JPH07101688B2 - 集積回路デバイスの製造方法 - Google Patents

集積回路デバイスの製造方法

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JPH07101688B2
JPH07101688B2 JP3265519A JP26551991A JPH07101688B2 JP H07101688 B2 JPH07101688 B2 JP H07101688B2 JP 3265519 A JP3265519 A JP 3265519A JP 26551991 A JP26551991 A JP 26551991A JP H07101688 B2 JPH07101688 B2 JP H07101688B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は二酸化ケイ素を堆積する
方法と装置に係り、特に比較的高いアスペクト比を有す
る集積回路の導体上に二酸化ケイ素を堆積する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】回路密度の増加に伴い、構造体のアスペ
クト比として知られる、隣接する導体の高さとそれらの
間隔寸法の比もまた増加する。堆積した二酸化ケイ素の
厚みが隣接する導体間の間隔寸法の半分を越える場合、
隣接する導体の隣接垂直壁上に堆積した二酸化ケイ素同
士は当接し易くなり、この当接部分は、堆積した二酸化
ケイ素中の切れ目となる。特に、垂直側壁の上部の角部
における堆積量が、垂直側壁の残部における堆積量を少
しでも越えた場合には、上部の角部に堆積した二酸化ケ
イ素同士が最初に当接するため、隣接する導体間に堆積
した二酸化ケイ素間にボイドが形成されてしまう。この
問題はアスペクト比が増加するに従い深刻化する。
【０００３】この問題の解決法の一つに、例えば、次の
文献に記載されているような、電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）を用いる方法がある。“サブミクロン相互接
続に対するバイアシングと電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ堆積によるＳｉＯ2 プレーナ化法”、カツユキ マ
チダら、ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・
テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ
Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ｂ４（４）１
９８６年７月／８月、８１８〜８２１頁参照。
【０００４】この方法では、堆積チャンバに接続された
チャンバにおいて、一定のマイクロ波周波と磁場を組合
せ、イオンのサイクロトロン共鳴をセットアップするこ
とにより、この共鳴を堆積チャンバに伝え、二酸化ケイ
素を堆積させる。堆積チャンバにおいてウェーハｒｆバ
イアスを加えて二酸化ケイ素をスパッタエッチングさせ
ることにより、基板上で異なる角度に堆積させ、それに
より、垂直壁のマージによって形成されボイドの問題を
軽減する。
【０００５】しかしながら、この方法には次のような問
題点がある。すなわち、新しい装置を設計する必要があ
る上、チップ製造に必要な超クリーン性の水準を保持す
るのがさらに困難であり、さらに、マイクロ波と分離Ｅ
ＣＲチャンバが必要となる分だけ構成が複雑化し、製造
用装置のコストを増大する。
【０００６】これに対し、二酸化ケイ素の堆積と同時に
スパッタリングを行う別の方法が次の論文に記載されて
いる。題名“プラズマ増強化学蒸着法による側壁テーパ
ードオキサイド”、ジー・シー・スミス（Ｇ．Ｃ．Ｓｍ
ｉｔｈ）ら、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・
ソサイティ：ソリッド・ステート・サイエンス・アンド
・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ：Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔ
ａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）第１３２巻、１１号、１９８５年１１月、２７２１
〜２７２５頁参照。
【０００７】この方法を採用した場合には、堆積した二
酸化ケイ素に、（マージによってボイドが形成される）
垂直側壁ではなく、Ｖ形側壁が形成される。この方法の
問題点は、比較的高いアスペクト比を有する導体パター
ン上に、二酸化ケイ素の有用な層を形成するのに比較的
長時間を要することである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な従来技術の課題を解決するために提案されたものであ
り、すなわち、その目的は、高いアスペクト比を有する
導体パターン上に、信頼性の高い二酸化ケイ素の層を形
成可能であり、大量生産及びクリーン要求に適合し、且
つ製造コストを大きく増大することのない、優れた集積
回路デバイスの製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、１つの
チャンバでウェーハをスパッタエッチングし、それを次
に他のチャンバに移して二酸化ケイ素の堆積をするため
の市販の装置を利用して実施することができる。本発明
に従う実質的な改良により、このような装置を好都合に
用いて、高いアスペクト比を有する導体上に、二酸化ケ
イ素を堆積することができる。本発明では、まず、改良
したスパッタエッチングチャンバにおいて、二酸化ケイ
素の層を堆積するためのｒｆプラズマを形成する。
【００１０】そして、ｒｆ場をほぼ横断する方向に、ウ
ェーハ及びプラズマ全体に広がる磁場を形成する。スパ
ッタエッチングと堆積が同時に起こり、これによって、
第１のレベルの導体の角部上への堆積が大きく妨げら
れ、その結果、隣接する導体間に堆積した二酸化ケイ素
に、ほぼＶ形の表面が形成される。このステップによっ
て、全堆積層を形成することもできるが、好ましくは、
基板を取出して通常の堆積チャンバに移し、通常の堆積
を行う。
【００１１】この場合には、二酸化ケイ素のほぼ同形の
第２の層が、先に堆積した層上に形成される。ただし、
この第２の二酸化ケイ素の層は、第１の二酸化ケイ素の
層と同じほぼＶ形の表面を有するため、ボイドや他の切
れ目などの問題を生じることはない。その後、表面をプ
レーナ化し、第２のレベルの導体を堆積させる。
【００１２】以上概説した本発明の方法により、信頼性
の高い二酸化ケイ素の絶縁層を形成することができる。
この方法は、大量生産に適合し、当業者によって容易に
実行可能である。なお、本発明の方法において使用する
装置は、通常は、市販の装置であり、最近のクリーン性
の水準を満足するように設計されたものであるため、ク
リーン性についての問題を生じることはない。さらに、
詳細な説明から明らかなように、二酸化ケイ素の誘電層
を形成するのに用いられる装置もしくは方法において、
追加コストの必要はほとんどない。以下には、添付図面
に示す実施例によって、本発明の目的、特徴及び利点を
より具体的に説明する。
【００１３】
【実施例】図１は、基板１２上に二酸化ケイ素層１１を
堆積する従来技術の方法を説明する略図で、本発明の問
題に関するものである。導体１３は、基板１２の表面上
に配置されており、これは例えば、集積回路の第１の導
体レベルを構成する。導体のアスペクト比は次のように
定義される。すなわち、それは導体の垂直側壁１４の高
さの、隣接する導体の隣接する垂直側壁の間隔寸法に対
する比である。
【００１４】従来の同形状の堆積では、アスペクト比が
高い場合、隣接する垂直側壁上の二酸化ケイ素は同時に
成長する。堆積した二酸化ケイ素層の角部同士は最初に
当接し易く、堆積した酸化物層にボイド１５を形成して
しまう。ボイドが形成されない場合でも、切れ目１６が
形成され、これは二酸化ケイ素層のエッチング特性と絶
縁特性に悪影響を及ぼす。アスペクト比が増加するに従
い、一般的に、同形の二酸化ケイ素の堆積に伴う問題は
深刻化する。
【００１５】図２は、本発明に従う２つのステップによ
って形成した二酸化ケイ素層を示す。まず、第１の二酸
化ケイ素層１８が形成され、これは一般に図示のよう
に、隣接する導体１３間にＶ形表面４５を有する。次
に、図３に示すように、第２の二酸化ケイ素層１９が第
１の二酸化ケイ素層１８上に形成される。この第２の二
酸化ケイ素層１９は第１の二酸化ケイ素層１８とほぼ同
形であり、従って、図示のように、その表面は連続的な
