JPH04230054A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04230054A JPH04230054A JP41876990A JP41876990A JPH04230054A JP H04230054 A JPH04230054 A JP H04230054A JP 41876990 A JP41876990 A JP 41876990A JP 41876990 A JP41876990 A JP 41876990A JP H04230054 A JPH04230054 A JP H04230054A
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- Japan
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- insulating film
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関するもので、特に導体層間の層間絶縁膜の形成に際
し使用されるものである。
に関するもので、特に導体層間の層間絶縁膜の形成に際
し使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、導体層間の層間絶縁膜には、プラ
ズマＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等の各種成
膜方法により形成したＳｉＯ２膜が広く利用されている
。
ズマＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等の各種成
膜方法により形成したＳｉＯ２膜が広く利用されている
。
【０００３】例えば、ポリシリコン、高融点金属シリサ
イド等からなる導体層間の層間絶縁膜の形成には、ＣＶ
Ｄ法によりＰＳＧ（リン，ケイ酸ガラス）膜又はＢＰＳ
Ｇ（ボロン，リン，ケイ酸ガラス）膜を形成した後、平
坦化及び緻密化のため８００〜１０００℃の熱処理を行
うのが一般的である。これは、ポリシリコン、高融点金
属シリサイド等が高温熱処理に耐え得るからである。
イド等からなる導体層間の層間絶縁膜の形成には、ＣＶ
Ｄ法によりＰＳＧ（リン，ケイ酸ガラス）膜又はＢＰＳ
Ｇ（ボロン，リン，ケイ酸ガラス）膜を形成した後、平
坦化及び緻密化のため８００〜１０００℃の熱処理を行
うのが一般的である。これは、ポリシリコン、高融点金
属シリサイド等が高温熱処理に耐え得るからである。
【０００４】一方、多層アルミニウム配線構造における
アルミニウム配線層間の層間絶縁膜には、低温で成膜が
可能なプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ２膜や、塗布法に
よるいわゆるスピンオングラス等が利用されている。こ
れは、アルミニウムの融点が低く、高温熱処理が行えな
いためである。従って、アルミニウム配線層間の絶縁膜
として用いるＳｉＯ２膜は、アルミニウム配線の信頼性
確保のため、できる限り低温のプロセスにより形成する
ことが望ましい。
アルミニウム配線層間の層間絶縁膜には、低温で成膜が
可能なプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ２膜や、塗布法に
よるいわゆるスピンオングラス等が利用されている。こ
れは、アルミニウムの融点が低く、高温熱処理が行えな
いためである。従って、アルミニウム配線層間の絶縁膜
として用いるＳｉＯ２膜は、アルミニウム配線の信頼性
確保のため、できる限り低温のプロセスにより形成する
ことが望ましい。
【０００５】しかしながら、ＢＰＳＧ膜については、リ
ン，ボロンが添加されているため、特に熱処理前におい
て吸湿性が非常に大きいという欠点がある。このため、
熱処理時にクラックを形成する原因となる。ところで、
この吸湿性の問題は、デバイスの微細化に伴なって、プ
ロセスの低温化が要求され、かつその要求に答えるべく
リン，ボロン濃度が高められる傾向にある現在、さらに
