JPH0423453A - レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置 - Google Patents
レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置Info
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- JPH0423453A JPH0423453A JP2126691A JP12669190A JPH0423453A JP H0423453 A JPH0423453 A JP H0423453A JP 2126691 A JP2126691 A JP 2126691A JP 12669190 A JP12669190 A JP 12669190A JP H0423453 A JPH0423453 A JP H0423453A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配線材料のレーザ切断に関する。特に、半導体
装置や高密度配線基板の配線変更にレーザ切断を周辺に
ダメージな〈実施するレーザによる配線切断加工方法及
びレーザ加工装置に関する。
装置や高密度配線基板の配線変更にレーザ切断を周辺に
ダメージな〈実施するレーザによる配線切断加工方法及
びレーザ加工装置に関する。
従来、レーザによるＬＳＩ配線切断技術については、冗
長化技術として、アイ・イー・イー・イージャーナルオ
ブソリッド・ステートサーキッ１−．ニス・シー１６巻
５号１９８１年１０月号第５０６頁から第５１３頁（Ｉ
ＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ５ｏｌｉｄ−３
ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ、 ｖｏｌ。
長化技術として、アイ・イー・イー・イージャーナルオ
ブソリッド・ステートサーキッ１−．ニス・シー１６巻
５号１９８１年１０月号第５０６頁から第５１３頁（Ｉ
ＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ５ｏｌｉｄ−３
ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ、 ｖｏｌ。
Ｓ Ｃ−１６，Ｎ ｏ 、５． Ｏｃ ｔ 、 １９８
］、、 ｐ ｐ５０６−５１３）において述べられてい
る。
］、、 ｐ ｐ５０６−５１３）において述べられてい
る。
また、他の従来技術として、Ｔ＝ Ｓ ＩのＡｆｌ配線
の切断についてアナルズオブザシーアイアールビー２８
／１巻１９７９年号第１１３頁から第１１６頁（Ａｕｎ
ａｌｓ ｏｆ ｔ、ｌｒｅ ＣＩＲＰ Ｖｏｌ、
、２８／１．１９７９． ｐｌ、１３〜ＩＪ６）に述べ
られている。
の切断についてアナルズオブザシーアイアールビー２８
／１巻１９７９年号第１１３頁から第１１６頁（Ａｕｎ
ａｌｓ ｏｆ ｔ、ｌｒｅ ＣＩＲＰ Ｖｏｌ、
、２８／１．１９７９． ｐｌ、１３〜ＩＪ６）に述べ
られている。
上記従来技術では、ダメージを与えずに加工できるレー
ザパワーの有効範囲が狭く、かつ、レーザ光が配線から
外れるとなおダメージが発生しやすい等の課題があった
。
ザパワーの有効範囲が狭く、かつ、レーザ光が配線から
外れるとなおダメージが発生しやすい等の課題があった
。
本発明の目的は、半導体装置や高密度配線基板に対し、
下層の基板や配線等にダメージを与えることなく、広い
レーザパワー範囲に亘って配線切断加工ができるように
したレーザによる配線切断加工方法を提供することにあ
る。
下層の基板や配線等にダメージを与えることなく、広い
レーザパワー範囲に亘って配線切断加工ができるように
したレーザによる配線切断加工方法を提供することにあ
る。
また、本発明の他の目的は、被加工物に対し、所望のパ
ターンを投影して広いレーザパワー範囲に亘ってレーザ
加工できるようにしたレーザ加工装置を提供することに
ある。
ターンを投影して広いレーザパワー範囲に亘ってレーザ
加工できるようにしたレーザ加工装置を提供することに
ある。
上記目的を達成するために、本発明は１０秒以下のパル
ス幅のレーザ光を、半導体装置又は高密度多層配線基板
の配線上の所望箇所に照射し、上記配線の下層に対して
ダメージを与えることなく、上記配線を切断加工するこ
とを特徴とするし−ザによる配線切断加工方法である。
