JPH0423419B2 - - Google Patents
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- JPH0423419B2 JPH0423419B2 JP61265033A JP26503386A JPH0423419B2 JP H0423419 B2 JPH0423419 B2 JP H0423419B2 JP 61265033 A JP61265033 A JP 61265033A JP 26503386 A JP26503386 A JP 26503386A JP H0423419 B2 JPH0423419 B2 JP H0423419B2
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 39
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 26
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 17
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は2次電子取込み装置に関し、特にス
トロボ方式の電子ビームテスタシステムに使用さ
れる2次電子取込み装置に関する。
トロボ方式の電子ビームテスタシステムに使用さ
れる2次電子取込み装置に関する。
(従来の技術)
ストロボ方式の電子ビームテスタシステムは、
例えば走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して被
測定試料の表面に電子ビームを所定の時間間隔で
照射し、その試料表面の電位状態に応じて放出さ
れる2次電子を検出することにより試料表面の電
位分布を観測する形式のもので、LSIの動作解析
あるいは不良解析の有効な手段として知られてい
る。このような電子ビームテスタシステムに用い
られる2次電子取込み装置は、例えば第2図のよ
うな構成になつている。
例えば走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して被
測定試料の表面に電子ビームを所定の時間間隔で
照射し、その試料表面の電位状態に応じて放出さ
れる2次電子を検出することにより試料表面の電
位分布を観測する形式のもので、LSIの動作解析
あるいは不良解析の有効な手段として知られてい
る。このような電子ビームテスタシステムに用い
られる2次電子取込み装置は、例えば第2図のよ
うな構成になつている。
すなわち、パルス状の電子ビームを断続的に照
射することによつて試料表面から放出される2次
電子は、光電子増倍管等の2次電子検出器2で検
出され、その出力はパルス信号として増幅器3へ
送られる。この増幅器3によつて増幅された上記
パルス信号は、CR積分回路4で平滑化された後
にA/D変換器6へ出力される。そして、この
A/D変換器14で得られたデイジタル値は、特
定のプログラムに従つてコンピユータ等で平均化
処理される。これは、S/N比の改善の為に、被
測定試料の同一測定ポイントに対して電子ビーム
を複数回照射し、これらの2次電子測定値の平均
を測定結果とする方式が通常用いられているため
である。
射することによつて試料表面から放出される2次
電子は、光電子増倍管等の2次電子検出器2で検
出され、その出力はパルス信号として増幅器3へ
送られる。この増幅器3によつて増幅された上記
パルス信号は、CR積分回路4で平滑化された後
にA/D変換器6へ出力される。そして、この
A/D変換器14で得られたデイジタル値は、特
定のプログラムに従つてコンピユータ等で平均化
処理される。これは、S/N比の改善の為に、被
測定試料の同一測定ポイントに対して電子ビーム
を複数回照射し、これらの2次電子測定値の平均
を測定結果とする方式が通常用いられているため
である。
しかしながら、このような構成の2次電子取込
み装置にあつては、このパルス信号の周期が長い
場合すなわちビームの照射から次のビーム照射ま
での時間間隔が長い場合には、CR積分回路4に
よるリークによつてA/D変換器6への出力信号
レベルが小さくなり、2次電子を測定できなくな
ると云う欠点がある。
み装置にあつては、このパルス信号の周期が長い
場合すなわちビームの照射から次のビーム照射ま
での時間間隔が長い場合には、CR積分回路4に
よるリークによつてA/D変換器6への出力信号
レベルが小さくなり、2次電子を測定できなくな
ると云う欠点がある。
電子ビームの照射時間間隔は、例えば、LSIの
測定ポイントにおける電位変化の周期に同期され
て設定されるため、高集積化が施され種々の機能
を備えたLSIの動作解析では比較的長い間隔とな
る。したがつて、高集積化に伴い上記したような
CR積分回路によるリークの問題はさらに大きな
ものとなつている。
測定ポイントにおける電位変化の周期に同期され
て設定されるため、高集積化が施され種々の機能
を備えたLSIの動作解析では比較的長い間隔とな
