JPH04230907A - 金導体組成物 - Google Patents
金導体組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜導体組成物に関する
。さらに詳しくは、本発明はセラミック基板にすぐれた
密着性を与える金導体組成物に関する。
。さらに詳しくは、本発明はセラミック基板にすぐれた
密着性を与える金導体組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】超小形電子パッケージの最近の動向はよ
り高速で動作するより高密度の電子機能性を必要とする
高性能用途に傾いている。信頼性のある動作をしかつ高
性能用途の要求を満たす電子パッケージを製作すること
は超小形電子工業に直面する挑戦である。かかるパッケ
ージを製作する上での特に困難な一面はピン、リード、
ウインドーフレームまたはヒートシンクのようなメタラ
イズ化構成要素とセラミック基板との間の多層パッケー
ジに接合または結合部を形成させることである。これら
の接合または結合部は高性能用途で遭遇する種々の極端
な条件下で信頼性のある性能を保証するのに必要な機械
的耐久性、導電性および熱放散性を有しなければならな
い。さらに、メタライズ化構成要素をセラミック基板に
接合する方法はできるだけ安価で簡単でなければならな
い。
り高速で動作するより高密度の電子機能性を必要とする
高性能用途に傾いている。信頼性のある動作をしかつ高
性能用途の要求を満たす電子パッケージを製作すること
は超小形電子工業に直面する挑戦である。かかるパッケ
ージを製作する上での特に困難な一面はピン、リード、
ウインドーフレームまたはヒートシンクのようなメタラ
イズ化構成要素とセラミック基板との間の多層パッケー
ジに接合または結合部を形成させることである。これら
の接合または結合部は高性能用途で遭遇する種々の極端
な条件下で信頼性のある性能を保証するのに必要な機械
的耐久性、導電性および熱放散性を有しなければならな
い。さらに、メタライズ化構成要素をセラミック基板に
接合する方法はできるだけ安価で簡単でなければならな
い。
【0003】現在では、多層電子パッケージにはメタラ
イズ化構成要素をセラミック基板に取り付けるいくつか
の方法が存在する。使用される取り付け方法は製作され
る多層パッケージの種類に左右される。アルミナをベー
スとした誘電体層およびタングステンまたはモリブデン
のメタライズ物(メタリゼーション)を用いる高温共焼
成(cofired)系には、ろう付け法を用いて取り
付けられる。ろう付けは水素−窒素雰囲気中で約840
℃の温度で行なわれる。この方法によってすぐれた結合
強さが得られそして引き続いての処理に温度を気にしな
くてすむことになる。
イズ化構成要素をセラミック基板に取り付けるいくつか
の方法が存在する。使用される取り付け方法は製作され
る多層パッケージの種類に左右される。アルミナをベー
スとした誘電体層およびタングステンまたはモリブデン
のメタライズ物(メタリゼーション)を用いる高温共焼
成(cofired)系には、ろう付け法を用いて取り
付けられる。ろう付けは水素−窒素雰囲気中で約840
℃の温度で行なわれる。この方法によってすぐれた結合
強さが得られそして引き続いての処理に温度を気にしな
くてすむことになる。
【0004】低温厚膜または共焼成誘電体シート系では
ガラスとアルミナをベースとした誘電体および金、銀ま
たは銅をベースとしたメタライズ物が用いられる。焼成
とろう付けの温度が本質的に同じであるので、低温系で
はろう付けはうまくいかなかった。これはろう付け作業
の間にろうがメタライズ物とセラミックの間に予め形成
された結合を攻撃してメタライズ物を基板から分離させ
るという状況を作り出すことになる。導電性がなくなる
とパッケージが役に立たなくなる。これらの低温系のた
めのろう付けの代りに用いられる取り付けの普通の方法
にははんだ付け、ワイヤボンディングおよび溶接例えば
熱圧縮およびパラレルギャップ溶接がある。
ガラスとアルミナをベースとした誘電体および金、銀ま
たは銅をベースとしたメタライズ物が用いられる。焼成
とろう付けの温度が本質的に同じであるので、低温系で
はろう付けはうまくいかなかった。これはろう付け作業
の間にろうがメタライズ物とセラミックの間に予め形成
された結合を攻撃してメタライズ物を基板から分離させ
るという状況を作り出すことになる。導電性がなくなる
とパッケージが役に立たなくなる。これらの低温系のた
めのろう付けの代りに用いられる取り付けの普通の方法
にははんだ付け、ワイヤボンディングおよび溶接例えば
熱圧縮およびパラレルギャップ溶接がある。
【0005】それぞれの取り付け法を含めての上記系の
双方が現在使用されている。しかしながら、これらの系
は高性能用途にはいくつかの欠点を有する。高温共焼成
パッケージでは、タングステンとモリブデンで形成され
たメタライズ物の導電性は高性能用途に望まれている程
高くはない。低温パッケージでは、金、銀または銅のメ
タライズ物の導電性はよいが、結合強さは典型的にはろ
う付けによって得られたものより低くそして高性能用途
に望まれている程高くはない。さらに、はんだ接合の一
体性はいくつかのその後の処理作業の間に失われるおそ
れがある。
双方が現在使用されている。しかしながら、これらの系
は高性能用途にはいくつかの欠点を有する。高温共焼成
パッケージでは、タングステンとモリブデンで形成され
たメタライズ物の導電性は高性能用途に望まれている程
高くはない。低温パッケージでは、金、銀または銅のメ
タライズ物の導電性はよいが、結合強さは典型的にはろ
う付けによって得られたものより低くそして高性能用途
に望まれている程高くはない。さらに、はんだ接合の一
体性はいくつかのその後の処理作業の間に失われるおそ
れがある。
【0006】しかるに、メタライズ化構成要素の高い導
電性とすぐれた結合強さを有するパッケージを得るため
にメタライズ化構成要素を低温多層パッケージにろう付
けする方法が必要とされていた。かかるろう付け方法が
開発されそして本出願人の1990年4月12日に出願
した同時係属中の米国特許出願第508,871号に開
示されている。しかしながら、多くの標準金導体組成物
はそのようなろう付け方法に用いられる場合他の金属導
体組成物と同様に密着しないということがわかった。そ
れ故、本発明の1つの目的はメタライズ化構成要素を低
温多層セラミックパッケージにろう付けする方法に使用
することができその結果結合強さとパッケージの結合性
が改良される金導体組成物を提供することである。
電性とすぐれた結合強さを有するパッケージを得るため
にメタライズ化構成要素を低温多層パッケージにろう付
けする方法が必要とされていた。かかるろう付け方法が
開発されそして本出願人の1990年4月12日に出願
した同時係属中の米国特許出願第508,871号に開
