JPH0421794A - 低融点組成物および電気アルミニウムめっき方法 - Google Patents
低融点組成物および電気アルミニウムめっき方法Info
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- JPH0421794A JPH0421794A JP12404190A JP12404190A JPH0421794A JP H0421794 A JPH0421794 A JP H0421794A JP 12404190 A JP12404190 A JP 12404190A JP 12404190 A JP12404190 A JP 12404190A JP H0421794 A JPH0421794 A JP H0421794A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、アルミニウムを含有する新規な低融、占組成
物およびこの組成物を用いてアルミニウムを効率的に電
気めっきする方法に関する。
物およびこの組成物を用いてアルミニウムを効率的に電
気めっきする方法に関する。
(従来の技術)
アルミニウムの電気めっきは、アルミニウムの酸素に対
する親和力が大きく、電位が水素より低いので、水薬液
系のめっき浴で行うことは困難である。このため、従来
よりアルミニウムの電気めっきは非水名液系のめっきl
谷、特に有磯渚媒系のめっき浴で検討が行われている。
する親和力が大きく、電位が水素より低いので、水薬液
系のめっき浴で行うことは困難である。このため、従来
よりアルミニウムの電気めっきは非水名液系のめっきl
谷、特に有磯渚媒系のめっき浴で検討が行われている。
この有機渚媒系のめっき泪としては、塩化アルミニウム
とLiAj2H4またはLiHとをエーテルに溶解した
ものや、4へffc12.とLiAffH。
とLiAj2H4またはLiHとをエーテルに溶解した
ものや、4へffc12.とLiAffH。
とをテトラヒドロフランに滴群したものが代表的な一例
である(例えば、D、E、Couchら、J、Elec
trochem、、999(6)、234頁)。しかし
、これらのめっき泪はいずれも洛中に非常に活性なLi
AffH,またはL工Hを含んでいるため、酸素や水分
が存在すると、それらと反応して分解し、電流効率が低
下したり、泪の寿命が短くなってしまう大声、があった
、また、使用する有機溶媒の沸点が低く、爆発や燃焼の
危険性が高いという問題点を有していた。
である(例えば、D、E、Couchら、J、Elec
trochem、、999(6)、234頁)。しかし
、これらのめっき泪はいずれも洛中に非常に活性なLi
AffH,またはL工Hを含んでいるため、酸素や水分
が存在すると、それらと反応して分解し、電流効率が低
下したり、泪の寿命が短くなってしまう大声、があった
、また、使用する有機溶媒の沸点が低く、爆発や燃焼の
危険性が高いという問題点を有していた。
さらに、他の一例として、トリエチルアルミニウムとN
aFをトルエンに溶解しためっき洛も提案されている(
R,5uchentrunkZ、Werkstofft
ech、、12巻190頁)、シかしながら、この場合
も危険性の高いトリエチルアルミニウムの取り扱いが非
常に問題であり、実用化は困難であると考えられる。
aFをトルエンに溶解しためっき洛も提案されている(
R,5uchentrunkZ、Werkstofft
ech、、12巻190頁)、シかしながら、この場合
も危険性の高いトリエチルアルミニウムの取り扱いが非
常に問題であり、実用化は困難であると考えられる。
(発明が解決しようとする課題)
上記の従来の技術では、アルミニウムを電気めっきする
という課題は一応成功しているものの、用いられる化学
物質の取り扱いの難しさから、実用化技術として広く一
般に利用できるものとは言い難い。
という課題は一応成功しているものの、用いられる化学
物質の取り扱いの難しさから、実用化技術として広く一
般に利用できるものとは言い難い。
(課題を解決するための手段)
本発明は、取り扱いが容易でかつ効率的にアルミニウム
の電気めっきに使用できる低融点組成物およびその浴を
用いる電気めっき方法を提供するものである。
の電気めっきに使用できる低融点組成物およびその浴を