Ｖ形表面５９を有する。図４は、その表面に導体２０を
形成できるようにプレーナ化された二酸化ケイ素層を示
し、この層の上に、集積回路デバイスの第２の導体レベ
ルが構成される。
【００１６】本発明の方法の重要な特徴は、市販の化学
蒸着法（ＣＶＤ）の装置を用いて実施できることであ
る。具体的には、図５は、アプライドマテリアル社（カ
リフォルニア、サンタクララ）から市販の“プレシジョ
ン（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ）５０００システム”として知
られる装置の略図であり、この装置は、本発明の実施に
用いることができる。
【００１７】このシステムには、分離チャンバ２２〜２
５があり、これらは中央のトランスファーチャンバ２７
により相互に接続されている。ウェーハはロードロック
チャンバ２６内に導入され、トランスファーチャンバ２
７内に設けられたロボットアームにより各種のチャンバ
の間で転送される。これらの個々のチャンバは、半導体
ウェーハに各種の処理を行うために用いられるが、各チ
ャンバ内では高水準のクリーン性が保持されており、ま
た、１つのチャンバから他のチャンバへの相互汚染を回
避できるように設計されている。分離チャンバを用いて
層１８、１９（図３の）を堆積することにより、パラメ
タを最適化して可能な最高の堆積速度を得ることができ
る。換言すれば、全プロセスに必要な全時間を可能な限
り短縮することができる。
【００１８】図６は、図２の第１の二酸化ケイ素層１８
を堆積するのに用いる図５のチャンバ２２の略断面図で
ある。ウェーハ３０は電極３１上に載置される。この電
極３１は、マッチングネットワーク３２を介して無線周
波ソース（ＲＦソース）３３に接続される。
【００１９】ウェーハ３０に対向して接地電極３５が配
置され、電極３１、３５の間に、ｒｆプラズマを形成す
るためのガスのソースが構成される。接地電極３５は中
空で複数の開口部を有しており、この開口部によって矢
印に示すような注入ガスの流れが形成される。ガスはア
ルゴンソース３６、窒素酸化物ソース３７及びシランソ
ース３８からそれぞれ供給される。適当なバルブ及び移
送ラインにより、これらのガス混合物が電極３１、３５
の間の領域に送られる。
【００２０】図７に示すように、チャンバ２２の周囲の
四方には、４つのコイル４０〜４３が配置される。“プ
レシジョン５０００システム”の１部としてのチャンバ
２２の使用目的は、ウェーハ上に材料を堆積することよ
りむしろ、ウェーハから材料をスパッタエッチングする
ことにある。この目的のために、コイルはウェーハ３０
の表面にほぼ平行してウェーハ全体に広がる磁場を形成
し、ウェーハ表面の衝突イオン密度を増加させることに
より、スパッタエッチングを促進する。
【００２１】コイル４２、４３は相互に接続され、これ
らを通る電流が最大のときに、図６と図７に示すような
磁場Ｂ1 を形成する。同様に、相互接続されたコイル４
０、４１は、電流が最大のときに、磁場Ｂ2 を形成す
る。コイルに低い交流周波数で電流を送り、コイル４
２、４３を流れる電流の位相をコイル４０、４１を流れ
る電流の位相から９０°だけずらすことにより、均一な
強度Ｂの磁場を形成し、この磁場を、ウェーハ３０の表
面に平行な面で回転させる。
【００２２】好ましくは、次のような一定の磁場条件を
維持するように、コイルを通る電流を変化させる。すな
わち、磁場Ｂに、一定の総合的な強度を維持させると共
に、たとえ、毎秒１００回転させることができるとして
も、２秒毎に１回転の度数で回転させるように、コイル
を通る電流を変化させる。
【００２３】堆積に先立って、アルゴンをシステム内に
導入し、ウェーハ３０を加熱するためにｒｆパワーを加
える。その後、ソース３７、３８からのガスを導入す
る。窒素酸化物（Ｎ2 Ｏ）は酸素ソースを、シラン（Ｓ
ｉＨ4 ）はケイ素ソースを構成し、これらは反応して、
ＰＥＣＶＤの原理により、ウェーハの表面に二酸化ケイ
素を堆積する。後述するように、これらのガスは、ウェ
ーハ３０の表面からのスパッタリングを促進し、且つ、
ウェーハ３０上に二酸化ケイ素の堆積用のソースを構成
するように選択される。
【００２４】ウェーハ３０は電極３１上に支持される
が、この電極３１はｒｆ駆動され、その面積は電極３５
より小さい。チャンバ２２内の全圧力は低く、二酸化ケ
