JPH04297016A - Ｘ線マスク作成方法 - Google Patents
Ｘ線マスク作成方法Info
- Publication number
- JPH04297016A JPH04297016A JP3084424A JP8442491A JPH04297016A JP H04297016 A JPH04297016 A JP H04297016A JP 3084424 A JP3084424 A JP 3084424A JP 8442491 A JP8442491 A JP 8442491A JP H04297016 A JPH04297016 A JP H04297016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray mask
- mask
- beam exposure
- pattern
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マスクパターン描画
時のポジショニング精度を向上せしめたＸ線マスク作成
方法に関する。
時のポジショニング精度を向上せしめたＸ線マスク作成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線リソグラフィはマスクパターンが等
倍でウェハに露光転写されるため、マスク精度が直接転
写精度に影響することになり、メンブレン材質を中心に
様々な研究が盛んに行なわれている。
倍でウェハに露光転写されるため、マスク精度が直接転
写精度に影響することになり、メンブレン材質を中心に
様々な研究が盛んに行なわれている。
【０００３】一方等倍Ｘ線マスクの作成方法として一般
的に知られているものは、基板上全面にメンブレン、吸
収体を積層せしめた後、イオンビーム露光法を用いて又
は電子ビーム露光とエッチング技術を用いて吸収体上に
所望のパターン（即ちマスクパターン）を形成し、又そ
のパターン形成前又は後にＸ線露光領域の基板をくり抜
くバックエッチを行なうというものである。
的に知られているものは、基板上全面にメンブレン、吸
収体を積層せしめた後、イオンビーム露光法を用いて又
は電子ビーム露光とエッチング技術を用いて吸収体上に
所望のパターン（即ちマスクパターン）を形成し、又そ
のパターン形成前又は後にＸ線露光領域の基板をくり抜
くバックエッチを行なうというものである。
【０００４】しかし、上記イオンビーム露光や電子ビー
ム露光の際、描画領域の縁になる程、静電及び電磁偏向
によるビームの偏向歪の発生が大きくなるため、該偏向
手段のみではその全域を描画することが難しくなる。
ム露光の際、描画領域の縁になる程、静電及び電磁偏向
によるビームの偏向歪の発生が大きくなるため、該偏向
手段のみではその全域を描画することが難しくなる。
【０００５】そこでこの様な静電・電磁偏向に加え、図
３に示される様に、マスクＸ面をいくつかのフィールド
ｘ１……ｘｎで構成されるものに見立てて、該マスクＸ
を載せたステージ６をステップ送りしながら、各フィー
ルドｘ１……ｘｎ毎に露光を行なうフィールド露光方式
を併用し、全領域を描画するようにしている。
３に示される様に、マスクＸ面をいくつかのフィールド
ｘ１……ｘｎで構成されるものに見立てて、該マスクＸ
を載せたステージ６をステップ送りしながら、各フィー
ルドｘ１……ｘｎ毎に露光を行なうフィールド露光方式
を併用し、全領域を描画するようにしている。
【０００６】この描画方法をより詳細に述べると、まず
電子銃７から出た電子ビームは静電レンズ８を通して絞
られ、又静電・電磁偏向系９により該ビームの進む方向
は所望の方向にコントロールされ、マスクＸに照射され
る。しかし、偏向歪の発生等により偏向可能な角度が限
られるため、チップ全面の実際の露光では、マスクＸを
載せたステージ６を駆動系１０ａ、１０ｂでステップ送
り（この際測長系１１ａ、１１ｂでステージ６のＸ、Ｙ
方向における位置の検出が同時に行なわれる）し、小フ
ィールドｘ１……ｘｎ毎に分割して露光を行なう方式と
組み合せて露光を行なっている。即ち、上記偏向系９で
露光可能なフィールド内を露光し、その次にステージ６
をステップ送りして次のフィールドに移動し、そこで又
該偏向系９により電子ビームを振って描画する。以上の
操作を繰り返し、マスク描画を完了する。
