JPH04224157A - セラミックコンデンサの焼成方法及びこれに用いる焼成用シート - Google Patents
セラミックコンデンサの焼成方法及びこれに用いる焼成用シートInfo
- Publication number
- JPH04224157A JPH04224157A JP41383790A JP41383790A JPH04224157A JP H04224157 A JPH04224157 A JP H04224157A JP 41383790 A JP41383790 A JP 41383790A JP 41383790 A JP41383790 A JP 41383790A JP H04224157 A JPH04224157 A JP H04224157A
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- JP
- Japan
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- firing
- sheet
- ceramic
- chips
- baking
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型積層セラミッ
クコンデンサの製造方法に関する。更に詳しくはその生
チップを焼成する方法及びこれに使用する焼成用シート
に関するものである。
クコンデンサの製造方法に関する。更に詳しくはその生
チップを焼成する方法及びこれに使用する焼成用シート
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサを製造するに
は、例えば誘電体グリーンシートに内部電極を印刷した
後、所定のサイズに打抜いてこのシートを積み重ね、圧
着後1つ1つのチップのサイズに合せて切断する。次い
で切断済みの生チップはセラミック焼成台の上に載せら
れた後、この状態でセラミック焼成さやに詰められ、1
000〜1400℃の温度で焼成される。焼成の済んだ
チップは両端部に内部電極に接続する端子電極が設けら
れ、主としてはんだ耐熱性の向上のために電気めっきが
施される。従来、上記焼成台及び焼成さやは焼成時にこ
れらの含有成分の影響を受けてチップが変質しないよう
に、生チップである誘電体の含有成分に一致させて、Z
rO2, MgO, Al2O3系のものが使われる。 また焼成台に直接生チップを置いて焼成すると、チップ
自体が表面の平坦な直方体であって焼成台に密着するた
め、この密着により焼成したチップが焼成台のセラミッ
ク成分で汚染され易い。この点を避けるため、予め焼成
台の上面に生チップである誘電体の材質に合せたセラミ
ック粉を塗して、これを焼成処理した後、この焼成台の
上面に生チップを載せている。
は、例えば誘電体グリーンシートに内部電極を印刷した
後、所定のサイズに打抜いてこのシートを積み重ね、圧
着後1つ1つのチップのサイズに合せて切断する。次い
で切断済みの生チップはセラミック焼成台の上に載せら
れた後、この状態でセラミック焼成さやに詰められ、1
000〜1400℃の温度で焼成される。焼成の済んだ
チップは両端部に内部電極に接続する端子電極が設けら
れ、主としてはんだ耐熱性の向上のために電気めっきが
施される。従来、上記焼成台及び焼成さやは焼成時にこ
れらの含有成分の影響を受けてチップが変質しないよう
に、生チップである誘電体の含有成分に一致させて、Z
rO2, MgO, Al2O3系のものが使われる。 また焼成台に直接生チップを置いて焼成すると、チップ
自体が表面の平坦な直方体であって焼成台に密着するた
め、この密着により焼成したチップが焼成台のセラミッ
ク成分で汚染され易い。この点を避けるため、予め焼成
台の上面に生チップである誘電体の材質に合せたセラミ
ック粉を塗して、これを焼成処理した後、この焼成台の
上面に生チップを載せている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の焼
成方法では、焼成台を生チップである誘電体の含有成分
によって選択しなければならず、生チップの種類に応じ
て焼成台を用意する必要があり、焼成台の管理及び使用
が煩わしい不具合があった。これを改善するために、セ
ラミック粉を塗して焼成処理した焼成台を用いても、こ
の焼成台は焼成を繰返し行うと、塗したセラミック粉が
焼損してしまい、再処理する必要があった。また、この
方法はセラミック粉を焼成台に均一に塗すことが困難で
しかも著しく作業性に劣る欠点があった。
成方法では、焼成台を生チップである誘電体の含有成分
によって選択しなければならず、生チップの種類に応じ
て焼成台を用意する必要があり、焼成台の管理及び使用
が煩わしい不具合があった。これを改善するために、セ
