JPH042139A - 半田供給板 - Google Patents
半田供給板Info
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- JPH042139A JPH042139A JP2104298A JP10429890A JPH042139A JP H042139 A JPH042139 A JP H042139A JP 2104298 A JP2104298 A JP 2104298A JP 10429890 A JP10429890 A JP 10429890A JP H042139 A JPH042139 A JP H042139A
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- supply plate
- solder supply
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子回路基板あるいは電子部品等の接続端子
に半田を供給する半田供給板であって、半田層の形成が
困難な所へも容易に半田を供給することができる半田供
給板に関するものである。
に半田を供給する半田供給板であって、半田層の形成が
困難な所へも容易に半田を供給することができる半田供
給板に関するものである。
（従来の技術）
従来から表面実装部品等の電子部品を、電子回路基板（
以下、単に基板という）に形成した導体回路上に実装す
る場合には、この導体回路あるいは電子部品の何れか少
なくとも一方の接続端子に、半田層を形成し、接続端子
同志を接触させたうえで加熱溶融することにより、電子
部品と基板とを非常に簡単に接続している。
以下、単に基板という）に形成した導体回路上に実装す
る場合には、この導体回路あるいは電子部品の何れか少
なくとも一方の接続端子に、半田層を形成し、接続端子
同志を接触させたうえで加熱溶融することにより、電子
部品と基板とを非常に簡単に接続している。
上記のような半田層を形成する方法としては、次の二つ
の方法か代表的なものである。
の方法か代表的なものである。
第一の方法は、基板あるいは電子部品の接続端子に対し
て半田ペーストを印刷し、このように印刷した半田ペー
ストを加熱して接続する方法である。なお、この場合、
半田ペーストに代えて溶融半田中に基板又は電子部品を
浸漬する方法、あるいは、所定の部分以外にマスクを施
して、スパッタリング、蒸着等で半田膜を形成する方法
も採用されている。
て半田ペーストを印刷し、このように印刷した半田ペー
ストを加熱して接続する方法である。なお、この場合、
半田ペーストに代えて溶融半田中に基板又は電子部品を
浸漬する方法、あるいは、所定の部分以外にマスクを施
して、スパッタリング、蒸着等で半田膜を形成する方法
も採用されている。
第二の方法は、基板上に導体回路と電気的に一体となる
メツキ用リードを使用して形成する方法である。すなわ
ち、この方法は、導体回路に半田によるメツキを行って
、所定の箇所に半田層を形成するのであるが、そのため
には、導体回路の所定箇所に通電するためのメツキ用リ
ードを形成しなければならない。つまり、基板上に導体
回路を形成するに当たって半田層を形成すべき導体回路
全てについてメツキ用リードを接続するように設計しな
ければならないのである。なお、このメツキ用リードは
、最終製品には全く不要な部分である。
メツキ用リードを使用して形成する方法である。すなわ
ち、この方法は、導体回路に半田によるメツキを行って
、所定の箇所に半田層を形成するのであるが、そのため
には、導体回路の所定箇所に通電するためのメツキ用リ
ードを形成しなければならない。つまり、基板上に導体
回路を形成するに当たって半田層を形成すべき導体回路
全てについてメツキ用リードを接続するように設計しな
ければならないのである。なお、このメツキ用リードは
、最終製品には全く不要な部分である。
ところで、近年の電子回路部品は、それがどのような形
式のものであても、高密度化する必要が生じてきている
。従って、各導体回路間の間隔はますます小さくなって
きているのが現状である。
式のものであても、高密度化する必要が生じてきている
。従って、各導体回路間の間隔はますます小さくなって
きているのが現状である。
そのため、電子部品の実装も難しくなってきており、基
板と電子部品とを接続する際に、加熱処理後の端子同志