ス幅のレーザ光を、半導体装置又は高密度多層配線基板
の配線上の所望箇所に照射し、上記配線の下層に対して
ダメージを与えることなく、上記配線を切断加工するこ
とを特徴とするし−ザによる配線切断加工方法である。
また本発明は、上記レーザによる配線切断加工方法にお
いて、上記レーザ光を所望形状に形成したパターン投影
により上記配線幅にほぼ合わせるように照射することを
特徴とするレーザによる配線切断加工方法である。
いて、上記レーザ光を所望形状に形成したパターン投影
により上記配線幅にほぼ合わせるように照射することを
特徴とするレーザによる配線切断加工方法である。
また本発明は、上記レーザによる配線切断加工方法にお
いて、上記パターン投影として、投影マスクを用いるこ
とを特徴とするレーザによる配線切断加工方法である。
いて、上記パターン投影として、投影マスクを用いるこ
とを特徴とするレーザによる配線切断加工方法である。
また本発明は、上記レーザによる配線切断加工方法にお
いて、上記投影マスクに現出させるパターンを、撮像し
た配線の像として照射域合わせをセルファライメン１〜
で行うことを特徴とするレーザによる配線切断加工方法
である。
いて、上記投影マスクに現出させるパターンを、撮像し
た配線の像として照射域合わせをセルファライメン１〜
で行うことを特徴とするレーザによる配線切断加工方法
である。
また本発明は、上記レーザによる配線切断加工方法にお
いて、上記配線がＬＳＩメモリの欠陥ビット救済用のリ
ンクであることを特徴とするレーザによる配線切断加工
方法である。
いて、上記配線がＬＳＩメモリの欠陥ビット救済用のリ
ンクであることを特徴とするレーザによる配線切断加工
方法である。
また本発明は、上記レーザによる配線切断加工’１／’
ＩＡ− 方法において、上記高密度多層配線基板として、簿膜多
層基板で形成したことを特徴とするレーザによる配線切
断加工方法である。
ＩＡ− 方法において、上記高密度多層配線基板として、簿膜多
層基板で形成したことを特徴とするレーザによる配線切
断加工方法である。
また、上記他の目的を達成するために、本発明は、１０
−９秒以下のパルス幅で高出力のレーザ光を出力するレ
ーザ光源と、該レーザ光源から出力されたレーザ光を所
望のパターンに形成して被加工物に投影する投影光学系
とを備えたことを特徴とするレーザ加工装置である。
−９秒以下のパルス幅で高出力のレーザ光を出力するレ
ーザ光源と、該レーザ光源から出力されたレーザ光を所
望のパターンに形成して被加工物に投影する投影光学系
とを備えたことを特徴とするレーザ加工装置である。
また、本発明は上記レーザ加工装置において、上記投影
光学系として、透過型液晶マスクを有することを特徴と
するレーザ加工装置である。
光学系として、透過型液晶マスクを有することを特徴と
するレーザ加工装置である。
また、本発明は上記レーザ加工装置において、更に、上
記投影パターンの像と被加工物の像とを撮像して表示す
る撮像・表示手段を備えたことを特徴とするレーザ加工
装置である。
記投影パターンの像と被加工物の像とを撮像して表示す
る撮像・表示手段を備えたことを特徴とするレーザ加工
装置である。
即ぢ本発明は、レーザ光源のパ゛ルス幅を、除去現象の
起るより短いパルスにし、レーザ光の照射域を、液晶投
影マスクにより、加工される配線の幅に成形して照射す
るようにしたことにより、正確に照射できるようにし、
また、広いパワー範囲でダメージなく加工できるように
したものである。
起るより短いパルスにし、レーザ光の照射域を、液晶投
影マスクにより、加工される配線の幅に成形して照射す
るようにしたことにより、正確に照射できるようにし、
また、広いパワー範囲でダメージなく加工できるように
したものである。
レーザ光による配線切断除去加工においては、熱現象と
しての飛散除去が起るには、ｉｎｓ以上の時間を要する
ことを見出したことにある。そこで、本発明者は、パル
ス幅がｉｎｓ以下のパルスの高出力のレーザ光を、半導
体装置又は高密度多層配線基板上の配線の所望箇所に照
射して配線切断加工を行えば、配線材料が無くなった跡
に、レーザパルスが侵入することは起こらないと見出し
た。即ち、パルス幅がｉｎｓ以下のパルスレーザ光であ
れば、配線切断加工ができるように照射レーザのパワー
が大きくなってもレーザパルスが続いている間（ｉｎｓ
以下）は、配線材料が元の場所に存在し、全てのレーザ
エネルギを配線材料が受は止めることになる。このため
