JPH0413841B2 - - Google Patents
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- JPH0413841B2 JPH0413841B2 JP60204747A JP20474785A JPH0413841B2 JP H0413841 B2 JPH0413841 B2 JP H0413841B2 JP 60204747 A JP60204747 A JP 60204747A JP 20474785 A JP20474785 A JP 20474785A JP H0413841 B2 JPH0413841 B2 JP H0413841B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- conductors
- independent resistance
- fine pitch
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電子機器に使用される複数個の
独立抵抗回路を１ブロツク化した独立抵抗ネツト
ワークに関するものであり、微細ピツチ独立抵抗
回路の製造方法に関するものである。
独立抵抗回路を１ブロツク化した独立抵抗ネツト
ワークに関するものであり、微細ピツチ独立抵抗
回路の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、各種電子機器の軽薄短小化の動きは著し
いものがあり、受動素子としての抵抗について
も、チツプ化や複合ネツトワーク化によつて、実
装密度が大幅に向上している。特に、複数個の抵
抗を同一絶縁基板上に形成した抵抗ネツトワーク
については、端子間ピツチ2.54mm、1.78mm、1.27
mmピツチへと縮少化すると共に、チツプ形多端子
抵抗ネツトワークやミニフラツトパツケージなど
低背化された製品が求められている。
いものがあり、受動素子としての抵抗について
も、チツプ化や複合ネツトワーク化によつて、実
装密度が大幅に向上している。特に、複数個の抵
抗を同一絶縁基板上に形成した抵抗ネツトワーク
については、端子間ピツチ2.54mm、1.78mm、1.27
mmピツチへと縮少化すると共に、チツプ形多端子
抵抗ネツトワークやミニフラツトパツケージなど
低背化された製品が求められている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従
来の抵抗ネツトワークにおける独立抵抗回路パタ
ーンについて説明を行う。
来の抵抗ネツトワークにおける独立抵抗回路パタ
ーンについて説明を行う。
第４図は従来の独立抵抗回路パターンを示すも
のである。第４図において、１は絶縁基板、２は
絶縁基板１上に複数個形成された導体、３は相対
する前記導体２間に形成された抵抗体である。
のである。第４図において、１は絶縁基板、２は
絶縁基板１上に複数個形成された導体、３は相対
する前記導体２間に形成された抵抗体である。
以上のように構成された独立抵抗回路パターン
は、必要に応じて導体２に検針を立てることによ
り、両端の抵抗値を測定しながら、レーザートリ
ミングを行うものである。さらに、導体２部には
リード端子（図示せず）を挿入した後、半田付け
を施すことによつて、プリント基板との接続を行
うものである。
は、必要に応じて導体２に検針を立てることによ
り、両端の抵抗値を測定しながら、レーザートリ
ミングを行うものである。さらに、導体２部には
リード端子（図示せず）を挿入した後、半田付け
を施すことによつて、プリント基板との接続を行
うものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような構成では、ピツチ間
隔の微細化を図るためには、第４図において導体
２、抵抗体３の幅寸法及びそれらの間隔を縮める
以外に方法はなく、下記の理由により、量産化が
困難であつた。すなわち、第１に導体２の幅寸法
を縮小した場合、レーザー検針ランドのスペース
が充分にとれず、レーザー検針の接触不良が発生
する。第２に抵抗体３の幅寸法及びその間隔を縮
小した場合、パターン形成時の印刷ズレ及びレー
ザー修正時のレーザービーム照射位置の寸法余裕
がなく、隣接する抵抗体にレーザービームが照射
され、所望のトリミング抵抗値が得られなくな
る。
隔の微細化を図るためには、第４図において導体
２、抵抗体３の幅寸法及びそれらの間隔を縮める
以外に方法はなく、下記の理由により、量産化が
困難であつた。すなわち、第１に導体２の幅寸法
を縮小した場合、レーザー検針ランドのスペース