る。したがつて、高集積化に伴い上記したような
CR積分回路によるリークの問題はさらに大きな
ものとなつている。
そこで、CR積分回路の代わりにピークホール
ド回路を用いた第3図のような構成の2次電子取
込み装置が考えられている。これは、本出願人に
よる昭和56年特許願第21498号明細書に記載され
ているものであり、ここでは2次電子取込み装置
をストロボ方式の電子ビームテスタシステムに適
用した例が示されている。
ド回路を用いた第3図のような構成の2次電子取
込み装置が考えられている。これは、本出願人に
よる昭和56年特許願第21498号明細書に記載され
ているものであり、ここでは2次電子取込み装置
をストロボ方式の電子ビームテスタシステムに適
用した例が示されている。
すなわち、コンピユータ処理系8によつて
SEMコントローラ10が制御され、このSEMコ
ントローラ10によりストロボSEM本体1およ
びスキヤンコントローラ12が駆動される。そし
て、このストロボSEM本体1に設定されたLSIチ
ツプ表面の所定の測定ポイントに電子ビームが照
射される。
SEMコントローラ10が制御され、このSEMコ
ントローラ10によりストロボSEM本体1およ
びスキヤンコントローラ12が駆動される。そし
て、このストロボSEM本体1に設定されたLSIチ
ツプ表面の所定の測定ポイントに電子ビームが照
射される。
この電子ビーム照射により放出される2次電子
は2次電子検出器2で検出され、この検出信号は
ピークホールド回路20によつてピークホールド
される。そして、このピークホールドされた値は
A/D変換器6でデイジタル変換された後に、コ
ンピユータ処理系8に取込まれる。そして、この
コンピユータ処理系8において同一測定ポイント
における測定値の平均化処理が実行される。
は2次電子検出器2で検出され、この検出信号は
ピークホールド回路20によつてピークホールド
される。そして、このピークホールドされた値は
A/D変換器6でデイジタル変換された後に、コ
ンピユータ処理系8に取込まれる。そして、この
コンピユータ処理系8において同一測定ポイント
における測定値の平均化処理が実行される。
このように、ピークホールド回路20を用いる
と、所定期間内のパルス信号のピーク値がデイジ
タル変換されるので、パルス信号の周期すなわち
電子ビーム照射相互間の時間間隔が長い場合でも
2次電子を取込めるようになる。
と、所定期間内のパルス信号のピーク値がデイジ
タル変換されるので、パルス信号の周期すなわち
電子ビーム照射相互間の時間間隔が長い場合でも
2次電子を取込めるようになる。
しかし、このようにピークホールド回路20を
用いる構成にしても、LSIの動作を正確に解析す
ることは困難である。なぜなら、2次電子検出器
に入射される2次電子には様々な要因による雑音
成分が混在しているためである。その主要因の1
つは、LSIチツプの測定ポイント周辺で発生され
る電界によるものである。これは、電子ビームを
被測定試料のポイントに照射した際にその測定ポ
イントから放射される2次電子の放射方向が、そ
の測定ポイント周辺の電位分布の状態によつて影
響されてしまい、2次電子検出器2で検出される
2次電子量が変動してしまうと云うものである。
用いる構成にしても、LSIの動作を正確に解析す
ることは困難である。なぜなら、2次電子検出器
に入射される2次電子には様々な要因による雑音
成分が混在しているためである。その主要因の1
つは、LSIチツプの測定ポイント周辺で発生され
る電界によるものである。これは、電子ビームを
被測定試料のポイントに照射した際にその測定ポ
イントから放射される2次電子の放射方向が、そ
の測定ポイント周辺の電位分布の状態によつて影
響されてしまい、2次電子検出器2で検出される
2次電子量が変動してしまうと云うものである。
したがつて、各測定ポイントでの2次電子放出
量を同一測定条件で測定できないため、LSIの動
作解析を正確に行なうことができない。
量を同一測定条件で測定できないため、LSIの動
作解析を正確に行なうことができない。
(発明が解説しようとする問題点)
この発明は上記のような点に鑑みなされたもの
で、従来の2次電子取込み装置で2次電子検出器
に入射される2次電子量が測定ポイント周辺の電
界によつて変動されてしまい正確な測定ができな
かつた点を改善し、2次電子量の測定を充分正確
に行なうことができる2次電子取込み装置を提供
することを目的とする。
で、従来の2次電子取込み装置で2次電子検出器
に入射される2次電子量が測定ポイント周辺の電
界によつて変動されてしまい正確な測定ができな
かつた点を改善し、2次電子量の測定を充分正確
に行なうことができる2次電子取込み装置を提供
することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
すなわち、この発明に係る2次電子取込み装置
にあつては、被測定試料の同一測定ポイントにお
ける実際の2次電子測定値をその被測定試料の電
位分布情報に基づいてそれぞれ補正し、且つこれ
らを加算して出力する補正手段を備えるようにし