用いる電気めっき方法を提供するものである。
本発明は、
アルミニウムハロゲン化物と、
次式
(式中、R’、R”、R3およびR4はそれぞれ炭素数
1〜12のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表す
)で示されるテトラアルキルホスホニウムハロゲン化物
とを混合してなることを特徴とする低融点組成物であり
、さらにこの低融点組成物をめっき浴として用いる電気
アルミニウムめっき方法である。
1〜12のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表す
)で示されるテトラアルキルホスホニウムハロゲン化物
とを混合してなることを特徴とする低融点組成物であり
、さらにこの低融点組成物をめっき浴として用いる電気
アルミニウムめっき方法である。
本発明に用いるテトラアルキルホスホニウムハロゲン化
物の具体的な例としては、テトラメチルホスホニウムブ
ロマイド、テトラエチルホスホニウムクロライド、テト
ラプロピルホスホニウムブロマイド、メチルトリエチル
ホスホニウムクロライド、ジエチルジメチルホスホニウ
ムブロマイド、エチルトリメチルホスホニウムブロマイ
ド、ヘキシルトリメチルホスホニウムブロマイド、フチ
ルトリブロビルホスホニウムクロライドなどを挙げるこ
とができる。
物の具体的な例としては、テトラメチルホスホニウムブ
ロマイド、テトラエチルホスホニウムクロライド、テト
ラプロピルホスホニウムブロマイド、メチルトリエチル
ホスホニウムクロライド、ジエチルジメチルホスホニウ
ムブロマイド、エチルトリメチルホスホニウムブロマイ
ド、ヘキシルトリメチルホスホニウムブロマイド、フチ
ルトリブロビルホスホニウムクロライドなどを挙げるこ
とができる。
また、アルミニウムハロゲン化物とは1、=lX3 (
Xはハロゲン原子を表す)で示される化合物で、具体的
には、61F、、 Aj2C13、AffBrxP、よ
びA 12 I aを挙げることができる。
Xはハロゲン原子を表す)で示される化合物で、具体的
には、61F、、 Aj2C13、AffBrxP、よ
びA 12 I aを挙げることができる。
本発明の組成物は、20〜80モル%のアルミニウムハ
ロゲン化物と、80〜20モル%のテトラアルキルホス
ホニウムハロゲン化物を混合することにより、低融点組
成物とすることができる。
ロゲン化物と、80〜20モル%のテトラアルキルホス
ホニウムハロゲン化物を混合することにより、低融点組
成物とすることができる。
特に、上記組成物をめっき浴として電気アルミニウムめ
っきを効率的に実施するために、好ましい組成比は、ア
ルミニウムハロゲン化物が50〜75モル%で、テトラ
アルキルホスホニウムハロゲン化物が25〜50モル%
、より好ましくはアルミニウムハロゲン化物が55〜7
0モル%で、テトラアルキルホスホニウムハロゲン化物
が30〜45モル%である。アルミニウムハロゲン化物
が少なすぎる系ではテトラアルキルホスホニウムカチオ
ンが分解する反応がおこる場合があり、またアルミニウ
ムハロゲン化物が多すぎる系ではめっき浴の粘度が上昇
する傾向があるので好ましくない。
っきを効率的に実施するために、好ましい組成比は、ア
ルミニウムハロゲン化物が50〜75モル%で、テトラ
アルキルホスホニウムハロゲン化物が25〜50モル%
、より好ましくはアルミニウムハロゲン化物が55〜7
0モル%で、テトラアルキルホスホニウムハロゲン化物
が30〜45モル%である。アルミニウムハロゲン化物
が少なすぎる系ではテトラアルキルホスホニウムカチオ
ンが分解する反応がおこる場合があり、またアルミニウ
ムハロゲン化物が多すぎる系ではめっき浴の粘度が上昇
する傾向があるので好ましくない。
例えば、塩化アルミニウムとエチルトップチルホスホニ
ウムブロマイドとの組成物では、塩化アルミニウム濃度
が60〜75モル%の全域において、常温で液体であり
、かなり低粘度のものが得られる。
ウムブロマイドとの組成物では、塩化アルミニウム濃度
が60〜75モル%の全域において、常温で液体であり
、かなり低粘度のものが得られる。
本発明の新規な組成物は、アルミニウムハロゲン化物と
、テトラアルキルホスホニウムハロゲン化物とを混合洛
融することにより製造される。