のショート、ブリッジ等の不良が生じ易く、止むをえず
部品の取替を行っているのが現状である。そして、ＬＳ
Ｉ、ＩＣ等の半導体は、その信頼性を確認すべくバーン
イン試験を実施しているのである。
板と電子部品とを接続する際に、加熱処理後の端子同志
のショート、ブリッジ等の不良が生じ易く、止むをえず
部品の取替を行っているのが現状である。そして、ＬＳ
Ｉ、ＩＣ等の半導体は、その信頼性を確認すべくバーン
イン試験を実施しているのである。
このように、高密度になればなるほど端子自身のサイズ
は小さくなり、しかもその間隔も小さくなってくる。そ
うなると、前述のようなメツキ用リードの形成もできな
くなるのである。
は小さくなり、しかもその間隔も小さくなってくる。そ
うなると、前述のようなメツキ用リードの形成もできな
くなるのである。
（発明が解決しようとする課題）
そこで、前記二つの方法においては、それぞれ解決しな
ければならない問題点が含まれていることになる。
ければならない問題点が含まれていることになる。
すなわち、第一の方法において生じる問題は、高密度化
された導体回路に対する半田層の形成を正確に行うこと
が困難となることである。つまり、半田ペースト自体、
印刷精度に限界があり、微細な部分に均一な量の半田層
を形成できないのである。即ち、微細になると印刷がか
すれがちになり、半田量が少なくなり、無理に半田量を
多くしようとすると、滲みが生じて溶融時に接続端子同
士が互いに接触してしまうのである。また、溶融半田中
に浸漬する方法においても、微細な間隔となると、前述
と同様に互いに接触してしまうのである。
された導体回路に対する半田層の形成を正確に行うこと
が困難となることである。つまり、半田ペースト自体、
印刷精度に限界があり、微細な部分に均一な量の半田層
を形成できないのである。即ち、微細になると印刷がか
すれがちになり、半田量が少なくなり、無理に半田量を
多くしようとすると、滲みが生じて溶融時に接続端子同
士が互いに接触してしまうのである。また、溶融半田中
に浸漬する方法においても、微細な間隔となると、前述
と同様に互いに接触してしまうのである。
第二の方法において生じる問題は、メツキ用リードを形
成しなければならず、しかも端子とメツキ用リードとを
導体パターンで接続しておかなければならないことから
、導体回路の形成が非常に制限されることである。即ち
、第二の方法を採用しようとすると、導体回路の十分な
高密度化を達成することが困難となるのである。
成しなければならず、しかも端子とメツキ用リードとを
導体パターンで接続しておかなければならないことから
、導体回路の形成が非常に制限されることである。即ち
、第二の方法を採用しようとすると、導体回路の十分な
高密度化を達成することが困難となるのである。
また、電子部品を交換するために、電子部品を基板より
取外して、再度電子部品を実装する場合において、次の
問題が生じる。
取外して、再度電子部品を実装する場合において、次の
問題が生じる。
即ち、電子部品を基板より取外すことにより、基板に形
成してあった半田層が電子部品に取られてしまい、半田
量が少なくなってしまうのである。
成してあった半田層が電子部品に取られてしまい、半田
量が少なくなってしまうのである。
当然再度電子部品を実装する段階では、接続強度が低下
し接続信頼性が低下すると共に、未接続となって不良が
生じることもあるのである。
し接続信頼性が低下すると共に、未接続となって不良が
生じることもあるのである。
これを解決するには、全ての部品を取外し、再度ペース
トを印刷するなりして半田を供給しなければならない。
トを印刷するなりして半田を供給しなければならない。
また、電子部品側に半田を供給するなり、糸状の半田に
より基板側に半田付けを行ったりして、極めて不確実で
煩雑な作業となるのである。
より基板側に半田付けを行ったりして、極めて不確実で
煩雑な作業となるのである。
本発明は、以上のような実状に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、非常に高密度で配線され
た基板あるいは電子部品等の微細な接続端子に、高精度
でしかも端子同志がショートせずに半田を供給すること
ができ、また、一部の電子部品を取外した時に生じる半
田不足に対し、迅速かつ正確に半田補給を行うことがで
きる半田供給板を提供することにある。
り、その目的とするところは、非常に高密度で配線され