、半導体装置又は高密度多層配線基板において、熱伝導
率の低い５ｊＯ２等の絶縁膜をはさんで下層に存在する
Ｓｊ等の基板又は薄膜配線はレーザ光にさらされること
がなく、ダメージを発生させることがない。
しての飛散除去が起るには、ｉｎｓ以上の時間を要する
ことを見出したことにある。そこで、本発明者は、パル
ス幅がｉｎｓ以下のパルスの高出力のレーザ光を、半導
体装置又は高密度多層配線基板上の配線の所望箇所に照
射して配線切断加工を行えば、配線材料が無くなった跡
に、レーザパルスが侵入することは起こらないと見出し
た。即ち、パルス幅がｉｎｓ以下のパルスレーザ光であ
れば、配線切断加工ができるように照射レーザのパワー
が大きくなってもレーザパルスが続いている間（ｉｎｓ
以下）は、配線材料が元の場所に存在し、全てのレーザ
エネルギを配線材料が受は止めることになる。このため
、半導体装置又は高密度多層配線基板において、熱伝導
率の低い５ｊＯ２等の絶縁膜をはさんで下層に存在する
Ｓｊ等の基板又は薄膜配線はレーザ光にさらされること
がなく、ダメージを発生させることがない。
なお、配線切断に要するピークパワーＰは概略パルス幅
Ｓの２重根に反比例し、次のような関係にある。
Ｓの２重根に反比例し、次のような関係にある。
ここで、Ｐｏ、Ｓｏは元のピークパワーと元のパルス幅
であり、Ｋは比例定数である。
であり、Ｋは比例定数である。
従って、パルス幅を従来の１００ｎｓ前後から本発明の
ように、例えば１００ｐｓ〜３０（ｌｐｓ前後に２桁短
くするとピークパワーは従来より約１０〜２０倍前後大
きくする必要がある。但し、必要となるエネルギーＥは
、ピークパワーとパルス幅の積、Ｅ ＝ Ｐ・Ｓである
ため、Ｋが１前後の場合はパルス幅の２重根に比例し、
従来より１桁程度少なくてすむ。しかし、全てのレーザ
エネルギを配線材料が受は止める関係で、下層へのダメ
ージを及ぼすことなく、配線を切断することができる。
ように、例えば１００ｐｓ〜３０（ｌｐｓ前後に２桁短
くするとピークパワーは従来より約１０〜２０倍前後大
きくする必要がある。但し、必要となるエネルギーＥは
、ピークパワーとパルス幅の積、Ｅ ＝ Ｐ・Ｓである
ため、Ｋが１前後の場合はパルス幅の２重根に比例し、
従来より１桁程度少なくてすむ。しかし、全てのレーザ
エネルギを配線材料が受は止める関係で、下層へのダメ
ージを及ぼすことなく、配線を切断することができる。
この様子を図に示すと第４図のようになる。
Ａ１の沸点は約２２７０℃である。そこで、１． ｎ
ｓ以下の短いパルス幅のレーザ光が、例えばＡ１等の配
線表面に照射されると、そのエネルギ吸収は１０ ”
ｓｅｅ前後の短い時間で行われ、一方、そのエネルギが
Ａ］等の配線内において熱に変換するには、ｌｎｓ前後
の時間を必要とすることを見出した。従って、ｌｎｓ以
下の短いパルスレーザ光であれば、いくら強いパルスレ
ーザ光を照射しても、いくら強いレーザ光を照射しても
、照射された配線が熱現象による変化を起こす前に、レ
ーザパルスの照射が終了するため、熱現象による除去の
あとにレーザ光が侵入することは起りえず、配線の下層
にダメージを及ぼすことなく、配線の所望箇所を切断す
ることができる。
ｓ以下の短いパルス幅のレーザ光が、例えばＡ１等の配
線表面に照射されると、そのエネルギ吸収は１０ ”
ｓｅｅ前後の短い時間で行われ、一方、そのエネルギが
Ａ］等の配線内において熱に変換するには、ｌｎｓ前後
の時間を必要とすることを見出した。従って、ｌｎｓ以
下の短いパルスレーザ光であれば、いくら強いパルスレ
ーザ光を照射しても、いくら強いレーザ光を照射しても
、照射された配線が熱現象による変化を起こす前に、レ
ーザパルスの照射が終了するため、熱現象による除去の
あとにレーザ光が侵入することは起りえず、配線の下層
にダメージを及ぼすことなく、配線の所望箇所を切断す
ることができる。
また、レーザ照射の領域を液晶投影マスク等で配線の所
望箇所の位置（幅）寸法に正確に整合させることができ
るため、配線外にレーザ光が当たることがなく、周辺及
び下層にダメージを発生させることもなく、正確な除去
加工を行うことができる。
望箇所の位置（幅）寸法に正確に整合させることができ
るため、配線外にレーザ光が当たることがなく、周辺及
び下層にダメージを発生させることもなく、正確な除去
加工を行うことができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
数ｍ ｊ ｏ ｕ ｌでパルス幅がｉｎｓ以下（１００