、テトラアルキルホスホニウムハロゲン化物とを混合洛
融することにより製造される。
−鍜に以下に述べる二二程からなる方法によって行うこ
とができる。
とができる。
第1工程として、アルキルハライドとトリアルキルホス
フィンとを反応溶媒とともに撹拌機つきオートクレーブ
に仕込み、20〜200°C1好ましくは50〜150
℃で反応させ、四級化させる0反応後、溶媒および未反
応物を除去してテトラアルキルホスホニウムハロゲン化
物を得る。この場合の反応溶媒としては、ベンゼン、ト
ルエン、ヘキサンなどの炭化水素溶媒、水、メタノール
、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒などが使用
可能である。
フィンとを反応溶媒とともに撹拌機つきオートクレーブ
に仕込み、20〜200°C1好ましくは50〜150
℃で反応させ、四級化させる0反応後、溶媒および未反
応物を除去してテトラアルキルホスホニウムハロゲン化
物を得る。この場合の反応溶媒としては、ベンゼン、ト
ルエン、ヘキサンなどの炭化水素溶媒、水、メタノール
、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒などが使用
可能である。
第2工程では、第1工程で製造したテトラアルキルホス
ホニウムハロゲン化物とアルミニウムハロゲン化物を所
定の量で混合し、不活性ガスの雰囲気下で加熱するか、
適当な溶媒に両者を懸濁させた状態で加熱混合したのち
、溶媒を除去することにより目的の組成物を製造するこ
とができる。
ホニウムハロゲン化物とアルミニウムハロゲン化物を所
定の量で混合し、不活性ガスの雰囲気下で加熱するか、
適当な溶媒に両者を懸濁させた状態で加熱混合したのち
、溶媒を除去することにより目的の組成物を製造するこ
とができる。
いずれの場合にも、混合時にかなりの発熱を伴うので、
反応温度が暴走しないように注意する必要がある。
反応温度が暴走しないように注意する必要がある。
電気アルミニウムめっきは、めっき浴の安定性の維持お
よびめっき性状などの点から、一般に乾燥無酸素雰囲気
下で行われる。めっき条件としては、直流もしくはパル
ス電流により浴温0〜300℃、電流密度0.01〜5
0A/dm2で行うと、電流効率がよくかつ均一なめっ
きをすることができる。浴温が低すぎると均一なめっき
とならず、またン谷温が高すぎたり、電流E度が高すぎ
ると、四級ホスホニウムカチオンの分解、めっき層の不
均一化、さらには電流効率の低下が起り好ましくない。
よびめっき性状などの点から、一般に乾燥無酸素雰囲気
下で行われる。めっき条件としては、直流もしくはパル
ス電流により浴温0〜300℃、電流密度0.01〜5
0A/dm2で行うと、電流効率がよくかつ均一なめっ
きをすることができる。浴温が低すぎると均一なめっき
とならず、またン谷温が高すぎたり、電流E度が高すぎ
ると、四級ホスホニウムカチオンの分解、めっき層の不
均一化、さらには電流効率の低下が起り好ましくない。
ストリップなどを均一に連続めっきする場合めっき浴に
AJ2イオンを補給して、洛中のAffイオン濃度を一
定の範囲に保つ必要があるが、この場合、陽極をアルミ
ニウム製可溶性電極にすると通電量に応じてAI2イオ
ンが自動的に補給され、ハロゲン化アルミニウムの補給
によらずどもへ!イオン濃度を一定の範囲に保つことが
できる。
AJ2イオンを補給して、洛中のAffイオン濃度を一
定の範囲に保つ必要があるが、この場合、陽極をアルミ
ニウム製可溶性電極にすると通電量に応じてAI2イオ
ンが自動的に補給され、ハロゲン化アルミニウムの補給
によらずどもへ!イオン濃度を一定の範囲に保つことが
できる。
低温で効率的にめっきする場合、めっきン谷の粘度を低
下させるために、めっき浴に有機溶媒を添加する方法が
有効である。この場合、有機溶媒としてベンゼン、トル
エン、キシレン、クロルベンゼンなどの不活性溶媒が好
ましく、通常5ないし95Vo1%を添加して用いられ
る。
下させるために、めっき浴に有機溶媒を添加する方法が
有効である。この場合、有機溶媒としてベンゼン、トル
エン、キシレン、クロルベンゼンなどの不活性溶媒が好
ましく、通常5ないし95Vo1%を添加して用いられ
る。
また、めっき浴の導電率をあげるために、あるいはアル
