JPH042158A - 分周器用半導体集積回路 - Google Patents

分周器用半導体集積回路

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Publication number
JPH042158A
JPH042158A JP2103469A JP10346990A JPH042158A JP H042158 A JPH042158 A JP H042158A JP 2103469 A JP2103469 A JP 2103469A JP 10346990 A JP10346990 A JP 10346990A JP H042158 A JPH042158 A JP H042158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency division
circuit
division ratio
aluminum wiring
circuits
Prior art date
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Pending
Application number
JP2103469A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeyasu Mizukawa
水川 重康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2103469A priority Critical patent/JPH042158A/ja
Publication of JPH042158A publication Critical patent/JPH042158A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は分周器用半導体集積回路(以下プリスケーラ用
ICと称す)に関するものである。
従来の技術 プリスケーラ用ICO分周比は、使用するフリップフロ
ップ(以下FFと称す)の数nによって決まる1/2″
が基本で、通常この値は固定されている。従って分周比
を変える場合はFF数のnを変えなければならない。例
えば分周比を小さくする場合、FF数をアルミニウム配
線部の変更で減らす方式が採られている。
この方式は、同一周波数帯の用途であれば拡散プロセス
は同一で使用できるため、アルミニウム配線部の工程を
終えた集積回路スライスを完成時の分周比の値如何にか
かわらず共有化でき、後工程のアルミニウム配線部のみ
で色々な分周比のバリエージぢンを持たすことができる
と云う利点がある。
発明が解決しようとする課題 しかし乍ら、最近のプリスケラ用ICは全体のシステム
の複雑性、及び性能の向上追求から単に1ノ2″で示さ
れる分周比では対処しきれなくなっている。そこで本発
明は分周比、及び分周形態にかかわらずアルミニウム配
線工程のみで所定のプリスケラ用ICを完成することを
目的とするものである。
課題を解決するための手段 そしてこの目的を達成するために本発明は複数個のD形
フリップフロップ回路、スイッチ回路、ゲート回路、及
びバイアス回路、入、出力端子を1層目アルミニウム配
線部で接続するともに、所望の分周比、分周形態を得る
ための2層目アルミニウム配線部を設けたものである。
作用 以上の構成とすれば共通化された回路パターンに、適宜
2層目アルミニウム配線部を設けることで、所定の分周
比、及び分周形態のブリスケラ用ICを完成することが
できる。
実施例 第4図の101はD形FFを示し、1の部分はFF本体
でありトランジスタQ、〜QI!より成る。
これはマスクスレーブ方式で構成されており電流源2と
組み合わせる。なお、D、15は入力、Q。
Qは出力、T、Tはクロック入力、Bはバイアス電圧、
Vccは電源電圧、Q + 31 Q 1gはトランジ
スタである。
FF回路の数はプリスケラICの最大分周比を決めるこ
とになり難かしいが結果的には設計者の考え方に負うと
ころが大きい。現状では市場調査と経験等から分周比が
1 /256を得るFF数とすれば一応利用範囲は大き
いと考える。
分周比率1 /256は固定分周比の場合8個のFFで
実現できる。
外部端子(分周比制御端子)の設定条件によって固定分
周比を変更できる形式の分周器でも分周比1 /256
はFF数が8個存れば良い。
但しこの場合、後段OFFは最終段を含む数段を分周比
切換えのためのスイッチ回路を存する第5図に示す様な
FF回路とする。第5図では、第4図に示すFF本体1
、定電流源2に、トランジスタ差動ベアによるスイッチ
回路3と信号パス回路4が付加されている。この形OF
Fを102で示す。なおVrefは固定基準電位、aは
外部分周比制御端子、Qa−Qdはトランジスタである
2モジユラス形では第6図の様な入力端子51からのパ
ルス中1個を出力52に出さないパルス飛び越し回路1
10を使う。53はこのパルス飛び越し操作を行うか否
かを決める外部制御端子であり、PLLシステム内では
スワロカウンタからこの制御信号が送られてくる。10
5はこの信号によって動作するスイッチ回路である。1
01はD形FFで3ケ必要としている。 106はゲー
ト回路である。
従って2モジユラス形で分周比率1 /256を得るに
は11ケOFF回路が必要である。
以上述べてきた様な3種類の分周形態をとるプリスケー
ラICは11個のFF回路と単純なゲート回路106、
スイッチ回路105、出力回路、及びバイアス回路で構
成できる。この−例を第7図に示す。
この第7図の107は出力回路、10日はバイアス回路
、31は高周波入力、32は分周出力である。
但し当図では2モジユラスタイプで示している。
また第7図で110で示すパルス飛び越し回路前にある
3個のD形FF(101)と後に配置されている101
で示す3個のD形FF、102で示す2個のD形FFの
計8個は2層目アルミニウム配線部にてT形FFの動作
となる様にしている。同様に102のD形FFでは第5
図からスイッチ回路3のトランジスタQa、QbがON
となる様配線を行っている。
2モジユラス構成の時、パルス飛び越し回路110を入
れる場合によってパルススワロ−時での分周比が異なる
0例えば第7図に於て飛び越し回路110前にあるFF
数をP個、後にあるFF数を2m個とすると全体の分周
比は[PXm]−’、[Px(m+1)]−’の2モジ
ユラスとなる。但し2m個共に実際に2層目アルミニウ
ム配線でFFとして動作する数である。
一方固定分周器、或は外部の分周制御端子で分周比を予
め可変設定できる可変形固定分周器の場合は必要個数分
を2層目アルミニウム配線部で接続する。
