JPH04234121A - 集積回路デバイスの製造方法 - Google Patents

集積回路デバイスの製造方法

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JPH04234121A
JPH04234121A JP3265519A JP26551991A JPH04234121A JP H04234121 A JPH04234121 A JP H04234121A JP 3265519 A JP3265519 A JP 3265519A JP 26551991 A JP26551991 A JP 26551991A JP H04234121 A JPH04234121 A JP H04234121A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は二酸化ケイ素を堆積する
方法と装置に係り、特に比較的高いアスペクト比を有す
る集積回路の導体上に二酸化ケイ素を堆積する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】回路密度の増加に伴い、構造体のアスペ
クト比として知られる、隣接する導体の高さとそれらの
間隔寸法の比もまた増加する。堆積した二酸化ケイ素の
厚みが隣接する導体間の間隔寸法の半分を越える場合、
隣接する導体の隣接垂直壁上に堆積した二酸化ケイ素同
士は当接し易くなり、この当接部分は、堆積した二酸化
ケイ素中の切れ目となる。特に、垂直側壁の上部の角部
における堆積量が、垂直側壁の残部における堆積量を少
しでも越えた場合には、上部の角部に堆積した二酸化ケ
イ素同士が最初に当接するため、隣接する導体間に堆積
した二酸化ケイ素間にボイドが形成されてしまう。この
問題はアスペクト比が増加するに従い深刻化する。
【０００３】この問題の解決法の一つに、例えば、次の
文献に記載されているような、電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）を用いる方法がある。“サブミクロン相互接
続に対するバイアシングと電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ堆積によるＳｉＯ２　プレーナ化法”、カツユキ　
　マチダら、ジャーナル・オブ・バキューム・サイエン
ス・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｖａｃ
ｕｕｍ　　Ｓｃｉｅｎｃｅ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）
Ｂ４（４）１９８６年７月／８月、８１８〜８２１頁参
照。
【０００４】この方法では、堆積チャンバに接続された
チャンバにおいて、一定のマイクロ波周波と磁場を組合
せ、イオンのサイクロトロン共鳴をセットアップするこ
とにより、この共鳴を堆積チャンバに伝え、二酸化ケイ
素を堆積させる。堆積チャンバにおいてウェーハｒｆバ
イアスを加えて二酸化ケイ素をスパッタエッチングさせ
ることにより、基板上で異なる角度に堆積させ、それに
より、垂直壁のマージによって形成されボイドの問題を
軽減する。
【０００５】しかしながら、この方法には次のような問
題点がある。すなわち、新しい装置を設計する必要があ
る上、チップ製造に必要な超クリーン性の水準を保持す
るのがさらに困難であり、さらに、マイクロ波と分離Ｅ
ＣＲチャンバが必要となる分だけ構成が複雑化し、製造
用装置のコストを増大する。
【０００６】これに対し、二酸化ケイ素の堆積と同時に
スパッタリングを行う別の方法が次の論文に記載されて
いる。題名“プラズマ増強化学蒸着法による側壁テーパ
ードオキサイド”、ジー・シー・スミス（Ｇ．Ｃ．Ｓｍ
ｉｔｈ）ら、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・
ソサイティ：ソリッド・ステート・サイエンス・アンド
・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ：Ｓｏｌｉｄ−
Ｓｔａｔｅ　　Ｓｃｉｅｎｃｅ　　ａｎｄ　　Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ）第１３２巻、１１号、１９８５年１１月