示されている。しかしながら、多くの標準金導体組成物
はそのようなろう付け方法に用いられる場合他の金属導
体組成物と同様に密着しないということがわかった。そ
れ故、本発明の1つの目的はメタライズ化構成要素を低
温多層セラミックパッケージにろう付けする方法に使用
することができその結果結合強さとパッケージの結合性
が改良される金導体組成物を提供することである。
【0007】本発明は全無機固形分を基準にして重量で
、 (a) 75〜95%の金属態の金粒子であって、そ
の粒子の少なくとも90重量%が2以下のアスペクト比
を有するもの、 (b) 0.5〜10%の硼珪酸カドミウムガラス、
(c) CuO、ZnO、MgO、CoO、NiO、
FeO、MnOおよびそれらの混合物よりなる群から選
ばれた0.1〜5%のスピネル形成性2価金属酸化物お
よび (d) パラジウム、白金およびロジウムよりなる群
から選ばれた0.1〜1.0%の金属の微細粒子からな
り、(a)〜(d)のすべてが (e) 有機媒体中に分散されたものである、金導体
組成物に関する。
、 (a) 75〜95%の金属態の金粒子であって、そ
の粒子の少なくとも90重量%が2以下のアスペクト比
を有するもの、 (b) 0.5〜10%の硼珪酸カドミウムガラス、
(c) CuO、ZnO、MgO、CoO、NiO、
FeO、MnOおよびそれらの混合物よりなる群から選
ばれた0.1〜5%のスピネル形成性2価金属酸化物お
よび (d) パラジウム、白金およびロジウムよりなる群
から選ばれた0.1〜1.0%の金属の微細粒子からな
り、(a)〜(d)のすべてが (e) 有機媒体中に分散されたものである、金導体
組成物に関する。
【0008】別の局面では、本発明は導体組成物を焼成
して有機媒体の揮発とガラスおよび金属の液相焼結を行
わせることにより得られた金メタライズ物に関する。さ
らに別の局面では、本発明は上記金導体組成物のパター
ンを不導体セラミック基板にスクリーン印刷しそして印
刷基板を焼成して有機媒体の揮発とガラスおよび金属の
液相焼結を行わせることにより形成された導体パターン
を有する不導体セラミック基板からなる導体エレメント
に関する。
して有機媒体の揮発とガラスおよび金属の液相焼結を行
わせることにより得られた金メタライズ物に関する。さ
らに別の局面では、本発明は上記金導体組成物のパター
ンを不導体セラミック基板にスクリーン印刷しそして印
刷基板を焼成して有機媒体の揮発とガラスおよび金属の
液相焼結を行わせることにより形成された導体パターン
を有する不導体セラミック基板からなる導体エレメント
に関する。
【0009】
【発明の詳細な記述】A.金
本発明の実施に用いることのできる金粉末は単分散のも
のすなわち均質であるべきでありそしてすべての粒子は
同じ形状を有すべきである。金粉末は球状すなわち2以
下のアスペクト比を有する粒子を含んでいることが好ま
しい。金の粒子サイズは本発明における技術的有効性の
見地から厳密には重大でない。しかしながら、金粒子は
それらが適用される方法普通にはスクリーン印刷と、焼
成条件に適合したサイズを有すべきである。通常、粒子
サイズは分布曲線の50%点で約0.4〜約5マイクロ
メートルの範囲にあり、粒子の90%が10マイクロメ
ートルより小さいものでなければならない。
のすなわち均質であるべきでありそしてすべての粒子は
同じ形状を有すべきである。金粉末は球状すなわち2以
下のアスペクト比を有する粒子を含んでいることが好ま
しい。金の粒子サイズは本発明における技術的有効性の
見地から厳密には重大でない。しかしながら、金粒子は
それらが適用される方法普通にはスクリーン印刷と、焼
成条件に適合したサイズを有すべきである。通常、粒子
サイズは分布曲線の50%点で約0.4〜約5マイクロ
メートルの範囲にあり、粒子の90%が10マイクロメ
ートルより小さいものでなければならない。
【0010】粒子サイズは分布曲線の50%点で約0.
5〜約2マイクロメートルの範囲にあり、その粒子の9
0%は6マイクロメートルより小さいことが好ましい。 金粉末は例えばブレンダーにおけるように温和な剪断下
に短時間例えば1〜5分間混合して達成されるように粉
末全体を通じて均一に分散された、極く少量の湿潤剤例
えばシアノグアニジンを含有していてもよい。
5〜約2マイクロメートルの範囲にあり、その粒子の9
0%は6マイクロメートルより小さいことが好ましい。 金粉末は例えばブレンダーにおけるように温和な剪断下
に短時間例えば1〜5分間混合して達成されるように粉
末全体を通じて均一に分散された、極く少量の湿潤剤例
えばシアノグアニジンを含有していてもよい。
【0011】通常、金粉末は無機固形分の全重量に基づ
いて金導体組成物の75〜95%を構成する。金粉末は
導体組成物の80〜88%を構成するのが好ましくそし
て82〜85%を構成するのがより好ましい。
いて金導体組成物の75〜95%を構成する。金粉末は
導体組成物の80〜88%を構成するのが好ましくそし
て82〜85%を構成するのがより好ましい。
【0012】B.ガラス
本発明の金導体組成物のガラス成分は焼成温度で低軟化
点および低粘度を有する硼珪酸カドミウムガラスである
。十分な密着を有するために、ガラス中のカドミウム含
量は実質的量でなければならない。一般に、ガラスの少
なくとも40重量%はCdOとして存在すべきである。 PbO含量はガラスの0.005重量%より小さいこと
が好ましい。また、他の容易に還元される金属酸化物は
避けるべきである。
点および低粘度を有する硼珪酸カドミウムガラスである
。十分な密着を有するために、ガラス中のカドミウム含
量は実質的量でなければならない。一般に、ガラスの少
なくとも40重量%はCdOとして存在すべきである。 PbO含量はガラスの0.005重量%より小さいこと
が好ましい。また、他の容易に還元される金属酸化物は
避けるべきである。
【0013】ここで用いられるような「低軟化点ガラス
」なる語は、繊維伸長法(ASTM−C338−57)
によって測定されるように850℃以下好ましくは60
0℃以下の軟化点を有するガラスを意味する。また本発
明で用いられるガラスは焼成温度で低粘度を有して無機
粒状物の液相焼結を助ける。焼成温度で6より小さい比
粘度を有するガラスが好ましい。
」なる語は、繊維伸長法(ASTM−C338−57)
によって測定されるように850℃以下好ましくは60
0℃以下の軟化点を有するガラスを意味する。また本発
明で用いられるガラスは焼成温度で低粘度を有して無機
粒状物の液相焼結を助ける。焼成温度で6より小さい比
粘度を有するガラスが好ましい。
【0014】特に好適なガラスは次の組成を有する。C
dO 68.8%、B2O3 18.6%、SiO2
9.5%、Al2O3 3.1%。
dO 68.8%、B2O3 18.6%、SiO2
9.5%、Al2O3 3.1%。