イ素の堆積速度は比較的遅い。磁場と共に、これらのパ
ラメタの選択により、スパッタリングを促進することが
できる。
【００２５】図２に示すように、連続する導体１３の間
にほぼＶ形の表面４５を有する二酸化ケイ素層１８の堆
積は、図６と図７の装置において実現することができ
る。なぜなら、この装置によれば、スパッタリングを、
導体１３の角部に主として生じさせることができるた
め、堆積の厚みが角部で最低となるからである。実際に
は、導体１３の角部の堆積量を最小にするように、スパ
ッタリングによる除去速度と堆積速度とのバランスを取
る。例えば、毎分３００オングストロームのスパッタリ
ング速度と毎分１０００オングストロームの二酸化ケイ
素の堆積速度を与えるようなパラメタを用いた場合に
は、毎分７００オングストロームの堆積速度が得られ、
図２に示すようなＶ形表面４５を与える。磁場Ｂの回転
によって堆積の均一性を促進することができる。
【００２６】図５に示すように、チャンバ２２における
二酸化ケイ素の堆積の終了後に、ウェーハはトランスフ
ァーチャンバ２７に移され、次に、チャンバ２３に移さ
れる。このチャンバ２３は図８に示される。チャンバ２
３においては、下部の電極４９ではなく、上部の電極４
７がｒｆソース４８により駆動される（簡略化のためマ
ッチングネットワークは図示せず）。ウェーハ３０は接
地電極４９上に配置される。
【００２７】前述したチャンバ２２と同様に、ガスは電
極４７を通してウェーハ３０に送られるが、ガス組成に
ついては異なるガス組成が用いられる。二酸化ケイ素の
ケイ素成分は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）の加
熱された液体ソース５１から供給されるガスによって得
られる。一般的には、ＴＥＯＳは液体として市販されて
おり、液体ＴＥＯＳを通して、ソース５２からのヘリウ
ムをバブリングさせ、模式的に示すようなＴＥＯＳ容器
から気化分子を取り出すことにより、気体として得られ
る。また、ソース５３からの純酸素ガスはプラズマ雰囲
気に含まれる。各種の周知のバルブや計量装置は、簡略
化のため図示されていない。
【００２８】下部の電極４９は複数のランプ５５により
加熱される。ランプ５５は電極４９の酸化アルミニウム
層５７上に当たるように石英ウィンドウ５６を通して光
を送る。この光によって、ウェーハを、その表面に有す
る金属導体の融点未満の温度まで加熱する。
【００２９】チャンバ２３においては、プラズマ雰囲気
のガス組成及び各種の他のパラメタは、二酸化ケイ素の
堆積速度を最大にするように選択される。図３に示すよ
うに、本方法によって、同形のコーティング（第２の二
酸化ケイ素層）１９を形成することができる。すなわ
ち、この第２の二酸化ケイ素層１９は、図２に示す第１
の二酸化ケイ素層１８のＶ形表面４５にほぼ対応するＶ
形表面５９を有する。二酸化ケイ素は、すべての表面上
でほぼ等しい速度で堆積するので、図１で説明したよう
な、隣接する側壁が結合する結果ボイドが形成される問
題は生じ難い。
【００３０】第２の二酸化ケイ素層１９の表面は、次に
周知の方法でプレーナ化され、図４に示すような二酸化
ケイ素層１９が得られる。これによって、二酸化ケイ素
層１９の上に、第２のレベルの導体２０を堆積すること
ができる。別の方法として、導体の表面を研削操作の
“ストップ”として用いて、二酸化ケイ素層１９を、導
体１３の表面レベルに等しい水平レベルにまで研削する
こともできる。この場合には、続いて、図６のチャンバ
２２において、別の二酸化ケイ素層を堆積させることに
より、平坦な表面を有する二酸化ケイ素層を得ることが
できる。さらに別の選択的な方法として、エッチングに
より、堆積した層１９の表面をプレーナ化することもで
きる。
【００３１】図２に示すように、本発明の要点は、一般
的には、図示のようなＶ形表面４５を有する第１の二酸
化ケイ素層１８を堆積することにある。すなわち、本発
明においては、垂直側壁の成長を防止するために、連続
する導体間にＶ形表面を有するように二酸化ケイ素層１
８を堆積する。さらに、このような形状の堆積層を完成
するためには、スパッタリングによる材料の除去とＰＥ
ＣＶＤによる二酸化ケイ素の堆積との間のバランスが必
要である。
【００３２】下記の表１は、アスペクト比１．７までの
導体をカバーするために、チャンバ２２、２３に使用さ
