JPH0423341A - プローバのアライメント装置及び方法 - Google Patents
プローバのアライメント装置及び方法Info
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- JPH0423341A JPH0423341A JP2123396A JP12339690A JPH0423341A JP H0423341 A JPH0423341 A JP H0423341A JP 2123396 A JP2123396 A JP 2123396A JP 12339690 A JP12339690 A JP 12339690A JP H0423341 A JPH0423341 A JP H0423341A
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- prober
- semiconductor wafer
- alignment
- needle
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、プローバのアライメント装置に関する。
［従来の技術］
従来から第７図に示すように半導体ウェハ１上にスクラ
イブライン２を介して多数形成されたＩＣチップ３のそ
れぞれの電気特性を検査するプローバがある。プローバ
はプローブカードに植設された複数のプローブ針と、各
ＩＣチップ３に形成された複数の電極とを接触させ、こ
の接触状態からプローブカーＦに接続されたテスタの測
定によりＩＣチップ３の良・不良を自動的に判別するも
のである。
イブライン２を介して多数形成されたＩＣチップ３のそ
れぞれの電気特性を検査するプローバがある。プローバ
はプローブカードに植設された複数のプローブ針と、各
ＩＣチップ３に形成された複数の電極とを接触させ、こ
の接触状態からプローブカーＦに接続されたテスタの測
定によりＩＣチップ３の良・不良を自動的に判別するも
のである。
ここでプローバによる検査を自動的に行うためには、ま
ずカセットに収納された半導体ウエノ１を搬送機構によ
り取り出し、アライメントステージで半導体ウェハの位
置合せを行い、位置合せ後ブロービングステージに搬送
し、半導体ウェハ上のＩＣチップ３上に形成された１辺
６０〜１００μｍの大きさの電極（パッド）とプローブ
針との接触を行わせ測定を行う。
ずカセットに収納された半導体ウエノ１を搬送機構によ
り取り出し、アライメントステージで半導体ウェハの位
置合せを行い、位置合せ後ブロービングステージに搬送
し、半導体ウェハ上のＩＣチップ３上に形成された１辺
６０〜１００μｍの大きさの電極（パッド）とプローブ
針との接触を行わせ測定を行う。
測定においてはプローバには予めＩＣチップの電極配列
の位置が記憶されており、この情報によりプローブを行
う。アライメントステージで位置合せ（オリフラ合わせ
）が行われた半導体ウェハが搬送され、半導体ウェハを
載置したブロービングステージが上記記憶されたプロー
ブ針位置に移動してもプローブ針位置とＩＣチップ電極
位置が僅かにずれる。このずれを修正してプローブ針と
電極を接触させるため、まずずれの測定を行う。
の位置が記憶されており、この情報によりプローブを行
う。アライメントステージで位置合せ（オリフラ合わせ
）が行われた半導体ウェハが搬送され、半導体ウェハを
載置したブロービングステージが上記記憶されたプロー
ブ針位置に移動してもプローブ針位置とＩＣチップ電極
位置が僅かにずれる。このずれを修正してプローブ針と
電極を接触させるため、まずずれの測定を行う。
そしてこのずれ量をオペレータがマニュアルでプローブ
針と電極位置が正確に接触するよう微調整を行い、この
微調整された位置をプローバに記憶する。
針と電極位置が正確に接触するよう微調整を行い、この
微調整された位置をプローバに記憶する。
この操作はテーチングと呼ばれテーチングは半導体ウェ
ハの品種毎にプローブカードを交換する都度行われ、テ
ーチングの後、以下ＩＣチップのピッチでブロービング