【0015】ガラスフリットの粒子サイズは重要でない
が、通常分布曲線上の50%点で5マイクロメートルよ
り小さくなければならない。ガラスフリットは全無機分
に基づいて0.5〜10重量%好ましくは1〜3重量%
最も好ましくは1.5〜2.5%を構成する。ガラスは
普通のガラス製造技術によって製造される。
が、通常分布曲線上の50%点で5マイクロメートルよ
り小さくなければならない。ガラスフリットは全無機分
に基づいて0.5〜10重量%好ましくは1〜3重量%
最も好ましくは1.5〜2.5%を構成する。ガラスは
普通のガラス製造技術によって製造される。
【0016】C.金属酸化物
本発明の実施に適した金属酸化物(MeO)は組成物を
焼成するとAl2O3と反応してスピネル構造(MeA
l2O4)を生成できるものである。適当な無機酸化物
にはCuO、ZnO、MgO、CoO、NiO、FeO
、MnOおよびそれらの混合物がある。焼成条件下に分
解して相当する金属酸化物を形成するカーボネートおよ
びオキシレートのような金属酸化物の先駆物質は同等な
効果で用いることができる。
焼成するとAl2O3と反応してスピネル構造(MeA
l2O4)を生成できるものである。適当な無機酸化物
にはCuO、ZnO、MgO、CoO、NiO、FeO
、MnOおよびそれらの混合物がある。焼成条件下に分
解して相当する金属酸化物を形成するカーボネートおよ
びオキシレートのような金属酸化物の先駆物質は同等な
効果で用いることができる。
【0017】金属酸化物または先駆物質の粒子サイズは
本発明の組成物が適用される方法普通はスクリーン印刷
に適するサイズを有すべきである。すなわち、粒子サイ
ズは金と同じ範囲すなわち分布曲線上の50%点で約0
.5〜5マイクロメートルにあり、90%が10マイク
ロメートルより小さくなければならない。
本発明の組成物が適用される方法普通はスクリーン印刷
に適するサイズを有すべきである。すなわち、粒子サイ
ズは金と同じ範囲すなわち分布曲線上の50%点で約0
.5〜5マイクロメートルにあり、90%が10マイク
ロメートルより小さくなければならない。
【0018】通常、金属酸化物は全無機分に基づいて約
0.1〜約5重量%、好ましくは約0.1〜3重量%、
最も好ましくは0.1〜1重量%を構成する。
0.1〜約5重量%、好ましくは約0.1〜3重量%、
最も好ましくは0.1〜1重量%を構成する。
【0019】D.追加の金属
本発明の金導体組成物における追加の金属はパラジウム
、白金およびロジウムよりなる群から選ばれる。パラジ
ウムが好ましい。金属粒子は大体球状であることが好ま
しい。粒子サイズは再び適用方法すなわちスクリーン印
刷によって規定されそして分布曲線上の50%点で約0
.1〜10マイクロメートルの範囲にあるべきである。 追加の金属は全無機分に基づいて約0.1〜約1重量%
を構成する。
、白金およびロジウムよりなる群から選ばれる。パラジ
ウムが好ましい。金属粒子は大体球状であることが好ま
しい。粒子サイズは再び適用方法すなわちスクリーン印
刷によって規定されそして分布曲線上の50%点で約0
.1〜10マイクロメートルの範囲にあるべきである。 追加の金属は全無機分に基づいて約0.1〜約1重量%
を構成する。
【0020】E.有機媒体
本発明の金導体組成物に用いられる有機媒体は溶媒中の
樹脂の溶液または分散液を含めて普通の金導体組成物に
通常用いられるもののいずれであってもよい。適当な樹
脂にはエチルセルロース、ポリブチルメタクリレート、
ポリアルファーメチルスチレンまたはポリ(エチレンビ
ニルアセテート)がある。好適な樹脂はエチルセルロー
スである。適当な溶媒は樹脂と物理的に相容しそして得
られた溶液または分散液は金導体組成物の他の成分に対
して化学的に不活性でなければならない。種々の有機液
体のうちのいずれか1つを有機樹脂用のキャリヤーとし
て用いることができる。適当な有機液体には脂肪族アル
コール(例えば、1−デカノール)、該アルコールのエ
ステル(例えば、アセテートまたはプロピオネート)、
グリコールエーテル(例えば、ジブチルカルビトール)
、テレピン(terpines)(例えば、パイン油ま
たはテルピネオール)およびジアルキルフタレート(例
えば、ジブチルフタレートまたはジメチルフタレート)
がある。場合により、溶液または分散液はまた増粘剤、
安定剤、チキソトロープ剤、湿潤剤などのような他の添
加剤を含有していてもよい。
樹脂の溶液または分散液を含めて普通の金導体組成物に
通常用いられるもののいずれであってもよい。適当な樹
脂にはエチルセルロース、ポリブチルメタクリレート、
ポリアルファーメチルスチレンまたはポリ(エチレンビ
ニルアセテート)がある。好適な樹脂はエチルセルロー
スである。適当な溶媒は樹脂と物理的に相容しそして得
られた溶液または分散液は金導体組成物の他の成分に対
して化学的に不活性でなければならない。種々の有機液
体のうちのいずれか1つを有機樹脂用のキャリヤーとし
て用いることができる。適当な有機液体には脂肪族アル
コール(例えば、1−デカノール)、該アルコールのエ
ステル(例えば、アセテートまたはプロピオネート)、
グリコールエーテル(例えば、ジブチルカルビトール)
、テレピン(terpines)(例えば、パイン油ま
たはテルピネオール)およびジアルキルフタレート(例
えば、ジブチルフタレートまたはジメチルフタレート)
がある。場合により、溶液または分散液はまた増粘剤、
安定剤、チキソトロープ剤、湿潤剤などのような他の添
加剤を含有していてもよい。
【0021】所望の印刷特性を得るために有機液体中の
樹脂および他の添加剤の量を調整できることが当業者に
よって認められるであろう。通常、有機液体中の樹脂の
濃度は約2〜20重量%、好ましくは10〜15重量%
でなければならない。
樹脂および他の添加剤の量を調整できることが当業者に
よって認められるであろう。通常、有機液体中の樹脂の
濃度は約2〜20重量%、好ましくは10〜15重量%
でなければならない。
【0022】本発明の導体組成物における有機媒体:無
機固形分の比はかなり変動しそして分散液を適用しよう
とする方法および使用される有機媒体の種類に依存する
。普通、良好な範囲を得るためには、分散液は60〜9
0%の無機固形分と40〜10%の有機媒体を含有する
。
機固形分の比はかなり変動しそして分散液を適用しよう
とする方法および使用される有機媒体の種類に依存する
。普通、良好な範囲を得るためには、分散液は60〜9
0%の無機固形分と40〜10%の有機媒体を含有する
。
【0023】処方および適用
本発明の組成物の製造において、無機固形分は有機媒体
と混合されそして3本ロールミルのような適当な装置で
分散されて懸濁液を生成し、その結果粘度が4sec−
1の剪断速度で約100〜400パスカル秒の範囲にあ
る金組成物が得られる。