た基板あるいは電子部品等の微細な接続端子に、高精度
でしかも端子同志がショートせずに半田を供給すること
ができ、また、一部の電子部品を取外した時に生じる半
田不足に対し、迅速かつ正確に半田補給を行うことがで
きる半田供給板を提供することにある。
（課題を解決するための手段及びその作用）以上の課題
を解決するために本発明が採った手段は、図面に示した
符号を付して説明すると、「電子回路基板（２０）ある
いは電子部品（２０）等の接続端子（２１）に半田（３
０）を供給する半田供給板（ｌＯ）であって、 前記接続端子（２１）に対応する部分に半田供給用の端
子（１１）を設けると共に、この端子（１１）の半田付
着性を前記接続端子（２１）の半田付着性よりも低くし
たことを特徴とする半田供給板（１０）Ｊである。
を解決するために本発明が採った手段は、図面に示した
符号を付して説明すると、「電子回路基板（２０）ある
いは電子部品（２０）等の接続端子（２１）に半田（３
０）を供給する半田供給板（ｌＯ）であって、 前記接続端子（２１）に対応する部分に半田供給用の端
子（１１）を設けると共に、この端子（１１）の半田付
着性を前記接続端子（２１）の半田付着性よりも低くし
たことを特徴とする半田供給板（１０）Ｊである。
つまり、本発明において最も注目すべきことは、この半
田供給板（１０）は、半田（３０）の供給を受ける基板
（２０）あるいは電子部品（２０）等の接続端子（２１
）に対して、半田（３０）の付着性を悪くしであること
である。即ち、第１図（イ）〜（）＼）に示すように、
半田（３０）の付着性が高い基板（２０）あるいは電子
部品（２０）の接続端子（２１）と接触して半田（３０
）を溶融させ、基板（２０）あるいは電子部品（２０）
の接続端子（２１）へこの半田供給板（ｌＯ）の半田（
３０）を移動させ、溶融したまま半田供給板（１０）を
取外すことにより、基板（２０）あるいは電子部品（２
０）の接続端子（２１）に半田（３０）を供給するので
ある。
田供給板（１０）は、半田（３０）の供給を受ける基板
（２０）あるいは電子部品（２０）等の接続端子（２１
）に対して、半田（３０）の付着性を悪くしであること
である。即ち、第１図（イ）〜（）＼）に示すように、
半田（３０）の付着性が高い基板（２０）あるいは電子
部品（２０）の接続端子（２１）と接触して半田（３０
）を溶融させ、基板（２０）あるいは電子部品（２０）
の接続端子（２１）へこの半田供給板（ｌＯ）の半田（
３０）を移動させ、溶融したまま半田供給板（１０）を
取外すことにより、基板（２０）あるいは電子部品（２
０）の接続端子（２１）に半田（３０）を供給するので
ある。
本発明によれば、このように端子（１１）（２１）間の
半田（３０）の付着性に差をつける方法としてまず。
半田（３０）の付着性に差をつける方法としてまず。
半田供給板（１０）の端子（１１）の面積を小さくする
ことが重要である。すなわち、この端子（１１）の面積
を小さくすると、その端子（１１）が保持できる半田（
３０）量が少なくなるため、それよりも大きな面積を有
する基板（２０）あるいは電子部品（２０）の接続端子
（２１）に多くの半田（３０）が移動し付着するのであ
る。この面積の差は、基板（２０）あるいは電子部品（
２０）の接続端子（２１）に対して８０％以下が好まし
い。８０％よりも多いと、半田供給板（１０）の端子（
１１）に半田（３０）を保持する量が多くなり、十分な
量の半田（３０）を基板（２０）あるいは電子部品（２
０）の接続端子（２１）に供給しにくくなり、また、付
着力の差があまり生じないため、供給量にばらつきが生
じるためである。
ことが重要である。すなわち、この端子（１１）の面積
を小さくすると、その端子（１１）が保持できる半田（
３０）量が少なくなるため、それよりも大きな面積を有
する基板（２０）あるいは電子部品（２０）の接続端子
（２１）に多くの半田（３０）が移動し付着するのであ
る。この面積の差は、基板（２０）あるいは電子部品（
２０）の接続端子（２１）に対して８０％以下が好まし
い。８０％よりも多いと、半田供給板（１０）の端子（
１１）に半田（３０）を保持する量が多くなり、十分な
量の半田（３０）を基板（２０）あるいは電子部品（２
０）の接続端子（２１）に供給しにくくなり、また、付
着力の差があまり生じないため、供給量にばらつきが生
じるためである。
また、端子（１１）（２１）間の半田（３０）の付着性
に差をつける方法として、基板（２０）あるいは電子部