厳しくなっている。つまり、熱処理後においても、この
吸湿性が、アルミニウム配線のコロージョンに対して悪
影響を与えることが知られている。
ン，ボロンが添加されているため、特に熱処理前におい
て吸湿性が非常に大きいという欠点がある。このため、
熱処理時にクラックを形成する原因となる。ところで、
この吸湿性の問題は、デバイスの微細化に伴なって、プ
ロセスの低温化が要求され、かつその要求に答えるべく
リン，ボロン濃度が高められる傾向にある現在、さらに
厳しくなっている。つまり、熱処理後においても、この
吸湿性が、アルミニウム配線のコロージョンに対して悪
影響を与えることが知られている。
【０００６】また、層間絶縁膜の形成にプラズマＣＶＤ
法を用いた場合、低温、例えば３００℃以下で形成した
ＳｉＯ２膜は、一般に吸湿性が大きく、膜密度も疎であ
る。このため、層間絶縁膜が、その下層のアルミニウム
配線から剥離し、盛上る等の異常（ブリスター）が発生
することが知られている。また、塗布法を用いた場合、
アルミニウム配線層間の絶縁膜を形成する際には、高温
熱処理を使うことができない。このため、その絶縁膜は
、膜質的に劣ったものとなり、デバイス作製上不都合で
ある。
法を用いた場合、低温、例えば３００℃以下で形成した
ＳｉＯ２膜は、一般に吸湿性が大きく、膜密度も疎であ
る。このため、層間絶縁膜が、その下層のアルミニウム
配線から剥離し、盛上る等の異常（ブリスター）が発生
することが知られている。また、塗布法を用いた場合、
アルミニウム配線層間の絶縁膜を形成する際には、高温
熱処理を使うことができない。このため、その絶縁膜は
、膜質的に劣ったものとなり、デバイス作製上不都合で
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
導体層間の層間絶縁膜にＢＰＳＧ膜を用いた場合、その
吸湿性により熱処理時にクラックが形成され、又、デバ
イスの微細化に伴ないリン，ボロン濃度を高める必要が
あり、このためアルミニウム配線のコロージョンに対し
て悪影響を与える欠点があった。また、導体層間の層間
絶縁膜の形成に際し、プラズマＣＶＤ法を用いた場合、
比較的低温で形成した膜は、膜質が悪くなるという欠点
があった。また、塗布法を用いた場合、高温熱処理を使
うことができず、やはり膜質的に劣ったものとなる欠点
があった。
導体層間の層間絶縁膜にＢＰＳＧ膜を用いた場合、その
吸湿性により熱処理時にクラックが形成され、又、デバ
イスの微細化に伴ないリン，ボロン濃度を高める必要が
あり、このためアルミニウム配線のコロージョンに対し
て悪影響を与える欠点があった。また、導体層間の層間
絶縁膜の形成に際し、プラズマＣＶＤ法を用いた場合、
比較的低温で形成した膜は、膜質が悪くなるという欠点
があった。また、塗布法を用いた場合、高温熱処理を使
うことができず、やはり膜質的に劣ったものとなる欠点
があった。
【０００８】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
ものであり、従来、高温熱処理を行うことで実現してい
た層間絶縁膜の膜質改善（デンシフィケーション）を比
較的低温で実現することで、導体層間の層間絶縁膜の形
成に際し低温化を要求されるようなプロセスにも対応で
きるような半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
ものであり、従来、高温熱処理を行うことで実現してい
た層間絶縁膜の膜質改善（デンシフィケーション）を比
較的低温で実現することで、導体層間の層間絶縁膜の形
成に際し低温化を要求されるようなプロセスにも対応で
きるような半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、第１の導体層上
に絶縁膜を形成した後、所定温度以下において前記絶縁
膜を励起酸素を含むガス雰囲気中に露出させ、前記絶縁
膜上に第２の導体層を形成している。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、第１の導体層上