ステージを移動させ自動的に順次ＩＣチップの測定を行
い１枚の半導体ウェハの測定が終了すると、次の半導体
ウェハを搬送して、順次測定を行うべき全半導体ウェハ
の測定を自動的に行いブロービングを終了するようにな
っている。
ハの品種毎にプローブカードを交換する都度行われ、テ
ーチングの後、以下ＩＣチップのピッチでブロービング
ステージを移動させ自動的に順次ＩＣチップの測定を行
い１枚の半導体ウェハの測定が終了すると、次の半導体
ウェハを搬送して、順次測定を行うべき全半導体ウェハ
の測定を自動的に行いブロービングを終了するようにな
っている。
ここでプローブ針と電極のずれの測定を行うに際しては
まずアルミ等が蒸着されたダミーウェハに複数のプロー
ブ針を接触させ、ダミーウェハにプローブ針跡を付して
基準のプローブ針の針跡から正規の位置にあるべき第２
、第３のプローブ針の位置とのずれからθ回転を測定し
、プローブカードを−θ回転させて補正する。その後ア
ライメントステージでオリフラ合せされた第１番目の測
定用の半導体ウェハをブロービングステージに載置させ
、（この時半導体ウェハとプローブ針のθ回転はすでに
補正されている）オペレータがマイクロスコープで観察
しながら、ＩＣチップの基準電極と基準プローブ針とが
接触位置になるようブロービングステージをＸＳＹ方向
に移動させてこの位置をプローバに記憶させ、テーチン
グを終了する。以下このテーチング値に従って半導体ウ
ェハを搬送しプローバによる自動的ブロービングが行わ
れる。
まずアルミ等が蒸着されたダミーウェハに複数のプロー
ブ針を接触させ、ダミーウェハにプローブ針跡を付して
基準のプローブ針の針跡から正規の位置にあるべき第２
、第３のプローブ針の位置とのずれからθ回転を測定し
、プローブカードを−θ回転させて補正する。その後ア
ライメントステージでオリフラ合せされた第１番目の測
定用の半導体ウェハをブロービングステージに載置させ
、（この時半導体ウェハとプローブ針のθ回転はすでに
補正されている）オペレータがマイクロスコープで観察
しながら、ＩＣチップの基準電極と基準プローブ針とが
接触位置になるようブロービングステージをＸＳＹ方向
に移動させてこの位置をプローバに記憶させ、テーチン
グを終了する。以下このテーチング値に従って半導体ウ
ェハを搬送しプローバによる自動的ブロービングが行わ
れる。
［発明が解決しようとする課題］
ところがオペレータがマイクロスコープでＩＣチップの
電極を観察しながら基準プローブ針と基準電極の位置合
せを行う場合、１つのＩＣチップには５００個位の電極
が形成されておりこの多数の電極の中から基準電極を認
識し、基準プローブ針と接触させるのは非常に困難で、
時間も要し、さらには基準電極を誤認してしまうことも
しばしばあった。
電極を観察しながら基準プローブ針と基準電極の位置合
せを行う場合、１つのＩＣチップには５００個位の電極
が形成されておりこの多数の電極の中から基準電極を認
識し、基準プローブ針と接触させるのは非常に困難で、
時間も要し、さらには基準電極を誤認してしまうことも
しばしばあった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、基準電極とプローブ針のずれを測定するのに短時
間でしかも簡単に誤認が生じない正確な測定を行えるプ
ローバを提供することを目的とする。
って、基準電極とプローブ針のずれを測定するのに短時
間でしかも簡単に誤認が生じない正確な測定を行えるプ
ローバを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、本発明のプローバは、半導
体ウェハ上にスクライブラインを介して形成された複数
のＩＣチップの電極と、触子とを接触させてプローブを
行うプローバのアライメント装置において、前記スクラ
イブラインの交点を認識する手段と、前記交点から予め
定められた位置にある前記ＩＣチップの基準電極を認識
する手段と、前記電極と前記触子の位置合せ手段とを備
