JPH04219970A - 抵抗素子の抵抗値調整方法 - Google Patents
抵抗素子の抵抗値調整方法Info
- Publication number
- JPH04219970A JPH04219970A JP41321890A JP41321890A JPH04219970A JP H04219970 A JPH04219970 A JP H04219970A JP 41321890 A JP41321890 A JP 41321890A JP 41321890 A JP41321890 A JP 41321890A JP H04219970 A JPH04219970 A JP H04219970A
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- Japan
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- resistance
- resistance element
- resistance value
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗素子の抵抗値調整
方法、特に半導体集積回路（以下「ＩＣ」という）の半
導体により構成された抵抗素子、例えば半導体基板の表
面部に形成された拡散抵抗素子あるいは半導体基板上に
絶縁膜を介して形成された多結晶シリコン等からなる半
導体層抵抗素子の抵抗値を調整する抵抗素子の抵抗値調
整方法に関する。
方法、特に半導体集積回路（以下「ＩＣ」という）の半
導体により構成された抵抗素子、例えば半導体基板の表
面部に形成された拡散抵抗素子あるいは半導体基板上に
絶縁膜を介して形成された多結晶シリコン等からなる半
導体層抵抗素子の抵抗値を調整する抵抗素子の抵抗値調
整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣには抵抗として半導体基板の表面部
に形成した拡散抵抗を用いることが多い。特に複数の拡
散抵抗を抵抗値を所定の比率に設定して使用する場合が
多い。図３の（Ａ）、（Ｂ）はそのような複合拡散抵抗
の従来例の一を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
に形成した拡散抵抗を用いることが多い。特に複数の拡
散抵抗を抵抗値を所定の比率に設定して使用する場合が
多い。図３の（Ａ）、（Ｂ）はそのような複合拡散抵抗
の従来例の一を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【０００３】図面において、１は例えばｐ型の半導体基
板、２はｎ− 型のウエル、３はｎ＋ 型埋込層、４は
ｎ＋ 型プラグイン領域、５（５ａ、５ｂ）はｐ型の拡
散抵抗素子（Ｒ１、Ｒ２）、６、６は該拡散抵抗５の両
端部に形成されたｐ＋ 型コンタクト領域、７は半導体
基板１表面の絶縁膜、８、８は例えばアルミニウムから
なる上記コンタクト領域６、６にコンタクトせしめられ
た例えばアルミニウムからなる電極である。
板、２はｎ− 型のウエル、３はｎ＋ 型埋込層、４は
ｎ＋ 型プラグイン領域、５（５ａ、５ｂ）はｐ型の拡
散抵抗素子（Ｒ１、Ｒ２）、６、６は該拡散抵抗５の両
端部に形成されたｐ＋ 型コンタクト領域、７は半導体
基板１表面の絶縁膜、８、８は例えばアルミニウムから
なる上記コンタクト領域６、６にコンタクトせしめられ
た例えばアルミニウムからなる電極である。
【０００４】図３の（Ｂ）には一つの拡散抵抗素子Ｒ１
（５ａ）のみが現われるが、（Ａ）に示すように１つの
ウエル２内に２個の拡散抵抗素子Ｒ１とＲ２（５ｂ）が
所定の比率の抵抗値を持つように設けられている。
（５ａ）のみが現われるが、（Ａ）に示すように１つの
ウエル２内に２個の拡散抵抗素子Ｒ１とＲ２（５ｂ）が
所定の比率の抵抗値を持つように設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、抵抗値が所
定の比率を持つように設けられた拡散抵抗素子Ｒ１（５
ａ）、Ｒ２（５ｂ）は、不純物濃度のバラツキ、拡散層
の長さ、幅、深さ等の寸法上のバラツキにより抵抗値の
比率が所望の値からずれることが少なくなかった。ＩＣ
の回路特性上比率が数％あると好ましくないが、従来に
おいて拡散抵抗素子が一旦製造されてしまうとその比率
を調整することは不可能であり、このことが回路特性の
向上を阻む要因となっていた。また、図４に示すように
ＩＣの抵抗を半導体基板１上に絶縁膜７を介して形成し
た半導体層９、例えばポリシリコン層からなる半導体層
抵抗素子により形成した場合にもこのような問題が生じ
た。即ち、抵抗素子の抵抗値の比率にバラツキがあると