に絶縁膜を形成した後、所定温度以下において前記絶縁
膜を励起酸素を含むガス雰囲気中に露出させ、前記絶縁
膜上に第２の導体層を形成している。
【００１０】また、第１の導体層上に絶縁膜を形成し、
所定温度以下において前記絶縁膜を励起酸素を含むガス
雰囲気中に露出させる工程を２回以上繰り返し行った後
、前記絶縁膜上に第２の導体層を形成している。
所定温度以下において前記絶縁膜を励起酸素を含むガス
雰囲気中に露出させる工程を２回以上繰り返し行った後
、前記絶縁膜上に第２の導体層を形成している。
【００１１】さらに、前記励起酸素としてＯ３を用いて
いる。また、前記所定温度を５００℃としている。
いる。また、前記所定温度を５００℃としている。
【００１２】
【作用】このような方法によれば、第１の導体層上に絶
縁膜を形成した後、所定温度以下において前記絶縁膜を
励起酸素を含むガス雰囲気中に露出させる事で、前記絶
縁膜の膜質改善が実現できる。このため、従来、高温熱
処理を行うことで実現していた絶縁膜の膜質改善を比較
的低温で実現することができ、第１及び第２の導体層間
の絶縁膜の形成に際し、低温化を要求されるようなプロ
セスにも対応させることができる。
縁膜を形成した後、所定温度以下において前記絶縁膜を
励起酸素を含むガス雰囲気中に露出させる事で、前記絶
縁膜の膜質改善が実現できる。このため、従来、高温熱
処理を行うことで実現していた絶縁膜の膜質改善を比較
的低温で実現することができ、第１及び第２の導体層間
の絶縁膜の形成に際し、低温化を要求されるようなプロ
セスにも対応させることができる。
【００１３】なお、前記励起酸素としてはＯ３を用いる
のが最も効果的であり、又、前記所定温度が５００℃で
あるとき、本発明の効果が最も顕著に現われる。
のが最も効果的であり、又、前記所定温度が５００℃で
あるとき、本発明の効果が最も顕著に現われる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００１５】図１乃至図４は、本発明の一実施例に係わ
る半導体装置の製造方法について示すものである。ここ
では、アルミニウム配線層間の層間絶縁膜を、ＴＥＯＳ
（テトラエトキシシラン）＋Ｏ３（オゾン）のガス系を
用いた減圧ＣＶＤを使用する場合について説明する。
る半導体装置の製造方法について示すものである。ここ
では、アルミニウム配線層間の層間絶縁膜を、ＴＥＯＳ
（テトラエトキシシラン）＋Ｏ３（オゾン）のガス系を
用いた減圧ＣＶＤを使用する場合について説明する。
【００１６】まず、図１に示すように、一般的な製造工
程によって、第一層目のアルミニウム配線１１のパタン
形成を終えた半導体装置を形成する。ここで、１は半導
体基板、２はポリシリコンゲート、３はポリシリコンゲ
ート上に形成されたＢＰＳＧ膜、４は高融点金属シリサ
イド配線、５は高融点金属シリサイド配線上に形成され
たＢＰＳＧ膜をそれぞれ示している。次に、図２に示す
ように、約３５０℃の温度でＴＥＯＳ＋Ｏ３のガス系を
用いた減圧ＣＶＤを用い、ＳｉＯ２膜１２を例えば３０
０［オングストローム］程度形成する。この後、例えば
Ｏ３を約５ｗｔ％含んだＯ２ガスを反応室内に導入し、
温度約３５０℃で約２分の間、半導体基板表面をこのガ
ス雰囲気にさらす。これにより、膜質の改善されたＳｉ
Ｏ２膜１３が形成される。次に、図３に示すように、約
３５０℃の温度でＴＥＯＳ＋Ｏ３のガス系を用いた減圧
ＣＶＤを用い、ＳｉＯ２膜１４を例えば１００００［オ
ングストローム］程度形成する。この後、例えばＯ３を
約５ｗｔ％含んだＯ２ガスを反応室内に導入し、温度約
３５０℃で約２分の間、半導体基板表面をこのガス雰囲
気にさらす。これにより、ＳｉＯ２膜１４の表面領域に
は、膜質の改善されたＳｉＯ２膜１５が形成される。つ
まり、アルミニウム配線層間の層間絶縁膜が、ＳｉＯ２
膜１４と、これを挟むようにして形成された、膜質の改
善されたＳｉＯ２膜１３，１５によって構成されること
となる。次に、図４に示すように、図示しないビアコン
タクトホールを開孔し、第二層目のアルミニウム配線１
