JPH04212406A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPH04212406A JPH04212406A JP3007456A JP745691A JPH04212406A JP H04212406 A JPH04212406 A JP H04212406A JP 3007456 A JP3007456 A JP 3007456A JP 745691 A JP745691 A JP 745691A JP H04212406 A JPH04212406 A JP H04212406A
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- pattern
- mask
- film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線マスクの製造方法に
関する。超ＬＳＩ の高密度化にともなって， 超微細
加工が要求されフォトリソグラフィ工程でＸ線露光が用
いられるようになってきた。
関する。超ＬＳＩ の高密度化にともなって， 超微細
加工が要求されフォトリソグラフィ工程でＸ線露光が用
いられるようになってきた。
【０００２】Ｘ線マスクは，例えば線幅 ０．５μｍの
パターンを形成するためには， マスク自体の歪を少な
くとも０．０５μｍ以下に抑える必要がある。本発明は
この要求に対応したＸ線マスクの製造方法として利用で
きる。
パターンを形成するためには， マスク自体の歪を少な
くとも０．０５μｍ以下に抑える必要がある。本発明は
この要求に対応したＸ線マスクの製造方法として利用で
きる。
【０００３】
【従来の技術】従来のＸ線マスクでは，その製造工程に
おける歪を小さくするための一つの手段として， マス
クの背面エッチングをマスク表面のパターン部分に対応
する領域に限って行う方法がとられる場合がある。
おける歪を小さくするための一つの手段として， マス
クの背面エッチングをマスク表面のパターン部分に対応
する領域に限って行う方法がとられる場合がある。
【０００４】ここで，背面エッチングとは， マスク本
体の補強枠となるシリコン（Ｓｉ）ウエハの中央部の方
形領域 （マスク表面のパターン領域に対応する領域）
をエッチング除去することをいう。
体の補強枠となるシリコン（Ｓｉ）ウエハの中央部の方
形領域 （マスク表面のパターン領域に対応する領域）
をエッチング除去することをいう。
【０００５】この場合に表面と裏面のパターンのずれ量
を少なくとも１ｍｍ以下に抑えないと， マスク自体の
歪みを０．０５μｍ以下に抑えることは不可能となる。 上記のずれ量を小さくするために， 従来， パタ
ーン描画はウエハを支持枠に接着する前にウエハの状態
で行っていた。
を少なくとも１ｍｍ以下に抑えないと， マスク自体の
歪みを０．０５μｍ以下に抑えることは不可能となる。 上記のずれ量を小さくするために， 従来， パタ
ーン描画はウエハを支持枠に接着する前にウエハの状態
で行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが，パターン描
画の終わったマスクを炭化珪素（ＳｉＣ） 等で作成さ
れた支持枠に接着するときの歪や， 背面エッチングの
際のマスク表裏のパターンずれに起因する歩留低下が問
題となっていた。
画の終わったマスクを炭化珪素（ＳｉＣ） 等で作成さ
れた支持枠に接着するときの歪や， 背面エッチングの
際のマスク表裏のパターンずれに起因する歩留低下が問
題となっていた。
【０００７】本発明はマスクを支持枠に接着するときの
歪の影響をなくし，背面エッチングの位置精度を向上し
てマスクの歪を低減することを目的とする。
歪の影響をなくし，背面エッチングの位置精度を向上し
てマスクの歪を低減することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３）と
Ｘ線吸収膜（２） を被着し，該Ｘ線吸収膜（２） 上
に第１のレジスト膜（７） を被着し，該基板（４）の
裏面に第２のレジスト膜（８） を被着し，両面露光に