ミニウムめっき層の均一化を図るために、アルカリ金属
またはアルカリ土類金属のハロゲン化物を添加する方法
も効果的である。この場合、アルカリ金属またはアルカ
リ土類金属のハロゲン化物の例として、LiCff、N
aCff、NaF、CaCff 2などを挙げることが
でき、通常これらの化合物をめっき浴に0.1〜30モ
ル%添加して用いられる。
ミニウムめっき層の均一化を図るために、アルカリ金属
またはアルカリ土類金属のハロゲン化物を添加する方法
も効果的である。この場合、アルカリ金属またはアルカ
リ土類金属のハロゲン化物の例として、LiCff、N
aCff、NaF、CaCff 2などを挙げることが
でき、通常これらの化合物をめっき浴に0.1〜30モ
ル%添加して用いられる。
(実施例1)
トリブチルホスフィン1.0モル(202,3g)と臭
化エチル11モル(1199g)および溶媒としメタノ
ール100gをガラス製反応器に仕込み、撹拌しながら
60°Cで5時間反応させた0反応生成物からロータリ
ーエバポレーターを用いて溶媒および未反応物を留去し
、固形物308.1gを得た。この固形物はエチルトリ
ブチルホスホニウムブロマイドであり、トリブチルホス
フィン基準の反応収率は99モル%であった。
化エチル11モル(1199g)および溶媒としメタノ
ール100gをガラス製反応器に仕込み、撹拌しながら
60°Cで5時間反応させた0反応生成物からロータリ
ーエバポレーターを用いて溶媒および未反応物を留去し
、固形物308.1gを得た。この固形物はエチルトリ
ブチルホスホニウムブロマイドであり、トリブチルホス
フィン基準の反応収率は99モル%であった。
次に、得られたエチルトリブチルホスホニウムブロマイ
ド31.1g (0,10モル)を窒素雰囲気中でガラ
ス製反応器に入れ、塩化アルミニウム26.6g (0
,20モル)を徐々に混合した。塩化アルミニウムを投
入することによりエチルトリブチルホスホニウムブロマ
イドとの固体界面で反応が起り、徐々に液化が進行する
が、この反応は発熱を伴うので、反応温度が70℃を超
えないように注意しながら塩化アルミニウムを全量投入
した。この混合物は常温で液体であり、電導度は25℃
で1.3mS/cmを示した。
ド31.1g (0,10モル)を窒素雰囲気中でガラ
ス製反応器に入れ、塩化アルミニウム26.6g (0
,20モル)を徐々に混合した。塩化アルミニウムを投
入することによりエチルトリブチルホスホニウムブロマ
イドとの固体界面で反応が起り、徐々に液化が進行する
が、この反応は発熱を伴うので、反応温度が70℃を超
えないように注意しながら塩化アルミニウムを全量投入
した。この混合物は常温で液体であり、電導度は25℃
で1.3mS/cmを示した。
また、この系において、塩化アルミニウムとエチルトリ
ブチルホスホニウムブロマイドのモル比を1.5から2
0まで変化させた場合の温度と電導度の関係を表1に示
した。表1から明らかなように、この組成物は高い電導
度を示しており、電気アルミニウムめっき浴として優れ
ている。
ブチルホスホニウムブロマイドのモル比を1.5から2
0まで変化させた場合の温度と電導度の関係を表1に示
した。表1から明らかなように、この組成物は高い電導
度を示しており、電気アルミニウムめっき浴として優れ
ている。
表1
温度と電導環の関係
モル比 1.50
1.75
2.00
温度25(”C) 0.5 1.1 1.3
30 0.7 1.4 1
.540 1.6 2.0
2.150 2.3 2.7
2.960 3.4 3.7
3.9(実施例2) 実施例1と同様の反応方法により、トリプロピルホスフ
ィンと臭化プロピルからテトラプロピルホスホニウムブ
ロマイドを合成した。
30 0.7 1.4 1
.540 1.6 2.0
2.150 2.3 2.7
2.960 3.4 3.7
3.9(実施例2) 実施例1と同様の反応方法により、トリプロピルホスフ
ィンと臭化プロピルからテトラプロピルホスホニウムブ
ロマイドを合成した。
得られたテトラプロピルホスホニウムブロマイドを実施
例1と同様の方法により塩化アルミニウムと混合した。
例1と同様の方法により塩化アルミニウムと混合した。
この系において、塩化アルミニウムとテトラプロピルホ
