JPH04226002A - 微細ピッチ独立抵抗回路 - Google Patents

微細ピッチ独立抵抗回路

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Publication number
JPH04226002A
JPH04226002A JP3098787A JP9878791A JPH04226002A JP H04226002 A JPH04226002 A JP H04226002A JP 3098787 A JP3098787 A JP 3098787A JP 9878791 A JP9878791 A JP 9878791A JP H04226002 A JPH04226002 A JP H04226002A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
independent resistance
resistance circuit
conductor
resistor
fine pitch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3098787A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Oishi
一夫 大石
Koji Nishida
孝治 西田
Seiji Hoshitoku
聖治 星徳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3098787A priority Critical patent/JPH04226002A/ja
Publication of JPH04226002A publication Critical patent/JPH04226002A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に使用さ
れる複数個の独立抵抗回路を1ブロック化した微細ピッ
チ独立抵抗回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、各種電子機器の軽薄短小化の動き
は著しいものがあり、受動素子としての抵抗についても
、チップ化や複合ネットワーク化によって、実装密度が
大幅に向上している。特に、複数個の抵抗を同一絶縁基
板上に形成した抵抗ネットワークについては、端子間ピ
ッチ2.54mm,1.78mm,1.27mmピッチ
へと縮小化すると共に、チップ形多端子抵抗ネットワー
クやミニフラットパッケージなど低背化された製品が求
められている。
【0003】以下、図面を参照しながら、上述したよう
な従来の抵抗ネットワークにおける独立抵抗回路パター
ンについて説明を行う。
【0004】図4は従来の独立抵抗回路パターンを示す
ものである。図4において、1は絶縁基板、2は絶縁基
板1上に複数個形成された導体、3は相対する前記導体
2間に形成された抵抗体である。
【0005】以上のように構成された独立抵抗回路パタ
ーンは、必要に応じて導体2に検針を立てることにより
、両端の抵抗値を測定しながら、レーザートリミングを
行うものである。さらに、導体2部にはリード端子(図
示せず)を挿入した後、半田付けを施すことによって、
プリント基板との接続を行うものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、ピッチ間隔の微細化を図るためには、図
4において導体2,抵抗体3の幅寸法及びそれらの間隔
を縮める以外に方法はなく、下記の理由により、量産化
が困難であった。すなわち、第1に導体2の幅寸法を縮
小した場合、レーザー検針ランドのスペースが充分にと
れず、レーザー検針の接触不良が発生する。第2に抵抗
体3の幅寸法及びその間隔を縮小した場合、パターン形
成時の印刷ズレ及びレーザー修正時のレーザービーム照
射位置の寸法余裕がなく、隣接する抵抗体にレーザービ
ームが照射され、所望のトリミング抵抗値が得られなく
なる。
【0007】前記のように、従来の構成では導体,抵抗
体の幅寸法及び間隔寸法を単に縮めるだけでは、ピッチ
間隔の小さいものを得ることは、非常に困難であるとい
う問題点を有していた。
【0008】本発明は前記欠点に鑑み、その製造過程に
おいて、レーザー修正検針用の導体電極ランドのスペー
スが充分に得られ、かつレーザービームの照射位置の寸
法余裕が確保できる微細ピッチ独立抵抗回路を提供する
ことを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の微細ピッチ独立抵抗回路は、絶縁基板上に抵
抗体の両端電極を結ぶ方向と同一方向となるように複数
個の導体を設けるとともに、その導体に複数個の抵抗体
の両端電極を接続して複数個の独立抵抗回路を構成し、
この独立抵抗回路間で互いに最近傍に位置する抵抗体が
千鳥状となるようにかつ各導体が絶縁基板の相対向する
両端部に引き出されるように独立抵抗回路を多段に配置
して構成したものである。
【0010】
【作用】この構成によれば、各独立抵抗回路を千鳥状に
多段に配置構成することにより隣接する抵抗体をレーザ
ービームで切断することなく、レーザービームの寸法精
度余裕を充分に確保した上で、微細ピッチの独立抵抗回
路を形成することができる。また、ダミー絶縁基板上に
コモン導体とレーザー修正検針用の導体電極ランドを設
けることにより、微細ピッチにかかわらず、レーザー修
正検針用の導体電極ランドのスペースが充分に得られ、
レーザー検針の接触不良が発生するといったことはなく
なることとなる。従ってピッチ間隔の微細化を図る上で
、従来のような問題点が解消され、より微細なピッチを
有した独立抵抗回路を提供することができ、実装密度の
向上に寄与できるものである。
【0011】
【実施例】以下本発明の一実施例の微細ピッチ独立抵抗
回路について、図面を参照しながら説明する。
【0012】図1は、本発明の一実施例における微細ピ
ッチ独立抵抗回路を製造する工程における状態を示すも
のである。
【0013】図1において、4は絶縁基板、5は絶縁基
板4上に複数個形成された導体、6は相対する前記導体
5間に形成された抵抗体である。ここで、抵抗体6の両
端電極を結ぶ方向と同一方向となるように導体5は接続
されている。これらの抵抗体6と導体5から構成された
複数個の独立抵抗回路は3段構造の千鳥状に配列されて
おり、最近傍に位置する抵抗体が千鳥状となっており、
