JPH04220574A - 半導体装置の測定用治具 - Google Patents
半導体装置の測定用治具Info
- Publication number
- JPH04220574A JPH04220574A JP41190490A JP41190490A JPH04220574A JP H04220574 A JPH04220574 A JP H04220574A JP 41190490 A JP41190490 A JP 41190490A JP 41190490 A JP41190490 A JP 41190490A JP H04220574 A JPH04220574 A JP H04220574A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead
- tool
- substrate
- presser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓを用いた電界
効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという）などの半導体
装置を高温下等の環境において電気的特性を測定する際
に用いられる測定用治具の構造に関するものである。
効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという）などの半導体
装置を高温下等の環境において電気的特性を測定する際
に用いられる測定用治具の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＦＥＴなどの半導体装置は、信頼性評価
のために高温・高湿度などの過酷な環境下での動作試験
を行うことが必要となる。そのため、半導体装置を過酷
な環境下で確実に電気的に接続し、かつ、絶縁する測定
用治具が用いられている。特に、ＧａＡｓなどのバンド
ギャップがＳｉよりも広い半導体材料を用いた半導体装
置では、２００℃以上の高い温度での動作が可能であり
、信頼性評価においてもそれ以上の高温での試験が行わ
れている。そのため、そのような高温で半導体装置を動
作させるための測定用治具が必要となる。
のために高温・高湿度などの過酷な環境下での動作試験
を行うことが必要となる。そのため、半導体装置を過酷
な環境下で確実に電気的に接続し、かつ、絶縁する測定
用治具が用いられている。特に、ＧａＡｓなどのバンド
ギャップがＳｉよりも広い半導体材料を用いた半導体装
置では、２００℃以上の高い温度での動作が可能であり
、信頼性評価においてもそれ以上の高温での試験が行わ
れている。そのため、そのような高温で半導体装置を動
作させるための測定用治具が必要となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな高温での試験に用いられる測定用治具は提供されて
いない。通常用いられる測定用治具は、高分子樹脂材料
などで構成されており、高温では機械的・電気的な特性
が十分でない。また、このような測定用治具は構造・形
状が複雑なため、セラミックなどの高温で安定な材料で
構成することが難しくかつ高価となる。本発明は、これ
らの問題を解決したもので、単純な構造で、高温での使
用に適した構造の測定用治具を提供することを目的とす
る。
うな高温での試験に用いられる測定用治具は提供されて
いない。通常用いられる測定用治具は、高分子樹脂材料
などで構成されており、高温では機械的・電気的な特性
が十分でない。また、このような測定用治具は構造・形
状が複雑なため、セラミックなどの高温で安定な材料で
構成することが難しくかつ高価となる。本発明は、これ
らの問題を解決したもので、単純な構造で、高温での使
用に適した構造の測定用治具を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による測定用治具
は、本体部と複数のリード部からなる半導体装置の測定
に用いるものであり絶縁性の基体、該基体表面の前記リ
ード部と接続する位置に設けられた配線、該配線上の前
記リード部を絶縁部分を介して弾性的に押さえる押さえ
具、該押さえ具が保持され、前記半導体装置に対応した
保持部、および、該保持部を前記基体に脱着する固定手
段を含むことを要旨とする。
は、本体部と複数のリード部からなる半導体装置の測定
に用いるものであり絶縁性の基体、該基体表面の前記リ
ード部と接続する位置に設けられた配線、該配線上の前
記リード部を絶縁部分を介して弾性的に押さえる押さえ
具、該押さえ具が保持され、前記半導体装置に対応した
保持部、および、該保持部を前記基体に脱着する固定手
段を含むことを要旨とする。
【０００５】
【作用】半導体装置のリード部を絶縁部分を介して弾性
的に押さえるので、リード部のみが加圧・固定され、半
導体装置が機械的に破壊される応力が加わることが少な
い。また、単純な構造の構成部品から構成されているの
で、高温でも使用可能な加工性の悪い材料を用いること
