JPH0421937A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JPH0421937A JPH0421937A JP2125136A JP12513690A JPH0421937A JP H0421937 A JPH0421937 A JP H0421937A JP 2125136 A JP2125136 A JP 2125136A JP 12513690 A JP12513690 A JP 12513690A JP H0421937 A JPH0421937 A JP H0421937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- antistatic
- antistatic film
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に帯電防止膜を形成した光ディスクに
関するものである。
関するものである。
光ディスクの需要が高まる中、１つの大きな問題として
帯電等によりディスク表面に付着した塵埃等がある。つ
まり、この塵埃等により光ディスクの使用時にレーザ光
のトラックはずれやエラーが発生し、光ディスクの特性
を劣化させその性能が充分に発揮されないということで
ある。そのため光ディスクの表面における帯電防止膜の
必要性が高まっている。そこで、現在は第２図に示すよ
うに、記録膜６及び保護膜７が形成された基板５のレー
ザ光の入射面側に、帯電防止膜８が形成された光ディス
クを用いている。これは基板５の一方の面に記録膜６を
形成し更にその上に保護膜７を形成した後、基板５のも
う一方の面に、界面活性剤系またはシロキサン系の帯電
防止効果を持つ樹脂をスピンコード等各種の方法で均一
に塗布し、必要に応じて紫外線等を照射して帯電防止膜
８を形成したものである。
帯電等によりディスク表面に付着した塵埃等がある。つ
まり、この塵埃等により光ディスクの使用時にレーザ光
のトラックはずれやエラーが発生し、光ディスクの特性
を劣化させその性能が充分に発揮されないということで
ある。そのため光ディスクの表面における帯電防止膜の
必要性が高まっている。そこで、現在は第２図に示すよ
うに、記録膜６及び保護膜７が形成された基板５のレー
ザ光の入射面側に、帯電防止膜８が形成された光ディス
クを用いている。これは基板５の一方の面に記録膜６を
形成し更にその上に保護膜７を形成した後、基板５のも
う一方の面に、界面活性剤系またはシロキサン系の帯電
防止効果を持つ樹脂をスピンコード等各種の方法で均一
に塗布し、必要に応じて紫外線等を照射して帯電防止膜
８を形成したものである。
また、塵埃が付着した場合においても、ディスク表面を
払拭することにより光ディスクの性能劣化を防止する目
的から、上記帯電防止膜８として帯電防止と表面硬度向
上の両方の性能を持つものが望ましい。
払拭することにより光ディスクの性能劣化を防止する目
的から、上記帯電防止膜８として帯電防止と表面硬度向
上の両方の性能を持つものが望ましい。
現在よく使用されている帯電防止膜８としては上記の界
面活性剤系とシロキサン系が殆どである。
面活性剤系とシロキサン系が殆どである。
ところが、ＵＶ硬化樹脂等に界面活性剤を混入させた界
面活性剤系の帯電防止膜においては、界面活性剤の混入
割合が多いと帯電防止効果は大きいが表面硬さが充分で
なく、界面活性剤の混入割合が少ないと表面硬さは向上
するが帯電防止効果は小さくなる。即ち、帯電防止性能
と表面硬さ向上性能とは相反しているので、界面活性剤
の最適な混入割合を選ぶ必要がある。
面活性剤系の帯電防止膜においては、界面活性剤の混入
割合が多いと帯電防止効果は大きいが表面硬さが充分で
なく、界面活性剤の混入割合が少ないと表面硬さは向上
するが帯電防止効果は小さくなる。即ち、帯電防止性能
と表面硬さ向上性能とは相反しているので、界面活性剤
の最適な混入割合を選ぶ必要がある。
また、界面活性剤系の帯電防止膜を形成した光ディスク
は、８０°Ｃ１相対湿度９０％等の高温高湿度環境条件
下においては、界面活性剤が表面に滲み出たり或いは滲
み出た界面活性剤に水分が付着して水滴が形成されたり
するので長期安定性に問題がある。
は、８０°Ｃ１相対湿度９０％等の高温高湿度環境条件
下においては、界面活性剤が表面に滲み出たり或いは滲
み出た界面活性剤に水分が付着して水滴が形成されたり
するので長期安定性に問題がある。
一方、シロキサン系の帯電防止膜は、帯電防止性能は良
好であり膜そのものは硬いのであるが、膜厚が０．２μ
ｍ以下であり膜厚を大きくできないため、軟らかいプラ
スチックからなる基板５上に用いた場合、充分な表面硬
さが得られないという問題点を有している。また、この
シロキサン系帯電防止膜を形成した光ディスクに対して
低温−高温のサイクル試験を行なうと、プラスチック基