と混合されそして3本ロールミルのような適当な装置で
分散されて懸濁液を生成し、その結果粘度が4sec−
1の剪断速度で約100〜400パスカル秒の範囲にあ
る金組成物が得られる。
【0024】次に、組成物はスクリーン印刷の方法によ
ってアルミナまたは誘電体シートのような基板に約10
〜80マイクロメートル好ましくは10〜70マイクロ
メートル最も好ましくは10〜50マイクロメートルの
湿時厚さに適用される。次に、印刷パターンを約80〜
150℃で約5〜15分間乾燥させる。焼成は有機物を
約300〜600℃で完全燃焼させ、約800〜950
℃の最高温度を約5〜15分続行させ次いで制御された
クールダウンサイクルを用いて早すぎるクールダウンに
より過焼結、中間温度における好ましくない化学反応ま
たは基板の破損が起らないような温度分布を用いてベル
トコンベア炉中で行うのが好ましい。全焼成手順は約1
時間にわたることが好ましく、20〜25分で焼成温度
に到達し、焼成温度に約10分保ち、そして約20〜2
5分でクールダウンされる。金メタライズ物の焼成厚さ
は約4〜25マイクロメートルにすることができる。
ってアルミナまたは誘電体シートのような基板に約10
〜80マイクロメートル好ましくは10〜70マイクロ
メートル最も好ましくは10〜50マイクロメートルの
湿時厚さに適用される。次に、印刷パターンを約80〜
150℃で約5〜15分間乾燥させる。焼成は有機物を
約300〜600℃で完全燃焼させ、約800〜950
℃の最高温度を約5〜15分続行させ次いで制御された
クールダウンサイクルを用いて早すぎるクールダウンに
より過焼結、中間温度における好ましくない化学反応ま
たは基板の破損が起らないような温度分布を用いてベル
トコンベア炉中で行うのが好ましい。全焼成手順は約1
時間にわたることが好ましく、20〜25分で焼成温度
に到達し、焼成温度に約10分保ち、そして約20〜2
5分でクールダウンされる。金メタライズ物の焼成厚さ
は約4〜25マイクロメートルにすることができる。
【0025】ろう付け方法
メタライズ化構成要素を低温共焼成セラミック基板に取
付けるためのろう付け方法は下記の工程からなる:1.
第1の金導体組成物をセラミック基板上に適用する工程
、 2.前記第1の導体組成物を乾燥させる工程、3.前記
第1の導体組成物を焼成して有機媒体の揮発、無機物質
の液相流れおよび焼結を行なわせて第1のメタライズ層
を形成させる工程、 4.前記第1のメタライズ層が第2の金導体組成物によ
ってカバーされるように前記第2の導体組成物を前記第
1のメタライズ層上に適用する工程、 5.前記第2の導体組成物を乾燥させる工程、6.前記
第2の導体組成物を焼成して有機媒体の揮発、無機物質
の液相流れおよび焼結を行い第2のメタライズ層を形成
させる工程、 7.ピン、リード、ウインドーフレームまたはヒートシ
ンクのような少なくとも1つの金属構成要素およびろう
付け組成物を前記第2のメタライズ物上に位置決めして
集成体を形成させる工程および 8.ろう付け組成物が金属構成要素と第2のメタライズ
層との間に接合をするのに十分な温度で集成体を加熱す
る工程。
付けるためのろう付け方法は下記の工程からなる:1.
第1の金導体組成物をセラミック基板上に適用する工程
、 2.前記第1の導体組成物を乾燥させる工程、3.前記
第1の導体組成物を焼成して有機媒体の揮発、無機物質
の液相流れおよび焼結を行なわせて第1のメタライズ層
を形成させる工程、 4.前記第1のメタライズ層が第2の金導体組成物によ
ってカバーされるように前記第2の導体組成物を前記第
1のメタライズ層上に適用する工程、 5.前記第2の導体組成物を乾燥させる工程、6.前記
第2の導体組成物を焼成して有機媒体の揮発、無機物質
の液相流れおよび焼結を行い第2のメタライズ層を形成
させる工程、 7.ピン、リード、ウインドーフレームまたはヒートシ
ンクのような少なくとも1つの金属構成要素およびろう
付け組成物を前記第2のメタライズ物上に位置決めして
集成体を形成させる工程および 8.ろう付け組成物が金属構成要素と第2のメタライズ
層との間に接合をするのに十分な温度で集成体を加熱す
る工程。
【0026】ろう付け法で用いられる基板は当該技術で
慣用されている周知のセラミックをベースとした基板な
らどれでもよい。超小形電子回路部品に慣用的に用いら
れるセラミック基板の例にはアルミナ、ベリリア、ハフ
ニア、窒化物、炭化物などがある。またろう付け法に使
用するのに適したものはガラス−セラミックスおよび先
進のセラミックス例えば窒化アルミニウム、炭化けい素
、窒化けい素および窒化ほう素である。この方法に使用
するのに好適な基板は96%Al2O3で構成されるア
ルミナ基板であり、最も好ましいものはデュポン社によ
って販売されているGreen Tape(TM)のよ
うなガラス−セラミックテープである。
慣用されている周知のセラミックをベースとした基板な
らどれでもよい。超小形電子回路部品に慣用的に用いら
れるセラミック基板の例にはアルミナ、ベリリア、ハフ
ニア、窒化物、炭化物などがある。またろう付け法に使
用するのに適したものはガラス−セラミックスおよび先
進のセラミックス例えば窒化アルミニウム、炭化けい素
、窒化けい素および窒化ほう素である。この方法に使用
するのに好適な基板は96%Al2O3で構成されるア
ルミナ基板であり、最も好ましいものはデュポン社によ
って販売されているGreen Tape(TM)のよ
うなガラス−セラミックテープである。
【0027】第1のメタライズ層は本発明の金導体組成
物を用いてつくられる。導体組成物はスクリーン印刷の
方法によって基板に約10〜80マイクロメートル好ま
しくは10〜70マイクロメートル最も好ましくは10
〜50マイクロメータの湿時厚さになるように適用され
る。次に、印刷パターンを約80〜150℃で約5〜1
5分間乾燥させる。焼成は有機物を約300〜600℃
で完全燃焼させ、約800〜950℃の最高温度を約5
〜15分続行させ次いで制御されたクールダウンサイク
ルを用いて早すぎるクールダウンにより過焼結、中間温
度における好ましくない化学反応または基板の破損が起
らないような温度分布を用いてベルトコンベア炉中で行
うのが好ましい。全焼成手順は約1時間にわたることが
好ましく、20〜25分で焼成温度に到達し、焼成温度
に約10分保ちそして約20〜25分でクールダウンさ
れる。金メタライズ物の焼成厚さは約4〜25マイクロ
メートルにすることができる。
物を用いてつくられる。導体組成物はスクリーン印刷の
方法によって基板に約10〜80マイクロメートル好ま
しくは10〜70マイクロメートル最も好ましくは10
〜50マイクロメータの湿時厚さになるように適用され
る。次に、印刷パターンを約80〜150℃で約5〜1
5分間乾燥させる。焼成は有機物を約300〜600℃
で完全燃焼させ、約800〜950℃の最高温度を約5