たものである。
にあつては、被測定試料の同一測定ポイントにお
ける実際の2次電子測定値をその被測定試料の電
位分布情報に基づいてそれぞれ補正し、且つこれ
らを加算して出力する補正手段を備えるようにし
たものである。
(作用)
上記のような手段を備えた2次電子取込み装置
にあつては、同一測定ポイントにおけるN個の測
定値がその被測定試料の電位分布情報に基づいて
それぞれ補正され、そしてこれらの和が測定結果
として出力される。したがつて、測定ポイント周
辺の電界による2次電子測定値への影響を防ぐこ
とが可能となり、充分に正確な2次電子測定を行
なえるようになる。
にあつては、同一測定ポイントにおけるN個の測
定値がその被測定試料の電位分布情報に基づいて
それぞれ補正され、そしてこれらの和が測定結果
として出力される。したがつて、測定ポイント周
辺の電界による2次電子測定値への影響を防ぐこ
とが可能となり、充分に正確な2次電子測定を行
なえるようになる。
(実施例)
以下、第1図は参照してこの発明の一実施例に
係る2次電子取込み装置を説明する。
係る2次電子取込み装置を説明する。
電子ビームの断続的な照射により被測定試料か
ら放射される2次電子は光電子倍管等の2次電子
検出器2で検出され、その出力はパルス信号とし
て増幅器3へ送られる。この増幅器3によつて増
幅された上記パルス信号はピークホールド回路2
0に送られ、ここでその所定期間内すなわち1回
のビーム照射時間に対応する期間内でのピーク値
が保持される。
ら放射される2次電子は光電子倍管等の2次電子
検出器2で検出され、その出力はパルス信号とし
て増幅器3へ送られる。この増幅器3によつて増
幅された上記パルス信号はピークホールド回路2
0に送られ、ここでその所定期間内すなわち1回
のビーム照射時間に対応する期間内でのピーク値
が保持される。
上記ピークホールド回路20でパルスのピーク
値が保持されると、A/D変換器6がスタートさ
れ、上記ピーク値はデイジタル値に変換される。
そして、このデイジタル値は、加算機能付きデイ
ジタル乗算器21の第1の入力Xに供給される。
値が保持されると、A/D変換器6がスタートさ
れ、上記ピーク値はデイジタル値に変換される。
そして、このデイジタル値は、加算機能付きデイ
ジタル乗算器21の第1の入力Xに供給される。
補正信号発生器22の第1の入力には、コンピ
ユータによつて演算処理された第1の補正データ
d1が供給され、またその第2の入力にはビーム
電流測定系23からの第2の補正データd2が供
給される。上記第1の補正データd1は、2次電
子ビームに対する周辺電界効果を取除くためのデ
ータであり、これは、例えば、LSIの配線パター
ン等から得た測定ポイント周辺の電位分布情報に
基づいてコンピユータに算出するものである。こ
のため、この第1の補正データd1は、同一の測
定ポイントに対して同じ補正データとなるが、測
定ポイントが異なる場合には補正データもこれに
対応して変化する。
ユータによつて演算処理された第1の補正データ
d1が供給され、またその第2の入力にはビーム
電流測定系23からの第2の補正データd2が供
給される。上記第1の補正データd1は、2次電
子ビームに対する周辺電界効果を取除くためのデ
ータであり、これは、例えば、LSIの配線パター
ン等から得た測定ポイント周辺の電位分布情報に
基づいてコンピユータに算出するものである。こ
のため、この第1の補正データd1は、同一の測
定ポイントに対して同じ補正データとなるが、測
定ポイントが異なる場合には補正データもこれに
対応して変化する。
上記第2の補正データd2は、予め測定された
所定の1次ビーム電流値と実際に照射される1回
毎のビーム電流値との差から算出されるもので、
予め選定された値よりも実際の照射量の方が大き
な値である場合には、上記第1の補正データd1
をその差に応じてマイナス方向に補正し、逆の場
合にはプラス方向に補正するデータである。
所定の1次ビーム電流値と実際に照射される1回
毎のビーム電流値との差から算出されるもので、
予め選定された値よりも実際の照射量の方が大き
な値である場合には、上記第1の補正データd1
をその差に応じてマイナス方向に補正し、逆の場
合にはプラス方向に補正するデータである。
したがつて、補正信号発生器22からは、第1
の補正データd1の値を第2の補正データd2に
基づいて補正した総合補正信号が発生され、これ
はデイジタル乗算器21の第2の入力Yへ供給さ
れる。
の補正データd1の値を第2の補正データd2に
基づいて補正した総合補正信号が発生され、これ
はデイジタル乗算器21の第2の入力Yへ供給さ
れる。
加算機能付きデイジタル乗算器21は、そのX
入力に順次供給される同一測定ポイントにおける
N個のデイジタル信号の値と、これに同期してY
入力に供給されるN個の総合補正信号の値とを順
次乗算し、各乗算結果をそれぞれ加算してそのN
個分の加算結果を出力データとして出力する。そ
して、この加算結果はコンピユータ処理系に送ら
れて、そこで除算が実行されて平均化される。
入力に順次供給される同一測定ポイントにおける