より該第２のレジスト膜（８） に背面エッチング用パ
ターン（１０）を形成すると同時に該第１のレジスト膜
（７） に位置検出マーク用パターン（９） を形成す
る工程と，該位置検出マーク用パターン（９） を形成
した該第１のレジスト膜（７） をマスクにして該Ｘ線
吸収膜（２） をパターニングして位置検出マーク（５
） を形成する工程と，該背面エッチング用パターン（
１０）を形成した該第２のレジスト膜（８） をマスク
にして該基板（４）の中央領域をエッチング除去する工
程と，該Ｘ線吸収膜（２） 上に第３のレジスト膜（１
） を被着し，該位置検出マーク（５） を描画領域決
定の基準として該第３のレジスト膜（１） 上に電子線
のパターン描画を行う工程とを有することを特徴とする
Ｘ線マスクの製造方法，あるいは ２）基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３
）とＸ線吸収膜（２） を被着し，該基板の中央部に位
置する背面エッチング領域（２３）をエッチング除去す
る工程と，次いで， 該Ｘ線吸収膜（２） 上にレジス
ト膜（１） を被着し，該基板（４）の表面より電子線
を照射し，該基板（４）の有無による透過電子線強度の
差により該背面エッチング領域（２３）の境界を検知す
る工程と，該境界を描画領域決定の基準として該レジス
ト膜（１） 上に電子線のパターン描画を行う工程とを
有するＸ線マスクの製造方法，あるいは ３）基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３
）とＸ線吸収膜（２） を被着する工程と，該基板（４
）の裏面に支持枠（１１）を接着する工程と， 該基板
（４）の裏面に背面エッチング用パターン（１０）を形
成した背面側レジスト膜（８） を被着し， 該背面側
レジスト膜（８） をマスクにして該基板（４）の中央
領域をエッチング除去する工程と，前記の３工程に次い
で，該Ｘ線吸収膜（２） 上に表面側レジスト膜（１）
を被着し，該表面側レジスト膜（１） 上に電子線の
パターン描画を行う工程とを有するＸ線マスクの製造方
法により達成される。
基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３）と
Ｘ線吸収膜（２） を被着し，該Ｘ線吸収膜（２） 上
に第１のレジスト膜（７） を被着し，該基板（４）の
裏面に第２のレジスト膜（８） を被着し，両面露光に
より該第２のレジスト膜（８） に背面エッチング用パ
ターン（１０）を形成すると同時に該第１のレジスト膜
（７） に位置検出マーク用パターン（９） を形成す
る工程と，該位置検出マーク用パターン（９） を形成
した該第１のレジスト膜（７） をマスクにして該Ｘ線
吸収膜（２） をパターニングして位置検出マーク（５
） を形成する工程と，該背面エッチング用パターン（
１０）を形成した該第２のレジスト膜（８） をマスク
にして該基板（４）の中央領域をエッチング除去する工
程と，該Ｘ線吸収膜（２） 上に第３のレジスト膜（１
） を被着し，該位置検出マーク（５） を描画領域決
定の基準として該第３のレジスト膜（１） 上に電子線
のパターン描画を行う工程とを有することを特徴とする
Ｘ線マスクの製造方法，あるいは ２）基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３
）とＸ線吸収膜（２） を被着し，該基板の中央部に位
置する背面エッチング領域（２３）をエッチング除去す
る工程と，次いで， 該Ｘ線吸収膜（２） 上にレジス
ト膜（１） を被着し，該基板（４）の表面より電子線
を照射し，該基板（４）の有無による透過電子線強度の
差により該背面エッチング領域（２３）の境界を検知す
る工程と，該境界を描画領域決定の基準として該レジス
ト膜（１） 上に電子線のパターン描画を行う工程とを
有するＸ線マスクの製造方法，あるいは ３）基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブレン（３
）とＸ線吸収膜（２） を被着する工程と，該基板（４