、２７２１〜２７２５頁参照。
【０００７】この方法を採用した場合には、堆積した二
酸化ケイ素に、（マージによってボイドが形成される）
垂直側壁ではなく、Ｖ形側壁が形成される。この方法の
問題点は、比較的高いアスペクト比を有する導体パター
ン上に、二酸化ケイ素の有用な層を形成するのに比較的
長時間を要することである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な従来技術の課題を解決するために提案されたものであ
り、すなわち、その目的は、高いアスペクト比を有する
導体パターン上に、信頼性の高い二酸化ケイ素の層を形
成可能であり、大量生産及びクリーン要求に適合し、且
つ製造コストを大きく増大することのない、優れた集積
回路デバイスの製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、１つの
チャンバでウェーハをスパッタエッチングし、それを次
に他のチャンバに移して二酸化ケイ素の堆積をするため
の市販の装置を利用して実施することができる。本発明
に従う実質的な改良により、このような装置を好都合に
用いて、高いアスペクト比を有する導体上に、二酸化ケ
イ素を堆積することができる。本発明では、まず、改良
したスパッタエッチングチャンバにおいて、二酸化ケイ
素の層を堆積するためのｒｆプラズマを形成する。
【００１０】そして、ｒｆ場をほぼ横断する方向に、ウ
ェーハ及びプラズマ全体に広がる磁場を形成する。スパ
ッタエッチングと堆積が同時に起こり、これによって、
第１のレベルの導体の角部上への堆積が大きく妨げられ
、その結果、隣接する導体間に堆積した二酸化ケイ素に
、ほぼＶ形の表面が形成される。このステップによって
、全堆積層を形成することもできるが、好ましくは、基
板を取出して通常の堆積チャンバに移し、通常の堆積を
行う。
【００１１】この場合には、二酸化ケイ素のほぼ同形の
第２の層が、先に堆積した層上に形成される。ただし、
この第２の二酸化ケイ素の層は、第１の二酸化ケイ素の
層と同じほぼＶ形の表面を有するため、ボイドや他の切
れ目などの問題を生じることはない。その後、表面をプ
レーナ化し、第２のレベルの導体を堆積させる。
【００１２】以上概説した本発明の方法により、信頼性
の高い二酸化ケイ素の絶縁層を形成することができる。 この方法は、大量生産に適合し、当業者によって容易に
実行可能である。なお、本発明の方法において使用する
装置は、通常は、市販の装置であり、最近のクリーン性
の水準を満足するように設計されたものであるため、ク
リーン性についての問題を生じることはない。さらに、
詳細な説明から明らかなように、二酸化ケイ素の誘電層
を形成するのに用いられる装置もしくは方法において、
追加コストの必要はほとんどない。以下には、添付図面
に示す実施例によって、本発明の目的、特徴及び利点を
より具体的に説明する。
【００１３】
【実施例】図１は、基板１２上に二酸化ケイ素層１１を
堆積する従来技術の方法を説明する略図で、本発明の問
題に関するものである。導体１３は、基板１２の表面上
に配置されており、これは例えば、集積回路の第１の導
体レベルを構成する。導体のアスペクト比は次のように
定義される。すなわち、それは導体の垂直側壁１４の高
さの、隣接する導体の隣接する垂直側壁の間隔寸法に対
する比である。
【００１４】従来の同形状の堆積では、アスペクト比が
高い場合、隣接する垂直側壁上の二酸化ケイ素は同時に
成長する。堆積した二酸化ケイ素層の角部同士は最初に
当接し易く、堆積した酸化物層にボイド１５を形成して
しまう。ボイドが形成されない場合でも、切れ目１６が
形成され、これは二酸化ケイ素層のエッチング特性と絶
縁特性に悪影響を及ぼす。アスペクト比が増加するに従
い、一般的に、同形の二酸化ケイ素の堆積に伴う問題は
深刻化する。
【００１５】図２は、本発明に従う２つのステップによ
って形成した二酸化ケイ素層を示す。まず、第１の二酸
化ケイ素層１８が形成され、これは一般に図示のように
、隣接する導体１３間にＶ形表面４５を有する。次に、
図３に示すように、第２の二酸化ケイ素層１９が第１の