えたものである。
体ウェハ上にスクライブラインを介して形成された複数
のＩＣチップの電極と、触子とを接触させてプローブを
行うプローバのアライメント装置において、前記スクラ
イブラインの交点を認識する手段と、前記交点から予め
定められた位置にある前記ＩＣチップの基準電極を認識
する手段と、前記電極と前記触子の位置合せ手段とを備
えたものである。
［作用コ
半導体ウェハ上のＩＣチップはスクライブラインを介し
て形成されている。ブロービングを行う前に、半導体ウ
ェハ（ＩＣチップの電極）と触子であるプローブ針との
ずれを検出するアライメントの際にスクライブラインの
交点を認識し、プローバに予め入力しておいたスクライ
ブラインの交点とＩＣチップ上の基準電極との距離の情
報からプローバは基準電極の位置を正確にキャッチする
。
て形成されている。ブロービングを行う前に、半導体ウ
ェハ（ＩＣチップの電極）と触子であるプローブ針との
ずれを検出するアライメントの際にスクライブラインの
交点を認識し、プローバに予め入力しておいたスクライ
ブラインの交点とＩＣチップ上の基準電極との距離の情
報からプローバは基準電極の位置を正確にキャッチする
。
そして基準電極の位置に基準のプローブ針を移動させて
正確に位置合せができる。そのため、オペレータによる
基準電極を誤認する事態か発生することなく、短時間で
アライメントを終了させることができる。
正確に位置合せができる。そのため、オペレータによる
基準電極を誤認する事態か発生することなく、短時間で
アライメントを終了させることができる。
［実施例］
本発明の一実施例であるプローバのアライメント装置を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
第１図に示すプローバ４は、主として半導体ウェハ１（
第７図）を収納したキャリア５を載置する収納部６と、
ブロービングを行うブローバ部７と、ブローバ部７の上
方にプローブ針８（触子）を植設したプローブカード９
を備え、ＩＣチップの電極列とプローブ針８列とを接触
させＩＣチップの電気特性状態を検出するテスタ部１０
とから成る。
第７図）を収納したキャリア５を載置する収納部６と、
ブロービングを行うブローバ部７と、ブローバ部７の上
方にプローブ針８（触子）を植設したプローブカード９
を備え、ＩＣチップの電極列とプローブ針８列とを接触
させＩＣチップの電気特性状態を検出するテスタ部１０
とから成る。
収納部６は半導体ウェハが例えば２５枚収納されている
ウェハキャリア５を載置する載置台１１を備え、載置台
１１はＣＰＵに制御される上下駆動機構１２に接続され
、図示しない搬送アームにより順次半導体ウェハ１が１
枚ずつ搬出されるよう上下方向に移動可能な構成となっ
ている。さらに収納部６には搬送アームにより搬出され
た半導体ウェハ１の粗アライメント（オリフラ合わせ）
を行うアライメントステージ１３が設けられ、例えば投
受光センサ等で半導体ウェハｌの外周を検知し、アライ
メントを行うアライメント機構（図示せず）を備えてい
る。
ウェハキャリア５を載置する載置台１１を備え、載置台
１１はＣＰＵに制御される上下駆動機構１２に接続され
、図示しない搬送アームにより順次半導体ウェハ１が１
枚ずつ搬出されるよう上下方向に移動可能な構成となっ
ている。さらに収納部６には搬送アームにより搬出され
た半導体ウェハ１の粗アライメント（オリフラ合わせ）
を行うアライメントステージ１３が設けられ、例えば投
受光センサ等で半導体ウェハｌの外周を検知し、アライ
メントを行うアライメント機構（図示せず）を備えてい
る。
ブローバ部７はアライメントされた半導体ウェハ１を搬
送する図示しない搬送系を備え、半導体ウェハを載置す
るブロービングステージ１４がＸ１Ｙ１２方向及びＺ軸
を中心としたθ回転される駆動機構に接続されて設けら
れる。ブロービングステージ４はアライメントされた半
導体ウェハ１の位置をずらさずに正確に搬送できるよう
吸着等の手段（真空装置）を備えている。ブロービング