いうのは拡散抵抗素子であるか半導体層抵抗素子である
かを問わず存在する問題であった。
定の比率を持つように設けられた拡散抵抗素子Ｒ１（５
ａ）、Ｒ２（５ｂ）は、不純物濃度のバラツキ、拡散層
の長さ、幅、深さ等の寸法上のバラツキにより抵抗値の
比率が所望の値からずれることが少なくなかった。ＩＣ
の回路特性上比率が数％あると好ましくないが、従来に
おいて拡散抵抗素子が一旦製造されてしまうとその比率
を調整することは不可能であり、このことが回路特性の
向上を阻む要因となっていた。また、図４に示すように
ＩＣの抵抗を半導体基板１上に絶縁膜７を介して形成し
た半導体層９、例えばポリシリコン層からなる半導体層
抵抗素子により形成した場合にもこのような問題が生じ
た。即ち、抵抗素子の抵抗値の比率にバラツキがあると
いうのは拡散抵抗素子であるか半導体層抵抗素子である
かを問わず存在する問題であった。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ＩＣの半導体からなる抵抗素子の抵
抗値を調整できる新規な抵抗素子の抵抗値調整方法を提
供することを目的とする。
されたものであり、ＩＣの半導体からなる抵抗素子の抵
抗値を調整できる新規な抵抗素子の抵抗値調整方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明抵抗素子の抵抗値
調整方法は、抵抗素子に集束イオンビームで不純物をド
ープすることにより抵抗素子の抵抗値を調整することを
特徴とする。
調整方法は、抵抗素子に集束イオンビームで不純物をド
ープすることにより抵抗素子の抵抗値を調整することを
特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明抵抗素子の抵抗値調整方法を図
示実施例に従って詳細に説明する。図１の（Ａ）、（Ｂ
）は本発明抵抗素子の抵抗値調整方法の一つの実施例を
説明するためのもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＢ−
Ｂ線視断面図である。本実施例は、２個の拡散抵抗素子
Ｒ１（５ａ）、Ｒ２（５ｂ）の一方、例えばＲ１の方が
Ｒ１とＲ２の比率を所定の比率にするのに大きすぎる場
合を示す。この場合は当然のことながら、拡散抵抗素子
Ｒ１（５ａ）の方を抵抗値を低くする必要があり、それ
は集束イオンビーム（ＦＩＢ）によりｐ型不純物、例え
ばホウ素Ｂをドープすることにより行う。
示実施例に従って詳細に説明する。図１の（Ａ）、（Ｂ
）は本発明抵抗素子の抵抗値調整方法の一つの実施例を
説明するためのもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＢ−
Ｂ線視断面図である。本実施例は、２個の拡散抵抗素子
Ｒ１（５ａ）、Ｒ２（５ｂ）の一方、例えばＲ１の方が
Ｒ１とＲ２の比率を所定の比率にするのに大きすぎる場
合を示す。この場合は当然のことながら、拡散抵抗素子
Ｒ１（５ａ）の方を抵抗値を低くする必要があり、それ
は集束イオンビーム（ＦＩＢ）によりｐ型不純物、例え
ばホウ素Ｂをドープすることにより行う。
【０００９】本例における拡散抵抗素子５ａ、５ｂの長
さは例えば１５μｍ、幅は５μｍ、深さは０．３μｍ、
拡散抵抗素子５ａ・５ｂの間の間隔は１０μｍであり、
５μｍよりも小さな例えば１〜３μｍ程度のビーム径の
集束イオンビームにより拡散抵抗素子５ａの表面部をス
キャンして接合深さ（この場合０．３μｍ）の半分（こ
の場合０．１５μｍ）のところまで不純物を適宜な量ド
ープする。図面において、１０は集束イオンビーム、１
１はスキャンをし終った領域、２点鎖線で示す１１ａは
まだスキャンが済んでいない領域である。
さは例えば１５μｍ、幅は５μｍ、深さは０．３μｍ、
拡散抵抗素子５ａ・５ｂの間の間隔は１０μｍであり、
５μｍよりも小さな例えば１〜３μｍ程度のビーム径の
集束イオンビームにより拡散抵抗素子５ａの表面部をス
キャンして接合深さ（この場合０．３μｍ）の半分（こ
の場合０．１５μｍ）のところまで不純物を適宜な量ド
ープする。図面において、１０は集束イオンビーム、１
１はスキャンをし終った領域、２点鎖線で示す１１ａは
まだスキャンが済んでいない領域である。
【００１０】このような不純物ドーピングにより拡散抵
抗素子５ａの不純物濃度が高くなり、延いてはその抵抗
値Ｒ１が低くなり拡散抵抗素子５ａと５ｂの抵抗値の比
率Ｒ１：Ｒ２を所定の比率にすることができる。
抗素子５ａの不純物濃度が高くなり、延いてはその抵抗
値Ｒ１が低くなり拡散抵抗素子５ａと５ｂの抵抗値の比
率Ｒ１：Ｒ２を所定の比率にすることができる。
【００１１】尚、不純物の集束イオンビームによるドー
ピングを行った後にレーザビームにより拡散抵抗素子Ｒ