品（２０）の接続端子（２１）に使用されている金属よ
りも、溶融半田（３０）に対する接触角の小さな金属を
半田供給板（ｌＯ）の端子（１１）に用いる。二とであ
る。この端子（１１）に用いる金属材料としては、銅、
錫、鉛、金、銀、ニッケル、クロム、アルミニウム、パ
ラジウム、白金、鉄あるいはそれらの複合金属が用いら
れるが、これらの間で基板（２０）あるいは電子部品（
２０）の接続端子（２１）に使用されている金属よりも
溶融半田（３０）に対する接触角の小さな金属を半田供
給板（１０）の端子（１１）に使用するとよい。例えば
、基板（２０）あるいは電子部品（２０）の接続端子（
２１）に錫を使用した場合、金、銅、銀、錫−ニッケル
合金が半田供給板（ｌＯ）の端子（１１）に使用できる
。一方、半田供給板（１０）の端子（１１）を酸化等、
表面改良したり、有機物、無機物の層を若干量形成して
、接触角を小さくする方法も適用できる。
に差をつける方法として、基板（２０）あるいは電子部
品（２０）の接続端子（２１）に使用されている金属よ
りも、溶融半田（３０）に対する接触角の小さな金属を
半田供給板（ｌＯ）の端子（１１）に用いる。二とであ
る。この端子（１１）に用いる金属材料としては、銅、
錫、鉛、金、銀、ニッケル、クロム、アルミニウム、パ
ラジウム、白金、鉄あるいはそれらの複合金属が用いら
れるが、これらの間で基板（２０）あるいは電子部品（
２０）の接続端子（２１）に使用されている金属よりも
溶融半田（３０）に対する接触角の小さな金属を半田供
給板（１０）の端子（１１）に使用するとよい。例えば
、基板（２０）あるいは電子部品（２０）の接続端子（
２１）に錫を使用した場合、金、銅、銀、錫−ニッケル
合金が半田供給板（ｌＯ）の端子（１１）に使用できる
。一方、半田供給板（１０）の端子（１１）を酸化等、
表面改良したり、有機物、無機物の層を若干量形成して
、接触角を小さくする方法も適用できる。
また、端子（ＩＩ）（２１）間の半田（３０）の付着性
に差をつける方法としての第三の方法は、半田供給板（
１０）の端子（１１）に溶融半田（３０）に濡れない樹
脂あるいは樹脂複合物（１２）を一部形成することであ
る。
に差をつける方法としての第三の方法は、半田供給板（
１０）の端子（１１）に溶融半田（３０）に濡れない樹
脂あるいは樹脂複合物（１２）を一部形成することであ
る。
これを第２図及び第３図によって説明すると、半田供給
板（ｌＯ）の端子（１１）の表面に樹脂（１２）あるい
は樹脂複合物（１２）が一部形成されている。第２図の
場合は、樹脂（１２）あるいは樹脂複合物（１２）を点
在又は遍在させたものであり、第３図の場合は、緻密な
膜又はポーラスである。この樹脂（１２）あるいは樹脂
複合物（１２）が溶融半田（３０）をはじくことによっ
て、半田供給板（１０）の端子（１１）にある半田（３
０）を基板（２０）あるいは電子部品（２０）の接続端
子（２１）に移動し易くするのである。このような材料
としてはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、
ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂等、有機高分子が良く
、これらを塗布したり、溶媒に溶解して浸漬した後に前
記溶媒を除去したり、前記有機高分子の粒子あるいは繊
維を分散した溶液に浸漬した後前記溶媒を除去したりし
て、半田供給板（１０）の端子（１１）の表面に樹脂（
１２）あるいは樹脂複合物（１２）の粒子を付着させる
方法がある。
板（ｌＯ）の端子（１１）の表面に樹脂（１２）あるい
は樹脂複合物（１２）が一部形成されている。第２図の
場合は、樹脂（１２）あるいは樹脂複合物（１２）を点
在又は遍在させたものであり、第３図の場合は、緻密な
膜又はポーラスである。この樹脂（１２）あるいは樹脂
複合物（１２）が溶融半田（３０）をはじくことによっ
て、半田供給板（１０）の端子（１１）にある半田（３
０）を基板（２０）あるいは電子部品（２０）の接続端
子（２１）に移動し易くするのである。このような材料
としてはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、
ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂等、有機高分子が良く
、これらを塗布したり、溶媒に溶解して浸漬した後に前