が充分にとれず、レーザー検針の接触不良が発生
する。第２に抵抗体３の幅寸法及びその間隔を縮
小した場合、パターン形成時の印刷ズレ及びレー
ザー修正時のレーザービーム照射位置の寸法余裕
がなく、隣接する抵抗体にレーザービームが照射
され、所望のトリミング抵抗値が得られなくな
る。
前記のように、従来の構成では導体、抵抗体の
幅寸法及び間隔寸法を単に縮めるだけでは、ピツ
チ間隔の小さいものを得ることは、非常に困難で
あるという問題点を有していた。
幅寸法及び間隔寸法を単に縮めるだけでは、ピツ
チ間隔の小さいものを得ることは、非常に困難で
あるという問題点を有していた。
本発明は前記欠点に鑑み、レーザー修正検針用
の導体電極ランドのスペースが充分に得られ、か
つレーザービームの照射位置の寸法余裕が確保で
きる微細ピツチ独立抵抗回路の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
の導体電極ランドのスペースが充分に得られ、か
つレーザービームの照射位置の寸法余裕が確保で
きる微細ピツチ独立抵抗回路の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の微細ピツチ
独立抵抗回路の製造方法は、絶縁基板上に抵抗体
の両端電極を結ぶ方向と同一方向となるように複
数個の導体を設けるとともに、その導体に複数個
の抵抗体の両端電極を接続して複数個の独立抵抗
回路を構成し、この独立抵抗回路間で互いに最近
傍に位置する抵抗体が千鳥状となるようにかつ各
導体が絶縁基板の相対向する両端部に引き出され
るように独立抵抗回路を多段に配置して微細ピツ
チ独立抵抗回路部を構成し、かつ分割用スリツト
を介して前記絶縁基板と隣接した第１、第２のダ
ミー絶縁基板上に前記導体にそれぞれ接続するよ
うに第１、第２のコモン導体及びレーザー修正検
針用の第１、第２の導体電極ランド群とを有する
ダミーランド部を設け、前記微細ピツチ独立抵抗
回路部の各導体のうち端から奇数番目の導体は第
１のコモン導体及び第２の導体電極ランド群に接
続し、偶数番目の導体は第１の導体電極ランド群
及び第２のコモン導体に接続することにより微細
ピツチ独立抵抗回路パターンを構成し、この微細
ピツチ独立抵抗回路パターンにおいて、前記第
１、第２のコモン導体と第１、第２の導体電極ラ
ンド群に検針を当てて前記抵抗体の抵抗値が所望
の値となるようにレーザートリミングを行つた後
に、前記分割用スリツトで分割することを特徴と
するものである。
独立抵抗回路の製造方法は、絶縁基板上に抵抗体
の両端電極を結ぶ方向と同一方向となるように複
数個の導体を設けるとともに、その導体に複数個
の抵抗体の両端電極を接続して複数個の独立抵抗
回路を構成し、この独立抵抗回路間で互いに最近
傍に位置する抵抗体が千鳥状となるようにかつ各
導体が絶縁基板の相対向する両端部に引き出され
るように独立抵抗回路を多段に配置して微細ピツ
チ独立抵抗回路部を構成し、かつ分割用スリツト
を介して前記絶縁基板と隣接した第１、第２のダ
ミー絶縁基板上に前記導体にそれぞれ接続するよ
うに第１、第２のコモン導体及びレーザー修正検
針用の第１、第２の導体電極ランド群とを有する
ダミーランド部を設け、前記微細ピツチ独立抵抗
回路部の各導体のうち端から奇数番目の導体は第
１のコモン導体及び第２の導体電極ランド群に接
続し、偶数番目の導体は第１の導体電極ランド群
及び第２のコモン導体に接続することにより微細
ピツチ独立抵抗回路パターンを構成し、この微細
ピツチ独立抵抗回路パターンにおいて、前記第
１、第２のコモン導体と第１、第２の導体電極ラ
ンド群に検針を当てて前記抵抗体の抵抗値が所望
の値となるようにレーザートリミングを行つた後
に、前記分割用スリツトで分割することを特徴と
するものである。
作 用
この方法によれば、各独立抵抗回路を千鳥状に
多段に配置構成しておりかつ抵抗体のレーザー修
正は抵抗体の電極方向に対して交差する方向に行
うので、隣接する抵抗体をレーザービームで切断
することなく、レーザービームの寸法精度余裕を
充分に確保した上で、微細ピツチの独立抵抗回路
を形成することができる。また、ダミー絶縁基板
上にコモン導体とレーザー修正検針用の導体電極
ランド群を設けることにより、ダミー絶縁基板上
において導体電極ランドの数が抵抗体の個数の半
分で済むため微細ピツチであるにもかかわらず、
レーザー修正検針用の導体電極ランドのスペース
が充分に得られ、レーザー検針の接触不良が発生
するといつたことはなくなることとなる。
多段に配置構成しておりかつ抵抗体のレーザー修
正は抵抗体の電極方向に対して交差する方向に行