１（５ａ）をアニールすると集束イオンビームによる不
純物ドーピングによって生じた結晶欠陥をなくし、結晶
性を回復することができるので好ましい。結晶欠陥はフ
リッカノイズ、バーストノイズの発生原因となることが
多いが、レーザビームによるアニールで結晶性を回復す
ることによりそのようなノイズの低減を図ることができ
る。この場合、レーザビームのビーム径は例えば３０μ
ｍと大きくて良い。というのは、不純物のドーピングは
抵抗値を下げようとする拡散抵抗素子に対してそこから
食み出さないようにすることが必要であるが、結晶性の
回復のためのレーザビーム照射領域は、不純物ドーピン
グをした拡散抵抗素子５ａから食み出しても何等問題は
なく、更には不純物ドーピングによる抵抗値調整をしな
い方の拡散抵抗素子Ｒ１（５ｂ）に及んでも何等支障が
ないからである。
ピングを行った後にレーザビームにより拡散抵抗素子Ｒ
１（５ａ）をアニールすると集束イオンビームによる不
純物ドーピングによって生じた結晶欠陥をなくし、結晶
性を回復することができるので好ましい。結晶欠陥はフ
リッカノイズ、バーストノイズの発生原因となることが
多いが、レーザビームによるアニールで結晶性を回復す
ることによりそのようなノイズの低減を図ることができ
る。この場合、レーザビームのビーム径は例えば３０μ
ｍと大きくて良い。というのは、不純物のドーピングは
抵抗値を下げようとする拡散抵抗素子に対してそこから
食み出さないようにすることが必要であるが、結晶性の
回復のためのレーザビーム照射領域は、不純物ドーピン
グをした拡散抵抗素子５ａから食み出しても何等問題は
なく、更には不純物ドーピングによる抵抗値調整をしな
い方の拡散抵抗素子Ｒ１（５ｂ）に及んでも何等支障が
ないからである。
【００１２】本発明は図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように
半導体基板１上に絶縁膜７を介して形成した多結晶シリ
コンからなる拡散抵抗素子Ｒ１（９ａ）、Ｒ２（９ｂ）
に対しても適用することができる。本実施例における各
半導体層抵抗素子Ｒ１（９ａ）、Ｒ２（９ｂ）は例えば
１５μｍ、幅は５μｍ、深さは０．３μｍ、拡散抵抗素
子５ａ・５ｂの間の間隔は１０μｍであり、５μｍより
も小さな例えば１〜３μｍ程度のビーム径の集束イオン
ビームにより半導体層抵抗素子Ｒ１の薄い表層部をスキ
ャンして不純物のドーピングをする。不純物のドーピン
グ深さを浅くするのは、ドーピングした不純物が薄い絶
縁膜（例えば数百オングストローム）７を通過して半導
体基板１表面部に達してしまうことのないようにするた
めである。尚、１０はレーザビーム、１１はスキャンし
た領域、１１ａは未スキャン領域である。
半導体基板１上に絶縁膜７を介して形成した多結晶シリ
コンからなる拡散抵抗素子Ｒ１（９ａ）、Ｒ２（９ｂ）
に対しても適用することができる。本実施例における各
半導体層抵抗素子Ｒ１（９ａ）、Ｒ２（９ｂ）は例えば
１５μｍ、幅は５μｍ、深さは０．３μｍ、拡散抵抗素
子５ａ・５ｂの間の間隔は１０μｍであり、５μｍより
も小さな例えば１〜３μｍ程度のビーム径の集束イオン
ビームにより半導体層抵抗素子Ｒ１の薄い表層部をスキ
ャンして不純物のドーピングをする。不純物のドーピン
グ深さを浅くするのは、ドーピングした不純物が薄い絶
縁膜（例えば数百オングストローム）７を通過して半導
体基板１表面部に達してしまうことのないようにするた
めである。尚、１０はレーザビーム、１１はスキャンし
た領域、１１ａは未スキャン領域である。
【００１３】尚、不純物の集束イオンビームによるドー
ピング後に、レーザビームにより拡散抵抗素子５ａをア
ニールして半導体層抵抗素子の結晶性を良くする処理を
するとノイズ低減を図ることができることは、拡散抵抗
素子の場合と同様である。
ピング後に、レーザビームにより拡散抵抗素子５ａをア
ニールして半導体層抵抗素子の結晶性を良くする処理を
するとノイズ低減を図ることができることは、拡散抵抗
素子の場合と同様である。
【００１４】本発明は互いにペアあるいは組を成す複数
の抵抗素子からなる複合抵抗の抵抗素子間の抵抗値の比
率の調整をする場合のみならず、単独の抵抗素子の抵抗
値を調整する場合にも適用することができる。
の抵抗素子からなる複合抵抗の抵抗素子間の抵抗値の比
率の調整をする場合のみならず、単独の抵抗素子の抵抗
値を調整する場合にも適用することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明抵抗素子の抵抗値調整方法は、半
導体により構成された抵抗素子に集束イオンビームによ
り不純物をドーピングすることを特徴とするものである
。従って、本発明抵抗素子の抵抗値調整方法によれば、