ステージ４の移動距離はＣＰＵにより完全に制御される
。またブロービングステージ１４はオペレータが操作す
ることによりμｍ単位で移動制御可能なジョイステック
１９に接続される。さらに第２図の正面図に示すように
プローバ部７にはブロービングステージ１４上の半導体
ウェハ１の正確な位置決めのためのＣＣＤカメラ１５（
アライメント装置）及びハイドセンサ１６が予め定めら
れた位置に設けられ、ＣＣＤカメラ１５の撮像情報がス
クライブラインの交点を認識する手段、スクライブライ
ンの交点から定められた距離にあるＩＣチップの基準電
極を認識する手段、基準電極と触子の位置合せ手段等の
アライメント手段を備えたＣＰＵに入力されるようにな
っている。
送する図示しない搬送系を備え、半導体ウェハを載置す
るブロービングステージ１４がＸ１Ｙ１２方向及びＺ軸
を中心としたθ回転される駆動機構に接続されて設けら
れる。ブロービングステージ４はアライメントされた半
導体ウェハ１の位置をずらさずに正確に搬送できるよう
吸着等の手段（真空装置）を備えている。ブロービング
ステージ４の移動距離はＣＰＵにより完全に制御される
。またブロービングステージ１４はオペレータが操作す
ることによりμｍ単位で移動制御可能なジョイステック
１９に接続される。さらに第２図の正面図に示すように
プローバ部７にはブロービングステージ１４上の半導体
ウェハ１の正確な位置決めのためのＣＣＤカメラ１５（
アライメント装置）及びハイドセンサ１６が予め定めら
れた位置に設けられ、ＣＣＤカメラ１５の撮像情報がス
クライブラインの交点を認識する手段、スクライブライ
ンの交点から定められた距離にあるＩＣチップの基準電
極を認識する手段、基準電極と触子の位置合せ手段等の
アライメント手段を備えたＣＰＵに入力されるようにな
っている。
ブローバ部７の上方には、検査情報が入力されたＣＰＵ
からの出力によりアライメントや測定を行うテスタ部１
０が設けられ、第３図に示すようにＩＣチップ３の電極
１８に接触させるプローブ針８を植設したプローブカー
ド９がセットされる。
からの出力によりアライメントや測定を行うテスタ部１
０が設けられ、第３図に示すようにＩＣチップ３の電極
１８に接触させるプローブ針８を植設したプローブカー
ド９がセットされる。
プローブカード９は回転機構９１に接続されたインサー
トリング（図示せず）により位置合せ時に所望の回転が
なされる。さらにテスタ部１ｏの上方にはマイクロスコ
ープ１７がブロービングステージ１４上の半導体ウェハ
１を観察できるように設けられる。
トリング（図示せず）により位置合せ時に所望の回転が
なされる。さらにテスタ部１ｏの上方にはマイクロスコ
ープ１７がブロービングステージ１４上の半導体ウェハ
１を観察できるように設けられる。
さらにプローバ４には図示しないプローブカード収納部
、この収納部から半導体ウェハの品種に対応する所望の
プローブカードを搬出し、インサートリングに位置合せ
してセットする搬送機構等を備えている。
、この収納部から半導体ウェハの品種に対応する所望の
プローブカードを搬出し、インサートリングに位置合せ
してセットする搬送機構等を備えている。
このような構成のプローバにおけるプローブ針８とＩＣ
チップの電極１８のアライメント方法について第３図の
フローチャートに従って説明する。
チップの電極１８のアライメント方法について第３図の
フローチャートに従って説明する。
収納部６のアライメントステージ１３でオリフラ合せが
行われたダミーウェハをブロービングステージ１４上に
搬送する。ブロービングステージ１４を上昇させ、例え
ば４本のプローブ針８とダミーウェハを接触させ針跡を
付す（Ａ）。ダミーウェハを載置したブロービングステ
ージ１４をＣＣＤカメラ１５の位置に移動して針跡を撮
像する。
行われたダミーウェハをブロービングステージ１４上に
搬送する。ブロービングステージ１４を上昇させ、例え
ば４本のプローブ針８とダミーウェハを接触させ針跡を
付す（Ａ）。ダミーウェハを載置したブロービングステ
ージ１４をＣＣＤカメラ１５の位置に移動して針跡を撮
