JPH04233252A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04233252A JPH04233252A JP40891390A JP40891390A JPH04233252A JP H04233252 A JPH04233252 A JP H04233252A JP 40891390 A JP40891390 A JP 40891390A JP 40891390 A JP40891390 A JP 40891390A JP H04233252 A JPH04233252 A JP H04233252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor device
- electrode
- barrier metal
- based electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｕ系電極とＡｌ配線を
備えた半導体装置、例えばＧａＡｓＩＣに関する。
備えた半導体装置、例えばＧａＡｓＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ａｌ配線はドライエッチングによる微細
加工が可能なので、ＧａＡｓＩＣの高集積化に有効であ
る。Ａｌ配線材料としては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金が知られている（“特集 次世代の配線
技術、総論 次世代の配線技術”、月刊Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １９８９．１２，ｐｐ．
１７８−１８８）。
加工が可能なので、ＧａＡｓＩＣの高集積化に有効であ
る。Ａｌ配線材料としては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金が知られている（“特集 次世代の配線
技術、総論 次世代の配線技術”、月刊Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ １９８９．１２，ｐｐ．
１７８−１８８）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＡｓ化合物半導体
では電極構造としてＡｕ系電極が一般に使用されている
が、このＡｕ系電極を構成するＡｕは従来のＡｌ配線の
Ａｌと反応する性質があり、この反応による構造劣化に
伴い、接触抵抗が増加するという問題があった。
では電極構造としてＡｕ系電極が一般に使用されている
が、このＡｕ系電極を構成するＡｕは従来のＡｌ配線の
Ａｌと反応する性質があり、この反応による構造劣化に
伴い、接触抵抗が増加するという問題があった。
【０００４】そこで、本発明はＡｕとＡｌの反応を防止
することにより、接触抵抗の低い半導体装置を提供する
ことを目的とする。
することにより、接触抵抗の低い半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
、本発明はＧａＡｓ基板上に形成されたＡｕ系電極と、
このＡｕ系電極にタングステン又は／及びチタンを含む
バリアメタルを介して接続されたＡｌ配線とを有する。
、本発明はＧａＡｓ基板上に形成されたＡｕ系電極と、
このＡｕ系電極にタングステン又は／及びチタンを含む
バリアメタルを介して接続されたＡｌ配線とを有する。
【０００６】
【作用】以上のように構成されているので、バリアメタ
ルとして挿入されるタングステン又はチタンの作用によ
り、ＡｕとＡｌの反応が防止される。
ルとして挿入されるタングステン又はチタンの作用によ
り、ＡｕとＡｌの反応が防止される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る半導体装置を
添付図面を参照して説明する。なお、説明において同一
要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
添付図面を参照して説明する。なお、説明において同一
要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【０００８】第１図は実施例に係る半導体装置としてＧ
ａＡｓＦＥＴを示すものである。ＧａＡｓ半導体基板１
のソース領域１ｓおよびドレイン領域１ｄ上には、それ
ぞれＡｕ系オーミック電極２が形成されている。このＡ
ｕ系オーミック電極２は、例えばＡｕＧｅ、ＡｕＧｅＮ
ｉなどで構成されている。これらのＡｕ系オーミック電
極２の間にはゲート電極３が形成されており、このゲ−
ト電極３は絶縁膜４で覆われている。
ａＡｓＦＥＴを示すものである。ＧａＡｓ半導体基板１
のソース領域１ｓおよびドレイン領域１ｄ上には、それ
ぞれＡｕ系オーミック電極２が形成されている。このＡ
ｕ系オーミック電極２は、例えばＡｕＧｅ、ＡｕＧｅＮ
ｉなどで構成されている。これらのＡｕ系オーミック電
極２の間にはゲート電極３が形成されており、このゲ−
ト電極３は絶縁膜４で覆われている。
【０００９】また、Ａｕ系オーミック電極２の表面には
タングステンから成るバリアメタル５を介してＡｌ配線
６が形成されており、Ａｕ系オーミック電極２とＡｌ配
線６の電気的接続がなされている。この配線は、例えば
Ａｕ系オーミック電極２の上面に２００オングストロー
ムのタングステンを形成した後で１００００オングスト
ロームのＡｌを順次堆積し、ＢＣｌ３ ／Ｃｌ２ ガス
を用いたドライエッチング加工を施すことにより所定の
配線パターンに形成することができる。なお、タングス
テンの膜厚は２００オングストロームにすると効果的で
あることが実験により確認されている。
タングステンから成るバリアメタル５を介してＡｌ配線
６が形成されており、Ａｕ系オーミック電極２とＡｌ配
線６の電気的接続がなされている。この配線は、例えば
Ａｕ系オーミック電極２の上面に２００オングストロー
ムのタングステンを形成した後で１００００オングスト
ロームのＡｌを順次堆積し、ＢＣｌ３ ／Ｃｌ２ ガス
を用いたドライエッチング加工を施すことにより所定の
配線パターンに形成することができる。なお、タングス
テンの膜厚は２００オングストロームにすると効果的で
あることが実験により確認されている。
【００１０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない。例えば、上記実施例ではバリアメタルとし
てタングステンを用いているが、チタンを使用しても同
様の効果を得ることができる。
のではない。例えば、上記実施例ではバリアメタルとし
てタングステンを用いているが、チタンを使用しても同
様の効果を得ることができる。
【００１１】また、Ａｕ系電極としてはＡｕＧｅ、Ａｕ
ＧｅＮｉのオーミック電極に限定されるものではない。
ＧｅＮｉのオーミック電極に限定されるものではない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置によると、ＡｕとＡｌの反応を防止することによ
り、Ａｕ系電極とＡｌ配線との接続において抵抗が増加
することを防止することができる。
体装置によると、ＡｕとＡｌの反応を防止することによ
り、Ａｕ系電極とＡｌ配線との接続において抵抗が増加
することを防止することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置を示す断面
図である。
図である。
１…ＧａＡｓ半導体基板、２…オーミック電極、３…ゲ
−ト電極、４…絶縁膜、５…バリアメタル、６…Ａｌ配
線
−ト電極、４…絶縁膜、５…バリアメタル、６…Ａｌ配
線
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上に形成されたＡｕ系電
極と、前記Ａｕ系電極にタングステン又は／及びチタン
を含むバリアメタルを介して接続されたＡｌ配線とを有
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40891390A JPH04233252A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40891390A JPH04233252A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04233252A true JPH04233252A (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=18518309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40891390A Pending JPH04233252A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04233252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093486A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| JP2010232687A (ja) * | 2010-07-08 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP40891390A patent/JPH04233252A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093486A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| JP2010232687A (ja) * | 2010-07-08 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4987562A (en) | Semiconductor layer structure having an aluminum-silicon alloy layer | |
| US20030173584A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating the same | |
| JPH04233252A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6236400B2 (ja) | ||
| JPH0964341A (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JP3093408B2 (ja) | 電極と配線との組み合わせ構造の形成方法 | |
| JPH02285644A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3075245B2 (ja) | 化合物半導体の製造方法 | |
| JP3123217B2 (ja) | オーミック電極の形成方法 | |
| JPH0439228B2 (ja) | ||
| JPH05152340A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS58134428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62229955A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05275456A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0513365A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61292966A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS60211974A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH0797634B2 (ja) | 電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| JPS60169152A (ja) | 配線接続方法 | |
| JPS6338870B2 (ja) | ||
| JPS58135638A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01246830A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH0670958B2 (ja) | 電子線位置検出基準マーク | |
| JPH02109326A (ja) | 電極構造及びその製造方法 | |
| JPH0491441A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 |