JPH042173A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents

光起電力装置の製造方法

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JPH042173A
JPH042173A JP2103348A JP10334890A JPH042173A JP H042173 A JPH042173 A JP H042173A JP 2103348 A JP2103348 A JP 2103348A JP 10334890 A JP10334890 A JP 10334890A JP H042173 A JPH042173 A JP H042173A
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JP
Japan
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photovoltaic device
thin film
film
solvent
support substrate
Prior art date
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Application number
JP2103348A
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English (en)
Inventor
Yasuyoshi Kawanishi
川西　康義
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH042173A publication Critical patent/JPH042173A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/139—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/139—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H10F71/1395—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates for thin-film devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、光起電力装置、特にフレキシブル光起電力装
置の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術 フレキシブル光起電力装置の製造方法としては、ガラス
等の支持基板上に、ポリイミド等の第１樹脂層を形成し
た後、この第１樹脂層上に薄膜状光起電力装置及び第２
ｔｉｔ脂層を形成し、これを水中に浸漬することによっ
て、支持基板と第１樹脂層とを剥離する方法が、提案さ
れている（特開平１−１０５５８１号公報）。
（ハ）発明が解決しようとする課題 上述のような方法にあっては、光起電力装置を形成する
に先立って、ポリイミド等の第１樹脂層を形成するため
、以下のような欠点がある。
■　樹脂層は高価であり、製造コストを増大させる。
■　樹脂層は加熱処理によって不所望なガスを発生する
ため、熱ＣＶＤ法を用いた低抵抗、高透過率のＳｎｏｗ
からなる光起電力装置の透明電極膜を形成することがで
きない。
■　樹脂層は耐熱性が悪＜　（２００−２５０℃程度）
、信頼性向上のために必要な高温での光起電力装置の半
導体膜（非晶質シリコン膜等）を形成することができな
い。
従って、上述の方法によれば、光起電力装置の出力特性
を向上させることができない。
そこで、本発明の目的は、これら欠点を解消し、優れた
出力特性の光起電力装置を製造することにある。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明は、支持基板上に、耐熱性を有しかつ溶媒に溶け
得る薄膜を介して薄膜状光起電力装置を形成した後、こ
れを上記溶媒中に浸漬して上記支持基板から上記薄膜状
光起電力装置を剥離することを特徴としている。
（ホ）作用 支持基板上に、耐熱性を有しかつ溶媒に溶け得る薄膜を
介して形成された薄膜上光起電力装置は、これを溶媒中
に浸漬する二とのより、上記薄膜が溶解して支持基板か
ら剥離される。
（へ）実施例 第１図乃至第３図は本発明の製造方法を工程順に示す断
面図である。
第１図の工程において、青板ガラス等の支持基板１上に
、耐熱性を有しかつ溶媒に溶け得る薄膜２を形成する。
この薄膜２としては、例えば塩化ナトリウム（ＮａＣＩ
　）薄膜が用いられ、モリブデン（〜１０）ボート上に
ＮａＣ１の結晶を載置して行う真空蒸着法にて形成され
る。この時、ＮａＣｌの結晶の代わりに、市販の食塩を
用いてもよいが、この場合、食塩中に含まれる不純物を
除去するために、予め食塩を加熱して溶融させた後に徐
冷したものを用いるのが良い。
なお、薄膜２としては、ＮａＣ］薄膜に限らず、融点が
５００℃程度以上の耐熱性を有し、かつ溶媒に溶け得る
ものであれば良い。
第２図の工程において、薄膜２上に、薄膜状光起電力装
置７を形成する。
まず、薄膜２上にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の
表面保護膜３を形成した後、Ｓｎｏｗ、ＩＴＯ等の透光
性導電酸化物（ＴＣＯ）からなる透明電極膜４、アモル
ファス半導体膜５及び裏面１を極膜６からなる、それ自
体周知の光起電力装置７を形成し、更に、裏面電極膜６
上にエポキシ樹脂、シリコンゴム等の裏面保護層８を形
成する。
この時、ＮａＣ１からなる薄膜２の融点は、８００．４
℃と高いため、透明電極膜４及びアモルファス半導体膜
５の形成温度は、従来のように低温（２００℃まで）に
制限されることがない。
第３図の最終工程において、光起電力装置７が形成され
た支持基板ｌを溶媒としての水の入った容器９中に浸漬
する。これによって、ＮａＣｌからなる薄膜２は溶解し
、支持基板１から表面保護膜３を剥離する。二の時、表
面保護膜３上に薄膜２の残留物が付着しておれば、水洗
いずれば良い。
こうして、表面保護膜３上に形成されたフレキシビリテ
ィを有する光起電力装置７が製造される。
なお、図面において、表面保護膜３及び裏面保護膜８は
、光起電力装置７の縁部を何ら覆っていないように示さ
れているが、実際にはこれら保護Ｍ３．８は、光起電力
装置７の縁部を覆うように形成するのが好ましい。
また、上記実施例においては、保護膜３上に単一の光起
電力装置７を形成しただけであるが、電気的に直列接続
した複数の光起電力装置を形成してもよい。
（ト）発明の効果 本発明のよれば、支持基板上に、耐熱性を有しかつ溶媒
に溶け得る薄膜を介して薄膜状光起電力装置を形成した
後、これを溶媒中に浸漬して上記支持基板から上記薄膜
状光起電力装置を剥離するので、支持基板からの光起電
力装置の剥離を非常に簡単に行うことができると共に、
光起電力装置の形成条件、特に透明電極膜や半導体膜の
形成温度に制限を受けることがなく、結果として、優れ
た出力特性を備えたフレキシブル光起電力装置を製造す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は本発明製造方法を工程順に示す断面
図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）支持基板上に、耐熱性を有しかつ溶媒に溶け得る
    薄膜を介して薄膜状光起電力装置を形成した後、これを
    上記溶媒中に浸漬して上記支持基板から上記薄膜状光起
    電力装置を剥離することを特徴とした光起電力装置の製
    造方法。
JP2103348A 1990-04-19 1990-04-19 光起電力装置の製造方法 Pending JPH042173A (ja)

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