二酸化ケイ素層１８上に形成される。この第２の二酸化
ケイ素層１９は第１の二酸化ケイ素層１８とほぼ同形で
あり、従って、図示のように、その表面は連続的なＶ形
表面５９を有する。図４は、その表面に導体２０を形成
できるようにプレーナ化された二酸化ケイ素層を示し、
この層の上に、集積回路デバイスの第２の導体レベルが
構成される。
【００１６】本発明の方法の重要な特徴は、市販の化学
蒸着法（ＣＶＤ）の装置を用いて実施できることである
。具体的には、図５は、アプライドマテリアル社（カリ
フォルニア、サンタクララ）から市販の“プレシジョン
（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ）５０００システム”として知ら
れる装置の略図であり、この装置は、本発明の実施に用
いることができる。
【００１７】このシステムには、分離チャンバ２２〜２
５があり、これらは中央のトランスファーチャンバ２７
により相互に接続されている。ウェーハはロードロック
チャンバ２６内に導入され、トランスファーチャンバ２
７内に設けられたロボットアームにより各種のチャンバ
の間で転送される。これらの個々のチャンバは、半導体
ウェーハに各種の処理を行うために用いられるが、各チ
ャンバ内では高水準のクリーン性が保持されており、ま
た、１つのチャンバから他のチャンバへの相互汚染を回
避できるように設計されている。分離チャンバを用いて
層１８、１９（図３の）を堆積することにより、パラメ
タを最適化して可能な最高の堆積速度を得ることができ
る。換言すれば、全プロセスに必要な全時間を可能な限
り短縮することができる。
【００１８】図６は、図２の第１の二酸化ケイ素層１８
を堆積するのに用いる図５のチャンバ２２の略断面図で
ある。ウェーハ３０は電極３１上に載置される。この電
極３１は、マッチングネットワーク３２を介して無線周
波ソース（ＲＦソース）３３に接続される。
【００１９】ウェーハ３０に対向して接地電極３５が配
置され、電極３１、３５の間に、ｒｆプラズマを形成す
るためのガスのソースが構成される。接地電極３５は中
空で複数の開口部を有しており、この開口部によって矢
印に示すような注入ガスの流れが形成される。ガスはア
ルゴンソース３６、窒素酸化物ソース３７及びシランソ
ース３８からそれぞれ供給される。適当なバルブ及び移
送ラインにより、これらのガス混合物が電極３１、３５
の間の領域に送られる。
【００２０】図７に示すように、チャンバ２２の周囲の
四方には、４つのコイル４０〜４３が配置される。“プ
レシジョン５０００システム”の１部としてのチャンバ
２２の使用目的は、ウェーハ上に材料を堆積することよ
りむしろ、ウェーハから材料をスパッタエッチングする
ことにある。この目的のために、コイルはウェーハ３０
の表面にほぼ平行してウェーハ全体に広がる磁場を形成
し、ウェーハ表面の衝突イオン密度を増加させることに
より、スパッタエッチングを促進する。
【００２１】コイル４２、４３は相互に接続され、これ
らを通る電流が最大のときに、図６と図７に示すような
磁場Ｂ１　を形成する。同様に、相互接続されたコイル
４０、４１は、電流が最大のときに、磁場Ｂ２　を形成
する。コイルに低い交流周波数で電流を送り、コイル４
２、４３を流れる電流の位相をコイル４０、４１を流れ
る電流の位相から９０°だけずらすことにより、均一な
強度Ｂの磁場を形成し、この磁場を、ウェーハ３０の表
面に平行な面で回転させる。
【００２２】好ましくは、次のような一定の磁場条件を
維持するように、コイルを通る電流を変化させる。すな
わち、磁場Ｂに、一定の総合的な強度を維持させると共
に、たとえ、毎秒１００回転させることができるとして
も、２秒毎に１回転の度数で回転させるように、コイル
を通る電流を変化させる。
【００２３】堆積に先立って、アルゴンをシステム内に
導入し、ウェーハ３０を加熱するためにｒｆパワーを加
える。その後、ソース３７、３８からのガスを導入する
。窒素酸化物（Ｎ２　Ｏ）は酸素ソースを、シラン（Ｓ
ｉＨ４　）はケイ素ソースを構成し、これらは反応して
、ＰＥＣＶＤの原理により、ウェーハの表面に二酸化ケ
イ素を堆積する。後述するように、これらのガスは、ウ
ェーハ３０の表面からのスパッタリングを促進し、且つ