像する。
第４図に示すように撮像された針跡８ａ、８ｂ。
８ｃ及び８ｄのうち基準プローブ針８１（第３図）によ
る針跡を８ａとすると、８ａにＣＣＤカメラ１５のセン
サを示すクロスを合致させるようオペレータがジョイス
テックを操作してブロービングステージ１４を移動させ
る。そしてこの位置８ａ（Ｘａ、Ｙａ）をｃｐｕに記憶
させる（Ｂ） 。そしてこの位置８ａ （ＸａＳＹａ）
を基準として予めプローバに人力されている移動量、第
２のプローブ針跡８ｂ （ＸｂＳＹｂ）の予想位置８ｂ
’（Ｘｂ’、ｙｂ”）にクロスが移動する（Ｃ）。この
時Ｘｂ＝ｘｂ′、Ｙｂ＝Ｙｂ゛であればプローブカード
のθ回転のずれがＯであり、補正は不必要であるが、ｘ
ｂ≠ｘｂ’ 、ｙｂ≠Ｙｂ’ であればずれが生じてい
る（Ｄ）。そしてオペレータがジョイステックを操作し
て実際の針跡に８ｂ（Ｘｂ。
る針跡を８ａとすると、８ａにＣＣＤカメラ１５のセン
サを示すクロスを合致させるようオペレータがジョイス
テックを操作してブロービングステージ１４を移動させ
る。そしてこの位置８ａ（Ｘａ、Ｙａ）をｃｐｕに記憶
させる（Ｂ） 。そしてこの位置８ａ （ＸａＳＹａ）
を基準として予めプローバに人力されている移動量、第
２のプローブ針跡８ｂ （ＸｂＳＹｂ）の予想位置８ｂ
’（Ｘｂ’、ｙｂ”）にクロスが移動する（Ｃ）。この
時Ｘｂ＝ｘｂ′、Ｙｂ＝Ｙｂ゛であればプローブカード
のθ回転のずれがＯであり、補正は不必要であるが、ｘ
ｂ≠ｘｂ’ 、ｙｂ≠Ｙｂ’ であればずれが生じてい
る（Ｄ）。そしてオペレータがジョイステックを操作し
て実際の針跡に８ｂ（Ｘｂ。
ｙｂ）にクロスを合せ、この位置をＣＰＵに記憶させる
（Ｅ）。そしてθ、を演算する。そして第３のプローブ
針跡８ｃ （Ｘｃ、Ｙｃ）と予想位置８ｃ’（Ｘｃ’、
Ｙｃ’）及び第４のプローブ針跡８ｄ （Ｘｄ、Ｙｄ）
と予想位置８ｄ’（Ｘｄ’、Ｙｄ’）から同様の操作に
よりθＣ１θｄを求める。
（Ｅ）。そしてθ、を演算する。そして第３のプローブ
針跡８ｃ （Ｘｃ、Ｙｃ）と予想位置８ｃ’（Ｘｃ’、
Ｙｃ’）及び第４のプローブ針跡８ｄ （Ｘｄ、Ｙｄ）
と予想位置８ｄ’（Ｘｄ’、Ｙｄ’）から同様の操作に
よりθＣ１θｄを求める。
そしてθｂ１θＣ１θｄの平均値を求め（Ｆ）、プロー
ブカードは求められた平均値θ。から回転機構９１によ
り一θ回転され回転量が補正される（Ｇ）。ここで４本
の針跡についてずれを測定したが最小２本でも回転のず
れは測定できる。
ブカードは求められた平均値θ。から回転機構９１によ
り一θ回転され回転量が補正される（Ｇ）。ここで４本
の針跡についてずれを測定したが最小２本でも回転のず
れは測定できる。
次にダミーウェハをアンロードしてアライメントステー
ジ１３でオリフラ合せされた被測定体の半導体ウェハ１
をブロービングステージ１４上に載置してＣＣＤカメラ
１５で撮像し、スクライブライン２を検出する（Ｈ）。
ジ１３でオリフラ合せされた被測定体の半導体ウェハ１
をブロービングステージ１４上に載置してＣＣＤカメラ
１５で撮像し、スクライブライン２を検出する（Ｈ）。
第６図に示すようにスクライブライン２のライン方向の
異なる２点Ｓｘ１、ＳＸ２でそれぞれスクライブライン
２の幅の中点５Ｘ１０％ ５Ｘ２ｏにオペレータがジョ
イステックを操作してクロスを一致させ、それぞれの位
置を記憶させる。５ＸＩＱ％５Ｘ２０からＣＰＵはスク
ライブライン２の中心線９８を求める（Ｉ）。
異なる２点Ｓｘ１、ＳＸ２でそれぞれスクライブライン
２の幅の中点５Ｘ１０％ ５Ｘ２ｏにオペレータがジョ
イステックを操作してクロスを一致させ、それぞれの位
置を記憶させる。５ＸＩＱ％５Ｘ２０からＣＰＵはスク
ライブライン２の中心線９８を求める（Ｉ）。
次にスクライブライン２に直交するスクライブライン２
１を検出し、同様にスクライブライン２１方向の異なる
２点ＳＹ、、Ｓ Ｙ ２でスクライブライン２１の幅の
中点ＳＹ１゜、５Ｙ２ｏにオペレータがジョイスティッ
クを操作してクロスを一致させ、それぞれの位置を記憶