うので、隣接する抵抗体をレーザービームで切断
することなく、レーザービームの寸法精度余裕を
充分に確保した上で、微細ピツチの独立抵抗回路
を形成することができる。また、ダミー絶縁基板
上にコモン導体とレーザー修正検針用の導体電極
ランド群を設けることにより、ダミー絶縁基板上
において導体電極ランドの数が抵抗体の個数の半
分で済むため微細ピツチであるにもかかわらず、
レーザー修正検針用の導体電極ランドのスペース
が充分に得られ、レーザー検針の接触不良が発生
するといつたことはなくなることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図は、本発明の一実施例における微細ピツ
チ独立抵抗回路パターンを示すものである。第１
図において、４は絶縁基板、５は絶縁基板４上に
複数個形成された導体、６は相対する前記導体５
間に形成された抵抗体である。ここで、抵抗体６
の両端電極を結ぶ方向と同一方向となるように導
体５は接続されている。これらの抵抗体６と導体
５から構成された複数個の独立抵抗回路は３段構
造の千鳥状に配列されており、最近傍に位置する
抵抗体６が千鳥状となつており、微細ピツチ独立
抵抗回路部を構成している。７ａ，７ｂは絶縁基
板４に隣接した第１、第２のダミー絶縁基板、８
ａ，８ｂはダミー絶縁基板７上に形成された第
１、第２のコモン導体で、各独立抵抗回路の導体
５の両端のうちどちらか一方が第１、第２のコモ
ン導体８ａ，８ｂのいずれかに共通に接続されて
いる。９ａ，９ｂは第１、第２のダミー絶縁基板
７ａ，７ｂ上に形成されたレーザー修正検針用の
第１、第２の導体電極ランドであり、各独立抵抗
回路の導体５の残りの端部が個々に接続形成され
ており、ダミーランド部を構成している。１０は
前記微細ピツチ独立抵抗回路部を備えた絶縁基板
４と前記ダミーランド部を備えたダミー絶縁基板
７ａ，７ｂとを隔てている分割用スリツトであ
る。さらに詳しく記載すると、前記微細ピツチ独
立抵抗回路の各導体５のうち端から奇数番目の導
体５は第１のコモン導体８ａ及び第２の導体電極
ランド７ｂに接続し、偶数番目の導体は第１の導
体電極ランド７ａ及び第２のコモン導体８ｂに接
続するように構成されている。
チ独立抵抗回路パターンを示すものである。第１
図において、４は絶縁基板、５は絶縁基板４上に
複数個形成された導体、６は相対する前記導体５
間に形成された抵抗体である。ここで、抵抗体６
の両端電極を結ぶ方向と同一方向となるように導
体５は接続されている。これらの抵抗体６と導体
５から構成された複数個の独立抵抗回路は３段構
造の千鳥状に配列されており、最近傍に位置する
抵抗体６が千鳥状となつており、微細ピツチ独立
抵抗回路部を構成している。７ａ，７ｂは絶縁基
板４に隣接した第１、第２のダミー絶縁基板、８
ａ，８ｂはダミー絶縁基板７上に形成された第
１、第２のコモン導体で、各独立抵抗回路の導体
５の両端のうちどちらか一方が第１、第２のコモ
ン導体８ａ，８ｂのいずれかに共通に接続されて
いる。９ａ，９ｂは第１、第２のダミー絶縁基板
７ａ，７ｂ上に形成されたレーザー修正検針用の
第１、第２の導体電極ランドであり、各独立抵抗
回路の導体５の残りの端部が個々に接続形成され
ており、ダミーランド部を構成している。１０は
前記微細ピツチ独立抵抗回路部を備えた絶縁基板
４と前記ダミーランド部を備えたダミー絶縁基板
７ａ，７ｂとを隔てている分割用スリツトであ
る。さらに詳しく記載すると、前記微細ピツチ独
立抵抗回路の各導体５のうち端から奇数番目の導
体５は第１のコモン導体８ａ及び第２の導体電極
ランド７ｂに接続し、偶数番目の導体は第１の導
体電極ランド７ａ及び第２のコモン導体８ｂに接
続するように構成されている。
以上のように構成された微細ピツチ独立抵抗回
路パターンは、第１、第２のコモン導体８ａ，８
ｂ及びレーザー修正検針用の第１、第２の導体電
極ランド９ａ，９ｂに検針を立てることにより、
抵抗値を測定しながら、所望の抵抗値を得るため
に抵抗体６にレーザートリミングを行うものであ
る。このトリミングの方向は、抵抗体６の電極方
向に対して交差する方向である。よつてトリミン
グの際、その方向に隣接するように抵抗体６は配
置されていないため、レーザービームにより抵抗
体６を切断してしまうことはない。次に、分割用
スリツト１０部において基板分割を行い第１、第
２のダミー絶縁基板７ａ，７ｂを除去し、微細ピ
ツチ独立抵抗回路を形成する。
路パターンは、第１、第２のコモン導体８ａ，８
ｂ及びレーザー修正検針用の第１、第２の導体電
極ランド９ａ，９ｂに検針を立てることにより、
抵抗値を測定しながら、所望の抵抗値を得るため