ラミック粉を塗して焼成処理した焼成台を用いても、こ
の焼成台は焼成を繰返し行うと、塗したセラミック粉が
焼損してしまい、再処理する必要があった。また、この
方法はセラミック粉を焼成台に均一に塗すことが困難で
しかも著しく作業性に劣る欠点があった。
【0004】本発明の目的は、生チップの含有成分によ
って焼成台を選択する必要がなく、焼成時に生チップと
焼成台との間で反応が生じず、焼成したチップが焼成台
のセラミック成分で汚染されないセラミックコンデンサ
の焼成方法及びこれに用いる焼成用シートを提供するこ
とにある。
って焼成台を選択する必要がなく、焼成時に生チップと
焼成台との間で反応が生じず、焼成したチップが焼成台
のセラミック成分で汚染されないセラミックコンデンサ
の焼成方法及びこれに用いる焼成用シートを提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の焼成方法は、図面に示すようにセラミック
コンデンサ用の生チップ1をセラミック焼成台3の上に
載せて生チップ1を焼成するセラミックコンデンサの焼
成方法において、生チップ1と焼成台3との間にセラミ
ックグリーンシートからなる焼成用シート2を介装させ
ることを特徴とする。また、本発明の焼成用シート2は
、焼成台3の上面に相応した面積を有し、厚さ50〜3
00μmの酸化物セラミックスのグリーンシートからな
ることを特徴とする。
に、本発明の焼成方法は、図面に示すようにセラミック
コンデンサ用の生チップ1をセラミック焼成台3の上に
載せて生チップ1を焼成するセラミックコンデンサの焼
成方法において、生チップ1と焼成台3との間にセラミ
ックグリーンシートからなる焼成用シート2を介装させ
ることを特徴とする。また、本発明の焼成用シート2は
、焼成台3の上面に相応した面積を有し、厚さ50〜3
00μmの酸化物セラミックスのグリーンシートからな
ることを特徴とする。
【0006】以下、本発明を詳述する。図1に示すよう
に、多数の生チップ1は相互に重ならないように焼成用
シート2上に敷詰められた後、四隅に脚の付いた焼成台
3の上に載せられる。生チップは積層チップコンデンサ
用のものに限らず、単層チップコンデンサ用のものでも
よい。焼成用シート2は焼成時に生チップ1と焼成台と
の反応を防ぐために、焼成台3の上面に相応した面積を
有する酸化物セラミックスのグリーンシートであって、
生チップ1の種類、焼成条件等によって厚さ50〜30
0μmの範囲から選ばれる。ここで焼成台3の上面に相
応した面積とは、焼成台3の上面の面積と同一の面積又
はこれより僅かに小さい面積をいう。焼成用シート2は
、例えば水を分散媒としセラミック微粉体を分散相とす
るゾルを主成分とし、他にバインダや必要により焼結助
剤を含むセラミックスラリーから作られる。このスラリ
ーをドクターブレード法により所定の厚さに成膜した後
、30〜95℃で乾燥し、所定のサイズに切断して作成
される。ここで用いられるセラミック微粉体の種類、粒
径には特に制限はない。ZrO2, MgO, Al2
O3等の粒径が30〜50μmの市販のセラミック微粉
体が入手し易いため好ましい。バインダとしては、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メチルセル
ロース、エチルセルロース、アクリル系ポリマー等が用
いられる。300〜400℃で分解するバインダが生チ
ップを汚染せず好ましい。
に、多数の生チップ1は相互に重ならないように焼成用
シート2上に敷詰められた後、四隅に脚の付いた焼成台
3の上に載せられる。生チップは積層チップコンデンサ
用のものに限らず、単層チップコンデンサ用のものでも
よい。焼成用シート2は焼成時に生チップ1と焼成台と
の反応を防ぐために、焼成台3の上面に相応した面積を
有する酸化物セラミックスのグリーンシートであって、
生チップ1の種類、焼成条件等によって厚さ50〜30
0μmの範囲から選ばれる。ここで焼成台3の上面に相
応した面積とは、焼成台3の上面の面積と同一の面積又
はこれより僅かに小さい面積をいう。焼成用シート2は
、例えば水を分散媒としセラミック微粉体を分散相とす
るゾルを主成分とし、他にバインダや必要により焼結助
剤を含むセラミックスラリーから作られる。このスラリ
ーをドクターブレード法により所定の厚さに成膜した後
、30〜95℃で乾燥し、所定のサイズに切断して作成
される。ここで用いられるセラミック微粉体の種類、粒
径には特に制限はない。ZrO2, MgO, Al2
O3等の粒径が30〜50μmの市販のセラミック微粉
体が入手し易いため好ましい。バインダとしては、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メチルセル
ロース、エチルセルロース、アクリル系ポリマー等が用