）の裏面に支持枠（１１）を接着する工程と， 該基板
（４）の裏面に背面エッチング用パターン（１０）を形
成した背面側レジスト膜（８） を被着し， 該背面側
レジスト膜（８） をマスクにして該基板（４）の中央
領域をエッチング除去する工程と，前記の３工程に次い
で，該Ｘ線吸収膜（２） 上に表面側レジスト膜（１）
を被着し，該表面側レジスト膜（１） 上に電子線の
パターン描画を行う工程とを有するＸ線マスクの製造方
法により達成される。
【０００９】
【作用】第１の発明では， 両面露光により裏面の背面
エッチング用パターンと同時に表面に形成された位置検
出用マークを描画領域決定の基準としてＸ線吸収膜用の
パターン描画を行うようにして， マスクの表裏の位置
合わせ精度を向上して，パターンの歪を低減するように
したものである。
エッチング用パターンと同時に表面に形成された位置検
出用マークを描画領域決定の基準としてＸ線吸収膜用の
パターン描画を行うようにして， マスクの表裏の位置
合わせ精度を向上して，パターンの歪を低減するように
したものである。
【００１０】第２図は第１の発明の原理説明図である。
図において，１はレジスト膜，２はＸ線吸収膜，３はＸ
線を透過するメンブレン，４は基板でＳｉウエハ，５は
位置検出マークである。
線を透過するメンブレン，４は基板でＳｉウエハ，５は
位置検出マークである。
【００１１】この図は， Ｓｉウエハ４上にメンブレン
３，Ｘ線吸収膜２を被着し，Ｓｉウエハ４の背面エッチ
ングを行った後，Ｘ線吸収膜２上にレジスト膜１を被着
してパターン描画を行う場合の断面図である。 この
ときマスク上部より照射された電子線によりパターン描
画を行うが，Ｓｉウエハ４の背面エッチング用パターン
と同時に表面に形成された位置検出用マーク５を描画領
域決定の基準としてレジスト膜１上でパターン描画を行
う。
３，Ｘ線吸収膜２を被着し，Ｓｉウエハ４の背面エッチ
ングを行った後，Ｘ線吸収膜２上にレジスト膜１を被着
してパターン描画を行う場合の断面図である。 この
ときマスク上部より照射された電子線によりパターン描
画を行うが，Ｓｉウエハ４の背面エッチング用パターン
と同時に表面に形成された位置検出用マーク５を描画領
域決定の基準としてレジスト膜１上でパターン描画を行
う。
【００１２】パターン描画前に背面エッチングを行い，
パターン描画の際に電子線の透過強度の差により背面
エッチング領域の境界を検知して表面のパターニングを
行うことにより， マスクの表面と裏面のパターンのず
れ量を低減するようにしている。
パターン描画の際に電子線の透過強度の差により背面
エッチング領域の境界を検知して表面のパターニングを
行うことにより， マスクの表面と裏面のパターンのず
れ量を低減するようにしている。
【００１３】さらに第３の発明により，マスクを支持枠
に接着した後にパターン描画を行うことにより， 接着
に起因する歪の影響を除外することができる。図４は第
２の発明の原理説明図である。
に接着した後にパターン描画を行うことにより， 接着
に起因する歪の影響を除外することができる。図４は第
２の発明の原理説明図である。
【００１４】図において，１はレジスト膜，２はＸ線吸
収膜，３はＸ線を透過するメンブレン，４はＳｉウエハ
，２１Ａ， ２１Ｂは電子線， ２２は電子線検出器で
ある。この図は， Ｘ線マスクの断面図の右半分を示し
，Ｓｉウエハ４上にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被着
し，Ｓｉウエハ４の背面エッチングを行った後，Ｘ線吸
収膜２上にレジスト膜１を被着してパターン描画を行う
場合の断面図である。
収膜，３はＸ線を透過するメンブレン，４はＳｉウエハ
，２１Ａ， ２１Ｂは電子線， ２２は電子線検出器で
ある。この図は， Ｘ線マスクの断面図の右半分を示し
，Ｓｉウエハ４上にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被着
し，Ｓｉウエハ４の背面エッチングを行った後，Ｘ線吸
収膜２上にレジスト膜１を被着してパターン描画を行う
場合の断面図である。