に抵抗体６にレーザートリミングを行うものであ
る。このトリミングの方向は、抵抗体６の電極方
向に対して交差する方向である。よつてトリミン
グの際、その方向に隣接するように抵抗体６は配
置されていないため、レーザービームにより抵抗
体６を切断してしまうことはない。次に、分割用
スリツト１０部において基板分割を行い第１、第
２のダミー絶縁基板７ａ，７ｂを除去し、微細ピ
ツチ独立抵抗回路を形成する。
第２図は、第１、第２のダミー絶縁基板７ａ，
７ｂを除去して得られた微細ピツチ独立抵抗回路
である。また、第１図及び第２図において、１１
は前記導体５から延長された外部信号取出し用電
極であり、実装時の端子部としての役割を果たす
ものである。
７ｂを除去して得られた微細ピツチ独立抵抗回路
である。また、第１図及び第２図において、１１
は前記導体５から延長された外部信号取出し用電
極であり、実装時の端子部としての役割を果たす
ものである。
第３図は本発明による微細ピツチ独立抵抗回路
の実装方法の一例を示すものである。第３図にお
いて、１２はプリント基板を示し、１３は前記プ
リント基板１２上に形成された銅箔である。１４
はプリント基板１２に取付けられた半田付け部で
ある。
の実装方法の一例を示すものである。第３図にお
いて、１２はプリント基板を示し、１３は前記プ
リント基板１２上に形成された銅箔である。１４
はプリント基板１２に取付けられた半田付け部で
ある。
なお、本実施例において、独立抵抗回路は３段
構造の千鳥状の配列としたが、部品寸法の許す限
り、４段千鳥、５段千鳥状配列としてもよいこと
は言うまでもない。
構造の千鳥状の配列としたが、部品寸法の許す限
り、４段千鳥、５段千鳥状配列としてもよいこと
は言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、絶縁基板上の導体と前
記導体間に形成された抵抗体とを備えた独立抵抗
回路を、千鳥状に多段に配置構成することによ
り、隣接する抵抗体をレーザービームで切断する
ことなく、レーザービーム照射位置の寸法精度余
裕を充分に確保した上で、微細ピツチ独立抵抗回
路を形成することができる。また、分割用スリツ
トで前記絶縁基板と隔てられたダミー絶縁基板上
に、コモン導体とレーザー修正検針用の導体電極
ランドを設けることにより、微細ピツチにかかわ
らず、レーザー修正検針用の導体電極ランドのス
ペースが充分に得られ、絶縁基板上の導体のピツ
チの２倍の寸法余裕でレーザー修正検針用の導体
電極ランドが構成できる。このためレーザー検針
の接触不良が発生するといつたことはなくなるも
のである。
記導体間に形成された抵抗体とを備えた独立抵抗
回路を、千鳥状に多段に配置構成することによ
り、隣接する抵抗体をレーザービームで切断する
ことなく、レーザービーム照射位置の寸法精度余
裕を充分に確保した上で、微細ピツチ独立抵抗回
路を形成することができる。また、分割用スリツ
トで前記絶縁基板と隔てられたダミー絶縁基板上
に、コモン導体とレーザー修正検針用の導体電極
ランドを設けることにより、微細ピツチにかかわ
らず、レーザー修正検針用の導体電極ランドのス
ペースが充分に得られ、絶縁基板上の導体のピツ
チの２倍の寸法余裕でレーザー修正検針用の導体
電極ランドが構成できる。このためレーザー検針
の接触不良が発生するといつたことはなくなるも
のである。
このように本発明の製造方法により、その実用
的効果は大なるものがある。
的効果は大なるものがある。
第１図は本発明の一実施例における微細ピツチ
独立抵抗回路パターンを説明する拡大平面図、第
２図は同抵抗回路パターンのダミー絶縁基板を除
去した後の構成を示す平面図、第３図は本発明に
よつて得られる微細ピツチ独立抵抗回路の実装例
を示す断面図、第４図は従来の独立抵抗パターン
の平面図である。 ４……絶縁基板、５……導体、６……抵抗体、
７ａ，７ｂ……第１、第２のダミー絶縁基板、８
ａ，７ｂ……第１、第２のコモン導体、９……７
ａ，７ｂレーザー修正検針用の第１、第２の導体
電極ランド、１０……分割用スリツト、１１……
外部信号取出し用電極、１２……プリント基板、
１３……銅箔、１４……半田付け部。
独立抵抗回路パターンを説明する拡大平面図、第
２図は同抵抗回路パターンのダミー絶縁基板を除
去した後の構成を示す平面図、第３図は本発明に
よつて得られる微細ピツチ独立抵抗回路の実装例
を示す断面図、第４図は従来の独立抵抗パターン
の平面図である。 ４……絶縁基板、５……導体、６……抵抗体、
７ａ，７ｂ……第１、第２のダミー絶縁基板、８
ａ，７ｂ……第１、第２のコモン導体、９……７