させる。Ｓ Ｙ 、。、５Ｙ２０からＣＰＵはスクライ
ブライン２１の中心線９．を求める（Ｋ） 。そして９
８と９．の交点Ｃ（ＸＯｌｙｏ）を演算して記憶する（
Ｌ）。この交点から予め記憶しておいた基準電極１８ａ
に自動的に基準プローブ針８１が接触するようにブロー
ビングステージ１４が移動する（Ｍ）。ここで基準プロ
ーブ′針と基準電極が位置合せされ、既に回転方向は補
正されているため基準プローブ針以外の第２、第３・・
・・のプローブ針と基準電極以外の電極とはほとんど一
致されているが、オペレータがマイクロスコープ１７で
観察して一致を確認する。
１を検出し、同様にスクライブライン２１方向の異なる
２点ＳＹ、、Ｓ Ｙ ２でスクライブライン２１の幅の
中点ＳＹ１゜、５Ｙ２ｏにオペレータがジョイスティッ
クを操作してクロスを一致させ、それぞれの位置を記憶
させる。Ｓ Ｙ 、。、５Ｙ２０からＣＰＵはスクライ
ブライン２１の中心線９．を求める（Ｋ） 。そして９
８と９．の交点Ｃ（ＸＯｌｙｏ）を演算して記憶する（
Ｌ）。この交点から予め記憶しておいた基準電極１８ａ
に自動的に基準プローブ針８１が接触するようにブロー
ビングステージ１４が移動する（Ｍ）。ここで基準プロ
ーブ′針と基準電極が位置合せされ、既に回転方向は補
正されているため基準プローブ針以外の第２、第３・・
・・のプローブ針と基準電極以外の電極とはほとんど一
致されているが、オペレータがマイクロスコープ１７で
観察して一致を確認する。
この時、ずれがあればオペレータはジョイステックを移
動させ微調整を行う。微調整が行われればスクライブラ
インの中心線９゜、９．の交点Ｃの記憶した（ｘｏＳｙ
ｏ）座標を補正し、この補正値を記憶する（Ｎ）。この
補正値が記憶され、アライメント（テーチング）が終了
する（０）。ブローバに記憶されたこの補正値に従い、
各半導体ウェハ毎にブロービングステージの移動がなさ
れ、半導体ウェハの正確なブロービングが行われる。
動させ微調整を行う。微調整が行われればスクライブラ
インの中心線９゜、９．の交点Ｃの記憶した（ｘｏＳｙ
ｏ）座標を補正し、この補正値を記憶する（Ｎ）。この
補正値が記憶され、アライメント（テーチング）が終了
する（０）。ブローバに記憶されたこの補正値に従い、
各半導体ウェハ毎にブロービングステージの移動がなさ
れ、半導体ウェハの正確なブロービングが行われる。
以上の説明は、本発明によるブローバのアライメント装
置の一実施例であって、この実施例ではオペレータがダ
ミーウェハに付した実際の針跡にＣＣＤカメラのクロス
を合わせることにより予想される針跡とのずれをＣＰＵ
に記憶させたがＣＣＤカメラで撮像した画像と予め記憶
させた画像とを比較する画像認識からずれの測定を行い
、プローブカードの回転を測定し、回転機構９１により
回転の補正を行うようにしてもよい。また、スクライブ
ラインの中心線もオペレータが中点をＣＣＤカメラのク
ロスを一致させ、この点から記憶させるようにしたが、
同様に画像認識手段により予め記憶させた画像との一致
、不一致から演算により求めるようにして、オペレータ
の操作を省き、完全に自動化を行うようにしてもよい。
置の一実施例であって、この実施例ではオペレータがダ
ミーウェハに付した実際の針跡にＣＣＤカメラのクロス
を合わせることにより予想される針跡とのずれをＣＰＵ
に記憶させたがＣＣＤカメラで撮像した画像と予め記憶
させた画像とを比較する画像認識からずれの測定を行い
、プローブカードの回転を測定し、回転機構９１により
回転の補正を行うようにしてもよい。また、スクライブ
ラインの中心線もオペレータが中点をＣＣＤカメラのク
ロスを一致させ、この点から記憶させるようにしたが、
同様に画像認識手段により予め記憶させた画像との一致
、不一致から演算により求めるようにして、オペレータ
の操作を省き、完全に自動化を行うようにしてもよい。
以上の説明はスクライブラインの交点を求め、予め入力
されていた交点から基準電極までの距離で基準電極の位
置を求めたが、スクライブラインからＩＣチップの角の