、ウェーハ３０上に二酸化ケイ素の堆積用のソースを構
成するように選択される。
【００２４】ウェーハ３０は電極３１上に支持されるが
、この電極３１はｒｆ駆動され、その面積は電極３５よ
り小さい。チャンバ２２内の全圧力は低く、二酸化ケイ
素の堆積速度は比較的遅い。磁場と共に、これらのパラ
メタの選択により、スパッタリングを促進することがで
きる。
【００２５】図２に示すように、連続する導体１３の間
にほぼＶ形の表面４５を有する二酸化ケイ素層１８の堆
積は、図６と図７の装置において実現することができる
。なぜなら、この装置によれば、スパッタリングを、導
体１３の角部に主として生じさせることができるため、
堆積の厚みが角部で最低となるからである。実際には、
導体１３の角部の堆積量を最小にするように、スパッタ
リングによる除去速度と堆積速度とのバランスを取る。 例えば、毎分３００オングストロームのスパッタリング
速度と毎分１０００オングストロームの二酸化ケイ素の
堆積速度を与えるようなパラメタを用いた場合には、毎
分７００オングストロームの堆積速度が得られ、図２に
示すようなＶ形表面４５を与える。磁場Ｂの回転によっ
て堆積の均一性を促進することができる。
【００２６】図５に示すように、チャンバ２２における
二酸化ケイ素の堆積の終了後に、ウェーハはトランスフ
ァーチャンバ２７に移され、次に、チャンバ２３に移さ
れる。このチャンバ２３は図８に示される。チャンバ２
３においては、下部の電極４９ではなく、上部の電極４
７がｒｆソース４８により駆動される（簡略化のためマ
ッチングネットワークは図示せず）。ウェーハ３０は接
地電極４９上に配置される。
【００２７】前述したチャンバ２２と同様に、ガスは電
極４７を通してウェーハ３０に送られるが、ガス組成に
ついては異なるガス組成が用いられる。二酸化ケイ素の
ケイ素成分は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）の加
熱された液体ソース５１から供給されるガスによって得
られる。一般的には、ＴＥＯＳは液体として市販されて
おり、液体ＴＥＯＳを通して、ソース５２からのヘリウ
ムをバブリングさせ、模式的に示すようなＴＥＯＳ容器
から気化分子を取り出すことにより、気体として得られ
る。また、ソース５３からの純酸素ガスはプラズマ雰囲
気に含まれる。各種の周知のバルブや計量装置は、簡略
化のため図示されていない。
【００２８】下部の電極４９は複数のランプ５５により
加熱される。ランプ５５は電極４９の酸化アルミニウム
層５７上に当たるように石英ウィンドウ５６を通して光
を送る。この光によって、ウェーハを、その表面に有す
る金属導体の融点未満の温度まで加熱する。
【００２９】チャンバ２３においては、プラズマ雰囲気
のガス組成及び各種の他のパラメタは、二酸化ケイ素の
堆積速度を最大にするように選択される。図３に示すよ
うに、本方法によって、同形のコーティング（第２の二
酸化ケイ素層）１９を形成することができる。すなわち
、この第２の二酸化ケイ素層１９は、図２に示す第１の
二酸化ケイ素層１８のＶ形表面４５にほぼ対応するＶ形
表面５９を有する。二酸化ケイ素は、すべての表面上で
ほぼ等しい速度で堆積するので、図１で説明したような
、隣接する側壁が結合する結果ボイドが形成される問題
は生じ難い。
【００３０】第２の二酸化ケイ素層１９の表面は、次に
周知の方法でプレーナ化され、図４に示すような二酸化
ケイ素層１９が得られる。これによって、二酸化ケイ素
層１９の上に、第２のレベルの導体２０を堆積すること
ができる。別の方法として、導体の表面を研削操作の“
ストップ”として用いて、二酸化ケイ素層１９を、導体
１３の表面レベルに等しい水平レベルにまで研削するこ
ともできる。この場合には、続いて、図６のチャンバ２
２において、別の二酸化ケイ素層を堆積させることによ
り、平坦な表面を有する二酸化ケイ素層を得ることがで
きる。さらに別の選択的な方法として、エッチングによ
り、堆積した層１９の表面をプレーナ化することもでき
る。
【００３１】図２に示すように、本発明の要点は、一般
的には、図示のようなＶ形表面４５を有する第１の二酸
化ケイ素層１８を堆積することにある。すなわち、本発