電子銃７から出た電子ビームは静電レンズ８を通して絞
られ、又静電・電磁偏向系９により該ビームの進む方向
は所望の方向にコントロールされ、マスクＸに照射され
る。しかし、偏向歪の発生等により偏向可能な角度が限
られるため、チップ全面の実際の露光では、マスクＸを
載せたステージ６を駆動系１０ａ、１０ｂでステップ送
り（この際測長系１１ａ、１１ｂでステージ６のＸ、Ｙ
方向における位置の検出が同時に行なわれる）し、小フ
ィールドｘ１……ｘｎ毎に分割して露光を行なう方式と
組み合せて露光を行なっている。即ち、上記偏向系９で
露光可能なフィールド内を露光し、その次にステージ６
をステップ送りして次のフィールドに移動し、そこで又
該偏向系９により電子ビームを振って描画する。以上の
操作を繰り返し、マスク描画を完了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、イオンビー
ム露光や電子ビーム露光は、真空中で行なわれるもので
あるため、吸着によってマスクＸを前記ステージ６上に
動かないように固着せしめることは非常に難しく、又吸
着によらずに機械的にマスクＸをステージ６上に固定せ
しめた場合でもステップ送りを繰り返すうちに、該ステ
ージ６上のマスクＸは微妙な範囲でずれを生ずることに
なる。このため、ステージ６の位置を前記測長系１１ａ
、１１ｂでいくら正確にモニタリングして描画を行なっ
ても図４に示される様にマスク描画時の位置精度は非常
に悪いという問題があった。
ム露光や電子ビーム露光は、真空中で行なわれるもので
あるため、吸着によってマスクＸを前記ステージ６上に
動かないように固着せしめることは非常に難しく、又吸
着によらずに機械的にマスクＸをステージ６上に固定せ
しめた場合でもステップ送りを繰り返すうちに、該ステ
ージ６上のマスクＸは微妙な範囲でずれを生ずることに
なる。このため、ステージ６の位置を前記測長系１１ａ
、１１ｂでいくら正確にモニタリングして描画を行なっ
ても図４に示される様にマスク描画時の位置精度は非常
に悪いという問題があった。
【０００８】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、Ｘ線マスクの作成方法に改良を加え
、そのマスクパターンの位置精度を高めんとするもので
ある。又この精度向上によって該Ｘ線マスクを用いて露
光を行なった時にチップ面内の位置精度、即ち合わせ精
度が更に高まるようになることも当然そのねらいとして
いる。
創案されたもので、Ｘ線マスクの作成方法に改良を加え
、そのマスクパターンの位置精度を高めんとするもので
ある。又この精度向上によって該Ｘ線マスクを用いて露
光を行なった時にチップ面内の位置精度、即ち合わせ精
度が更に高まるようになることも当然そのねらいとして
いる。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】本発明の構成は次の様
な２つのＸ線マスク作成方法を前提として、両方法にお
いて実施されるものであり、従って２発明に分けて説明
されることになる。 ■ １つ目は上記従来技術で示した構成であるが、マ
スクを構成するメンブレンと吸収体とを有しており、該
メンブレン上に吸収体を積層した後、イオンビーム露光
を行なって直接或いは電子ビーム露光と共にエッチング
も行なうことで、該吸収体を所望のマスクパターンに加
工するというものである。 ■ もう１つはメンブレン上にイオンビーム露光又は
電子ビーム露光を行なってまずレジストパターンを形成
し、その後レジストパターン間の露出したメンブレン上
に吸収体を積層せしめて所望のマスクパターンを得ると
いうものである。
な２つのＸ線マスク作成方法を前提として、両方法にお
いて実施されるものであり、従って２発明に分けて説明
されることになる。 ■ １つ目は上記従来技術で示した構成であるが、マ
スクを構成するメンブレンと吸収体とを有しており、該
メンブレン上に吸収体を積層した後、イオンビーム露光
を行なって直接或いは電子ビーム露光と共にエッチング
も行なうことで、該吸収体を所望のマスクパターンに加
工するというものである。 ■ もう１つはメンブレン上にイオンビーム露光又は
電子ビーム露光を行なってまずレジストパターンを形成
し、その後レジストパターン間の露出したメンブレン上
に吸収体を積層せしめて所望のマスクパターンを得ると