〜15分続行させ次いで制御されたクールダウンサイク
ルを用いて早すぎるクールダウンにより過焼結、中間温
度における好ましくない化学反応または基板の破損が起
らないような温度分布を用いてベルトコンベア炉中で行
うのが好ましい。全焼成手順は約1時間にわたることが
好ましく、20〜25分で焼成温度に到達し、焼成温度
に約10分保ちそして約20〜25分でクールダウンさ
れる。金メタライズ物の焼成厚さは約4〜25マイクロ
メートルにすることができる。
【0028】第2のメタライズ層は、第2の導体組成物
が同様な厚膜技術好ましくはスクリーン印刷を用いて第
1のメタライズ層に適用されると形成される。この工程
では金属構成要素を取り付けようとする第1のメタライ
ズ層の露出部分を完全にコートまたはカバーするように
第2の導体組成物を適用することが重要である。これは
第2のメタライズ層の第1のメタライズ層への正確なス
クリーン整合によるかあるいは第1のメタライズ層に用
いられるパッドサイズに比べて僅かに大きな(約5%)
パターン(例えばパットサイズ)を有する第2のメタラ
イズ層の第2のスクリーンを用いて行なわれる。これは
第1のメタライズ層をカバーしそしてセラミックと第1
のメタライズ物との界面を保護するためには印刷、乾燥
、焼成といういくつかの工程が必要とされることを意味
している。第2のメタライズ層の乾燥は第1のメタライ
ズ層の乾燥について上述したものと同じである。第2の
メタライズ層を焼成する方法は第1のメタライズ層につ
いて述べたものと同様であるが、当業者によって理解さ
れるように第2のメタライズ層の所望の焼成厚さに適合
するように条件を変えてもよい。第2のメタライズ層の
焼成厚さは約5〜100マイクロメートルであるべきで
ある。厚さは用いられるろう付け用合金の種類と融解温
度に依存する。ろう付け合金の融解温度が高ければ高い
程、第2層の厚さは大きくなる。約550℃のろう付け
温度の場合、第2のメタライズ層の厚さは約10〜30
マイクロメートルである。約760℃のろう付け温度の
場合、第2層の厚さは約30〜80マイクロメートルで
ある。
が同様な厚膜技術好ましくはスクリーン印刷を用いて第
1のメタライズ層に適用されると形成される。この工程
では金属構成要素を取り付けようとする第1のメタライ
ズ層の露出部分を完全にコートまたはカバーするように
第2の導体組成物を適用することが重要である。これは
第2のメタライズ層の第1のメタライズ層への正確なス
クリーン整合によるかあるいは第1のメタライズ層に用
いられるパッドサイズに比べて僅かに大きな(約5%)
パターン(例えばパットサイズ)を有する第2のメタラ
イズ層の第2のスクリーンを用いて行なわれる。これは
第1のメタライズ層をカバーしそしてセラミックと第1
のメタライズ物との界面を保護するためには印刷、乾燥
、焼成といういくつかの工程が必要とされることを意味
している。第2のメタライズ層の乾燥は第1のメタライ
ズ層の乾燥について上述したものと同じである。第2の
メタライズ層を焼成する方法は第1のメタライズ層につ
いて述べたものと同様であるが、当業者によって理解さ
れるように第2のメタライズ層の所望の焼成厚さに適合
するように条件を変えてもよい。第2のメタライズ層の
焼成厚さは約5〜100マイクロメートルであるべきで
ある。厚さは用いられるろう付け用合金の種類と融解温
度に依存する。ろう付け合金の融解温度が高ければ高い
程、第2層の厚さは大きくなる。約550℃のろう付け
温度の場合、第2のメタライズ層の厚さは約10〜30
マイクロメートルである。約760℃のろう付け温度の
場合、第2層の厚さは約30〜80マイクロメートルで
ある。
【0029】第2のメタライズ層を形成する第2の導体
組成物は有機媒体中に分散された微細な金粉末からなっ
ている。第2の導体組成物中の金粒子は焼成工程中にそ
れ自体焼結しそして第1のメタライズ層と第2のメタラ
イズ層との間の界面に存在する第1のメタライズ層の金
属粒子に焼結する。第2の導体組成物の有機媒体の機能
は第1の導体組成物における有機媒体のものと同じであ
る。ここで、有機媒体は当該分野で慣用のものでありそ
して第1の導体組成物について述べた有機媒体と同じま
たは異なった組成を有していてもよい。無機結合剤は第
2のメタライズ層には使用されないことが好ましい。し
かしながら、固形分の10重量%までの少量の無機結合
剤をうまく使用することができる。
組成物は有機媒体中に分散された微細な金粉末からなっ
ている。第2の導体組成物中の金粒子は焼成工程中にそ
れ自体焼結しそして第1のメタライズ層と第2のメタラ
イズ層との間の界面に存在する第1のメタライズ層の金
属粒子に焼結する。第2の導体組成物の有機媒体の機能
は第1の導体組成物における有機媒体のものと同じであ
る。ここで、有機媒体は当該分野で慣用のものでありそ
して第1の導体組成物について述べた有機媒体と同じま
たは異なった組成を有していてもよい。無機結合剤は第
2のメタライズ層には使用されないことが好ましい。し
かしながら、固形分の10重量%までの少量の無機結合
剤をうまく使用することができる。
【0030】また、第1および第2のメタライズ層の別
々の焼成を単一の工程として併合することもできる。焼
成工程を併合する前に、第1の導体組成物を適用し、乾
燥させ次に第2の導体組成物を整合して適用し乾燥させ
る。両層の焼成は個々の層の焼成について上述したもの
と同様である。
々の焼成を単一の工程として併合することもできる。焼
成工程を併合する前に、第1の導体組成物を適用し、乾
燥させ次に第2の導体組成物を整合して適用し乾燥させ
る。両層の焼成は個々の層の焼成について上述したもの
と同様である。
【0031】セラミック基板への取り付けに有用な金属
構成要素は例えばピン、リードおよびヒートシンクであ
る。これらの構成要素は他の電子パッケージ間の相互連
結として機能するかあるいはヒートシンクの場合不要な
熱の吸収または放散として機能するのでメタライズされ
る。この方法に使用するのに適した金属構成要素は銅、
ニッケル、モリブデン、タングステン、銀、金、鉄、カ
ーボングラファイトまたは合金またはクラッドあるいは
これらの混合物から形成することができる。ガラス−セ
ラミック基板と一緒に用いるのに好適なものはピンおよ
びリード線材料用のKovar、Alloy 42、A
lloy 46のような鉄とニッケルの合金であるが、
銅/タングステン、銅/モリブデン、銅/モリブデン/
銅および銅/インドール(Invar)/銅はヒートシ
ンクおよびスプレダーとして用いられる。それらの熱膨
脹率(TCE)はセラミック基板の熱膨脹率と適合し得
るので上記の物質が用いられる。適合性TCEはろう付
けプロセスの間に発生される残留熱応力を最小にする助
けをする。また、金属構成要素は炉内ろう付け後にそれ
らの機械的結合性(目に見えるほどのアニールは存在し