明においては、垂直側壁の成長を防止するために、連続
する導体間にＶ形表面を有するように二酸化ケイ素層１
８を堆積する。さらに、このような形状の堆積層を完成
するためには、スパッタリングによる材料の除去とＰＥ
ＣＶＤによる二酸化ケイ素の堆積との間のバランスが必
要である。
【００３２】下記の表１は、アスペクト比１．７までの
導体をカバーするために、チャンバ２２、２３に使用さ
れたパラメタを示す。この表はまた、二酸化ケイ素の堆
積速度を増大させるためにチャンバ２３で用いられたパ
ラメタも示す。
【表１】
【００３３】表１から、チャンバ２２における二酸化ケ
イ素堆積条件は、チャンバ２３における条件と比較して
みると、根本的に異なっていることがわかる。表１にお
いて、Ａはオングストローム、ｓｃｃｍは分当りの標準
状態での立方センチメートルを表す。多くの実験から、
チャンバ２２内での所望の堆積目的は、スパッタリング
速度を最大にすることで達成されることがわかっている
。その理由は、二酸化ケイ素が堆積する速度が、導体の
角部からスパッタされて除去される速度により制限され
るからである。
【００３４】全プロセスに要する時間は、チャンバ２２
内におけるスパッタリング速度と堆積速度の両者を増大
させることにより短縮できる。スパッタリング速度を最
大にするために、アルゴンを用いてウェーハの表面上の
衝突イオンの量を増加させる。チャンバ２２においては
、チャンバ２３の圧力（約１ないし２０トル）より、か
なり低い圧力（約１ないし１００ミリトル）が用いられ
る。
【００３５】チャンバ２２の電極３１は電極３５より小
さく形成され、ｒｆソース３３により駆動されるが、そ
の目的は、ウェーハ表面上のイオン衝撃のエネルギーを
最大にすることである。磁場はスパッタリング速度を大
きく増大させ、従って、チャンバ２２の効率を大きく向
上する。使用したシステムで得ることのできた最高の磁
場は、１３０ガウスであった。全プロセスをスピードア
ップするためには、この値を大きく増加しなければなら
ない。
【００３６】ケイ素ソースとしてのシラン及び酸素ソー
スとしてのＮ２　０によって、さらにスパッタリング成
分を増加させることができる。チャンバ２２における高
いｒｆパワー（少なくとも１００ワットを越えるパワー
）はスパッタリングを最大にするのに有効であり、事実
、ｒｆパワーと磁場は、スパッタリング成分を増加させ
るための２つの最重要のパラメタである。勿論、ＴＥＯ
Ｓ、Ｏ２　及び他の別のガスをチャンバ２２で用いるこ
とができる。
【００３７】しかし高品位フィルムに対するプロセスウ
ィンドウは、チャンバ２２内におけるこれらのガスを使
用した場合にはより狭くなる。チャンバ２３において、
堆積速度を最大にしたい場合、ＴＥＯＳとＯ２　は適切
な選択である。チャンバ２２におけるスパッタリング速
度を最大にすることにより、図２の構成を形成するのに
要する時間を最小とすることができる。
【００３８】前記実施例では、チャンバ２３における堆
積速度は毎秒１２５オングストロームで、チャンバ２２
では速度は毎分７００オングストロームにすぎない。チ
ャンバ２３では、スパッタリング成分の必要がないため
、ウェーハ３０を支持する電極４９を電極４７より小さ
くすることが容易であり、電極の間隔は２００ミルのみ
である。
【００３９】なお、前記実施例で用いた“プレシジョン
５０００システム”では、チャンバ２２の電極３１を囲
む１対の石英リングとグラファイトリングは除去された
。他のマイナーな構造変更も行われたが、基本的には高
いスループットで半導体ウェーハを処理するための市販
のシステムが十分に活用された。電極３１の直径はウェ
ーハ３０の直径にほぼ等しくなるように調節された（６
インチ）。これらの変更は、ウェーハの表面全体のプラ
ズマ分布をできるだけ均一にするために行われた。 また、前述のように、高い回転磁場を与えるためには代
用コイルが使用されねばならない。
【００４０】なお、前記の各種パラメタは、１つの実施
例について、スパッタリングと堆積とのバランスを取る
のに最適の選択を単に説明したに過ぎない。他の各種の
ガスも使用できるが、その場合には、それに応じてパラ
メタを調節しなければならない。単一のチャンバのみを