板と膜との密着性が良くないことから表面にクランクが
発生したりする。
好であり膜そのものは硬いのであるが、膜厚が０．２μ
ｍ以下であり膜厚を大きくできないため、軟らかいプラ
スチックからなる基板５上に用いた場合、充分な表面硬
さが得られないという問題点を有している。また、この
シロキサン系帯電防止膜を形成した光ディスクに対して
低温−高温のサイクル試験を行なうと、プラスチック基
板と膜との密着性が良くないことから表面にクランクが
発生したりする。
本発明に係る光ディスクは、上記の課題を解決するため
に、プラスチックからなる基板を有し、この基板のレー
ザ光が入射する側の面に帯電防止膜が形成されている光
ディスクであって、上記帯電防止膜は導電性フィラーが
混入されていることを特徴としている。
に、プラスチックからなる基板を有し、この基板のレー
ザ光が入射する側の面に帯電防止膜が形成されている光
ディスクであって、上記帯電防止膜は導電性フィラーが
混入されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、帯電防止膜は導電性フィラーが混
入され、膜厚を数μｍとすることができるため、表面電
気抵抗が下がるとともに、表面硬さが向上する。また、
帯電防止膜を高温高湿度の環境下に置いても導電性フィ
ラーが滲み出してくる等の経時変化を起こすこともなく
、長期安定性を確保できる。更に、高温−低温サイクル
試験を行なっても、帯電防止膜の表面にクラックが発生
することもない。
入され、膜厚を数μｍとすることができるため、表面電
気抵抗が下がるとともに、表面硬さが向上する。また、
帯電防止膜を高温高湿度の環境下に置いても導電性フィ
ラーが滲み出してくる等の経時変化を起こすこともなく
、長期安定性を確保できる。更に、高温−低温サイクル
試験を行なっても、帯電防止膜の表面にクラックが発生
することもない。
本発明の一実施例を第１図を用いて説明すると以下の通
りである。
りである。
本実施例の光ディスクは、第１図に示すように、ポリカ
ーボネート、アクリル等のプラスチックからなる基板１
の一方の面に、例えばＡ ｆｆｉ Ｎ／ＤｙＦｅＣｏ／
Ａｌｌ！Ｎ／Ａ／！からなる光磁気記録膜等の記録膜２
が形成されている。更にこの記録膜２上に、アクリルウ
レタン系のＵＶ硬化樹脂等からなる保護膜３が形成され
ている。一方、基板１の記録膜２が形成された面と反対
側の面には、平均粒径０．２μｍの酸化スズ微粒子の導
電性フィラーが混入された、アクリルウレタン系のＵＶ
硬化樹脂からなる帯電防止膜４が約２μｍの厚さに形成
されている。
ーボネート、アクリル等のプラスチックからなる基板１
の一方の面に、例えばＡ ｆｆｉ Ｎ／ＤｙＦｅＣｏ／
Ａｌｌ！Ｎ／Ａ／！からなる光磁気記録膜等の記録膜２
が形成されている。更にこの記録膜２上に、アクリルウ
レタン系のＵＶ硬化樹脂等からなる保護膜３が形成され
ている。一方、基板１の記録膜２が形成された面と反対
側の面には、平均粒径０．２μｍの酸化スズ微粒子の導
電性フィラーが混入された、アクリルウレタン系のＵＶ
硬化樹脂からなる帯電防止膜４が約２μｍの厚さに形成
されている。
この光ディスクが装置に装着され、記録、再生等が行な
われる際には、基板１における帯電防止膜４が形成され
た側に光ピツクアップがアクセスされ、レーザ光が照射
される。
われる際には、基板１における帯電防止膜４が形成され
た側に光ピツクアップがアクセスされ、レーザ光が照射
される。
上記の構成において、本光ディスクの製造方法を以下に
説明する。
説明する。
先ず、基板１の一方の面に記録膜２を形成する。
次に、形成された記録膜２上に、保護膜３となるアクリ
ル系のＵＶ硬化樹脂を塗布する。一方、基板１の記録膜
２が形成された面と反対の面に、導電性フィラーが混入
された、上記保護膜３で用いた樹脂と同じアクリル系の
ＵＶ硬化樹脂を塗布する。更に、紫外線を照射し上記基
板１の両面上に塗布されたＵＶ硬化樹脂を硬化させ、保
護膜３と帯電防止膜４とを得る。
ル系のＵＶ硬化樹脂を塗布する。一方、基板１の記録膜
２が形成された面と反対の面に、導電性フィラーが混入
された、上記保護膜３で用いた樹脂と同じアクリル系の
ＵＶ硬化樹脂を塗布する。更に、紫外線を照射し上記基
板１の両面上に塗布されたＵＶ硬化樹脂を硬化させ、保
護膜３と帯電防止膜４とを得る。
上記のようにして得られた光ディスクと従来の光ディス
クとの物性等を第１表に示す。
クとの物性等を第１表に示す。
第１表
上記のように、得られた光ディスクは、従来の光ディス
クに比べて、表面硬さが向上するとともに、表面抵抗率
が低下するので、帯電防止効果も向上する。また、界面
活性剤が含まれていないので、高温、高湿度の環境条件
下でも界面活性剤が滲み出してくることがない。さらに
また、基板１とＵＶ硬化樹脂とは密着性が良好であるの