N個のデイジタル信号の値と、これに同期してY
入力に供給されるN個の総合補正信号の値とを順
次乗算し、各乗算結果をそれぞれ加算してそのN
個分の加算結果を出力データとして出力する。そ
して、この加算結果はコンピユータ処理系に送ら
れて、そこで除算が実行されて平均化される。
このような構成の2次電子取込み装置を第3図
に示したような電子ビームテスタシステムに適用
すれば、照射ビーム電流値の変動や測定ポイント
周辺の電界効果の影響による測定条件の変動を押
えることができ、LSI動作の誤測定を防ぐことが
できるようになると共に、コンピユータ処理系で
必要とされる平均化処理のための時間を減少させ
ることができるようになる。
に示したような電子ビームテスタシステムに適用
すれば、照射ビーム電流値の変動や測定ポイント
周辺の電界効果の影響による測定条件の変動を押
えることができ、LSI動作の誤測定を防ぐことが
できるようになると共に、コンピユータ処理系で
必要とされる平均化処理のための時間を減少させ
ることができるようになる。
尚、この実施例では、周辺電界に基づく補正デ
ータを照射ビームの変動量に基づいて補正するよ
うにしたが、平均化処理を行なう場合には、周辺
電界に基づく補正データだけにより測定データを
補正しても充分に正確な測定値を得ることが可能
である。
ータを照射ビームの変動量に基づいて補正するよ
うにしたが、平均化処理を行なう場合には、周辺
電界に基づく補正データだけにより測定データを
補正しても充分に正確な測定値を得ることが可能
である。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、測定ポイント
周辺の電界による2次電子測定結果への影響、さ
らに照射ビーム電流値の変動による2次電子測定
結果への影響を防ぐことが可能となり、充分に正
確な2次電子量の測定を行なうことができるよう
になる。したがつて、この発明による2次電子取
込み装置は電子ビームテスタシステムに適用すれ
ば、LSI動作の測定を正確に行なえるようにな
る。
周辺の電界による2次電子測定結果への影響、さ
らに照射ビーム電流値の変動による2次電子測定
結果への影響を防ぐことが可能となり、充分に正
確な2次電子量の測定を行なうことができるよう
になる。したがつて、この発明による2次電子取
込み装置は電子ビームテスタシステムに適用すれ
ば、LSI動作の測定を正確に行なえるようにな
る。
第1図はこの発明の一実施例に係る2次電子取
込み装置を説明するブロツク構成図、第2図およ
び第3図はそれぞれ従来の2次電子取込み装置を
説明するブロツク構成図である。 2……2次電子検出器、3……増幅器、6……
A/D変換器、20……ピーク・ホールド回路、
21……加算機能付きデイジタル乗算器、22…
…補正信号発生器、23……ビーム電流測定系。
込み装置を説明するブロツク構成図、第2図およ
び第3図はそれぞれ従来の2次電子取込み装置を
説明するブロツク構成図である。 2……2次電子検出器、3……増幅器、6……
A/D変換器、20……ピーク・ホールド回路、
21……加算機能付きデイジタル乗算器、22…
…補正信号発生器、23……ビーム電流測定系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電子ビームを被測定試料に照射することによ
つて得られる2次電子を検出する2次電子検出器
と、 この2次電子検出器からの出力信号のピーク値
を保持するピークホールド回路と、 このピークホールド回路で保持された上記ピー
ク値をデイジタル値に変換するアナログ・デイジ
タル変換器と、 上記被測定試料の電位分布に起因する上記2次
電子検出器による2次電子検出量の誤差量が各測
定ポイント間で実質的に均一になるように上記被
測定試料の電位分布情報に基づいて各測定ポイン
ト毎に予め算出された補正乗数と、上記アナロ
グ・デイジタル変換器から出力される上記被測定
試料の同一測定ポイントにおけるN個のデイジタ
ル値とが入力され、入力されたN個のデイジタル
値それぞれに、これらデイジタル値の測定ポイン
トと同一の測定ポイントに対応した上記補正乗数
を乗算し、且つこれら乗算結果を加算してその和
を2次電子の測定結果として出力する補正手段と
を具備することを特徴とする2次電子取込み装
置。 2 上記補正乗数の値は、上記被測定試料に照射
されたビーム電流値と標準電流値との差分に従つ
て増減されて上記補正手段に入力されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の2次電
子取込み装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265033A JPS63119542A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 2次電子取込み装置 |