もでき高温での測定にも適用できる。
的に押さえるので、リード部のみが加圧・固定され、半
導体装置が機械的に破壊される応力が加わることが少な
い。また、単純な構造の構成部品から構成されているの
で、高温でも使用可能な加工性の悪い材料を用いること
もでき高温での測定にも適用できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例であるＦＥＴの高温
動作時の測定用治具の構造を図１および図２を用いて説
明する。被測定物であるＦＥＴ１は、ＧａＡｓ半導体を
用いたショットキー接合ゲート型であり、そのパッケー
ジはセラミック製の本体部１１と、その本体部１１から
平面状に延びる４本のリード部１２からなる。リード部
１２は、ＦＥＴ１のゲート・ソース・ドレインの各電極
と対応している。
動作時の測定用治具の構造を図１および図２を用いて説
明する。被測定物であるＦＥＴ１は、ＧａＡｓ半導体を
用いたショットキー接合ゲート型であり、そのパッケー
ジはセラミック製の本体部１１と、その本体部１１から
平面状に延びる４本のリード部１２からなる。リード部
１２は、ＦＥＴ１のゲート・ソース・ドレインの各電極
と対応している。
【０００７】ＦＥＴ１は、基体である基板２と保持部で
あるブロック３の間に保持される。基板２は、耐熱性の
絶縁材料であるポリイミド樹脂からなり、ＦＥＴの本体
部１１が収納される大きさの凹部２１が設けられ、また
、リード部１２がそれぞれ電気的に接続される印刷回路
からなる配線２２が設けられている。この配線２１を介
してＦＥＴ１の各電極は動作試験のための電源装置、電
圧の測定装置など（図示せず）に接続されている。
あるブロック３の間に保持される。基板２は、耐熱性の
絶縁材料であるポリイミド樹脂からなり、ＦＥＴの本体
部１１が収納される大きさの凹部２１が設けられ、また
、リード部１２がそれぞれ電気的に接続される印刷回路
からなる配線２２が設けられている。この配線２１を介
してＦＥＴ１の各電極は動作試験のための電源装置、電
圧の測定装置など（図示せず）に接続されている。
【０００８】このリード部１２と配線２１の接続を固定
するためにリード部１２上をテフロン樹脂からなる絶縁
性の押さえ棒３１が押さえている。この押さえ棒３１は
、コイル状スプリング３２を介してアルミ金属製のブロ
ック３に接続されている。なお、ブロック３には、押さ
え棒３１のガイドとなる溝３３とＦＥＴの本体部１１の
収納に障害とならないように凹部３４が設けられている
。ブロック３は基板２に複数のねじ４を固定手段として
固定されている。
するためにリード部１２上をテフロン樹脂からなる絶縁
性の押さえ棒３１が押さえている。この押さえ棒３１は
、コイル状スプリング３２を介してアルミ金属製のブロ
ック３に接続されている。なお、ブロック３には、押さ
え棒３１のガイドとなる溝３３とＦＥＴの本体部１１の
収納に障害とならないように凹部３４が設けられている
。ブロック３は基板２に複数のねじ４を固定手段として
固定されている。
【０００９】次に、本実施例を用いた高温動作測定の方
法を説明する。被測定物であるＦＥＴ１の本体部１１を
基板２の凹部２１に置き、リード部１２をそれぞれ所定
の配線２２上に置く。次に、ブロック３をＦＥＴ１上か
ら被せ、ねじ４により基板２に固定する。基板２上には
複数（通常、数１０個）のＦＥＴ１を固定するため、複
数のブロック３が装着される。基板２を高温恒温槽に装
着して、高温恒温槽の外に設けられた動作試験のための
電源装置、電圧の測定装置などと配線２２間を接続する
。その後、高温恒温槽を所定温度（１５０℃）に加熱し
て動作試験を行う。
法を説明する。被測定物であるＦＥＴ１の本体部１１を
基板２の凹部２１に置き、リード部１２をそれぞれ所定
の配線２２上に置く。次に、ブロック３をＦＥＴ１上か
ら被せ、ねじ４により基板２に固定する。基板２上には
複数（通常、数１０個）のＦＥＴ１を固定するため、複
数のブロック３が装着される。基板２を高温恒温槽に装
着して、高温恒温槽の外に設けられた動作試験のための
電源装置、電圧の測定装置などと配線２２間を接続する
。その後、高温恒温槽を所定温度（１５０℃）に加熱し
て動作試験を行う。
【００１０】特に、本実施例によれば、狭い恒温槽内に
多くの被試験物であるＦＥＴ１を装着することができ、
同時に多数個の測定を行うことができる。また、被試験
物の周囲に金属製ブロックを被せるので被測定物の温度
を均一とすることができ、試験の条件精度を高めること
ができる。
多くの被試験物であるＦＥＴ１を装着することができ、
同時に多数個の測定を行うことができる。また、被試験
物の周囲に金属製ブロックを被せるので被測定物の温度
を均一とすることができ、試験の条件精度を高めること
ができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明による測定用
治具は、本体部と複数のリード部からなる半導体装置の
測定するものであり絶縁性の基体、該基体表面の前記リ