【００１５】このときマスク上部より照射された電子線
２１Ａ， ２１Ｂは，マスク下部に置かれた電子線検出
器２２で検出される。Ｓｉウエハ４の有無により透過さ
れる電子線強度に差が生ずる。この差によってＳｉウエ
ハのマスク背面エッチング領域の境界を検出することが
でき，検出位置を基準にして表面のパターン描画を行う
ようにする。
２１Ａ， ２１Ｂは，マスク下部に置かれた電子線検出
器２２で検出される。Ｓｉウエハ４の有無により透過さ
れる電子線強度に差が生ずる。この差によってＳｉウエ
ハのマスク背面エッチング領域の境界を検出することが
でき，検出位置を基準にして表面のパターン描画を行う
ようにする。
【００１６】第３の発明では， 基板の背面エッチング
後に，あるいはマスクを支持枠に接着した後にパターン
描画を行うことにより， 背面エッチング，あるいは接
着に起因する歪の影響を除外するようにしたものである
。
後に，あるいはマスクを支持枠に接着した後にパターン
描画を行うことにより， 背面エッチング，あるいは接
着に起因する歪の影響を除外するようにしたものである
。
【００１７】
【実施例】図１ （Ａ），（Ｂ） は第１の発明の一実
施例を説明する断面図である。図１（Ａ） において，
Ｓｉウエハ４の表面にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被
着し，Ｓｉウエハ （基板） ４の裏面に背面エッチン
グ用マスクとなるＳｉＣ 膜６を被着する。
施例を説明する断面図である。図１（Ａ） において，
Ｓｉウエハ４の表面にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被
着し，Ｓｉウエハ （基板） ４の裏面に背面エッチン
グ用マスクとなるＳｉＣ 膜６を被着する。
【００１８】ＳｉＣ 膜６はメンブレン３をＳｉＣ で
形成し，これと同時に形成してもよい。つぎに，Ｘ線吸
収膜２上にレジスト膜７を，裏面のＳｉＣ 膜６上にレ
ジスト膜８を被着する。
形成し，これと同時に形成してもよい。つぎに，Ｘ線吸
収膜２上にレジスト膜７を，裏面のＳｉＣ 膜６上にレ
ジスト膜８を被着する。
【００１９】ついで， 両面露光によりレジスト膜８に
背面エッチング領域を開口したパターン１０を形成する
と同時に，レジスト膜７に位置検出マーク形成用のパタ
ーン９を形成する。
背面エッチング領域を開口したパターン１０を形成する
と同時に，レジスト膜７に位置検出マーク形成用のパタ
ーン９を形成する。
【００２０】ついで，パターニングされたレジスト膜７
をマスクにしたエッチングによりＸ線吸収膜２上に位置
検出マーク５を形成する。ついで，パターニングされた
レジスト膜８をマスクにしてＳｉＣ 膜６をエッチング
して開口する。 ＳｉＣ のエッチング条件は，反応
ガスとして ＣＦ４＋０２を用い，これを０．１ Ｔｏ
ｒｒに減圧した雰囲気中でＲＦ電力を基板当たり２００
Ｗ 印加する。
をマスクにしたエッチングによりＸ線吸収膜２上に位置
検出マーク５を形成する。ついで，パターニングされた
レジスト膜８をマスクにしてＳｉＣ 膜６をエッチング
して開口する。 ＳｉＣ のエッチング条件は，反応
ガスとして ＣＦ４＋０２を用い，これを０．１ Ｔｏ
ｒｒに減圧した雰囲気中でＲＦ電力を基板当たり２００
Ｗ 印加する。
【００２１】次いで，パターニングされたＳｉＣ 膜６
をマスクにしてＳｉウエハ４の背面エッチングを行う。 Ｓｉのエッチングは弗酸と硝酸の混酸を用いる。
をマスクにしてＳｉウエハ４の背面エッチングを行う。 Ｓｉのエッチングは弗酸と硝酸の混酸を用いる。
【００２２】次いで，レジスト膜７，８を除去する。図
１（Ｂ） において，ＳｉＣ 膜６上に支持枠１１を接
着する。この場合，支持枠１１の接着は， ＳｉＣ 膜
６のエッチング後， Ｓｉウエハ４のエッチング前に行
ってもよい。
１（Ｂ） において，ＳｉＣ 膜６上に支持枠１１を接
着する。この場合，支持枠１１の接着は， ＳｉＣ 膜
６のエッチング後， Ｓｉウエハ４のエッチング前に行
ってもよい。
【００２３】つぎに，Ｘ線吸収膜２上にレジスト膜１を