で、高温−低温のサイクル試験を行なった時に、表面ク
ラックが発生することがない。
クに比べて、表面硬さが向上するとともに、表面抵抗率
が低下するので、帯電防止効果も向上する。また、界面
活性剤が含まれていないので、高温、高湿度の環境条件
下でも界面活性剤が滲み出してくることがない。さらに
また、基板１とＵＶ硬化樹脂とは密着性が良好であるの
で、高温−低温のサイクル試験を行なった時に、表面ク
ラックが発生することがない。
また上記の構成により、保護膜３と帯電防止膜４とを同
時に硬化させることができ、従来例のように保護膜３と
帯電防止膜４とを別々に形成する必要がない。
時に硬化させることができ、従来例のように保護膜３と
帯電防止膜４とを別々に形成する必要がない。
なお、従来と同様に保護膜３と帯電防止膜４とを別々に
硬化させてもよく、その場合は、使用するＵＶ硬化樹脂
は同一のものでなくてもよい。
硬化させてもよく、その場合は、使用するＵＶ硬化樹脂
は同一のものでなくてもよい。
また、本実施例では、導電性フィラーの材料として酸化
スズ微粒子を用いたが、その他に、酸化亜鉛、酸化アン
チモン、酸化バナジウム、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ ０ｘｉｄｅ）等でも良い。
スズ微粒子を用いたが、その他に、酸化亜鉛、酸化アン
チモン、酸化バナジウム、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ ０ｘｉｄｅ）等でも良い。
本発明に係る光ディスクは以上のように、帯電防止膜に
導電性フィラーが混入されているので、表面抵抗が下が
り、その結果、光ディスクの基板表面に付着する塵埃を
防ぐことができる。また、膜厚を数μｍとすることがで
きるため、帯電防止膜の表面硬さが向上するという効果
を奏する。
導電性フィラーが混入されているので、表面抵抗が下が
り、その結果、光ディスクの基板表面に付着する塵埃を
防ぐことができる。また、膜厚を数μｍとすることがで
きるため、帯電防止膜の表面硬さが向上するという効果
を奏する。
又、帯電防止膜を高温高湿度の環境下に置いても導電性
フィラーが滲み出してくる等の経時変化を起こすことも
なく、長期安定性を確保できる。
フィラーが滲み出してくる等の経時変化を起こすことも
なく、長期安定性を確保できる。
更に、高温−低温サイクル試験を行なっても、プラスチ
ック基板と帯電防止膜とは密着性が良好なので、帯電防
止膜の表面にクランクが発生することもない。
ック基板と帯電防止膜とは密着性が良好なので、帯電防
止膜の表面にクランクが発生することもない。
第１図は、本発明の実施例を示すものであって、光ディ
スクの構成を示す縦断面図である。 第２図は、本発明の従来例を示すものであって、光ディ
スクの構成を示す縦断面図である。 ■は基板、３は保護膜、４は帯電防止膜である。 特許出願人 シャープ 株式会社］ 字１ 第 図 茅 図
スクの構成を示す縦断面図である。 第２図は、本発明の従来例を示すものであって、光ディ
スクの構成を示す縦断面図である。 ■は基板、３は保護膜、４は帯電防止膜である。 特許出願人 シャープ 株式会社］ 字１ 第 図 茅 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラスチックからなる基板を有し、この基板のレー
ザ光が入射する側の面に帯電防止膜が形成されている光
ディスクにおいて、 上記帯電防止膜は導電性フィラーが混入されていること
を特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125136A JPH0421937A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125136A JPH0421937A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421937A true JPH0421937A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14902754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125136A Pending JPH0421937A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0421937A (ja) |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2125136A patent/JPH0421937A/ja active Pending
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