用いて両堆積を行うこともできるが、この場合には装置
構造におけるさらなる妥協が要求される。不均一な堆積
と密度を許容できる場合には磁場の回転は必須ではない
。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明により、高い
アスペクト比を有する導体パターン上に、ボイドや切れ
目のない、信頼性の高い二酸化ケイ素層を形成可能であ
り、大量生産及びクリーン要求に適合し、且つ、製造コ
ストを大きく増大することのない、優れた集積回路デバ
イスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術により金属導体上に堆積された二酸化
ケイ素を示す略図である。
【図２】本発明の実施例による二酸化ケイ素の誘電層形
成の連続ステップを説明する略図である。
【図３】本発明の実施例による二酸化ケイ素の誘電層形
成の連続ステップを説明する略図である。
【図４】本発明の実施例による二酸化ケイ素の誘電層形
成の連続ステップを説明する略図である。
【図５】本発明に使用できるように改良可能な、市販の
装置の一例を示す略図である。
【図６】図５に示す装置における改良された反応器チャ
ンバの一例を示す略図である。
【図７】図６の７−７線における横断面図である。
【図８】図５に示す装置における他の反応器チャンバを
示す略図である。
【符号の説明】
１１　　二酸化ケイ素層 １２　　基板 １３　　導体 １４　　側壁 １５　　ボイド １６　　切れ目 １８　　第１の二酸化ケイ素層 １９　　第２の二酸化ケイ素層 ２０　　導体 ２２　　チャンバ ２３　　チャンバ ２４　　チャンバ ２５　　チャンバ ２６　　ロードロックチャンバ ２７　　移動チャンバ ３０　　ウェーハ ３１　　電極 ３２　　マッチングネットワーク ３３　　無線周波ソース（ＲＦソース）３５　　接地電
極 ３６　　アルゴンソース ３７　　窒素酸化物ソース ３８　　シランソース ４０　　コイル ４１　　コイル ４２　　コイル ４３　　コイル ４５　　Ｖ形表面 ４７　　電極 ４８　　ｒｆソース ４９　　接地電極 ５１　　テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）ソース（液
）５２　　ヘリウムソース ５３　　酸素ソース ５５　　ランプ ５６　　（石英）ウィンドウ ５７　　酸化アルミニウム層 ５９　　Ｖ形表面

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ケイ素成分と酸素成分を含む雰囲気中
    でｒｆプラズマに基板表面をさらすことにより基板表面
    上に二酸化ケイ素の第１の層を堆積させるステップを有
    する集積回路デバイスの製造方法において、前記基板の
    表面と実質的に平行な方向で、基板全体と基板表面に接
    触するプラズマ全体とに広がる磁場を形成するステップ
    を有し、前記雰囲気は、基板表面からの良好なスパッタ
    リングを引き起こすのに十分な量の不活性ガスを含み、
    さらに、前記ｒｆプラズマは、前記雰囲気に１００ワッ
    トを越えるｒｆパワーを与えることにより形成されるこ
    とを特徴とする集積回路デバイスの製造方法。
  2. 【請求項２】　　堆積ステップ中において、磁場は、基
    板表面と実質的に平行な平面で回転させられることを特
    徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】　　基板は、ほぼ平らな外形を有し、且つ
    、そのｒｆプラズマにさらす表面が、基板の比較的大き
    い面積の表面であり、この表面が実質的に水平面に配置
    されるように支えられ、さらに、その基板表面は、隣接
    する垂直壁部分を有し、比較的狭い間隔で配置された複
    数の導体エレメントを有することを特徴とする請求項２
    に記載の方法。
  4. 【請求項４】　　磁場は、基板表面において約１００ガ
    ウスを越える値を有し、それにより、この電磁場が主と
    して導体エレメントのｒｆプラズマにさらされた角部で
    スパッタリング現象を引き起こすことを特徴とする請求