スホニウムブロマイドのモル比を1.5から20まで変
化させた場合の温度と電導環の関係を表2に示した。
スホニウムブロマイドのモル比を1.5から20まで変
化させた場合の温度と電導環の関係を表2に示した。
表2
温度と電導環の関係
モル比
1.50
1.75 2.00
温度40(”C) 2.1 3.0 3.6
50 3.0 4.4 4
.860 4.9 5.9
6.370 6.8 7.6
8.1(実施例3) 板厚0.5mmの冷延鋼板に常法により溶媒蒸気洗浄、
アルカリ脱脂および酸洗などを施したものを乾燥後、直
ちに予め窒素雰囲気に保っておいた上記の実施例に示し
た組成物を電気アルミニウムめっき浴として、これに浸
漬した。
50 3.0 4.4 4
.860 4.9 5.9
6.370 6.8 7.6
8.1(実施例3) 板厚0.5mmの冷延鋼板に常法により溶媒蒸気洗浄、
アルカリ脱脂および酸洗などを施したものを乾燥後、直
ちに予め窒素雰囲気に保っておいた上記の実施例に示し
た組成物を電気アルミニウムめっき浴として、これに浸
漬した。
その後、冷延鋼板を陰極、アルミニウム板(純度99.
99%、板厚1.0mm)を陽極にして、直流により冷
延鋼板にアルミニウムめっきを行った。
99%、板厚1.0mm)を陽極にして、直流により冷
延鋼板にアルミニウムめっきを行った。
めっき浴として実施例1の塩化アルミニウムとエチルト
リブチルホスホニウムブロマイドのモル比が20の組成
物のめっき浴を用い、電解条件として泪温50°C,電
流密度IA/dm2.電解時間30分でめっきを行った
ところ、電流効率95%以上でめっき層の厚み10ミク
ロンの緻密なアルミニウムめっきが得られた。
リブチルホスホニウムブロマイドのモル比が20の組成
物のめっき浴を用い、電解条件として泪温50°C,電
流密度IA/dm2.電解時間30分でめっきを行った
ところ、電流効率95%以上でめっき層の厚み10ミク
ロンの緻密なアルミニウムめっきが得られた。
(実施例4)
実施例2に記載の塩化アルミニウムとテトラプロピルホ
スホニウムブロマイドのモル比が20の組成物のめっき
浴を用い、実施例3と同様な方法で冷延鋼板にアルミニ
ウムめっきを行った。
スホニウムブロマイドのモル比が20の組成物のめっき
浴を用い、実施例3と同様な方法で冷延鋼板にアルミニ
ウムめっきを行った。
電解条件として浴150℃、を流苫度
4八/dm2. %i電解時間10分めっきを行ったと
ころ、電流効率95%以上でめっき層の厚み10ミクロ
ンのm=なアルミニウムめっきが得られた。
ころ、電流効率95%以上でめっき層の厚み10ミクロ
ンのm=なアルミニウムめっきが得られた。
(実施例5)
実施例4に記載の塩化アルミニウムとテトラプロピルホ
スホニウムブロマイドのモル比が2. 0の組成物と有
機忍媒としてトルエンを1+1 (容量比)で混合した
めっき洛を調製した。このめつき浴は25°Cで7.5
mS/cmの電導環を示した。
スホニウムブロマイドのモル比が2. 0の組成物と有
機忍媒としてトルエンを1+1 (容量比)で混合した
めっき洛を調製した。このめつき浴は25°Cで7.5
mS/cmの電導環を示した。
このめっき浴を用い、実施例3と同様な方法で銅板(板
厚0.5mm)にアルミニウムめっきを行った。
厚0.5mm)にアルミニウムめっきを行った。
電解条件として浴温25℃、電流密度
IA/dm”、電解時間30分でめっきを行ったところ
、電流効率95%以上でめっき層の厚み10ミクロンの
緻密で光沢性のあるアルミニウムめっきが得られた。
、電流効率95%以上でめっき層の厚み10ミクロンの
緻密で光沢性のあるアルミニウムめっきが得られた。
(発明の効果)
本発明による新規な組成物の特徴は、低融点化合物を形
成し、常温においても取り扱いの容易な液体となること
。また、この新規な組成物は溶融状態においてかなり高
いイオン伝導性を有していること、さらに、テトラアル
キルホスホニウムカチオンが電気化学的に安定であるの
で、より高温下でかつ高い電流密度の条件でめっきする
ことができることである、 すなわち、これらの特徴はめっき浴としての優れた重要
な基本的特徴であり、本発明によれば、高い電流効率で
かつ高電流芭度で生産性良くアルミニウムめっきが可能
である。
成し、常温においても取り扱いの容易な液体となること