ない)を保持することができる。金属構成要素はニッケ
ルだけでメッキしてもよいが所望により続いて金、銅ま
たは銀をメッキしてもよい。
構成要素は例えばピン、リードおよびヒートシンクであ
る。これらの構成要素は他の電子パッケージ間の相互連
結として機能するかあるいはヒートシンクの場合不要な
熱の吸収または放散として機能するのでメタライズされ
る。この方法に使用するのに適した金属構成要素は銅、
ニッケル、モリブデン、タングステン、銀、金、鉄、カ
ーボングラファイトまたは合金またはクラッドあるいは
これらの混合物から形成することができる。ガラス−セ
ラミック基板と一緒に用いるのに好適なものはピンおよ
びリード線材料用のKovar、Alloy 42、A
lloy 46のような鉄とニッケルの合金であるが、
銅/タングステン、銅/モリブデン、銅/モリブデン/
銅および銅/インドール(Invar)/銅はヒートシ
ンクおよびスプレダーとして用いられる。それらの熱膨
脹率(TCE)はセラミック基板の熱膨脹率と適合し得
るので上記の物質が用いられる。適合性TCEはろう付
けプロセスの間に発生される残留熱応力を最小にする助
けをする。また、金属構成要素は炉内ろう付け後にそれ
らの機械的結合性(目に見えるほどのアニールは存在し
ない)を保持することができる。金属構成要素はニッケ
ルだけでメッキしてもよいが所望により続いて金、銅ま
たは銀をメッキしてもよい。
【0032】第2のメタライズ層およびメタライズ化構
成要素と適合できる通常の硬ろう組成物はこの方法に使
用するのに適している。金メタライズ物と用いるのに適
したろう付け組成物は82Au/18In(数字は重量
%を示す)である。ろう付け配合物はペーストまたはプ
レフォーム状態であってもよい。ろうペーストはスクリ
ーン印刷、ステンシル印刷または分配技術を用いて適用
される。また、ろうをパッドまたは構成要素上に適用し
そして予め流動させてからろう接合プロセスを行うこと
ができる。
成要素と適合できる通常の硬ろう組成物はこの方法に使
用するのに適している。金メタライズ物と用いるのに適
したろう付け組成物は82Au/18In(数字は重量
%を示す)である。ろう付け配合物はペーストまたはプ
レフォーム状態であってもよい。ろうペーストはスクリ
ーン印刷、ステンシル印刷または分配技術を用いて適用
される。また、ろうをパッドまたは構成要素上に適用し
そして予め流動させてからろう接合プロセスを行うこと
ができる。
【0033】ろう付けによって接合しようとする構成要
素は通常ろう付けサイクルを通じて維持される固定位置
で典型的には補助取付け材(auxiliary fi
xturing)を用いて組立てられる。軟鋼、コバー
ル(Kovar)、被切削性セラミック、溶岩およびグ
ラファイトはしばしば補助取付け材として用いられる。 特に好適な取付け材はグラファイトである。取付け材の
選択は用いられるろう付け法、用いられるろう付け温度
および雰囲気、組立て物の材料および仕上げられたパッ
ケージの寸法要求と関連して材料の性質例えば耐熱性に
よって決定される。接合しようとする面は硬ろうが接合
部をみたして最高の性質を達成するために室温とろう付
け温度で接合クリアランスを保つ取付け材によって適当
に間隔があけられる。ろう配合物はペーストまたはプレ
フォーム状であってもよいが、メタライズ化構成要素と
第2のメタライズ層の間に置かれるかあるいはろう配合
物が接合部をみたすようにメタライズ構成要素の上にの
せてもよい。例えば、ろうプレフォーム配合物はピン構
成要素の軸によってろう付けするための適所にしっかり
と固着することができる。
素は通常ろう付けサイクルを通じて維持される固定位置
で典型的には補助取付け材(auxiliary fi
xturing)を用いて組立てられる。軟鋼、コバー
ル(Kovar)、被切削性セラミック、溶岩およびグ
ラファイトはしばしば補助取付け材として用いられる。 特に好適な取付け材はグラファイトである。取付け材の
選択は用いられるろう付け法、用いられるろう付け温度
および雰囲気、組立て物の材料および仕上げられたパッ
ケージの寸法要求と関連して材料の性質例えば耐熱性に
よって決定される。接合しようとする面は硬ろうが接合
部をみたして最高の性質を達成するために室温とろう付
け温度で接合クリアランスを保つ取付け材によって適当
に間隔があけられる。ろう配合物はペーストまたはプレ
フォーム状であってもよいが、メタライズ化構成要素と
第2のメタライズ層の間に置かれるかあるいはろう配合
物が接合部をみたすようにメタライズ構成要素の上にの
せてもよい。例えば、ろうプレフォーム配合物はピン構
成要素の軸によってろう付けするための適所にしっかり
と固着することができる。
【0034】メタライズ化構成要素のセラミック基板の
メタライズ層へのろう付けはろう付け炉内で行われ炉内
には取付けられた集成体が置かれている。集成体は硬ろ
う配合物をぬらして接合を形成させるのに十分な時間と
温度でろう付け炉内で徐々に加熱させる。通常、ピーク
温度は硬ろうの融点より20°〜80℃高い。取付けら
れた集成体はピーク温度で極めて短時間通常は1分のオ
ーダーで加熱され次いで徐冷される。ろう付けに適した
炉はバッチおよびベルトコンベヤ(赤外またはマッフル
)である。ベルトコンベヤ炉を用いるのが好ましい。 Au/Inブレーズの場合、還元性雰囲気が炉中で用い
られる。通常、これは水素と窒素の混合物である。
メタライズ層へのろう付けはろう付け炉内で行われ炉内
には取付けられた集成体が置かれている。集成体は硬ろ
う配合物をぬらして接合を形成させるのに十分な時間と
温度でろう付け炉内で徐々に加熱させる。通常、ピーク
温度は硬ろうの融点より20°〜80℃高い。取付けら
れた集成体はピーク温度で極めて短時間通常は1分のオ
ーダーで加熱され次いで徐冷される。ろう付けに適した
炉はバッチおよびベルトコンベヤ(赤外またはマッフル
)である。ベルトコンベヤ炉を用いるのが好ましい。 Au/Inブレーズの場合、還元性雰囲気が炉中で用い
られる。通常、これは水素と窒素の混合物である。
【0035】商業上許容できるためには、メタライズ化
構成要素の引張り強さはインストロン試験により測定さ
れるように少なくとも15ポンドであるべきである。引
張り強さは20ポンドより大きいことが好ましい。
構成要素の引張り強さはインストロン試験により測定さ
れるように少なくとも15ポンドであるべきである。引
張り強さは20ポンドより大きいことが好ましい。
【0036】
【実施例】I.材料
金:球状金粉末、D50粒子サイズ 0.7〜1.7マ
イクロメートル パラジウム:パラジウム粉末、表面積 6.1〜9.6
m2/g 酸化銅:CuO粉末、表面積 1.3〜3.2m2/g
ガラス:D50粒子サイズ 2.5〜3.5マイクロメ
ートル フリット1=B2O3(18.6%)、CdO(68.