６を形成する。さらに、半導体基板表面上にパッシベー
ション膜１７を形成し、パッド部分を開孔してウェハプ
ロセスを完成する。
程によって、第一層目のアルミニウム配線１１のパタン
形成を終えた半導体装置を形成する。ここで、１は半導
体基板、２はポリシリコンゲート、３はポリシリコンゲ
ート上に形成されたＢＰＳＧ膜、４は高融点金属シリサ
イド配線、５は高融点金属シリサイド配線上に形成され
たＢＰＳＧ膜をそれぞれ示している。次に、図２に示す
ように、約３５０℃の温度でＴＥＯＳ＋Ｏ３のガス系を
用いた減圧ＣＶＤを用い、ＳｉＯ２膜１２を例えば３０
０［オングストローム］程度形成する。この後、例えば
Ｏ３を約５ｗｔ％含んだＯ２ガスを反応室内に導入し、
温度約３５０℃で約２分の間、半導体基板表面をこのガ
ス雰囲気にさらす。これにより、膜質の改善されたＳｉ
Ｏ２膜１３が形成される。次に、図３に示すように、約
３５０℃の温度でＴＥＯＳ＋Ｏ３のガス系を用いた減圧
ＣＶＤを用い、ＳｉＯ２膜１４を例えば１００００［オ
ングストローム］程度形成する。この後、例えばＯ３を
約５ｗｔ％含んだＯ２ガスを反応室内に導入し、温度約
３５０℃で約２分の間、半導体基板表面をこのガス雰囲
気にさらす。これにより、ＳｉＯ２膜１４の表面領域に
は、膜質の改善されたＳｉＯ２膜１５が形成される。つ
まり、アルミニウム配線層間の層間絶縁膜が、ＳｉＯ２
膜１４と、これを挟むようにして形成された、膜質の改
善されたＳｉＯ２膜１３，１５によって構成されること
となる。次に、図４に示すように、図示しないビアコン
タクトホールを開孔し、第二層目のアルミニウム配線１
６を形成する。さらに、半導体基板表面上にパッシベー
ション膜１７を形成し、パッド部分を開孔してウェハプ
ロセスを完成する。
【００１７】上記方法によれば、ＴＥＯＳ＋Ｏ３のガス
系を用いた減圧ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ２膜にＯ３を
含むガスを当てている。即ち、かかる減圧ＣＶＤ法で十
分に厚いＳｉＯ２膜を形成する場合には、フロー形状を
示すため、狭いスペースを埋め込むことが可能である事
が知られているが、Ｏ３を含むガスを当てる等の処理を
行わなければ、膜質的にはＨＦ系エッチャントに対する
エッチングレートが早く、又、吸湿性の大きな疎な膜が
形成され、プロセス上問題となる。そこで、このＳｉＯ
２膜を改善するため、Ｏ３を含むガスを当てているわけ
であるが、これによってＨＦ系エッチャントに対するエ
ッチングレートが低下し、吸湿性が減少することによっ
て良質なＳｉＯ２膜になることが観察された。
系を用いた減圧ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ２膜にＯ３を
含むガスを当てている。即ち、かかる減圧ＣＶＤ法で十
分に厚いＳｉＯ２膜を形成する場合には、フロー形状を
示すため、狭いスペースを埋め込むことが可能である事
が知られているが、Ｏ３を含むガスを当てる等の処理を
行わなければ、膜質的にはＨＦ系エッチャントに対する
エッチングレートが早く、又、吸湿性の大きな疎な膜が
形成され、プロセス上問題となる。そこで、このＳｉＯ
２膜を改善するため、Ｏ３を含むガスを当てているわけ
であるが、これによってＨＦ系エッチャントに対するエ
ッチングレートが低下し、吸湿性が減少することによっ
て良質なＳｉＯ２膜になることが観察された。
【００１８】図５は、本発明の製造方法により形成した
層間絶縁膜の０．２％ＨＦ水溶液に対するエッチングレ
ートの深さ方向のプロファイルを示すものである。ここ
では、Ｏ３を約５ｗｔ％含んだＯ２ガスを導入し、温度
約３５０℃で約１０分間、このガス雰囲気にその表面を
さらした半導体装置を前提としている。
層間絶縁膜の０．２％ＨＦ水溶液に対するエッチングレ
ートの深さ方向のプロファイルを示すものである。ここ
では、Ｏ３を約５ｗｔ％含んだＯ２ガスを導入し、温度
約３５０℃で約１０分間、このガス雰囲気にその表面を
さらした半導体装置を前提としている。
【００１９】図６は、Ｏ３を含んだＯ２ガスを当てた場