〜３００ｐｓ）のピコ秒レーザ１から出たレーザ光２は
反射ミラー３で９０°屈折され、透過形液晶マスク４に
導かれる。そして液晶マスク４の光透過パターン部を通
った光５は観察用ハーフミラ−６と投影加工レンズ７を
通過して、液晶パターンの像が投影される形で半導体装
置又は高密度多層基板等の被加工物８の表面に照射され
る。被加工物８はＸＹ子テーブルに載せられて、テーブ
ル制御電源１ｏによって自動運転される。液晶マスク４
は投影バタン照明ランプ１１によって照明されており、
被加工物８は物体照明ランプ１２によりハーフミラ−１
３を介して照明されている。ハーフミラ−１３の後方に
は撮像管または固体撮像素子などよりなる撮像器１４を
配し、被加工物８の加工部を撮像する。
〜３００ｐｓ）のピコ秒レーザ１から出たレーザ光２は
反射ミラー３で９０°屈折され、透過形液晶マスク４に
導かれる。そして液晶マスク４の光透過パターン部を通
った光５は観察用ハーフミラ−６と投影加工レンズ７を
通過して、液晶パターンの像が投影される形で半導体装
置又は高密度多層基板等の被加工物８の表面に照射され
る。被加工物８はＸＹ子テーブルに載せられて、テーブ
ル制御電源１ｏによって自動運転される。液晶マスク４
は投影バタン照明ランプ１１によって照明されており、
被加工物８は物体照明ランプ１２によりハーフミラ−１
３を介して照明されている。ハーフミラ−１３の後方に
は撮像管または固体撮像素子などよりなる撮像器１４を
配し、被加工物８の加工部を撮像する。
撮像された像は画像判定処理器１５に入り、その像のレ
ーザ照射すべき場所をパターン認識し、その像１６とレ
ーザ照射すべきエリア１７をＴＶモニタ１８上に出すと
ともに、液晶パターン制御器１９にそのン 信号を送り込み、液晶マスク４に、照射すべきエリア１
７に相当する部分を透過パターンとして正確に半導体装
置又は高密度多層基板８上の配線の所望箇所に整合する
ように発生させる。そして、液晶マスクパターンが照射
されるべきエリアに作られ、配線の所望箇所に投影バタ
ン照明ランプで正確に照明されていることが撮像器１４
と画像判定処理器１５で確認されると画像判定処理器１
５からレーザ照射信号がレーザ電源制御部２０に送られ
、レーザ発振が行われる。かくして、レーザ加工部の必
要な箇所のみに正確にレーザ照射できるようになった。
ーザ照射すべき場所をパターン認識し、その像１６とレ
ーザ照射すべきエリア１７をＴＶモニタ１８上に出すと
ともに、液晶パターン制御器１９にそのン 信号を送り込み、液晶マスク４に、照射すべきエリア１
７に相当する部分を透過パターンとして正確に半導体装
置又は高密度多層基板８上の配線の所望箇所に整合する
ように発生させる。そして、液晶マスクパターンが照射
されるべきエリアに作られ、配線の所望箇所に投影バタ
ン照明ランプで正確に照明されていることが撮像器１４
と画像判定処理器１５で確認されると画像判定処理器１
５からレーザ照射信号がレーザ電源制御部２０に送られ
、レーザ発振が行われる。かくして、レーザ加工部の必
要な箇所のみに正確にレーザ照射できるようになった。
また、画像判定処理器１５に、複数の照射箇所の位置情
報を与える加工位置入力器２１を接続し、情報入力を与
えることにより、投影加工により、−度に複数の箇所の
レーザ加工を行うことができ、ＬＳＩメモリビット救済
等について大幅に処理速度を上げることができるように
なった。
報を与える加工位置入力器２１を接続し、情報入力を与
えることにより、投影加工により、−度に複数の箇所の
レーザ加工を行うことができ、ＬＳＩメモリビット救済
等について大幅に処理速度を上げることができるように
なった。
第２図は本発明の一実施例で、（ａ）は被加工物の撮像
表示例である。また（ｂ）は液晶マスクのバタン発生状
態の例である。液晶マスクのエリアに対応する部分の被
加工物の像３２は第３図に示すように大容量ＬＳＩメモ
リーの欠陥ビット救済リンクである。外側を不純物をド
ーピングしたガードリング３３で囲まれた例えばＰｏ１
ｙ−Ｓｉ等の救済リンク３４ａ〜３４ｄの４本が示され
ている。
表示例である。また（ｂ）は液晶マスクのバタン発生状
態の例である。液晶マスクのエリアに対応する部分の被
加工物の像３２は第３図に示すように大容量ＬＳＩメモ
リーの欠陥ビット救済リンクである。外側を不純物をド
ーピングしたガードリング３３で囲まれた例えばＰｏ１
ｙ−Ｓｉ等の救済リンク３４ａ〜３４ｄの４本が示され
ている。