被着し，電子線を走査して位置検出マーク５を検出して
パターン描画領域を決定し，続いてパターン描画を行う
。図３ （Ａ），（Ｂ） は第２の発明の一実施例を説
明する平面図と断面図である。
被着し，電子線を走査して位置検出マーク５を検出して
パターン描画領域を決定し，続いてパターン描画を行う
。図３ （Ａ），（Ｂ） は第２の発明の一実施例を説
明する平面図と断面図である。
【００２４】図は，Ｓｉウエハ４上にメンブレン３，Ｘ
線吸収膜２を被着し，Ｓｉウエハ４の背面エッチングを
行った後， 支持枠１１を接着し，Ｘ線吸収膜２上にレ
ジスト膜１を被着してパターン描画を行う場合を示す。
線吸収膜２を被着し，Ｓｉウエハ４の背面エッチングを
行った後， 支持枠１１を接着し，Ｘ線吸収膜２上にレ
ジスト膜１を被着してパターン描画を行う場合を示す。
【００２５】支持枠１１の接着はＳｉウエハ４の背面エ
ッチング前に行ってもよい。このときマスク上部より照
射された電子線２１Ａ， ２１Ｂは，マスク下部の方形
の背面エッチング領域２３の四隅に置かれた４個の電子
線検出器２２で検出される。電子線の透過強度差によっ
て背面エッチング領域２３の境界を検出することができ
，この検出位置を基準にして表面のパターン描画を行う
。
ッチング前に行ってもよい。このときマスク上部より照
射された電子線２１Ａ， ２１Ｂは，マスク下部の方形
の背面エッチング領域２３の四隅に置かれた４個の電子
線検出器２２で検出される。電子線の透過強度差によっ
て背面エッチング領域２３の境界を検出することができ
，この検出位置を基準にして表面のパターン描画を行う
。
【００２６】電子線検出器２２はｐｉｎ ダイオードま
たはファラデーカップを用いる。つぎに， 第１，第２
の実施例の効果を従来例と対比して説明する。前記のよ
うに表側のパターンと裏側のパターンが １ ｍｍ も
ずれれば， 表側のパターンは０．０５μｍは歪むと考
えられる。そこで従来は背面の矩形エッチングを行う場
合には， 通常ウエハ状態で表裏同時に露光して表裏の
位置合わせを行って， この問題に対処している。しか
しながら，この場合パターン描画後に背面エッチングを
行うことになり， このエッチングにより生ずる歪が
０．１×数μｍ程度発生するが， 実施例ではこの歪を
０にすることができる。
たはファラデーカップを用いる。つぎに， 第１，第２
の実施例の効果を従来例と対比して説明する。前記のよ
うに表側のパターンと裏側のパターンが １ ｍｍ も
ずれれば， 表側のパターンは０．０５μｍは歪むと考
えられる。そこで従来は背面の矩形エッチングを行う場
合には， 通常ウエハ状態で表裏同時に露光して表裏の
位置合わせを行って， この問題に対処している。しか
しながら，この場合パターン描画後に背面エッチングを
行うことになり， このエッチングにより生ずる歪が
０．１×数μｍ程度発生するが， 実施例ではこの歪を
０にすることができる。
【００２７】図５ （Ａ）〜（Ｃ） は第３の発明の実
施例を説明する断面図である。図５（Ａ） において，
Ｓｉウエハ４の表面にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被
着し，Ｓｉウエハ４の裏面に背面エッチング用マスクと
なるＳｉＣ 膜６を被着する。
施例を説明する断面図である。図５（Ａ） において，
Ｓｉウエハ４の表面にメンブレン３，Ｘ線吸収膜２を被
着し，Ｓｉウエハ４の裏面に背面エッチング用マスクと
なるＳｉＣ 膜６を被着する。
【００２８】次いで，ＳｉＣ 膜６上に支持枠１１を接
着する。次いで，パターニングされた背面側レジスト膜
８をマスクにしてＳｉＣ 膜６をエッチングして開口す
る。 ＳｉＣのエッチング条件は，図１の実施例と同様
である。
着する。次いで，パターニングされた背面側レジスト膜
８をマスクにしてＳｉＣ 膜６をエッチングして開口す
る。 ＳｉＣのエッチング条件は，図１の実施例と同様
である。
【００２９】図５（Ｂ） において，パターニングされ
たＳｉＣ膜６をマスクにし，弗酸と硝酸の混酸を用いて
Ｓｉウエハ４の背面エッチングを行う。ついで，背面側
レジスト膜８を除去する。