合と当てない場合との吸湿性の差を示すものである。こ
こでは、大気中に約１０日間放置したサンプルを２×１
０−６Ｔｏｒｒの真空中で５００℃まで加熱し、放出さ
れたガスを質量分析器で分析し、Ｈ２Ｏ（質量数１８）
のピーク高さを温度に対してプロットしている。
合と当てない場合との吸湿性の差を示すものである。こ
こでは、大気中に約１０日間放置したサンプルを２×１
０−６Ｔｏｒｒの真空中で５００℃まで加熱し、放出さ
れたガスを質量分析器で分析し、Ｈ２Ｏ（質量数１８）
のピーク高さを温度に対してプロットしている。
【００２０】これら図５及び図６からも明らかなように
、１０分程度、ＳｉＯ２膜にＯ３ガスを当てることによ
り、深さ約５００［オングストローム］の範囲内でウェ
ットエッチングレートが低下し、又、吸湿性も大幅に改
善されていることが分かった。
、１０分程度、ＳｉＯ２膜にＯ３ガスを当てることによ
り、深さ約５００［オングストローム］の範囲内でウェ
ットエッチングレートが低下し、又、吸湿性も大幅に改
善されていることが分かった。
【００２１】なお、上記実施例では、ＴＥＯＳ＋Ｏ３の
ガス系を用いた減圧ＣＶＤ法による成膜過程について述
べたが、ＳｉＯ２膜の形成方法は、これに限られない。 例えば、ＳｉＨ４＋Ｏ２、ＳｉＨ４＋Ｏ３等のガス系を
用いた減圧ＣＶＤ法による場合、さらにはプラズマＣＶ
Ｄ法、常圧ＣＶＤ法、塗布法等による場合であっても適
用可能である。また、半導体基板はＯ３ガスにさらした
が、酸素ラジカル、酸素プラズマ等の励起酸素を用いて
も同様の効果を得ることができる。
ガス系を用いた減圧ＣＶＤ法による成膜過程について述
べたが、ＳｉＯ２膜の形成方法は、これに限られない。 例えば、ＳｉＨ４＋Ｏ２、ＳｉＨ４＋Ｏ３等のガス系を
用いた減圧ＣＶＤ法による場合、さらにはプラズマＣＶ
Ｄ法、常圧ＣＶＤ法、塗布法等による場合であっても適
用可能である。また、半導体基板はＯ３ガスにさらした
が、酸素ラジカル、酸素プラズマ等の励起酸素を用いて
も同様の効果を得ることができる。
【００２２】また、上記実施例では、ＴＥＯＳ＋Ｏ３の
ガス系による成膜を過程したため、エッチバック等の平
坦化工程は必要とされないが、この平坦化工程が必要な
場合においても、本発明を適用することができる。かか
る場合には、平坦化工程が終了し、層間膜の最終的表面
が露出した時点で、Ｏ３を含むガスに当てることが望ま
しい。
ガス系による成膜を過程したため、エッチバック等の平
坦化工程は必要とされないが、この平坦化工程が必要な
場合においても、本発明を適用することができる。かか
る場合には、平坦化工程が終了し、層間膜の最終的表面
が露出した時点で、Ｏ３を含むガスに当てることが望ま
しい。
【００２３】ところで、上記実施例では、層間絶縁膜の
最下層と最上層において、膜質の改善されたＳｉＯ２膜
を形成したが、必要に応じてＯ３を含むガスにさらす回
数を増やし、成膜と膜質改善とを繰り返し行うことによ
って、層間絶縁膜中の全体にわたって膜質の改善を図る
ことができる。また、逆に、膜表面での吸湿防止のみを
考える場合には、所望の膜厚を有する層間絶縁膜を形成
した後、一回のみＯ３を含むガスにさらすようにしても
よい。
最下層と最上層において、膜質の改善されたＳｉＯ２膜
を形成したが、必要に応じてＯ３を含むガスにさらす回
数を増やし、成膜と膜質改善とを繰り返し行うことによ
って、層間絶縁膜中の全体にわたって膜質の改善を図る
ことができる。また、逆に、膜表面での吸湿防止のみを
考える場合には、所望の膜厚を有する層間絶縁膜を形成
した後、一回のみＯ３を含むガスにさらすようにしても
よい。
【００２４】また、上記実施例では、多層アルミニウム
配線層の層間絶縁膜の形成工程について説明したが、こ
れに限られず、例えばＢＰＳＧ膜の形成工程等の吸湿性
が問題となるような工程のＳｉＯ２系絶縁膜の形成方法
としても利用することができる。
配線層の層間絶縁膜の形成工程について説明したが、こ
れに限られず、例えばＢＰＳＧ膜の形成工程等の吸湿性
が問題となるような工程のＳｉＯ２系絶縁膜の形成方法