いうものである。
【００１０】そして本願第１発明は■の構成を前提構成
として、その露光前に吸収体上に位置規準となるマーカ
パターンを形成し、このマーカパターンをモニタリング
しながら逐次位置補正を行なって前述したフィールド露
光を繰り返し行なうというものである。
として、その露光前に吸収体上に位置規準となるマーカ
パターンを形成し、このマーカパターンをモニタリング
しながら逐次位置補正を行なって前述したフィールド露
光を繰り返し行なうというものである。
【００１１】又第２発明では上記■の構成を前提構成と
して、その露光前にメンブレン上に位置規準となるマー
カパターンを形成し、このマーカパターンをモニタリン
グしながら逐次位置補正を行なって前述したフィールド
露光を繰り返し行なうというものである。
して、その露光前にメンブレン上に位置規準となるマー
カパターンを形成し、このマーカパターンをモニタリン
グしながら逐次位置補正を行なって前述したフィールド
露光を繰り返し行なうというものである。
【００１２】両者の構成ともフィールド露光の際、ステ
ージ位置をモニタリングしながら描画を行なうというも
のではなく、Ｘ線マスク、特に描画しようとするフィー
ルド内位置をモニタリングしながら描画を行なうので、
パターン面内位置精度は従来の場合に比べ格段に向上す
る。そのため、上記マーカパターンは各フィールド全て
に形成することが最も望ましく、その場合更に各フィー
ルド内に少なくとも１つ以上設けられていると良い。も
ちろん一定の法則性のもとに飛び飛びに設けておくこと
も可能である。
ージ位置をモニタリングしながら描画を行なうというも
のではなく、Ｘ線マスク、特に描画しようとするフィー
ルド内位置をモニタリングしながら描画を行なうので、
パターン面内位置精度は従来の場合に比べ格段に向上す
る。そのため、上記マーカパターンは各フィールド全て
に形成することが最も望ましく、その場合更に各フィー
ルド内に少なくとも１つ以上設けられていると良い。も
ちろん一定の法則性のもとに飛び飛びに設けておくこと
も可能である。
【００１３】又これらのマーカパターンの形成方法とし
ては、フォトリソグラフィを用いて行なうものとし、且
つ半導体装置を数種類のＸ線マスクを用いて作成する時
の一連のマスクシリーズに対し、同一のレチクルを用い
て上記マーカパターンを作成すると、マーカの位置は各
マスク間でバラツクことなく、常に一定の場所に形成さ
れる。
ては、フォトリソグラフィを用いて行なうものとし、且
つ半導体装置を数種類のＸ線マスクを用いて作成する時
の一連のマスクシリーズに対し、同一のレチクルを用い
て上記マーカパターンを作成すると、マーカの位置は各
マスク間でバラツクことなく、常に一定の場所に形成さ
れる。
【００１４】更にこれらのマーカパターンの形成方法と
しては、吸収体層表面又はメンブレン表面の一部を削る
か、或いは該吸収体の表面上又はメンブレンの表面上に
積層することで行なうことになるが、第１発明構成の様
に吸収体上に形成する場合（特にその表面を削り取る場
合）は、該吸収体のＸ線の遮光性を十分に確保できるよ
うに（該遮光性を十分確保できる厚みを残しておくよう
に）しなければならない。
しては、吸収体層表面又はメンブレン表面の一部を削る
か、或いは該吸収体の表面上又はメンブレンの表面上に
積層することで行なうことになるが、第１発明構成の様
に吸収体上に形成する場合（特にその表面を削り取る場
合）は、該吸収体のＸ線の遮光性を十分に確保できるよ
うに（該遮光性を十分確保できる厚みを残しておくよう
に）しなければならない。
【００１５】
【実施例】以下本願第１発明法の具体的実施例につき詳
述する。
述する。
【００１６】図１は第１発明のＸ線マスク作成方法の一
実施例を示す工程説明図である。
実施例を示す工程説明図である。
【００１７】まず図１（ａ）に示される様に基板１上に
メンブレン２及び吸収体３を積層せしめる。
メンブレン２及び吸収体３を積層せしめる。
【００１８】次に同図（ｂ）に示される様に各フィール
ド毎に吸収体３上に十字状のマーカパターン４を作成し
た。 この時光ステッパを用い、一連のマスクシリーズを同一
レチクルを使用して作成し、更にその削り取り深度は吸
収体３のＸ線の遮光性が十分確保できる程度のものにし
た。
ド毎に吸収体３上に十字状のマーカパターン４を作成し