記溶媒を除去したり、前記有機高分子の粒子あるいは繊
維を分散した溶液に浸漬した後前記溶媒を除去したりし
て、半田供給板（１０）の端子（１１）の表面に樹脂（
１２）あるいは樹脂複合物（１２）の粒子を付着させる
方法がある。
一方、半田供給板（ｌＯ）の端子（１１）への半田（３
０）の形成方法であるが、半田ペーストの印刷、溶融半
田（３０）中への浸漬、蒸着、スパッタリング、電解メ
ツキ、あるいは無電解メツキ法等の一般的な形成方法を
利用できるが、本発明の目的の如き、極めて微細な端子
（１１）＾、の形成方法としては、蒸着、スパッタリン
グ、電解メツキあるいは無電解メツキ法がより効果的な
方法である。
０）の形成方法であるが、半田ペーストの印刷、溶融半
田（３０）中への浸漬、蒸着、スパッタリング、電解メ
ツキ、あるいは無電解メツキ法等の一般的な形成方法を
利用できるが、本発明の目的の如き、極めて微細な端子
（１１）＾、の形成方法としては、蒸着、スパッタリン
グ、電解メツキあるいは無電解メツキ法がより効果的な
方法である。
なお、半田供給板（１０）と基板（２０）あるいは電子
部品（２０）とは半田（３０）の溶融のために高温で処
理されるため、精度の高い半田供給を行うには、半田供
給板（１０）と基板（２０）あるいは電子部品（２０）
との熱膨張差ができるだけ小さい方が好ましい。例えば
、ＩＣチップやシリコンウェハーのような物への半田供
給には、低熱膨張率のコージェライト多孔質セラミック
ーエポキシ樹脂複合基板（２０）あるいは低膨張ガラス
基板（２０）を使用すると良い。
部品（２０）とは半田（３０）の溶融のために高温で処
理されるため、精度の高い半田供給を行うには、半田供
給板（１０）と基板（２０）あるいは電子部品（２０）
との熱膨張差ができるだけ小さい方が好ましい。例えば
、ＩＣチップやシリコンウェハーのような物への半田供
給には、低熱膨張率のコージェライト多孔質セラミック
ーエポキシ樹脂複合基板（２０）あるいは低膨張ガラス
基板（２０）を使用すると良い。
（実施例）
次に、本発明の実施例及び比較例について説明する。
大１１汁１
部品実装用の電子回路基板（２０）は、コージェライト
焼結体（気孔率３０％）にエポキシ樹脂を充填した熱膨
張率３．８ｐｐｍ／℃のセラミックー樹脂複合基板（２
０）であり、φ０，１８ｍｍの銅製の接続端子（２１）
が０．３ｍｍピッチで１８４個、正方形状に配置しであ
る。この基板（２０）１０００ 個１．：対して、前記
接続端子（２１）に対向するようにφ０．０７ｍｍの銅
製の端子（１１）を有する半田供給板（１０）を製作し
た。この半田供給板（１０）は、前記基板（２０）と同
じコージェライト焼結体（気孔率３０％）にエポキシ樹
脂を充填した熱膨張率３．８ｐｐｍ／’Ｃのセラミック
ー樹脂複合基板（２０）である。
焼結体（気孔率３０％）にエポキシ樹脂を充填した熱膨
張率３．８ｐｐｍ／℃のセラミックー樹脂複合基板（２
０）であり、φ０，１８ｍｍの銅製の接続端子（２１）
が０．３ｍｍピッチで１８４個、正方形状に配置しであ
る。この基板（２０）１０００ 個１．：対して、前記
接続端子（２１）に対向するようにφ０．０７ｍｍの銅
製の端子（１１）を有する半田供給板（１０）を製作し
た。この半田供給板（１０）は、前記基板（２０）と同
じコージェライト焼結体（気孔率３０％）にエポキシ樹
脂を充填した熱膨張率３．８ｐｐｍ／’Ｃのセラミック
ー樹脂複合基板（２０）である。
そして、この半田供給用の端子（１１）に、厚み７０１
’ ｍ ｓφ１４０．ｃｚｍの半田（３０） （Ｓ ｎ
： Ｐ ｂ＝６３：３７）を電解メツキ法により形成
した。
’ ｍ ｓφ１４０．ｃｚｍの半田（３０） （Ｓ ｎ
： Ｐ ｂ＝６３：３７）を電解メツキ法により形成
した。
この半田供給板（１０）を前記基板（２０）の接続端子
（２１）に接触させ、２００℃で溶融して半田供給板（
１０）を取外したところ、基板（２０）の接続端子（２
１）には、高さ７１μｍ±１２μｍの極めて均一な半田
（３０）を形成することができた。
（２１）に接触させ、２００℃で溶融して半田供給板（
１０）を取外したところ、基板（２０）の接続端子（２
１）には、高さ７１μｍ±１２μｍの極めて均一な半田
（３０）を形成することができた。
次にこの基板（２０）にφ０．１５ｍｍ、高さ０． １
ｍｍの高融点半田（３０）（Ｓｎ ： Ｐｂ＝５ ：
９５）による接続端子（２１）を有するフリップチップ
と接続させたところ、１０００個中１個の接続不良も生
