場に垂直な面内でほぼ均一な高周
   波磁場を発生するための一様コイルと、前記被検体に近
   接して配置された複数個のサーフェイスコイルと、前記
   一様コイルおよび複数個のサーフェイス用コイルをそれ
   ぞれ介して被検体からの複数チャネルの磁気共鳴信号を
   検出する信号検出手段と、前記複数チャネルの磁気共鳴
   信号についてそれぞれフーリエ変換を含む画像化処理を
   行ない、複数チャネルの画像データを生成する画像デー
   タ生成手段と、前記複数チャネルの画像データを用いて
   、少なくとも前記複数個のサーフェイスコイルの各々に
   ついて画素位置の関数として定義される重み関数を決定
   する重み関数決定手段と、前記重み関数を用いて、少な
   くとも前記複数のサーフェイスコイルを介して得られた
   画像データの同一空間位置に対応する画素データどうし
   を重み付け加算することにより、前記所望領域の画像を
   得る画像生成手段とを具備することを特徴とする磁気共
   鳴映像装置。
2. 【請求項２】被検体に静磁場を印加すると共に、勾配磁
   場パルスを印加する手段と、被検体の画像化すべき所望
   領域において前記静磁場に垂直な面内でほぼ均一な高周
   波磁場を発生するための一様コイルと、前記被検体に近
   接して配置された複数個のサーフェイスコイルと、前記
   一様コイルおよび複数個のサーフェイス用コイルをそれ
   ぞれ介して被検体からの複数チャネルの磁気共鳴信号を
   検出する信号検出手段と、前記複数チャネルの磁気共鳴
   信号についてそれぞれフーリエ変換を含む画像化処理を
   行ない、複数チャネルの画像データを生成する画像デー
   タ生成手段と、前記複数チャネルの画像データを用いて
   、少なくとも前記複数個のサーフェイスコイルの各々に
   ついて画素位置の関数として定義される重み関数を決定
   する重み関数決定手段と、前記複数チャネルの磁気共鳴
   信号と前記重み関数の逆フーリエ変換結果との複数チャ
   ネルの畳み込み積分を行い複数チャネル分の畳み込み積
   分結果を得る畳み込み積分手段と、前記複数チャネル分
   の畳み込み積分結果を加算合成する加算合成手段と、こ
   の加算合成手段によって得られた加算合成結果をフーリ
   エ変換することにより、前記所望領域の画像を生成する
   画像生成手段とを具備することを特徴とする磁気共鳴映
   像装置。
3. 【請求項３】前記重み関数決定手段は、前記複数チャネ
   ルの画像データを用いて少なくとも前記複数個のサーフ
   ェイスコイルの高周波磁場分布を求め、この高周波磁場
   分布に依存して前記重み関数を決定することを特徴とす
   る請求項１または２記載の磁気共鳴映像装置。
4. 【請求項４】前記複数個のサーフェイスコイルのうち少
   なくとも隣接したコイル間の相互結合および前記複数個
   のサーフェイスコイルの少なくとも一部と前記一様コイ
   ルとの間の相互結合の少なくとも一つを防止する手段を
   更に備えたことを特徴とする請求項１または２記載の磁
   気共鳴映像装置。
5. 【請求項５】前記複数個のサーフェイスコイルの少なく
   とも一部は、同一形状の一対のコイルを略同軸かつ略平
   行に配置すると共に、これら一対のコイルを互いに逆向
   きに電流が流れるように結線してなるものであることを
   特徴とする請求項１、２、３または４記載の磁気共鳴映
   像装置。
6. 【請求項６】被検体に静磁場を印加する手段と、被検体
   の所望領域に配置された複数個のサーフェイスコイルを
   含み、これらのサーフェイスコイルを介して被検体から
   の磁気共鳴信号を検出する信号検出手段と、前記複数個
   のサーフェイスコイルのうち少なくとも隣接したコイル
   間の相互結合を防止する結合防止手段とを具備し、前記
   結合防止手段は、８の字形コイルまたはループ状コイル
   が隣接したコイルに重ねて配置されていることを特徴と
   する磁気共鳴映像装置。
7. 【請求項７】被検体に静磁場を印加するとともに高周波
   磁場を印加する手段と、被検体の所望領域に配置された
   複数個のサーフェイスコイルを含み、これらのサーフェ
   イスコイルを介して被検体からの磁気共鳴信号を検出す
   る信号検出手段と、前記複数個のサーフェイスコイルの
   うち少なくとも隣接したコイル間の相互結合を防止する
   結合防止手段とを具備し、前記サーフェイスコイルは同
   軸上に配置された同形のコイルを逆向きに電流が流れる
   ように接続した構造であり、前記結合防止手段は、隣接
   するサーフェイスコイル各々の発生する高周波磁場のう
   ち互いに鎖交する磁場の総和が０となるように構成され
   ていることを特徴とする磁気共鳴映像装置。
8. 【請求項８】被検体に静磁場を印加すると共に、勾配磁
   場パルスを印加する手段と、被検体の画像化すべき所望
   領域において前記静磁場に垂直な面内でほぼ均一な高周
   波磁場を発生するための、インダクタンス素子およびキ
   ャパシタンス素子からなる一様コイルと、前記被検体に
   近接して前記一様コイルの前記インダクタンス素子およ
   びキャパシタンス素子で囲まれた空間内に配置された複
   数個のサーフェイスコイルと、前記一様コイルと前記サ
   ーフェイスコイルとの相互結合を防止する結合防止手段
   と、前記一様コイルおよび複数個のサーフェイスコイル
   をそれぞれ介して被検体からの磁気共鳴信号を検出する
   信号検出手段とを具備することを特徴とする磁気共鳴映
   像装置。