た。 この時光ステッパを用い、一連のマスクシリーズを同一
レチクルを使用して作成し、更にその削り取り深度は吸
収体３のＸ線の遮光性が十分確保できる程度のものにし
た。
【００１９】この様にして作成されたマーカパターン４
は図２（ａ）に示される様に１チップを構成する各フィ
ールドｘ１、ｘ２、ｘ３、ｘ４とも右上の一定箇所にあ
る。
は図２（ａ）に示される様に１チップを構成する各フィ
ールドｘ１、ｘ２、ｘ３、ｘ４とも右上の一定箇所にあ
る。
【００２０】その後更にレジストを塗布し、各フィール
ド毎にマーカパターン４をモニタしてマスク位置を把握
しながらイオンビーム露光（又は電子ビーム露光とエッ
チング）を行ない、図１（ｃ）に示される様なマスクパ
ターン作成用のレジストパターン５を形成した。
ド毎にマーカパターン４をモニタしてマスク位置を把握
しながらイオンビーム露光（又は電子ビーム露光とエッ
チング）を行ない、図１（ｃ）に示される様なマスクパ
ターン作成用のレジストパターン５を形成した。
【００２１】その後吸収体３をエッチングし、レジスト
パターン５を除去して、図１（ｄ）に示される様に、所
望のマスクパターン３ａを形成する（尚図ではマスクパ
ターン３ａの方が誇張して大きく描かれている）。
パターン５を除去して、図１（ｄ）に示される様に、所
望のマスクパターン３ａを形成する（尚図ではマスクパ
ターン３ａの方が誇張して大きく描かれている）。
【００２２】最後に図１（ｅ）に示される様に、基板１
のＸ線露光領域をバックエッチしてＸ線マスクを作成し
た。
のＸ線露光領域をバックエッチしてＸ線マスクを作成し
た。
【００２３】この様にして得られたＸ線マスクの平面状
態は図２（ｂ）に示される様に、フィールド間にまたが
って形成されるマスクパターン３ａが、該フィールド間
でずれる等のパターンの位置歪がほとんどなかった。
態は図２（ｂ）に示される様に、フィールド間にまたが
って形成されるマスクパターン３ａが、該フィールド間
でずれる等のパターンの位置歪がほとんどなかった。
【００２４】この様に本実施例では、各フィールド毎に
マーカパターン４の位置をモニタしながらパターン描画
するため、フィールドステップ送り時の位置ズレが生じ
なかった。又一連のＸ線マスクシリーズのマーカパター
ン４を同一のレチクルで作ると、レチクルは歪まないの
で、ステッパレンズに歪があっても常に一定の位置に同
一形状のマーカパターン４ができる。従ってマスク間の
相対的な位置ズレは生じなかった。更に吸収体３の表面
の一部を削り取ってマーカパターン４が形成される場合
に、その深度を本実施例の様に浅く形成すれば、マスク
パターン３ａ上にマーカパターン４が作られたとしても
、遮光性は十分確保される。
マーカパターン４の位置をモニタしながらパターン描画
するため、フィールドステップ送り時の位置ズレが生じ
なかった。又一連のＸ線マスクシリーズのマーカパター
ン４を同一のレチクルで作ると、レチクルは歪まないの
で、ステッパレンズに歪があっても常に一定の位置に同
一形状のマーカパターン４ができる。従ってマスク間の
相対的な位置ズレは生じなかった。更に吸収体３の表面
の一部を削り取ってマーカパターン４が形成される場合
に、その深度を本実施例の様に浅く形成すれば、マスク
パターン３ａ上にマーカパターン４が作られたとしても
、遮光性は十分確保される。
【００２５】一方、本実施例では行なわなかったが、光
リソグラフィ技術で用いられているＥＧＡ（Ｅｎｈａｎ
ｃｅｄ Ｇｌｏｂａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）と呼
ばれるチップ位置の統計処理によるアライメント技法を
マーカパターン４の検出に応用すれば（即ち、マーカパ
ターン４を複数測定して統計処理し、各フィールド毎の
位置を算出しておき、万が一マーカパターン４の１つで
も検出ができないことがあったり、パターン荒れ等があ
って不正確な検出がなされた場合でも、上記の統計処理
データを基に周囲のフィールドの位置からそのフィール
ドの位置を把握するようにすれば）、マーカパターン４
の検出精度を高めることもできる。
リソグラフィ技術で用いられているＥＧＡ（Ｅｎｈａｎ
ｃｅｄ Ｇｌｏｂａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）と呼