そのうち、加工位置入力器２１によって与えられた情報
により、３４ｂと３４ｄのリンクを切断しようとしてい
ることを示している。そして第２図（ｂ）に示す如く、
液晶マスクは３５ａと３５ｂだけがレーザ光を透過する
領域としてパターンが発生されている。第２図（ｃ）に
示したａはこのバタンにより投影照射されたレーザ光に
より加工が行われた救済リンクの加工後の状態である。
により、３４ｂと３４ｄのリンクを切断しようとしてい
ることを示している。そして第２図（ｂ）に示す如く、
液晶マスクは３５ａと３５ｂだけがレーザ光を透過する
領域としてパターンが発生されている。第２図（ｃ）に
示したａはこのバタンにより投影照射されたレーザ光に
より加工が行われた救済リンクの加工後の状態である。
このように複数のリンクを１回の加工で正確に切断する
ことができるようになった。
ことができるようになった。
例えば、大容量の半導体メモリチップは数万〜数十万個
の機能素子を数ｍｍ角のチップ内に作るため、生産歩留
りを上げるのには大変な困難をともなう。そこで予備の
メモリーセルをチップ内に設けておき、切換用配線をレ
ーザで切断することにより、欠陥の発生したメモリーを
外し、予備のメモリを接続することができる。即ち大容
量ＬＳＩメモリーの欠陥ビット救済の場合、第３図に示
すように形成されている。第３図（ａ）はその平面構成
を、第３図（ｂ）はその断面構成を示す。即ちＡＩｌ配
線３５に接続されたＰｏ１ｙ−３ｉ等の切換用配線３４
に約１０６〜１０ｇｗ／ｃｎ？のパワーでピコ秒レーザ
光を投影パターンとして配線幅にほぼ合せて照射し、こ
の切換用配線３４の所望箇所を切断する。これにより、
予備のメモリに接続することができる。切換用配線３４
は基板５ｉ３７の上に敷かれた絶縁用熱酸化膜Ｓｉ０□
３８の上に形成され、その材料は、Ｐｏ１ｙ−８ｉや、
Ａｆｌ、金属ミリサイド等が用いられる。その上にＳｉ
Ｏ□膜（保護膜）３９をコートし、保護膜としている。
の機能素子を数ｍｍ角のチップ内に作るため、生産歩留
りを上げるのには大変な困難をともなう。そこで予備の
メモリーセルをチップ内に設けておき、切換用配線をレ
ーザで切断することにより、欠陥の発生したメモリーを
外し、予備のメモリを接続することができる。即ち大容
量ＬＳＩメモリーの欠陥ビット救済の場合、第３図に示
すように形成されている。第３図（ａ）はその平面構成
を、第３図（ｂ）はその断面構成を示す。即ちＡＩｌ配
線３５に接続されたＰｏ１ｙ−３ｉ等の切換用配線３４
に約１０６〜１０ｇｗ／ｃｎ？のパワーでピコ秒レーザ
光を投影パターンとして配線幅にほぼ合せて照射し、こ
の切換用配線３４の所望箇所を切断する。これにより、
予備のメモリに接続することができる。切換用配線３４
は基板５ｉ３７の上に敷かれた絶縁用熱酸化膜Ｓｉ０□
３８の上に形成され、その材料は、Ｐｏ１ｙ−８ｉや、
Ａｆｌ、金属ミリサイド等が用いられる。その上にＳｉ
Ｏ□膜（保護膜）３９をコートし、保護膜としている。
しかし、上記実施例によれば、全てのレーザエネルギが
切換用配線３４で受は止められ、熱伝導率の低い５ｉ０
２等の絶縁膜３８をはさんで下層に存在するＳｊ等の基
板３７はレーザ光にさらされることなく、切換用配線３
４の所望箇所３５が切断でき、Ｓｉ等の基板３７にダメ
ージの発生を防止することができる。
切換用配線３４で受は止められ、熱伝導率の低い５ｉ０
２等の絶縁膜３８をはさんで下層に存在するＳｊ等の基
板３７はレーザ光にさらされることなく、切換用配線３
４の所望箇所３５が切断でき、Ｓｉ等の基板３７にダメ
ージの発生を防止することができる。
また前記実施例ではＬＳＩメモリの欠陥ビット救済の場
合について説明したが、薄膜多層構造を有する半導体装
置又は高密度多層基板へも適用できることは明かである
。即ち、下層の薄膜配線にダメージを与えることなく、
上層の薄膜配線を切断することができる。
合について説明したが、薄膜多層構造を有する半導体装
置又は高密度多層基板へも適用できることは明かである
。即ち、下層の薄膜配線にダメージを与えることなく、
上層の薄膜配線を切断することができる。
以上説明したように本発明によれば、レーザ光により下
層にダメージを与えることなく、容易に配線を切断加工
することができる。（第５図に示す）。
層にダメージを与えることなく、容易に配線を切断加工
することができる。（第５図に示す）。
また本発明によれば、液晶投影による自己整合方式を用
いたことにより、正確にレーザ照射ができるようになっ