としても利用することができる。
【００２５】さらに、上記実施例では、Ｏ３を含むガス
にさらす場合の基板温度を約３５０℃としたが、本発明
の方法による膜質改善の効果は、３０℃〜６００℃の範
囲において確認されている。但し、５００℃以上の温度
領域では、Ｎ２等の不活性ガス雰囲気中でも、熱による
層間絶縁膜の緻密化が確認されており、本発明による優
位性は顕著ではなくなる。
にさらす場合の基板温度を約３５０℃としたが、本発明
の方法による膜質改善の効果は、３０℃〜６００℃の範
囲において確認されている。但し、５００℃以上の温度
領域では、Ｎ２等の不活性ガス雰囲気中でも、熱による
層間絶縁膜の緻密化が確認されており、本発明による優
位性は顕著ではなくなる。
【００２６】図７は、本発明の製造方法による膜質改善
の効果の優位性を、Ｎ２ガスによる膜質改善の効果と比
較して示すものである。ここでは、３５０℃の温度で堆
積されたＴＥＯＳ−Ｏ３常圧ＣＶＤによるＳｉＯ２膜を
、室温から６００℃の範囲で、Ｏ３を約５ｗｔ％含んだ
Ｏ２ガス、又は１００％のＮ２ガスによりそれぞれ膜質
改善を行った場合について、膜表面近傍でのエッチング
レートを示したものである。同図からも分かるように、
本発明の方法は、５００℃以下において特にＮ２ガスを
用いた場合に比べ膜質の改善が顕著となっている。
の効果の優位性を、Ｎ２ガスによる膜質改善の効果と比
較して示すものである。ここでは、３５０℃の温度で堆
積されたＴＥＯＳ−Ｏ３常圧ＣＶＤによるＳｉＯ２膜を
、室温から６００℃の範囲で、Ｏ３を約５ｗｔ％含んだ
Ｏ２ガス、又は１００％のＮ２ガスによりそれぞれ膜質
改善を行った場合について、膜表面近傍でのエッチング
レートを示したものである。同図からも分かるように、
本発明の方法は、５００℃以下において特にＮ２ガスを
用いた場合に比べ膜質の改善が顕著となっている。
【００２７】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の半導体
装置の製造方法によれば、次のような効果を奏する。
装置の製造方法によれば、次のような効果を奏する。
【００２８】低温のプロセスで形成した膜質的に劣るＳ
ｉＯ２膜に対して、Ｏ３等の励起酸素を含むガスを５０
０℃以下の温度中で当てる事で膜質の改善を図っている
。このため、５００℃以下の低温のプロセスで良質な層
間絶縁膜を形成することができ、層間絶縁膜の吸湿性の
問題やブリスター発生等の半導体装置の製造プロセス上
の種々の問題点が解決できる。即ち、従来、高温熱処理
を行うことで実現していた層間絶縁膜の膜質改善（デン
シフィケーション）を比較的低温で実現することで、導
体層間の層間絶縁膜の形成に際し低温化を要求されるよ
うなプロセスにも対応させることができる。これにより
、製造歩留りの向上等の顕著な効果を得ることができる
。
ｉＯ２膜に対して、Ｏ３等の励起酸素を含むガスを５０
０℃以下の温度中で当てる事で膜質の改善を図っている
。このため、５００℃以下の低温のプロセスで良質な層
間絶縁膜を形成することができ、層間絶縁膜の吸湿性の
問題やブリスター発生等の半導体装置の製造プロセス上
の種々の問題点が解決できる。即ち、従来、高温熱処理
を行うことで実現していた層間絶縁膜の膜質改善（デン
シフィケーション）を比較的低温で実現することで、導
体層間の層間絶縁膜の形成に際し低温化を要求されるよ
うなプロセスにも対応させることができる。これにより
、製造歩留りの向上等の顕著な効果を得ることができる
。
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体装置の製造方
法を示す断面図。
法を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例に係わる半導体装置の製造方
法を示す断面図。
法を示す断面図。
【図３】本発明の一実施例に係わる半導体装置の製造方
法を示す断面図。
法を示す断面図。
【図４】本発明の一実施例に係わる半導体装置の製造方
法を示す断面図。
法を示す断面図。