ばれるチップ位置の統計処理によるアライメント技法を
マーカパターン４の検出に応用すれば（即ち、マーカパ
ターン４を複数測定して統計処理し、各フィールド毎の
位置を算出しておき、万が一マーカパターン４の１つで
も検出ができないことがあったり、パターン荒れ等があ
って不正確な検出がなされた場合でも、上記の統計処理
データを基に周囲のフィールドの位置からそのフィール
ドの位置を把握するようにすれば）、マーカパターン４
の検出精度を高めることもできる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述した本発明の構成によれば、フ
ィールド露光の際に、各フィールドに設けられたマーカ
パターンの検出を行ないその度に逐次位置補正しながら
これらの各フィールドの露光を行なっているため、面内
位置精度の高い、即ちフィールド間にまたがるマスクパ
ターンの該フィールド間における連続性が高く且つこれ
らのマスクパターンが設計通りの位置に正確に形成され
たＸ線マスクを得ることが可能となる。その結果、この
Ｘ線マスクをＸ線リソグラフィに使用した場合、その転
写精度は著しく向上することになる。
ィールド露光の際に、各フィールドに設けられたマーカ
パターンの検出を行ないその度に逐次位置補正しながら
これらの各フィールドの露光を行なっているため、面内
位置精度の高い、即ちフィールド間にまたがるマスクパ
ターンの該フィールド間における連続性が高く且つこれ
らのマスクパターンが設計通りの位置に正確に形成され
たＸ線マスクを得ることが可能となる。その結果、この
Ｘ線マスクをＸ線リソグラフィに使用した場合、その転
写精度は著しく向上することになる。
【図１】本発明の一実施例に係るＸ線マスク作成方法の
工程説明図である。
工程説明図である。
【図２】フィールド毎にマーカパターンが形成された状
態とそれを使って本発明法が実施された結果得られたマ
スクパターンの状態を示すＸ線マスク平面図である。
態とそれを使って本発明法が実施された結果得られたマ
スクパターンの状態を示すＸ線マスク平面図である。
【図３】Ｘ線マスク作成時に実施されるフィールド露光
方式の説明図である。
方式の説明図である。
【図４】従来のＸ線マスク作成方法で作られたＸ線マス
クにおけるマスクパターンの位置ずれ状態を示すマスク
平面図である。
クにおけるマスクパターンの位置ずれ状態を示すマスク
平面図である。
１ 基板
２ メンブレン
３ 吸収体
３ａ マスクパターン
４ マーカパターン
５ レジストパターン
Claims (8)
- 【請求項１】 マスクを構成するメンブレンと吸収体
とを有しており、該メンブレン上に吸収体を積層した後
、イオンビーム露光又は電子ビーム露光を行なって直接
或いはエッチングを伴ないながら該吸収体を所望のパタ
ーンに加工してＸ線マスクを作るＸ線マスク作成方法に
おいて、前記露光前に吸収体上に位置規準となるマーカ
パターンを形成し、このマーカパターンをモニタリング
して逐次位置補正を行ないながらイオンビーム露光又は
電子ビーム露光を行なうことを特徴とするＸ線マスク作
成方法。 - 【請求項２】 請求項第１項記載のＸ線マスク作成方
法において、前記マーカパターンをフォトリソグラフィ
を用いて形成し、且つ半導体装置を数種類のＸ線マスク
を用いて作成する時の一連のマスクシリーズに対し、同
一のレチクルを用いて上記マーカパターンを作成するこ
とを特徴とする請求項第１項記載のＸ線マスク作成方法
。 - 【請求項３】 請求項第１項乃至第２項記載のＸ線マ
スク作成方法において、マスクを載せたステージを前記
各フィールド毎に移動させてイオンビーム露光又は電子
ビーム露光により描画する場合に、前記マーカパターン
が各フィールド内に少なくとも１つ以上含まれているこ
とを特徴とする請求項第１項乃至第２項記載のＸ線マス
ク作成方法。 - 【請求項４】 請求項第１項乃至第３項記載のＸ線マ
スク作成方法において、前記吸収体層表面の一部を削り
、或いは該吸収体の表面上に積層して前記マーカパター
ンを形成することを特徴とする請求項第１項乃至第３項
記載のＸ線マスク作成方法。 - 【請求項５】 メンブレン上にイオンビーム露光又は
電子ビーム露光を行なってレジストパターンを形成し、
その後レジストパターン間の露出したメンブレン上に吸
収体を積層せしめてマスクパターンを作るＸ線マスク作