    項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】　　磁場は、毎秒約０．５回転ないし１０
    ０回転の範囲で回転する実質的に一定値の磁場ベクトル
    によって形成されることを特徴とする請求項４に記載の
    方法。
  6. 【請求項６】　　二酸化ケイ素の第２の層は、ケイ素成
    分と酸素成分を有する磁場のない雰囲気中で、ｒｆプラ
    ズマに基板表面をさらすことにより第１の層上に堆積さ
    せられることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】　　第１の層の形成中には、基板はｒｆ励
    起電極上に支持され、第２の層の形成中には、基板は接
    地電極上に支持されることを特徴とする請求項６に記載
    の方法。
  8. 【請求項８】　　第１の層の形成中には、雰囲気は不活
    性ガス成分を含有し、第２の層の形成中には、雰囲気は
    実質的に不活性ガス成分を含有せず、且つ、これらの雰
    囲気の全ガス圧を比べた場合、第２の層の形成中の全ガ
    ス圧は、第１の層の形成中の全ガス圧よりもはるかに高
    いことを特徴とする請求項６に記載の方法。
  9. 【請求項９】　　第１の層の形成中には、雰囲気中のケ
    イ素成分はシランを含有し、且つ、酸素成分は窒素酸化
    物を含有し、そして、第２の層の形成中には、ケイ素成
    分はテトラエトキシシランを含有し、且つ、酸素成分は
    純酸素を含有することを特徴とする請求項６に記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】　　集積回路デバイスの製造方法におい
    て、半導体基板上に、第１の導体パターンを、このパタ
    ーンのコンポーネント導体の横断面領域の各々が２つの
    上部角部を有するように形成するステップと、第１の電
    極と第２の電極を有する第１のチャンバの第１の電極上
    に基板を配置するステップと、第１のチャンバ内に不活
    性ガス及びケイ素成分と酸素成分を含有するガスを導入
    するステップと、基板の第１の表面上に第１の二酸化ケ
    イ素層を堆積させるステップであって、且つ、第１の電
    極と第２の電極の間に第１のｒｆ電場を形成するサブス
    テップを含むステップと、第１の二酸化ケイ素層の堆積
    中に、主としてコンポーネント導体の上部角部から一定
    の二酸化ケイ素のスパッタリングを引き起こすステップ
    であって、且つ、基板の第１の表面に沿って、ｒｆ場に
    実質的に垂直な磁場を形成するサブステップを含むステ
    ップと、第１のチャンバから基板を取り出して、第１の
    電極と第２の電極を有する第２のチャンバの第１の電極
    上にその基板を配置するステップと、第２のチャンバ内
    にケイ素成分と酸素成分を含有するガスを導入するステ
    ップと、第１の二酸化ケイ素層の上に第２の二酸化ケイ
    素層を堆積させるステップであって、且つ、第２のチャ
    ンバの第１の電極と第２の電極の間に第２のｒｆ電場を
    形成するサブステップを含み、さらに、その堆積は、磁
    場の不存在下で第１の二酸化ケイ素層の堆積よりも速い
    堆積速度で行われるステップを有することを特徴とする
    集積回路デバイスの製造方法。
  11. 【請求項１１】　　堆積した第２の二酸化ケイ素層の表
    面をプレーナ化するステップと、プレーナ化された第２
    の二酸化ケイ素層の表面上に第２の導体パターンを形成
    するステップを有することを特徴とする請求項１０に記
    載の方法。
  12. 【請求項１２】　　第１のチャンバと第２のチャンバの
    両者におけるｒｆエネルギーの周波数は、約５００メガ
    ヘルツ未満であることを特徴とする請求項１１に記載の
    方法。
  13. 【請求項１３】　　第１のチャンバにおいて、第１の電
    極はｒｆエネルギーで励起され、且つ、第２の電極は接
    地され、そして、第２のチャンバにおいて、第２の電極
    はｒｆエネルギーで励起され、且つ、第１の電極は接地