じなかった。
ｍｍの高融点半田（３０）（Ｓｎ ： Ｐｂ＝５ ：
９５）による接続端子（２１）を有するフリップチップ
と接続させたところ、１０００個中１個の接続不良も生
じなかった。
次いで、前記フリップチップを接続した基板（２０）を
再度加熱してフリップチップを取外した。
再度加熱してフリップチップを取外した。
次いで、半田供給板（１０）の端子（１１）に厚み５０
ｐｍ、φ１．２０ （ｔ ｍの半田（３０）（Ｓｎ：Ｐ
ｂ：６３二３７）を電解メツキ法により形成し再度接触
させ、２００℃で溶融して半田供給板（１０）を取外し
たところ、基板（２０）の接続端子（２１）には高さ６
０μｍ±９μｍの極めて均一な半田（３０）を形成する
ことができ、再度新しいフリップチップを接続したとこ
ろ、１０００個中１個の接続不良も生じなかった。
ｐｍ、φ１．２０ （ｔ ｍの半田（３０）（Ｓｎ：Ｐ
ｂ：６３二３７）を電解メツキ法により形成し再度接触
させ、２００℃で溶融して半田供給板（１０）を取外し
たところ、基板（２０）の接続端子（２１）には高さ６
０μｍ±９μｍの極めて均一な半田（３０）を形成する
ことができ、再度新しいフリップチップを接続したとこ
ろ、１０００個中１個の接続不良も生じなかった。
笈五五遣
実施例１と同様であるが、半田供給板（１０）の端子（
１１）として、φ０．１８ｍｍの錫−二・ノケル（３５
％）合金を用い、厚み３０μｍ１φ２１０μｍの半田（
３０）（Ｓｎ ： Ｐｂ＝６３ ： ３７）を電解メツ
キ法により形成したところ、基板（２０）の接続端子（
２１）には、高さ４５μｍ±１５μｍの均一な半田（３
０）を形成することができた。
１１）として、φ０．１８ｍｍの錫−二・ノケル（３５
％）合金を用い、厚み３０μｍ１φ２１０μｍの半田（
３０）（Ｓｎ ： Ｐｂ＝６３ ： ３７）を電解メツ
キ法により形成したところ、基板（２０）の接続端子（
２１）には、高さ４５μｍ±１５μｍの均一な半田（３
０）を形成することができた。
次に、前述と同様に、この基板（２０）にフリ・ツブチ
ップを接続したところ、１０００個中２個の断線不良を
生じたものの良好な結果であった。
ップを接続したところ、１０００個中２個の断線不良を
生じたものの良好な結果であった。
次いで前記フリツブチ・ツブの接続した基板（２０）を
再度加熱してフリツブチ・ノブを取外した。次も）で、
この半田供給板（１０）の端子（１１）に厚み３０μｍ
１φ２１０μｍの半田（３０） （Ｓｎ ： Ｐｂ＝６
３：３７）を電解メツキ法により形成し再度接触させ、
２００℃で溶融して半田供給板（１０）を取外したとこ
ろ、基板（２０）の接続端子（２１）には、高さ５５μ
ｍ±２１μｍの均一な半田（３０）を形成することがで
き、再度新しいフリップチップを接続したところ、１０
００個中１・個の接続不良も生じなかった。
再度加熱してフリツブチ・ノブを取外した。次も）で、
この半田供給板（１０）の端子（１１）に厚み３０μｍ
１φ２１０μｍの半田（３０） （Ｓｎ ： Ｐｂ＝６
３：３７）を電解メツキ法により形成し再度接触させ、
２００℃で溶融して半田供給板（１０）を取外したとこ
ろ、基板（２０）の接続端子（２１）には、高さ５５μ
ｍ±２１μｍの均一な半田（３０）を形成することがで
き、再度新しいフリップチップを接続したところ、１０
００個中１・個の接続不良も生じなかった。
友五１１
１Ｃチツプ（２０）側には、φ０，０８ｎ＋ｍの錫端子
（２１）であってピッチ０．１５ｍｍで２４０個の二重
の正方形状に配置された接続端子（２１）が形成されて
いる。半田供給板（１０）の端子（１１）はφ０，０７
５ｍｍであり、周囲は厚さ１０μｍのエポキシ樹脂（１
２）で囲んである。この端子（１１）にエポキシ樹脂（
１２）上の厚み６５μｍ１φ１２０μｍの半田（３０）
（Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７）を電解メツキ法ニヨり形成
し、前記ＩＣチップ（２０）の接続端子（２１）に半田
（３０）を供給したところ、高さ９８μｍ±１２μｍ１
φ１１８μｍ±１５μｍの半田（３０）が供給され、接
続端子（２１）間のショート不良は１０００個中１個も
生じなかった。
（２１）であってピッチ０．１５ｍｍで２４０個の二重
の正方形状に配置された接続端子（２１）が形成されて
いる。半田供給板（１０）の端子（１１）はφ０，０７
５ｍｍであり、周囲は厚さ１０μｍのエポキシ樹脂（１