。また、この新規な組成物は溶融状態においてかなり高
いイオン伝導性を有していること、さらに、テトラアル
キルホスホニウムカチオンが電気化学的に安定であるの
で、より高温下でかつ高い電流密度の条件でめっきする
ことができることである、 すなわち、これらの特徴はめっき浴としての優れた重要
な基本的特徴であり、本発明によれば、高い電流効率で
かつ高電流芭度で生産性良くアルミニウムめっきが可能
である。
さらに、本発明の組成物を用いる電気アルミニウムめっ
き方法において、陽極にアルミニウムを使用すると、め
っきによって消費されたA!イオンが陽極からのAI2
渚解計上って自動的に補給されるので、浴管理が簡単で
あり、この点においても他の方法よりも作業性が優れて
いる。
き方法において、陽極にアルミニウムを使用すると、め
っきによって消費されたA!イオンが陽極からのAI2
渚解計上って自動的に補給されるので、浴管理が簡単で
あり、この点においても他の方法よりも作業性が優れて
いる。
Claims (2)
- (1)アルミニウムハロゲン化物と、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^2、R^3およびR^4はそれぞ
れ炭素数1〜12のアルキル基を表し、Xはハロゲン原
子を表す)で示されるテトラアルキルホスホニウムハロ
ゲン化物とを混合してなることを特徴とする低融点組成
物。 - (2)請求項1記載の低融点組成物をめっき浴として用
いる電気アルミニウムめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12404190A JPH0421794A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 低融点組成物および電気アルミニウムめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12404190A JPH0421794A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 低融点組成物および電気アルミニウムめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421794A true JPH0421794A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14875549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12404190A Pending JPH0421794A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 低融点組成物および電気アルミニウムめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0421794A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06293991A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-10-21 | Sony Corp | アルミニウム非水電解液並びにそれを用いた電池及びアルミニウム電析方法 |
| JP2006161154A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-06-22 | Hitachi Metals Ltd | 電解アルミニウムめっき液 |
| JPWO2012043129A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立製作所 | 電気アルミニウムめっき液 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12404190A patent/JPH0421794A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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