8%)、SiO2(9.5%)、Al2O3(3.1%
)フリット2=CaO(4.0%)、BaO(0.9%
)、ZnO(27.6%)、SiO2(21.7%)、
B2O3(26.7%)、NaO(8.7%)、PbO
(0.7%)、Al2O3(5.7%)、ZrO2(4
.0%)フリット3=MgO(2.1%)、BaO(3
6.3%)、NiO(4.6%)、SiO2(16.5
%)、B2O3(37.5%)、ZrO2(3.0%)
フリット4=PbO(83.0%)、PbF2(4.9
%)、SiO2(1.1%)、B2O3(11.0%)
基板:デュポン社によってGreen Tape(TM
)(タイプ851AT)として販売されているガラスセ
ラミックテープ
イクロメートル パラジウム:パラジウム粉末、表面積 6.1〜9.6
m2/g 酸化銅:CuO粉末、表面積 1.3〜3.2m2/g
ガラス:D50粒子サイズ 2.5〜3.5マイクロメ
ートル フリット1=B2O3(18.6%)、CdO(68.
8%)、SiO2(9.5%)、Al2O3(3.1%
)フリット2=CaO(4.0%)、BaO(0.9%
)、ZnO(27.6%)、SiO2(21.7%)、
B2O3(26.7%)、NaO(8.7%)、PbO
(0.7%)、Al2O3(5.7%)、ZrO2(4
.0%)フリット3=MgO(2.1%)、BaO(3
6.3%)、NiO(4.6%)、SiO2(16.5
%)、B2O3(37.5%)、ZrO2(3.0%)
フリット4=PbO(83.0%)、PbF2(4.9
%)、SiO2(1.1%)、B2O3(11.0%)
基板:デュポン社によってGreen Tape(TM
)(タイプ851AT)として販売されているガラスセ
ラミックテープ
【0037】II.試験方法
(a) 既知の方法を用いて10層のテープ基板と慣
用の金ペーストにより多層構造体を製作した。
用の金ペーストにより多層構造体を製作した。
【0038】(b) 第1のメタライズ層に相当する
所定の組成を有する金ペーストを、(a)で形成された
焼成パッケージ体の外部表面層に、10〜15マイクロ
メートルの焼成厚さになるように、885 AMIプリ
ンター(AMI社、ニュージャージ州ノースブランチに
よって製造された)を用いて1回で45マイクロメート
ルの湿時厚さになるように印刷した。メタライズ化構成
要素を取付けようとする場所に印刷ペーストを適用した
。グリーンテープ上のペーストをブルー・エム・カンパ
ニー(ペンシルバニア州マルベルン)により製造された
ブルーM炉中、大気中で150℃の温度で15〜30分
間乾燥させた。ペーストをリンドベルグ炉(リンドベル
グ、イリノイ州シカゴ)中で大約1時間のサイクル(す
なわち、約20〜25分で焼成温度まで加熱し、850
℃で10分間焼成しそして残りの時間で湿度を下げてい
く)を用いて空気中で焼成した。
所定の組成を有する金ペーストを、(a)で形成された
焼成パッケージ体の外部表面層に、10〜15マイクロ
メートルの焼成厚さになるように、885 AMIプリ
ンター(AMI社、ニュージャージ州ノースブランチに
よって製造された)を用いて1回で45マイクロメート
ルの湿時厚さになるように印刷した。メタライズ化構成
要素を取付けようとする場所に印刷ペーストを適用した
。グリーンテープ上のペーストをブルー・エム・カンパ
ニー(ペンシルバニア州マルベルン)により製造された
ブルーM炉中、大気中で150℃の温度で15〜30分
間乾燥させた。ペーストをリンドベルグ炉(リンドベル
グ、イリノイ州シカゴ)中で大約1時間のサイクル(す
なわち、約20〜25分で焼成温度まで加熱し、850
℃で10分間焼成しそして残りの時間で湿度を下げてい
く)を用いて空気中で焼成した。
【0039】(c) 88%金フレーク粉末および1
2%有機媒体からなる第2の導体組成物を第1の導体メ
タライズ層の上に上記工程(b)で述べた885 AM
Iプリンターを用いて40〜50マイクロメートルの湿
時厚さになるように印刷した。第1層のパットサイズに
比べてわずかに大きなパットサイズ(約5%大きい)を
有する第2のメタライズ層用の第2のスクリーンを用い
て、結合パッドの両側を含めての最初のメタライズ層を
完全にカバーするように印刷される。約25マイクロメ
ートルの所望の焼成厚さとするために第2の導体組成物
を2回の印刷および乾燥工程で印刷した。上記(b)と
同様にして第2の導体組成物をブルーM炉で乾燥させた
。
2%有機媒体からなる第2の導体組成物を第1の導体メ
タライズ層の上に上記工程(b)で述べた885 AM
Iプリンターを用いて40〜50マイクロメートルの湿
時厚さになるように印刷した。第1層のパットサイズに
比べてわずかに大きなパットサイズ(約5%大きい)を
有する第2のメタライズ層用の第2のスクリーンを用い
て、結合パッドの両側を含めての最初のメタライズ層を
完全にカバーするように印刷される。約25マイクロメ
ートルの所望の焼成厚さとするために第2の導体組成物
を2回の印刷および乾燥工程で印刷した。上記(b)と
同様にして第2の導体組成物をブルーM炉で乾燥させた
。
【0040】(d) ペーストをリンドベルグ炉中で
大約1時間のサイクル(すなわち約20〜25分で焼成
温度まで加熱させ、850℃で10分間焼成しそして残
りの時間で湿度を下げていく)を用いて空気中で焼成さ
せた。
大約1時間のサイクル(すなわち約20〜25分で焼成
温度まで加熱させ、850℃で10分間焼成しそして残
りの時間で湿度を下げていく)を用いて空気中で焼成さ
せた。
【0041】(e) アストロ・プレシジオン・イン
コーポレーテッド(コネチカット州、ベイビレ)によっ
て販売されているコバール(Kovar)ピンにサート
ロニックス・カンパニー(ノースカロライナ州、ラレイ
)による50マイクロインチのニッケルと50マイクロ
インチの金をメッキした。
コーポレーテッド(コネチカット州、ベイビレ)によっ
て販売されているコバール(Kovar)ピンにサート
ロニックス・カンパニー(ノースカロライナ州、ラレイ
)による50マイクロインチのニッケルと50マイクロ
インチの金をメッキした。
【0042】(f) パッケージコンポーネントをグ
ラファイト取付け材を用いて組立て逐次メタライズ層を
有するセラミック基板、ろう付けプレフォームおよびメ
ッキされたピンを焼成のためのメタライズ層上の適正な
位置に保持した。ろう付けプレフォームは82Au/1
8Inでつくられそしてアドバンスド・マテリアル・テ
クノロジー・コーポレーション(ニューヨーク州、オリ
スカニイ)によって販売されている。ろう付けプレフォ
ームは座金状に成形されて、ピンの頭部にある延長ピン
の軸の上に置いた。ピンの頭部を第2のメタライズ層の
上に置きそしてグラファイト取付け材によって適所に保
持した。
ラファイト取付け材を用いて組立て逐次メタライズ層を
有するセラミック基板、ろう付けプレフォームおよびメ
ッキされたピンを焼成のためのメタライズ層上の適正な
位置に保持した。ろう付けプレフォームは82Au/1
8Inでつくられそしてアドバンスド・マテリアル・テ
クノロジー・コーポレーション(ニューヨーク州、オリ
スカニイ)によって販売されている。ろう付けプレフォ
ームは座金状に成形されて、ピンの頭部にある延長ピン
の軸の上に置いた。ピンの頭部を第2のメタライズ層の
上に置きそしてグラファイト取付け材によって適所に保