抵抗素子を構成する拡散層あるいは半導体層の不純物濃
度を集束イオンビームによる不純物のドーピングにより
変えることができる。依って、抵抗素子の抵抗値を調整
することができる。
導体により構成された抵抗素子に集束イオンビームによ
り不純物をドーピングすることを特徴とするものである
。従って、本発明抵抗素子の抵抗値調整方法によれば、
抵抗素子を構成する拡散層あるいは半導体層の不純物濃
度を集束イオンビームによる不純物のドーピングにより
変えることができる。依って、抵抗素子の抵抗値を調整
することができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明抵抗素子の抵抗値調整
方法の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（
Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
方法の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（
Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は本発明抵抗素子の抵抗値調整
方法の他の実施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ
）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
方法の他の実施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ
）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は従来例を示すもので、（Ａ）
は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図４】別の従来例を示す断面図である。
５ａ 拡散抵抗素子（Ｒ１）
５ｂ 拡散抵抗素子（Ｒ２）
９ａ 半導体層抵抗素子（Ｒ１）
９ｂ 半導体層抵抗素子（Ｒ２）
１０ 集束イオンビーム
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積回路の半導体により構成さ
れた抵抗素子に集束イオンビームにより不純物をドーピ
ングすることより抵抗素子の抵抗値を調整することを特
徴とする抵抗素子の抵抗値調整方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41321890A JPH04219970A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 抵抗素子の抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41321890A JPH04219970A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 抵抗素子の抵抗値調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219970A true JPH04219970A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18521900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41321890A Pending JPH04219970A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 抵抗素子の抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219970A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009257869A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 物理量センサ及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP41321890A patent/JPH04219970A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009257869A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 物理量センサ及びその製造方法 |
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