いられる。300〜400℃で分解するバインダが生チ
ップを汚染せず好ましい。
【0007】多数の生チップ1及び焼成用シート2が載
った焼成台3は、別の多数の生チップ及び焼成用シート
が載った焼成台に積重ねられ、台板5を介してコンベア
(図示せず)上に置かれた焼成さや4に詰められる。焼
成さや4に上蓋(図示せず)を被せた後、コンベアによ
り生チップ1は焼成炉に搬送され、そこで1〜2時間、
大気圧下、1000〜1400℃の温度で焼成される。
った焼成台3は、別の多数の生チップ及び焼成用シート
が載った焼成台に積重ねられ、台板5を介してコンベア
(図示せず)上に置かれた焼成さや4に詰められる。焼
成さや4に上蓋(図示せず)を被せた後、コンベアによ
り生チップ1は焼成炉に搬送され、そこで1〜2時間、
大気圧下、1000〜1400℃の温度で焼成される。
【0008】
【作用】このような状態で生チップを焼成すると、焼成
の際に焼成用シートのバインダが熱分解し、焼成用シー
トに含まれる酸化物セラミックスが生チップと焼成台と
の相互の接触を防いで相互反応を著しく減少させる。焼
成後、焼成用シートは破棄される。
の際に焼成用シートのバインダが熱分解し、焼成用シー
トに含まれる酸化物セラミックスが生チップと焼成台と
の相互の接触を防いで相互反応を著しく減少させる。焼
成後、焼成用シートは破棄される。
【0009】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、生
チップと焼成台との間に焼成用シートを介装させること
より、生チップと焼成台との相互反応が著しく低下し、
異成分が付着又は含有しない所期の成分からなる、外観
が美麗なチップコンデンサが得られる。また、焼成時に
生チップと焼成台とが直接接触しないため、生チップの
含有成分に応じて焼成台を選択する必要がなく、生チッ
プ焼成前の作業効率を向上させることができる。
チップと焼成台との間に焼成用シートを介装させること
より、生チップと焼成台との相互反応が著しく低下し、
異成分が付着又は含有しない所期の成分からなる、外観
が美麗なチップコンデンサが得られる。また、焼成時に
生チップと焼成台とが直接接触しないため、生チップの
含有成分に応じて焼成台を選択する必要がなく、生チッ
プ焼成前の作業効率を向上させることができる。
【0010】
【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明の実施例を比較例とともに説明する。以下に述べる実
施例は本発明の技術的範囲を限定するものではない。 <実施例1>鉛ペロブスカイト系のセラミック誘電体か
らなる約700個の生チップをZrO2を主成分とする
一枚の焼成用シート(たて80mm、よこ100mm、
厚さ160μm)に敷詰め、多数の生チップをこのシー
トとともにマグネシア製の焼成台(たて90mm、よこ
105mm、厚さ5mm、脚部の長さ9mm)の上に載
せた。複数の焼成台を一辺の長さ140mmのさやに詰
めた後、大気圧下、温度1100℃で2時間焼成した。 <比較例1>実施例1のシートを介在させない以外は、
実施例1と同様にして生チップを焼成した。
明の実施例を比較例とともに説明する。以下に述べる実
施例は本発明の技術的範囲を限定するものではない。 <実施例1>鉛ペロブスカイト系のセラミック誘電体か
らなる約700個の生チップをZrO2を主成分とする
一枚の焼成用シート(たて80mm、よこ100mm、
厚さ160μm)に敷詰め、多数の生チップをこのシー
トとともにマグネシア製の焼成台(たて90mm、よこ
105mm、厚さ5mm、脚部の長さ9mm)の上に載
せた。複数の焼成台を一辺の長さ140mmのさやに詰
めた後、大気圧下、温度1100℃で2時間焼成した。 <比較例1>実施例1のシートを介在させない以外は、
実施例1と同様にして生チップを焼成した。
【0011】<実施例2>チタン酸バリウム系のセラミ
ック誘電体からなる約700個の生チップをZrO2を
主成分とする実施例1と同一サイズの焼成用シートに敷
詰め、多数の生チップをこのシートとともに実施例1と
同一サイズのマグネシア製の焼成台の上に載せた。さや
詰めした後、大気圧下、温度1300℃で1時間焼成し
た。 <比較例2>実施例2のシートを介在させない以外は、
実施例2と同様にして生チップを焼成した。
ック誘電体からなる約700個の生チップをZrO2を
主成分とする実施例1と同一サイズの焼成用シートに敷
詰め、多数の生チップをこのシートとともに実施例1と
同一サイズのマグネシア製の焼成台の上に載せた。さや
詰めした後、大気圧下、温度1300℃で1時間焼成し
た。 <比較例2>実施例2のシートを介在させない以外は、
実施例2と同様にして生チップを焼成した。
【0012】<実施例3>鉛ペロブスカイト系のセラミ