成方法において、前記露光前にメンブレン上に位置規準
となるマーカパターンを形成し、このマーカパターンを
モニタリングして逐次位置補正を行ないながらイオンビ
ーム露光又は電子ビーム露光を行なうことを特徴とする
Ｘ線マスク作成方法。 - 【請求項６】 請求項第５項記載のＸ線マスク作成方
法において、前記マーカパターンをフォトリソグラフィ
を用いて形成し、且つ、半導体装置を数種類のＸ線マス
クを用いて作成する時の一連のマスクシリーズに対し、
同一のレチクルを用いて上記マーカパターンを作成する
ことを特徴とする請求項第５項記載のＸ線マスク作成方
法。 - 【請求項７】 請求項第５項乃至第６項記載のＸ線マ
スク作成方法において、マスクを載せたステージを前記
各フィールド毎に移動させてイオンビーム露光又は電子
ビーム露光により描画する場合に、前記マーカパターン
が各フィールド内に少なくとも１つ以上含まれているこ
とを特徴とする請求項第５項乃至第６項記載のＸ線マス
ク作成方法。 - 【請求項８】 請求項第５項乃至第７項記載のＸ線マ
スク作成方法において、前記メンブレン表面の一部を削
り、或いは該メンブレンの表面上に積層して前記マーカ
パターンを形成することを特徴とする請求項第５項乃至
第７項記載のＸ線マスク作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8442491A JP2687256B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Ｘ線マスク作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8442491A JP2687256B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Ｘ線マスク作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297016A true JPH04297016A (ja) | 1992-10-21 |
| JP2687256B2 JP2687256B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=13830205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8442491A Expired - Fee Related JP2687256B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Ｘ線マスク作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687256B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6212252B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask provided with an alignment mark and method of manufacturing the same |
| JP2005123337A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 荷電粒子線用転写マスクとその製造方法 |
| US8789874B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-07-29 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Front vehicle body structure |
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-
1991
- 1991-03-26 JP JP8442491A patent/JP2687256B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2687256B2 (ja) | 1997-12-08 |
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