れたパラメタを示す。この表はまた、二酸化ケイ素の堆
積速度を増大させるためにチャンバ２３で用いられたパ
ラメタも示す。
【表１】
【００３３】表１から、チャンバ２２における二酸化ケ
イ素堆積条件は、チャンバ２３における条件と比較して
みると、根本的に異なっていることがわかる。表１にお
いて、Ａはオングストローム、ｓｃｃｍは分当りの標準
状態での立方センチメートルを表す。多くの実験から、
チャンバ２２内での所望の堆積目的は、スパッタリング
速度を最大にすることで達成されることがわかってい
る。その理由は、二酸化ケイ素が堆積する速度が、導体
の角部からスパッタされて除去される速度により制限さ
れるからである。
【００３４】全プロセスに要する時間は、チャンバ２２
内におけるスパッタリング速度と堆積速度の両者を増大
させることにより短縮できる。スパッタリング速度を最
大にするために、アルゴンを用いてウェーハの表面上の
衝突イオンの量を増加させる。チャンバ２２において
は、チャンバ２３の圧力（約１ないし２０トル）より、
かなり低い圧力（約１ないし１００ミリトル）が用いら
れる。
【００３５】チャンバ２２の電極３１は電極３５より小
さく形成され、ｒｆソース３３により駆動されるが、そ
の目的は、ウェーハ表面上のイオン衝撃のエネルギーを
最大にすることである。磁場はスパッタリング速度を大
きく増大させ、従って、チャンバ２２の効率を大きく向
上する。使用したシステムで得ることのできた最高の磁
場は、１３０ガウスであった。全プロセスをスピードア
ップするためには、この値を大きく増加しなければなら
ない。
【００３６】ケイ素ソースとしてのシラン及び酸素ソー
スとしてのＮ2 ０によって、さらにスパッタリング成分
を増加させることができる。チャンバ２２における高い
ｒｆパワー（少なくとも１００ワットを越えるパワー）
はスパッタリングを最大にするのに有効であり、事実、
ｒｆパワーと磁場は、スパッタリング成分を増加させる
ための２つの最重要のパラメタである。勿論、ＴＥＯ
Ｓ、Ｏ2 及び他の別のガスをチャンバ２２で用いること
BR>ができる。
【００３７】しかし高品位フィルムに対するプロセスウ
ィンドウは、チャンバ２２内におけるこれらのガスを使
用した場合にはより狭くなる。チャンバ２３において、
堆積速度を最大にしたい場合、ＴＥＯＳとＯ2 は適切な
選択である。チャンバ２２におけるスパッタリング速度
を最大にすることにより、図２の構成を形成するのに要
する時間を最小とすることができる。
【００３８】前記実施例では、チャンバ２３における堆
積速度は毎秒１２５オングストロームで、チャンバ２２
では速度は毎分７００オングストロームにすぎない。チ
ャンバ２３では、スパッタリング成分の必要がないた
め、ウェーハ３０を支持する電極４９を電極４７より小
さくすることが容易であり、電極の間隔は２００ミルの
みである。
【００３９】なお、前記実施例で用いた“プレシジョン
５０００システム”では、チャンバ２２の電極３１を囲
む１対の石英リングとグラファイトリングは除去され
た。他のマイナーな構造変更も行われたが、基本的には
高いスループットで半導体ウェーハを処理するための市
販のシステムが十分に活用された。電極３１の直径はウ
ェーハ３０の直径にほぼ等しくなるように調節された
（６インチ）。これらの変更は、ウェーハの表面全体の
プラズマ分布をできるだけ均一にするために行われた。
また、前述のように、高い回転磁場を与えるためには代
用コイルが使用されねばならない。
【００４０】なお、前記の各種パラメタは、１つの実施
例について、スパッタリングと堆積とのバランスを取る
のに最適の選択を単に説明したに過ぎない。他の各種の
ガスも使用できるが、その場合には、それに応じてパラ
メタを調節しなければならない。単一のチャンバのみを
用いて両堆積を行うこともできるが、この場合には装置
構造におけるさらなる妥協が要求される。不均一な堆積
と密度を許容できる場合には磁場の回転は必須ではな
い。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明により、高い
アスペクト比を有する導体パターン上に、ボイドや切れ
目のない、信頼性の高い二酸化ケイ素層を形成可能であ
り、大量生産及びクリーン要求に適合し、且つ、製造コ
ストを大きく増大することのない、優れた集積回路デバ
イスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術により金属導体上に堆積された二酸化
ケイ素を示す略図である。
【図２】本発明の実施例による二酸化ケイ素の誘電層形
成の連続ステップを説明する略図である。
【図３】本発明の実施例による二酸化ケイ素の誘電層形
成の連続ステップを説明する略図である。
【図４】本発明の実施例による二酸化ケイ素の誘電層形
成の連続ステップを説明する略図である。
【図５】本発明に使用できるように改良可能な、市販の
装置の一例を示す略図である。
【図６】図５に示す装置における改良された反応器チャ
ンバの一例を示す略図である。
【図７】図６の７−７線における横断面図である。
【図８】図５に示す装置における他の反応器チャンバを
示す略図である。
【符号の説明】
１１ 二酸化ケイ素層 １２ 基板 １３ 導体 １４ 側壁 １５ ボイド １６ 切れ目 １８ 第１の二酸化ケイ素層 １９ 第２の二酸化ケイ素層 ２０ 導体 ２２ チャンバ ２３ チャンバ ２４ チャンバ ２５ チャンバ ２６ ロードロックチャンバ ２７ 移動チャンバ ３０ ウェーハ ３１ 電極 ３２ マッチングネットワーク ３３ 無線周波ソース（ＲＦソース） ３５ 接地電極 ３６ アルゴンソース ３７ 窒素酸化物ソース ３８ シランソース ４０ コイル ４１ コイル ４２ コイル ４３ コイル ４５ Ｖ形表面 ４７ 電極 ４８ ｒｆソース ４９ 接地電極 ５１ テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）ソース（液） ５２ ヘリウムソース ５３ 酸素ソース ５５ ランプ ５６ （石英）ウィンドウ ５７ 酸化アルミニウム層 ５９ Ｖ形表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/31 Ｃ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 集積回路デバイスの製造方法において、（Ａ） 半導体基板の第１の表面上に、第１の導体パター
    ンを、このパターンのコンポーネント導体の横断面領域
    の各々が２つの上部角部を有するように形成するステッ
    プと、（Ｂ） 第１の電極と第２の電極を有する第１のチャンバ
    の第１の電極上に基板を配置するステップと、（Ｃ）前記 第１のチャンバ内に不活性ガス及びケイ素成
    分と酸素成分を含有するガスを導入するステップと、（Ｄ）前記基板の第１の表面に沿って、前記ｒｆ場に実
    質的に垂直な磁場を形成し、前記 基板の第１の表面上に
    第１の二酸化ケイ素層を堆積させるステップと、（Ｅ）前記基板の第１の表面に沿って、前記ｒｆ場に実
    質的に垂直な磁場を形成し、前記（Ｄ）ステップによる
    第１の二酸化ケイ素層の堆積中に、主として前記コンポ
    ーネント導体の上部角部から一定の二酸化ケイ素のスパ
    ッタエッチングを行うステップと、（Ｆ）前記 第１のチャンバから基板を取り出して、第１
    の電極と第２の電極を有する第２のチャンバの第１の電
    極上にその基板を配置するステップと、（Ｇ）前記 第２のチャンバ内にケイ素成分と酸素成分を
    含有するガスを導入するステップと、（Ｈ）前記第２のチャンバの第１の電極と第２の電極の
    間に第２のｒｆ電場を形成し、前記 第１の二酸化ケイ素
    層の上に第２の二酸化ケイ素層を堆積させるステップと
    からなり、 さらに、前記（Ｈ）ステップの堆積は、磁場の不存在下
    で行われることを特徴とする集積回路デバイスの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 堆積した第２の二酸化ケイ素層の表面を
    プレーナ化するステップと、プレーナ化された第２の二
    酸化ケイ素層の表面上に第２の導体パターンを形成する
    ステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方
    法。
  3. 【請求項３】 第１のチャンバと第２のチャンバの両者
    におけるｒｆエネルギーの周波数は、約５００メガヘル
    ツ未満であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 第１のチャンバにおいて、第１の電極は