２）で囲んである。この端子（１１）にエポキシ樹脂（
１２）上の厚み６５μｍ１φ１２０μｍの半田（３０）
（Ｓｎ：Ｐｂ＝６３：３７）を電解メツキ法ニヨり形成
し、前記ＩＣチップ（２０）の接続端子（２１）に半田
（３０）を供給したところ、高さ９８μｍ±１２μｍ１
φ１１８μｍ±１５μｍの半田（３０）が供給され、接
続端子（２１）間のショート不良は１０００個中１個も
生じなかった。
次いで、このＩＣチップ（２０）の接続端子（２１）を
基板（２０）に接続したところ、断線、ショートの接続
不良は１０００個中１個も生じなかった。
基板（２０）に接続したところ、断線、ショートの接続
不良は１０００個中１個も生じなかった。
ル」飢例づつ
実施例３の半田供給板（１０）の端子（１１）において
、周囲にめぐらしたエポキシ樹脂（１２）を除去したも
ので、前述と同様の半田供給を行ったところ、半田（３
０）は高さ７８μｍ±２８μｍ１φ１０６μｍ±３２μ
ｍとなり１０００個中２８個のショート不良を生じた。
、周囲にめぐらしたエポキシ樹脂（１２）を除去したも
ので、前述と同様の半田供給を行ったところ、半田（３
０）は高さ７８μｍ±２８μｍ１φ１０６μｍ±３２μ
ｍとなり１０００個中２８個のショート不良を生じた。
次いで、ＩＣチップ（２０）を基板（２０）に接続した
ところ、さらに断線不良が９７８個中３個生じた。
ところ、さらに断線不良が９７８個中３個生じた。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明に係る半田供給板は、
［電子回路基板あるいは電子部品等の接続端子に半田を
供給する半田供給板であって、前記接続端子に対応する
部分に半田供給用の端子を設けると共に、この端子の半
田付着性を前記接続端子の半田付着性よりも低くしたこ
と」をその要旨とするものである。
供給する半田供給板であって、前記接続端子に対応する
部分に半田供給用の端子を設けると共に、この端子の半
田付着性を前記接続端子の半田付着性よりも低くしたこ
と」をその要旨とするものである。
従って、この半田供給板は、基板あるいは電子部品のい
ずれの接続端子にも極めて高精度で半田の供給ができ、
しかも、取替作業に対しても安定して半田の補給を行う
ことができ、実装工程の効率化、収率の改善にきわめて
有効である。
ずれの接続端子にも極めて高精度で半田の供給ができ、
しかも、取替作業に対しても安定して半田の補給を行う
ことができ、実装工程の効率化、収率の改善にきわめて
有効である。
さらに、この半田供給板を利用すると、一つの基板、一
つの電子部品、あるいは一つのＩＣチップ内に異種の半
田を供給することもできる。
つの電子部品、あるいは一つのＩＣチップ内に異種の半
田を供給することもできる。
第１図（イ）〜（ハ）は本発明に係る半田供給板を使用
して電子回路基板に半田を供給する状態を示す各部分断
面図、第２図は本発明に係る半田供給板の一実施例を示
す部分断面図、第３図は他の実施例を示す部分断面図で
ある。 符 １テ の 説 明 １０・・ 半田供給板、 １１・・ 端子、 １２・・・樹脂あるいは 樹脂複合物、 ２１・・・接続端子、 ２０・・・電子回路基板又は電子部品、３０・・・半田
。 以 上
して電子回路基板に半田を供給する状態を示す各部分断
面図、第２図は本発明に係る半田供給板の一実施例を示
す部分断面図、第３図は他の実施例を示す部分断面図で
ある。 符 １テ の 説 明 １０・・ 半田供給板、 １１・・ 端子、 １２・・・樹脂あるいは 樹脂複合物、 ２１・・・接続端子、 ２０・・・電子回路基板又は電子部品、３０・・・半田
。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）、電子回路基板あるいは電子部品等の接続端子に半
田を供給する半田供給板であって、 前記接続端子に対応する部分に半田供給用の端子を設け
ると共に、この端子の半田付着性を前記接続端子の半田
付着性よりも低くしたことを特徴とする半田供給板。 ２）、前記半田供給用の端子の面積が、前記接続端子の
面積よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の半田
供給板。 ３）、前記半田供給用の端子の溶融半田に対する接触角
が、前記接続端子の溶融半田に対する接触角よりも小さ
いことを特徴とする請求項１又は２記載の半田供給板。 ４）、前記半田供給用の端子に溶融半田をはじく樹脂あ
るいは樹脂複合体が一部形成されていることを特徴とす
る請求項１、２又は３記載の半田供給板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2104298A JP2811112B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 半田供給板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2104298A JP2811112B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 半田供給板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042139A true JPH042139A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2811112B2 JP2811112B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=14377022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2104298A Expired - Lifetime JP2811112B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 半田供給板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811112B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150466A (en) * | 1974-10-30 | 1976-05-04 | Hitachi Ltd | Handamakuno keiseihoho |
| JPS60101937A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-06 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6345891A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-26 | 飯村 恵次 | 半田転写キャリア．フィルムと、半田転写キャリア、フィルムの再生方法 |
| JPS6445150A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Toshiba Corp | Manufacture of electronic component |
| JPH02299288A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-11 | Fujitsu Ltd | ハンダボールの搭載方法 |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2104298A patent/JP2811112B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150466A (en) * | 1974-10-30 | 1976-05-04 | Hitachi Ltd | Handamakuno keiseihoho |
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| JPS6445150A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Toshiba Corp | Manufacture of electronic component |
| JPH02299288A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-11 | Fujitsu Ltd | ハンダボールの搭載方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2811112B2 (ja) | 1998-10-15 |
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