たＳｉＣ膜６をマスクにし，弗酸と硝酸の混酸を用いて
Ｓｉウエハ４の背面エッチングを行う。ついで，背面側
レジスト膜８を除去する。
【００３０】図５（Ｃ） において，Ｘ線吸収膜２上に
レジスト膜１を被着し，電子線でパターン描画を行う。 つぎに， 実施例の効果を従来例と対比して説明する。
レジスト膜１を被着し，電子線でパターン描画を行う。 つぎに， 実施例の効果を従来例と対比して説明する。
【００３１】従来の工程では，基板表面のパターン描画
後に裏面の背面エッチング，あるいは支持枠の接着を行
っていた。そのため， 背面エッチング時、あるいは支
持枠の接着時に発生するストレスが基板表面のパターン
を歪ませる一因となっていた。
後に裏面の背面エッチング，あるいは支持枠の接着を行
っていた。そのため， 背面エッチング時、あるいは支
持枠の接着時に発生するストレスが基板表面のパターン
を歪ませる一因となっていた。
【００３２】これに対して実施例では， 背面エッチン
グ後， さらに支持枠の接着後にパターン描画を行うた
めこれらに起因する歪を防止することができる。本発明
はメンブレンの状態で電子線描画装置で露光できる技術
（この技術は従来不可能視されていたため，メンブレン
を基板にはりつけた状態で電子線描画を行っていた）が
確立されたため，実施可能となった。
グ後， さらに支持枠の接着後にパターン描画を行うた
めこれらに起因する歪を防止することができる。本発明
はメンブレンの状態で電子線描画装置で露光できる技術
（この技術は従来不可能視されていたため，メンブレン
を基板にはりつけた状態で電子線描画を行っていた）が
確立されたため，実施可能となった。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば，マ
スクを支持枠に接着するときの歪の影響をなくし，背面
エッチングの位置精度を向上することができた。
スクを支持枠に接着するときの歪の影響をなくし，背面
エッチングの位置精度を向上することができた。
【００３４】この結果，Ｘ線吸収膜の応力歪を低減する
ことができた。
ことができた。
【図１】 第１の発明の一実施例を説明する断面図
【
図２】 第１の発明の原理説明図
図２】 第１の発明の原理説明図
【図３】 第２の発明の一実施例を説明する平面図と
断面図
断面図
【図４】 第２の発明の原理説明図
【図５】 第３の発明の一実施例を説明する断面図
１ レジスト膜
２ Ｘ線吸収膜
３ Ｘ線を透過するメンブレン
４ 基板でＳｉウエハ
５ 位置検出マーク
６ 裏面のエッチングマスク膜でＳｉＣ 膜７， ８
レジスト ９ 位置検出マーク用パターン １０ 背面エッチング用パターン １１ 支持枠 ２１Ａ， ２１Ｂは電子線 ２２は電子線検出器 ２３は背面エッチング領域
レジスト ９ 位置検出マーク用パターン １０ 背面エッチング用パターン １１ 支持枠 ２１Ａ， ２１Ｂは電子線 ２２は電子線検出器 ２３は背面エッチング領域
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（４）の表面にＸ線を透過するメ
ンブレン（３）とＸ線吸収膜（２） を被着し，該Ｘ線
吸収膜（２） 上に第１のレジスト膜（７） を被着し
，該基板（４）の裏面に第２のレジスト膜（８） を被
着し，両面露光により該第２のレジスト膜（８） に背
面エッチング用パターン（１０）を形成すると同時に該
第１のレジスト膜（７） に位置検出マーク用パターン
（９） を形成する工程と，該位置検出マーク用パター
ン（９） を形成した該第１のレジスト膜（７） をマ
スクにして該Ｘ線吸収膜（２） をパターニングして位
置検出マーク（５） を形成する工程と，該背面エッチ
ング用パターン（１０）を形成した該第２のレジスト膜
（８） をマスクにして該基板（４）の中央領域をエッ
チング除去する工程と，該Ｘ線吸収膜（２） 上に第３
のレジスト膜（１） を被着し，該位置検出マーク（５
） を描画領域決定の基準として該第３のレジスト膜（
１） 上に電子線のパターン描画を行う工程とを有する
ことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】基板（４）の表面にＸ線を透過するメンブ
レン（３）とＸ線吸収膜（２） を被着し，該基板の中
央部に位置する背面エッチング領域（２３）をエッチン
グ除去する工程と，次いで， 該Ｘ線吸収膜（２） 上
にレジスト膜（１） を被着し，該基板（４）の表面よ
り電子線を照射し，該基板（４）の有無による透過電子
線強度の差により該背面エッチング領域（２３）の境界
を検知する工程と，該境界を描画領域決定の基準として
該レジスト膜（１） 上に電子線のパターン描画を行う
工程とを有することを特徴とするＸ線マスクの製造方法
。 - 【請求項３】 基板（４）の表面にＸ線を透過するメ
ンブレン（３）とＸ線吸収膜（２） を被着する工程と
，該基板（４）の裏面に支持枠（１１）を接着する工程
と， 該基板（４）の裏面に背面エッチング用パターン
（１０）を形成した背面側レジスト膜（８） を被着し
， 該背面側レジスト膜（８） をマスクにして該基板
（４）の中央領域をエッチング除去する工程と，前記の
３工程に次いで，該Ｘ線吸収膜（２） 上に表面側レジ
スト膜（１） を被着し，該表面側レジスト膜（１）
上に電子線のパターン描画を行う工程とを有することを
特徴とするＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007456A JPH04212406A (ja) | 1990-11-20 | 1991-01-25 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31458190 | 1990-11-20 | ||
| JP2-314581 | 1990-11-20 | ||
| JP2-314582 | 1990-11-20 | ||
| JP3007456A JPH04212406A (ja) | 1990-11-20 | 1991-01-25 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212406A true JPH04212406A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=26341755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007456A Withdrawn JPH04212406A (ja) | 1990-11-20 | 1991-01-25 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04212406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5570405A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-29 | International Business Machines Corporation | Registration and alignment technique for X-ray mask fabrication |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007456A patent/JPH04212406A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5570405A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-29 | International Business Machines Corporation | Registration and alignment technique for X-ray mask fabrication |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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