ード部と接続する位置に設けられた配線、該配線上の前
記リード部を絶縁部分を介して弾性的に押さえる押さえ
具、該押さえ具が保持され、前記半導体装置に対応した
保持部、および、該保持部を前記基体に脱着する固定手
段を含むことを要旨とする。
治具は、本体部と複数のリード部からなる半導体装置の
測定するものであり絶縁性の基体、該基体表面の前記リ
ード部と接続する位置に設けられた配線、該配線上の前
記リード部を絶縁部分を介して弾性的に押さえる押さえ
具、該押さえ具が保持され、前記半導体装置に対応した
保持部、および、該保持部を前記基体に脱着する固定手
段を含むことを要旨とする。
【００１２】したがって、リード部のみが加圧され、固
定されるので、半導体装置を破壊するようなことがない
。また、測定用治具が単純な構造の構成部品から構成さ
れているので、高温でも使用可能な加工性の悪い材料を
用いることもでき、取扱時に破損することも少ない。
定されるので、半導体装置を破壊するようなことがない
。また、測定用治具が単純な構造の構成部品から構成さ
れているので、高温でも使用可能な加工性の悪い材料を
用いることもでき、取扱時に破損することも少ない。
【図１】本発明の実施例である測定用治具を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図２】本発明の実施例である測定用治具を説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
１ ＦＥＴ（半導体装置）
１１ 本体部
１２ リード部
２ 基板（絶縁性の基体）
２１ 凹部
２２ 配線
３ ブロック（保持部）
３１ 押さえ棒（押さえ具）
３２ スプリング（弾性手段）
４ ねじ（固定手段）
Claims (1)
- 【請求項１】 本体部と複数のリード部からなる半導
体装置の測定用治具において、絶縁性の基体、該基体表
面の前記リード部と接続する位置に設けられた配線、該
配線上の前記リード部を絶縁部分を介して弾性的に押さ
える押さえ具、該押さえ具が保持され、前記半導体装置
に対応した保持部、および、該保持部を前記基体に脱着
する固定手段を含むことを特徴とする半導体装置の測定
用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41190490A JPH04220574A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 半導体装置の測定用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41190490A JPH04220574A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 半導体装置の測定用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04220574A true JPH04220574A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18520820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41190490A Pending JPH04220574A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 半導体装置の測定用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04220574A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666030U (ja) * | 1991-08-05 | 1994-09-16 | 日本アビオニクス株式会社 | Ｉｃのバーンイン用治具 |
| JP2017054806A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-03-16 | マイクロナス ゲー・エム・ベー・ハー | コンタクト装置システム |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP41190490A patent/JPH04220574A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666030U (ja) * | 1991-08-05 | 1994-09-16 | 日本アビオニクス株式会社 | Ｉｃのバーンイン用治具 |
| JP2017054806A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-03-16 | マイクロナス ゲー・エム・ベー・ハー | コンタクト装置システム |
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