たため、切断すべきリンクの外にレーザが当ってダメー
ジを起すということがなくなった。
いたことにより、正確にレーザ照射ができるようになっ
たため、切断すべきリンクの外にレーザが当ってダメー
ジを起すということがなくなった。
また、本発明によれば１回での加工域を一つに限定され
なくなったため、加工効率が大幅に上った。
なくなったため、加工効率が大幅に上った。
また、本発明によれば液晶マスクを用いたことにより、
電気的にパターンの変更ができるため、十分高速に次々
と新しい場所をマスキング加工できるようになった。
電気的にパターンの変更ができるため、十分高速に次々
と新しい場所をマスキング加工できるようになった。
第１図は本発明のレーザ加工装置の一実施例を示す構成
図、第２図は第１図に示す装置を半導体メモリのピッ１
〜欠陥救済に適用した場合の投影パターン発生と配線切
断結果とを示す図、第３図は半導体メモリのビン１〜欠
陥救済リンクの平面と断面とを示す図、第４図は本発明
の作用を示す図、第５図は本発明の作用効果を示す図で
ある。 １・・ピコ秒レーザ、２・・・レーザ光。 ４・・・液晶マスク、７・・投影加工レンズ。 ８・・・半導体装置又は高密度多層基板（被加工物）。 ９・・ＸＹ子テーブル１０・・・制御電源。 １２・・・物体照明ランプ、１４・・・撮像器。 １５・・画像判定処理器、１８・・ＴＶモニタ。 １９・・・液晶パターン制御器、２１・・・加工位置入
力器。 ３４・・・救済リンク（切換用配線）、３５・・・投影
パターン（切断箇所）、３７・・・Ｓｉ基板。 晃 昌 −ｖｖｐ順杵 晃 す 凶 （Ａ） 晃 凹 夕 θＩ ７＃で
図、第２図は第１図に示す装置を半導体メモリのピッ１
〜欠陥救済に適用した場合の投影パターン発生と配線切
断結果とを示す図、第３図は半導体メモリのビン１〜欠
陥救済リンクの平面と断面とを示す図、第４図は本発明
の作用を示す図、第５図は本発明の作用効果を示す図で
ある。 １・・ピコ秒レーザ、２・・・レーザ光。 ４・・・液晶マスク、７・・投影加工レンズ。 ８・・・半導体装置又は高密度多層基板（被加工物）。 ９・・ＸＹ子テーブル１０・・・制御電源。 １２・・・物体照明ランプ、１４・・・撮像器。 １５・・画像判定処理器、１８・・ＴＶモニタ。 １９・・・液晶パターン制御器、２１・・・加工位置入
力器。 ３４・・・救済リンク（切換用配線）、３５・・・投影
パターン（切断箇所）、３７・・・Ｓｉ基板。 晃 昌 −ｖｖｐ順杵 晃 す 凶 （Ａ） 晃 凹 夕 θＩ ７＃で
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、１０＾−＾９秒以下のパルス幅のレーザ光を配線上
の所望箇所に照射し、上記配線の下層に対してダメージ
を与えることなく、上記配線を切断加工することを特徴
とするレーザによる配線切断加工方法。 ２、上記レーザ光を所望形状に形成したパターン投影に
より上記配線幅にほぼ合わせるように照射することを特
徴とする請求項１記載のレーザによる配線切断加工方法
。 ３、上記パターン投影として、投影マスクを用いること
を特徴とする請求項２記載のレーザによる配線切断加工
方法。 ４、上記投影マスクに現出させるパターンを、撮像した
配線の像として照射域合わせをセルフアライメントで行
うことを特徴とする請求項３記載のレーザによる配線切
断加工方法。 ５、１０＾−＾９秒以下のパルス幅のレーザ光を、半導
体装置の配線上の所望箇所に照射し、上記配線の下層に
対してダメージを与えることなく、上記配線を切断加工
することを特徴とするレーザによる配線切断加工方法。 ６、上記配線がＬＳＩメモリの欠陥ビット救済用のリン
クであることを特徴とする請求項５記載のレーザによる
配線切断加工方法。 ７、上記下層としてＬＳＩメモリのＳｉ等の基板である
ことを特徴とする請求項６記載のレーザによる配線切断
加工方法。 ８、上記レーザ光を所望形状に形成したパターン投影に
より上記配線幅にほぼ合わせるように照射することを特
徴とする請求項５記載のレーザによる配線切断加工方法
。 ９、１０＾−＾９秒以下のパルス幅のレーザ光を、高密
度多層配線基板の配線上の所望箇所に照射し、上記配線
の下層に対してダメージを与えることなく、上記配線を
切断加工することを特徴とするレーザによる配線切断加
工方法。 １０、上記高密度多層配線基板として、薄膜多層基板で
形成したことを特徴とする請求項９記載のレーザによる
配線切断加工方法。 １１、上記レーザ光を所望形状に形成したパターン投影