ａ，７ｂレーザー修正検針用の第１、第２の導体
電極ランド、１０……分割用スリツト、１１……
外部信号取出し用電極、１２……プリント基板、
１３……銅箔、１４……半田付け部。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に抵抗体の両端電極を結ぶ方向と
同一方向となるように複数個の導体を設けるとと
もに、その導体に複数個の抵抗体の両端電極を接
続して複数個の独立抵抗回路を構成し、この独立
抵抗回路間で互いに最近傍に位置する抵抗体が千
鳥状となるようにかつ各導体が絶縁基板の相対向
する両端部に引き出されるように独立抵抗回路を
多段に配置して微細ピツチ独立抵抗回路部を構成
し、かつ分割用スリツトを介して前記絶縁基板と
隣接した第１、第２のダミー絶縁基板上に前記導
体にそれぞれ接続するように第１、第２のコモン
導体及びレーザー修正検針用の第１、第２の導体
電極ランド群とを有するダミーランド部を設け、
前記微細ピツチ独立抵抗回路部の各導体のうち端
から奇数番目の導体は第１のコモン導体及び第２
の導体電極ランド群に接続し、偶数番目の導体は
第１の導体電極ランド群及び第２のコモン導体に
接続することにより微細ピツチ独立抵抗回路パタ
ーンを構成し、この微細ピツチ独立抵抗回路パタ
ーンにおいて、前記第１、第２のコモン導体と第
１、第２の導体電極ランド群に検針を当てて前記
抵抗体の抵抗値が所望の値となるようにレーザー
トリミングを行つた後に、前記分割用スリツトで
分割することを特徴とする微細ピツチ独立抵抗回
路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60204747A JPS6265306A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 微細ピッチ独立抵抗回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60204747A JPS6265306A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 微細ピッチ独立抵抗回路の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3098787A Division JPH04226002A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 微細ピッチ独立抵抗回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265306A JPS6265306A (ja) | 1987-03-24 |
| JPH0413841B2 true JPH0413841B2 (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16495657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60204747A Granted JPS6265306A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 微細ピッチ独立抵抗回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265306A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10938303B2 (en) | 2007-08-10 | 2021-03-02 | Rohm Co., Ltd. | Driving device |
| JP2009044081A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Rohm Co Ltd | 駆動装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50129960A (ja) * | 1974-03-20 | 1975-10-14 |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP60204747A patent/JPS6265306A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6265306A (ja) | 1987-03-24 |
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