ック誘電体からなる約700個の生チップをAl2O3
を主成分とする実施例1と同一サイズの焼成用シートに
敷詰め、多数の生チップをこのシートとともに実施例1
と同一サイズのアルミナ製の焼成台の上に載せた。さや
詰めした後、大気圧下、温度1100℃で2時間焼成し
た。 <比較例3>実施例3のシートを介在させない以外は、
実施例3と同様にして生チップを焼成した。
ック誘電体からなる約700個の生チップをAl2O3
を主成分とする実施例1と同一サイズの焼成用シートに
敷詰め、多数の生チップをこのシートとともに実施例1
と同一サイズのアルミナ製の焼成台の上に載せた。さや
詰めした後、大気圧下、温度1100℃で2時間焼成し
た。 <比較例3>実施例3のシートを介在させない以外は、
実施例3と同様にして生チップを焼成した。
【0013】<外観検査とその結果>実施例1〜3及び
比較例1〜3の焼成済みのチップをそれぞれ1000個
採取し、顕微鏡でチップ表面の汚染状況、即ち反応不良
率を観察した。その結果、比較例1が20〜25%の反
応不良率であったのに対して、実施例1では1.5〜2
.0%の反応不良率であった。また比較例2が20〜2
5%の反応不良率であったのに対して、実施例2では0
〜0.5%の反応不良率であった。更に比較例3が10
〜15%の反応不良率であったのに対して、実施例3で
は0〜0.5%の反応不良率であった。これらのことか
ら、焼成用シートが有効に機能していることが判明した
。
比較例1〜3の焼成済みのチップをそれぞれ1000個
採取し、顕微鏡でチップ表面の汚染状況、即ち反応不良
率を観察した。その結果、比較例1が20〜25%の反
応不良率であったのに対して、実施例1では1.5〜2
.0%の反応不良率であった。また比較例2が20〜2
5%の反応不良率であったのに対して、実施例2では0
〜0.5%の反応不良率であった。更に比較例3が10
〜15%の反応不良率であったのに対して、実施例3で
は0〜0.5%の反応不良率であった。これらのことか
ら、焼成用シートが有効に機能していることが判明した
。
【0014】
【図1】本発明の焼成用シートに生チップを敷詰め、焼
成台に載せてさや詰めした状況を示す斜視図。
成台に載せてさや詰めした状況を示す斜視図。
1 生チップ
2 焼成用シート
3 焼成台
4 焼成さや
5 台板
Claims (2)
- 【請求項1】 セラミックコンデンサ用の生チップ(
1)をセラミック焼成台(3)の上に載せて前記生チッ
プ(1)を焼成するセラミックコンデンサの焼成方法に
おいて、前記生チップ(1)と前記焼成台(3)との間
にセラミックグリーンシートからなる焼成用シート(2
)を介装させることを特徴とするセラミックコンデンサ
の焼成方法。 - 【請求項2】 焼成台(3)の上面に相応した面積を
有し、厚さ50〜300μmの酸化物セラミックスのグ
リーンシートからなる焼成用シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41383790A JPH04224157A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | セラミックコンデンサの焼成方法及びこれに用いる焼成用シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41383790A JPH04224157A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | セラミックコンデンサの焼成方法及びこれに用いる焼成用シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04224157A true JPH04224157A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18522395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41383790A Pending JPH04224157A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | セラミックコンデンサの焼成方法及びこれに用いる焼成用シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04224157A (ja) |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP41383790A patent/JPH04224157A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990518 |