により上記配線幅にほぼ合わせるように照射することを
特徴とする請求項９記載のレーザによる配線切断加工方
法。 １２、１０＾−＾９秒以下のパルス幅で高出力のレーザ
光を出力するレーザ光源と、該レーザ光源から出力され
たレーザ光を所望のパターンに形成して被加工物に投影
する投影光学系とを備えたことを特徴とするレーザ加工
装置。 １３、上記投影光学系として、透過型液晶マスクを有す
ることを特徴とする請求項１２記載のレーザ加工装置。 １４、更に、上記投影パターンの像と被加工物の像とを
撮像して表示する撮像・表示手段を備えたことを特徴と
する請求項１２または１３記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12669190A JP3150322B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置 |
| US07/697,779 US5208437A (en) | 1990-05-18 | 1991-05-09 | Method of cutting interconnection pattern with laser and apparatus thereof |
| EP19910107938 EP0461414A3 (en) | 1990-05-18 | 1991-05-16 | Method of cutting interconnection pattern with laser and apparatus thereof |
| KR1019910007933A KR950001305B1 (ko) | 1990-05-18 | 1991-05-16 | 레이저에 의한 배선패턴 절단방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12669190A JP3150322B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25122399A Division JP3279296B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体装置 |
| JP25122299A Division JP3279295B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体装置の配線切断加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423453A true JPH0423453A (ja) | 1992-01-27 |
| JP3150322B2 JP3150322B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=14941464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12669190A Expired - Fee Related JP3150322B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5208437A (ja) |
| EP (1) | EP0461414A3 (ja) |
| JP (1) | JP3150322B2 (ja) |
| KR (1) | KR950001305B1 (ja) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0461414A3 (en) | 1992-04-01 |
| KR910020870A (ko) | 1991-12-20 |
| JP3150322B2 (ja) | 2001-03-26 |
| US5208437A (en) | 1993-05-04 |
| EP0461414A2 (en) | 1991-12-18 |
| KR950001305B1 (ko) | 1995-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080119 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119 Year of fee payment: 9 |
|
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