位置を認識して、そこから基準電極の位置がわかるよう
にしてもよい。
されていた交点から基準電極までの距離で基準電極の位
置を求めたが、スクライブラインからＩＣチップの角の
位置を認識して、そこから基準電極の位置がわかるよう
にしてもよい。
尚、検査が行われている半導体ウェハとは異なる品種を
検査する場合でも、自動的にプローブカードの収納部か
ら異なるプローブカードを取り出し、プローブカードの
交換を行い、その後もダミーウェハを搬送してプローブ
針を接触させ針跡を付し、針跡からプローブカードの回
転を測定し、自動的にプローブカードをマイナス回転さ
せθ回転方向の補正を行ない、その後スクライブライン
を検出し画像認識からスクライブラインの交点を求める
ことにより、予め入力されているスクライブライン交点
と基準電極位置から自動的にアライメントを行なうこと
ができる。従って他品種の検査も全自動で実施すること
ができる。
検査する場合でも、自動的にプローブカードの収納部か
ら異なるプローブカードを取り出し、プローブカードの
交換を行い、その後もダミーウェハを搬送してプローブ
針を接触させ針跡を付し、針跡からプローブカードの回
転を測定し、自動的にプローブカードをマイナス回転さ
せθ回転方向の補正を行ない、その後スクライブライン
を検出し画像認識からスクライブラインの交点を求める
ことにより、予め入力されているスクライブライン交点
と基準電極位置から自動的にアライメントを行なうこと
ができる。従って他品種の検査も全自動で実施すること
ができる。
また、本発明は半導体ウェハのプローバに限定されるも
のでなく、液晶基板やプリント基板等にも適用できる。
のでなく、液晶基板やプリント基板等にも適用できる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明のプローバの
アライメント装置によれば、スクライブラインを認識す
る手段を設け、スクライブラインから基準電極の位置を
目動的にわかるようにしたため、オペレータが多数ある
電極のうちから基準電極の選択を誤ることなく確実に、
簡単に、しかも短時間にアライメントを行うことができ
る。
アライメント装置によれば、スクライブラインを認識す
る手段を設け、スクライブラインから基準電極の位置を
目動的にわかるようにしたため、オペレータが多数ある
電極のうちから基準電極の選択を誤ることなく確実に、
簡単に、しかも短時間にアライメントを行うことができ
る。
第１図は本発明プローバのアライメント装置に係わる一
実施例の構成図、第２図及び第３図は第１図に示す−・
実施例の要部を示す図、第４図は第１図に示す装置で行
なわれるアライメント方法を示すフローチャート、第５
図、第６図は第４図に示すアライメントの方法を説明す
る図、第７図は従来例及び本発明の半導体ウェハを示す
図である。 １・・・・・・半導体ウェハ ２・・・・・・スクライブライン ３・・・・・・ＩＣチップ ４・・・・・・プローバ ８・・・・・・プローブ針（触子） １５・・・・・・・ＣＣＤカメラ（アライメント装置）
１８・・・・・・・電極 １８ａ・・・・・基準電極 Ｃ・・・・・・・・・交点
実施例の構成図、第２図及び第３図は第１図に示す−・
実施例の要部を示す図、第４図は第１図に示す装置で行
なわれるアライメント方法を示すフローチャート、第５
図、第６図は第４図に示すアライメントの方法を説明す
る図、第７図は従来例及び本発明の半導体ウェハを示す
図である。 １・・・・・・半導体ウェハ ２・・・・・・スクライブライン ３・・・・・・ＩＣチップ ４・・・・・・プローバ ８・・・・・・プローブ針（触子） １５・・・・・・・ＣＣＤカメラ（アライメント装置）
１８・・・・・・・電極 １８ａ・・・・・基準電極 Ｃ・・・・・・・・・交点
Claims (1)
- 半導体ウェハ上にスクライブラインを介して形成され
た複数のＩＣチップの電極と、触子とを接触させてプロ
ーブを行うプローバのアライメント装置において、前記
スクライブラインの交点を認識する手段と、前記交点か
ら予め定められた位置にある前記ＩＣチップの基準電極
を認識する手段と、前記電極と前記触子の位置合せ手段
とを備えたことを特徴とするプローバのアライメント装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123396A JP2928331B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | プローバのアライメント装置及び方法 |
| US07/693,536 US5274575A (en) | 1990-05-14 | 1991-04-30 | Method of probing test |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123396A JP2928331B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | プローバのアライメント装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423341A true JPH0423341A (ja) | 1992-01-27 |
| JP2928331B2 JP2928331B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=14859529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123396A Expired - Lifetime JP2928331B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | プローバのアライメント装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274575A (ja) |
| JP (1) | JP2928331B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6321094B1 (en) | 1997-01-31 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Access method through radio mobile communication system |
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| KR102721980B1 (ko) | 2022-02-24 | 2024-10-25 | 삼성전자주식회사 | 기판 정렬 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법 |
| CN114864750A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-08-05 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 电池片切片方法、电池片切片系统、存储介质及计算机 |
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-
1990
- 1990-05-14 JP JP2123396A patent/JP2928331B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-30 US US07/693,536 patent/US5274575A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2928331B2 (ja) | 1999-08-03 |
| US5274575A (en) | 1993-12-28 |
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