    ｒｆエネルギーで励起され、且つ、第２の電極は接地さ
    れ、そして、第２のチャンバにおいて、第２の電極はｒ
    ｆエネルギーで励起され、且つ、第１の電極は接地さ
    れ、 さらに両チャンバにおいて、ｒｆパワーは約１００ワッ
    トを越えるパワーであることを特徴とする請求項３に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】 磁場は、約１００ガウスを越える値を有
    し、第１のチャンバにおける堆積中、磁場は、ｒｆ場に
    実質的に平行な軸の周りを回転してしかも実質的に一定
    強度を維持することを特徴とする請求項４に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 第１の二酸化ケイ素層の堆積中、第１の
    チャンバの雰囲気は、アルゴン、シラン、及び窒素酸化
    物を含有し、第２の二酸化ケイ素層の堆積中、第２のチ
    ャンバの雰囲気は、ＴＥＯＳ及び酸素を含有し、且つ、
    アルゴンを含有しないことを特徴とする請求項５に記載
    の方法。
  7. 【請求項７】 第１の二酸化ケイ素層の堆積中、第１の
    チャンバにおけるガス圧は、約１ミリトルないし１００
    ミリトルであり、 第２の二酸化ケイ素の堆積中、第２のチャンバにおける
    ガス圧は、約１トルないし２０トルであり、 第１のチャンバにおける第１の電極と第２の電極との間
    隔寸法は、第２のチャンバの第１の電極と第２の電極と
    の間隔寸法の約１０倍を越える大きさであることを特徴
    とする請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 第１の導体パターンは、約１．０を越え
    るアスペクト比を有することを特徴とする請求項７に記
    載の方法。
  9. 【請求項９】 集積回路デバイスの製造方法において、 基板上に第１の導体パターンを形成するステップであっ
    て、この導体パターンの少なくとも１部が露出角部を有
    する導体により形成され、且つ、隣接する導体が約１．
    ０を越えるアスペクト比を有するように第１の導体パタ
    ーンを形成するステップと、前記 第１の導体パターン上に第１の二酸化ケイ素層を形
    成するステップとを有し、 前記第１の二酸化ケイ素層はケイ素成分、第VIII族ガス
    成分及び酸素成分を含有する第１のｒｆプラズマからの
    堆積により形成され、前記 第１のｒｆプラズマのｒｆパワーと他のパラメタ
    は、前記第１の二酸化ケイ素層堆積中に、前記第１の導
    体パターンの導体の露出した角部に堆積した二酸化ケイ
    素のスパッタエッチングを行い、それによって、導体パ
    ターンの隣接する導体間に実質的にＶ形の二酸化ケイ素
    表面を形成するように選択され、 さらに、前記第１の二酸化ケイ素層の上に、第２の二酸
    化ケイ素層を形成するステップを有し、 前記第２の二酸化ケイ素層は、ケイ素成分と酸素成分を
    含有する第２のｒｆプラズマから二酸化ケイ素を堆積す
    ることにより形成され、前記 第２のｒｆプラズマのｒｆパワーと他のパラメタ
    は、前記第２の二酸化ケイ素層の堆積中に、二酸化ケイ
    素物質のスパッタエッチングを行うことなく、それによ
    って、前記第２の二酸化ケイ素層の表面がほぼ前記第１
    の二酸化ケイ素層の表面と同形状となるように選択され
    ることを特徴とする集積回路デバイスの製造方法。
  10. 【請求項１０】 第１の二酸化ケイ素層の形成中に、磁
    場が、第１のｒｆプラズマ全体と基板全体に広がるよう
    に形成されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 第１の二酸化ケイ素層の形成中に、基
    板は、第１の反応器内に配置されて、ｒｆ電極と接触さ
    せられ、 且つ、第２の二酸化ケイ素層の形成中に、基板は、第２
    の反応器内に配置されて、接地電極と接触させられるこ
    とを特徴とする請求項１０に記載の方法。
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