【図５】膜質の改善を行った後のＳｉＯ２膜のウェット
エッチングレートの深さ方向のプロファイルを示す図。
エッチングレートの深さ方向のプロファイルを示す図。
【図６】Ｏ３を含むガスを当てたＳｉＯ２膜と当てない
ＳｉＯ２膜とについて真空加熱時の水分放出量を示す図
。
ＳｉＯ２膜とについて真空加熱時の水分放出量を示す図
。
【図７】本発明の製造方法により形成したＳｉＯ２膜と
Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理を行ったＳｉＯ２膜とのウェ
ットエッチングレートを比較して示す図。
Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理を行ったＳｉＯ２膜とのウェ
ットエッチングレートを比較して示す図。
１…半導体基板、２…ポリシリコンゲート、３…ポリシ
リコンゲート上に形成されたＢＰＳＧ膜、４…高融点金
属シリサイド配線、５…高融点金属シリサイド配線上に
形成されたＢＰＳＧ膜、１１…第一層目のアルミニウム
配線、１２，１４…ＳｉＯ２膜、１３，１５…膜質の改
善されたＳｉＯ２ 膜、１６…第二層目のアルミニウ
ム配線、１７…パッシベーション膜。
リコンゲート上に形成されたＢＰＳＧ膜、４…高融点金
属シリサイド配線、５…高融点金属シリサイド配線上に
形成されたＢＰＳＧ膜、１１…第一層目のアルミニウム
配線、１２，１４…ＳｉＯ２膜、１３，１５…膜質の改
善されたＳｉＯ２ 膜、１６…第二層目のアルミニウ
ム配線、１７…パッシベーション膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の導体層上に絶縁膜を形成する第
１の工程と、所定温度以下において前記絶縁膜を励起酸
素を含むガス雰囲気中に露出させる第２の工程と、前記
絶縁膜上に第２の導体層を形成する第３の工程とを具備
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の工程を２回以上繰
り返し行った後、前記第３の工程を行うことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記励起酸素として、Ｏ３を用いるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 前記所定温度は、５００℃であること
を特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41876990A JPH04230054A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41876990A JPH04230054A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230054A true JPH04230054A (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=18526555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41876990A Pending JPH04230054A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04230054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017079294A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP41876990A patent/JPH04230054A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017079294A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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