| US07/116,151 US4829240A (en) | 1986-11-07 | 1987-11-03 | Secondary electron measuring circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265033A JPS63119542A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 2次電子取込み装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119542A JPS63119542A (ja) | 1988-05-24 |
| JPH0423419B2 true JPH0423419B2 (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=17411654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61265033A Granted JPS63119542A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 2次電子取込み装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4829240A (ja) |
| JP (1) | JPS63119542A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034903A (en) * | 1989-01-30 | 1991-07-23 | Alfano Robert R | Apparatus and method for measuring the time evolution of carriers propogating within submicron and micron electronic devices |
| JP5889117B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-03-22 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡及び電子顕微鏡の作動方法 |
| JP6660845B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-03-11 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および電子顕微鏡の作動方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3036660A1 (de) * | 1980-09-29 | 1982-05-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung fuer stroboskopische potentialmessungen mit einem elektronenstrahl-messgeraet |
| US4692690A (en) * | 1983-12-26 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Pattern detecting apparatus |
| DE3407041A1 (de) * | 1984-02-27 | 1985-09-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur automatischen einstellung des arbeitspunktes bei signalverlaufsmessungen mit korpuskularstrahl-messgeraeten |
| DE3407850A1 (de) * | 1984-02-29 | 1985-09-05 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Mikrowellen-messverfahren und -messapparatur zur kontaktlosen und zerstoerungsfreien untersuchung photoempfindlicher materialien |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP61265033A patent/JPS63119542A/ja active Granted
-
1987
- 1987-11-03 US US07/116,151 patent/US4829240A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4829240A (en) | 1989-05-09 |
| JPS63119542A (ja) | 1988-05-24 |
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