既にスイッチ付り形FFを第5図に示したが、これを最
終段とその前段に2個継続接続しT形FFとなる様にし
た例を第8図に示す。
1はD形FF本体、2は定電流源、3.4はスインチ回
路、信号バス回路である。
各々の回路内容は第5図に示すようになっている。
さてスイッチ回路3の制御のために第8図では前段用、
後段用として制御端子a、bが必要でこれが外部制御端
子となる。これを初期に、H又はLに設定し分周比を固
定する。前段、後段共に同一回路のため前段について説
明する。先ずD形FF1は2層目アルミニウム配線部で
T形に変更されている。(q出力とD入力を結べば良い
)、スイッチ回路3はトランジスタQaとQb、Qcと
Qdの差動ベアから成り共通エミッタは定電流源2に夫
々接続されている。
トランジスタQa、QdのコレクタにはFF本体1が接
続され、トランジスタQb、Qcのコレクタには信号バ
ス回路4が接続されている。
トランジスタQa、Qdのベースには制御端子aが接続
され、トランジスタQb、Qcのベースには固定基準電
位Vrefが接続されている。電源電圧をVccとする
時、分周制御端子電圧をVaとすれば Vref<Va<Vcc −Qa、QdがONで分周可 Ov <Va<Vref →Qb、QcがONで分周不可 となり、入力信号は信号バス回路4を通って次段に入る
従って本例によれば分周比制御端子a、bの設定によっ
て全体の分周比が1/2R,1/2”−’1 / 2 
”−”の3通りに変更できる。
もちろん本スイッチ回路3を使ったFF構成とするか或
はスイッチ回路3を使わないかは2層目アルミニウム配
線部で決定する。
尚、スイッチ付FFを後段に配置するのは、動作周波数
が低くなっているために動作電流が小さくて良く結局ス
イッチの切り換えによる影響を受けにくいという理由に
よる。
また最近のプリスケーラICは高感度入力(10mv 
r m s以下)が要求される様になっており、このた
め入力回路に広帯域アンプを入れることも考えられる。
本目的のために広帯域アンプをもIC内に作成しておき
同じく2層目アルミニウム配線にてこれを選択できる様
にしておくこともできる。
第2図、第3図は本発明の詳細な説明図である。
第6図は請求項(1)の説明図であり、1層目アルミニ
ウム配線部の工程でD形FF(スイッチ付を含む)10
1、スイッチ回路105、ゲート回路106、その他が
構成されている。第3図は最終段とその前のD形FFl
0Iをスイッチ付にしている。但し本図では入力回路に
アンプ(109)を有す。夫々の回路番号は金部の説明
に既に述べているのでこれを参考とする。
第1図は斜線が2層目アルミニウム配線部であることを
示しているが、これによってシステムを完成し、ICと
しての所定分周比、分周形態を得ることかできる。
発明の効果 以上のように本発明では2層目のアルミニウム配線部を
設けることで、分周方式、分周比等が違う度に新たにレ
イアウトや回路設計を行うことなく、適応できるものと
なる。またアルミニウム配線部工程1枚の変更のために
ほぼ同時期に多品種が商品化できる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第3図は本発明の一実施例のプリスケーラIC
のブロック図、第2図は本発明の他の実施例のプリスケ
ラICのブロック図、第4図はD形FFの電気回路図、
第5図はスイッチ付り形FFの回路図、第6図は2モジ
ュラス用パルス飛び越し回路のブロック図、第7図は2
モジユラスプリスケラ用ICのブロック図、第8図はス
イッチ付り形FFを2段縦接続した回路図である。 10・・・・・・1層目アルミニウム配線部、12・・
・・・・2層目アルミニウム配線部、1o1・・・・・
・D形FF、102・旧・・スイッチ付り形FF、10
5・・・・・・スイッチ回路、106・・・・・・ゲー
ト回路、108・・・用バイアス回路。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが1名第 図 第 図 /f D 撃FF 第 図 第 図 第 図 第 図 筑個 /70 z

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数個のD形フリップフロップ回路、スイッチ回
    路、ゲート回路及びバイアス回路、入、出力端子を1層
    目アルミニウム配線部で接続するとともに所望の分周比
    、分周形態を得るための2層目アルミニウム配線部を設
    けた分周器用半導体集積回路。
  2. (2)最終段D形フリップフロップ回路を含む前段の数
    個をスイッチ付とした請求項(1)に記載の分周器用半
    導体集積回路。
JP2103469A 1990-04-19 1990-04-19 分周器用半導体集積回路 Pending JPH042158A (ja)

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JP2103469A JPH042158A (ja) 1990-04-19 1990-04-19 分周器用半導体集積回路

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JP2103469A JPH042158A (ja) 1990-04-19 1990-04-19 分周器用半導体集積回路

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JPH042158A true JPH042158A (ja) 1992-01-07

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JP2103469A Pending JPH042158A (ja) 1990-04-19 1990-04-19 分周器用半導体集積回路

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JP (1) JPH042158A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315897A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Nec Corp 周波数シンセサイザ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH05315897A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Nec Corp 周波数シンセサイザ

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