微細ピッチ独立抵抗回路部を構成している。7a,7b
は絶縁基板4に隣接した第1,第2のダミー絶縁基板、
8a,8bはダミー絶縁基板7上に形成された第1,第
2のコモン導体で、各独立抵抗回路の導体5の両端のう
ちどちらか一方が第1,第2のコモン導体7a,7bの
いずれかに共通に接続されている。9a,9bは第1,
第2のダミー絶縁基板7a,7b上に形成されたレーザ
ー修正検針用の第1,第2の導体電極ランドであり、各
独立抵抗回路の導体5の残りの端部が個々に接続形成さ
れており、ダミーランド部を構成している。10は前記
微細ピッチ独立抵抗回路部を備えた絶縁基板4と前記ダ
ミーランド部を備えたダミー絶縁基板7a,7bとを隔
てている分割用スリットである。さらに詳しく記載する
と、前記微細ピッチ独立抵抗回路の各導体5のうち端か
ら奇数番目の導体5は第1のコモン導体8a及び第2の
導体電極ランド7bに接続し、偶数番目の導体は第1の
導体電極ランド7a及び第2のコモン導体8bに接続す
るように構成されている。
【0014】以上のように構成された微細ピッチ独立抵
抗回路パターンは、第1,第2のコモン導体8a,8b
及びレーザー修正検針用の第1,第2の導体電極ランド
9a,9bに検針を立てることにより、抵抗値を測定し
ながら、所望の抵抗値を得るために抵抗体6にレーザー
トリミングを行うものである。このトリミングの方向は
、抵抗体6の電極方向に対して交差する方向である。 よってトリミングの際、その方向に隣接するように抵抗
体6は配置されていないため、レーザービームにより抵
抗体6を切断してしまうことはない。次に、分割用スリ
ット10部において基板分割を行ない第1,第2のダミ
ー絶縁基板7a,7bを除去し、微細ピッチ独立抵抗回
路を形成する。
【0015】図2は、第1,第2のダミー絶縁基板7a
,7bを除去して得られた本実施例の微細ピッチ独立抵
抗回路である。また、図1及び図2において、11は前
記導体5から延長された外部信号取出し用電極であり、
実装時の端子部としての役割を果たすものである。
【0016】図3は本発明による微細ピッチ独立抵抗回
路の実装方法の一例を示すものである。図3において、
12はプリント基板を示し、13は前記プリント基板1
2上に形成された銅箔である。14はプリント基板12
に取付けられた半田付部である。
【0017】なお、本実施例において、独立抵抗回路は
3段構造の千鳥状の配列としたが、部品寸法の許す限り
、4段千鳥、5段千鳥状配列としてもよいことは言うま
でもない。
【0018】
【発明の効果】以上のように本発明は、絶縁基板上の導
体と前記導体間に形成された抵抗体とを備えた独立抵抗
回路を、千鳥状に多段に配置構成することにより、隣接
する抵抗体をレーザービームで切断することなく、レー
ザービーム照射位置の寸法精度余裕を充分に確保した上
で、微細ピッチの独立抵抗回路を形成することができる
。また、分割用スリットで前記絶縁基板と隔てられたダ
ミー絶縁基板上に、コモン導体とレーザー修正検針用の
導体電極ランドを設けることにより、微細ピッチにかか
わらず、レーザー修正検針用の導体電極ランドのスペー
スが充分に得られ、絶縁基板上の導体のピッチの2倍の
寸法余裕でレーザー修正検針用の導体電極ランドが構成
できる。このためレーザー検針の接触不良が発生すると
いったことはなくなるものである。
【0019】従って、ピッチ間隔の微細化を図る上で、
従来のような問題点が解消され、より微細なピッチを有
した独立抵抗回路を提供することができ、実装密度の向
上に寄与できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における微細ピッチ独立抵抗
回路の製造する工程における状態を説明する拡大平面図
【図2】同微細ピッチ独立抵抗回路を示す平面図
【図3
】同微細ピッチ独立抵抗回路の実装例を示す断面図
【図4】従来の独立抵抗パターンの平面図
【符号の説明】
4  絶縁基板 5  導体 6  抵抗体 7a,7b  第1,第2のダミー絶縁基板8a,8b
  第1,第2のコモン導体9a,9b  レーザー修
正検針用の第1,第2の導体電極ランド 10  分割用スリット 11  外部信号取出し用電極 12  プリント基板 13  銅箔 14  半田付部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板上に抵抗体の両端電極を結ぶ方向
    と同一方向となるように複数個の導体を設けるとともに
    、その導体に複数個の抵抗体の両端電極を接続して複数
    個の独立抵抗回路を構成し、この独立抵抗回路間で互い
    に最近傍に位置する抵抗体が千鳥状となるようにかつ各
    導体が絶縁基板の相対向する両端部に引き出されるよう
    に独立抵抗回路を多段に配置して構成した微細ピッチ独
    立抵抗回路。
JP3098787A 1991-04-30 1991-04-30 微細ピッチ独立抵抗回路 Pending JPH04226002A (ja)

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JP3098787A JPH04226002A (ja) 1991-04-30 1991-04-30 微細ピッチ独立抵抗回路

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JP60204747A Division JPS6265306A (ja) 1985-09-17 1985-09-17 微細ピッチ独立抵抗回路の製造方法

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JPH04226002A true JPH04226002A (ja) 1992-08-14

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4886444A (ja) * 1972-02-17 1973-11-15
JPS50129960A (ja) * 1974-03-20 1975-10-14
JPS56107572A (en) * 1981-01-09 1981-08-26 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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