    され、さらに両チャンバにおいて、ｒｆパワーは約１０
    ０ワットを越えるパワーであることを特徴とする請求項
    １２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】　　磁場は、約１００ガウスを越える値
    を有し、第１のチャンバにおける堆積中、磁場は、ｒｆ
    場に実質的に平行な軸の周りを回転してしかも実質的に
    一定強度を維持することを特徴とする請求項１３に記載
    の方法。
  15. 【請求項１５】　　第１の二酸化ケイ素層の堆積中、第
    １のチャンバの雰囲気は、アルゴン、シラン、及び窒素
    酸化物を含有し、第２の二酸化ケイ素層の堆積中、第２
    のチャンバの雰囲気は、ＴＥＯＳ及び酸素を含有し、且
    つ、アルゴンを含有しないことを特徴とする請求項１４
    に記載の方法。
  16. 【請求項１６】　　第１の二酸化ケイ素層の堆積中、第
    １のチャンバにおけるガス圧は、約１ミリトルないし１
    ００ミリトルであり、第２の二酸化ケイ素の堆積中、第
    ２のチャンバにおけるガス圧は、約１トルないし２０ト
    ルであり、第１のチャンバにおける第１の電極と第２の
    電極との間隔寸法は、第２のチャンバの第１の電極と第
    ２の電極との間隔寸法の約１０倍を越える大きさである
    ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】　　第１の導体パターンは、約１．０を
    越えるアスペクト比を有することを特徴とする請求項１
    ６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】　　集積回路デバイスの製造方法におい
    て、基板上に第１の導体パターンを形成するステップで
    あって、この導体パターンの少なくとも１部が露出角部
    を有する導体により形成され、且つ、隣接する導体が約
    １．０を越えるアスペクト比を有するように第１の導体
    パターンを形成するステップと、第１の導体パターン上
    に第１の二酸化ケイ素層を形成するステップとを有し、
    前記第１の二酸化ケイ素層はケイ素成分、第ＶＩＩＩ族
    ガス成分及び酸素成分を含有する第１のｒｆプラズマか
    らの堆積により形成され、第１のｒｆプラズマのｒｆパ
    ワーと他のパラメタは、第１の二酸化ケイ素層堆積中に
    、第１の導体パターンの導体の露出した角部から二酸化
    ケイ素の有効な優先的スパッタリングを引き起こし、そ
    れによって、導体パターンの隣接する導体間に実質的に
    Ｖ形の二酸化ケイ素表面が形成されるように選択され、
    さらに、第１の二酸化ケイ素層の上に、第２の二酸化ケ
    イ素層を形成するステップを有し、前記第２の二酸化ケ
    イ素層は、ケイ素成分と酸素成分を含有する第２のｒｆ
    プラズマから二酸化ケイ素を堆積することにより形成さ
    れ、第２のｒｆプラズマのｒｆパワーと他のパラメタは
    、第２の二酸化ケイ素層の堆積中に、二酸化ケイ素物質
    にほとんどスパッタリングを引き起こすことなく、それ
    によって、第２の二酸化ケイ素層の表面がほぼ第１の二
    酸化ケイ素層の表面と同形状となるように選択されるこ
    とを特徴とする集積回路デバイスの製造方法。
  19. 【請求項１９】　　第１の二酸化ケイ素層の形成中に、
    磁場が、第１のｒｆプラズマ全体と基板全体に広がるよ
    うに形成されることを特徴とする請求項１８に記載の方
    法。
  20. 【請求項２０】　　第１の二酸化ケイ素層の形成中に、
    基板は、第１の反応器内に配置されて、ｒｆ電極と接触
    させられ、且つ、第２の二酸化ケイ素層の形成中に、基
    板は、第２の反応器内に配置されて、接地電極と接触さ
    せられることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
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