持した。
【0043】(g) 580℃のピーク温度を2分間
保つ1時間のプロフィールで3.7%水素と96.3%
窒素の雰囲気を用いてワトキンス−ジョンソン炉(ワト
キンス−ジョンソン・カンパニー、カリフォルニア州、
スコットバレイ)でろう付けを行なった。その部分を十
分に冷却した後、グラファイト取付け材を取りはずしそ
して組立てたパッケージを取り出した。
保つ1時間のプロフィールで3.7%水素と96.3%
窒素の雰囲気を用いてワトキンス−ジョンソン炉(ワト
キンス−ジョンソン・カンパニー、カリフォルニア州、
スコットバレイ)でろう付けを行なった。その部分を十
分に冷却した後、グラファイト取付け材を取りはずしそ
して組立てたパッケージを取り出した。
【0044】セラミック基板に対するピンの取付けまた
は接合の強さをインストロン機械(インストロン・コー
ポレーション、マサチュウセッツ州、キャントン)を用
いて12mm/分のクロスヘッドスピードで試験した。 試験結果は10回の平均であった。
は接合の強さをインストロン機械(インストロン・コー
ポレーション、マサチュウセッツ州、キャントン)を用
いて12mm/分のクロスヘッドスピードで試験した。 試験結果は10回の平均であった。
【0045】実施例1および比較例2〜4これらの例は
基板としてグリーンセラミックテープを用いて本発明の
金ペーストにより得ることができる改善された密着性を
説明するものである。実施例1では本発明の金ペースト
を用いたが、例2〜4は比較例である。組成物および結
果を以下の表1に示す。
基板としてグリーンセラミックテープを用いて本発明の
金ペーストにより得ることができる改善された密着性を
説明するものである。実施例1では本発明の金ペースト
を用いたが、例2〜4は比較例である。組成物および結
果を以下の表1に示す。
【0046】
【表1】
【0047】実施例5および比較例6〜7これらの例は
本発明の金ペーストをアルミナ基板に用いる密着性(実
施例5)が他のペーストのもの(比較例6および7)と
同じくらいよいことを説明するものである。
本発明の金ペーストをアルミナ基板に用いる密着性(実
施例5)が他のペーストのもの(比較例6および7)と
同じくらいよいことを説明するものである。
【0048】
【表2】
Claims (6)
- 【請求項1】 全無機固形分を基準にして重量で、(
a) 75〜95%の金属態の金粒子であって、その
粒子の少なくとも90重量%が2以下のアスペクト比を
有するもの、 (b) 0.5〜10%の硼珪酸カドミウムガラス、
(c) CuO、ZnO、MgO、CoO、NiO、
FeO、MnOおよびそれらの混合物よりなる群から選
ばれた0.1〜5%のスピネル形成性2価金属酸化物お
よび (d) パラジウム、白金およびロジウムよりなる群
から選ばれた0.1〜1.0%の金属の微細粒子からな
り、(a)〜(d)のすべてが (e) 有機媒体中に分散されたものである、金導体
組成物。 - 【請求項2】 有機媒体がエチルセルロース、ポリブ
チルメタクリレート、ポリ−アルファメチルスチレンま
たはポリ(エチレンビニルアセテート)よりなる群から
選ばれた2〜20重量%の樹脂と脂肪族アルコール、該
アルコールのエステル、グリコールエーテルテレピンお
よびジアルキルフタレートよりなる群から選ばれた98
〜80重量%の有機液体からなる請求項1の組成物。 - 【請求項3】 80〜88%の金属態の金を含む請求
項1の組成物。 - 【請求項4】 硼珪酸カドミウムガラスが68.8重
量%のCdO、18.6重量%のB2O3、9.5重量
%のSiO2および3.1重量%のAl2O3より本質
的になる請求項1の組成物。 - 【請求項5】 0.1〜1%のスピネル形成性2価金
属酸化物を含む請求項1の組成物。 - 【請求項6】 (a)請求項1の金導体組成物を乾燥
させそして(b)乾燥させた組成物を800〜950℃
の範囲の温度で焼成させることからなる方法によって形
成された金メタライズ物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US50876990A | 1990-04-12 | 1990-04-12 | |
| US508769 | 1990-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230907A true JPH04230907A (ja) | 1992-08-19 |
| JP3053454B2 JP3053454B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=24023999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105154A Expired - Fee Related JP3053454B2 (ja) | 1990-04-12 | 1991-04-11 | 金導体組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0451771B1 (ja) |
| JP (1) | JP3053454B2 (ja) |
| KR (1) | KR970004545B1 (ja) |
| CA (1) | CA2040125A1 (ja) |
| DE (1) | DE69115100T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5439852A (en) * | 1994-08-01 | 1995-08-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition |
| US5698015A (en) * | 1995-05-19 | 1997-12-16 | Nikko Company | Conductor paste for plugging through-holes in ceramic circuit boards and a ceramic circuit board having this conductor paste |
| US7611645B2 (en) * | 2005-04-25 | 2009-11-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions and the use thereof in LTCC circuits and devices |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4350618A (en) * | 1979-11-16 | 1982-09-21 | Electro Materials Corp. Of America | Thick film conductors for use in microelectronic packaging |
| US4793946A (en) * | 1986-10-06 | 1988-12-27 | Engelhard Corporation | Thin print etchable gold conductor composition |
-
1991
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