JPH04236773A - 電子ビーム加熱式真空蒸着装置 - Google Patents
電子ビーム加熱式真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPH04236773A JPH04236773A JP1485491A JP1485491A JPH04236773A JP H04236773 A JPH04236773 A JP H04236773A JP 1485491 A JP1485491 A JP 1485491A JP 1485491 A JP1485491 A JP 1485491A JP H04236773 A JPH04236773 A JP H04236773A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- evaporation
- substrate
- thin film
- evaporated
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造など
に用いられる電子ビーム加熱式真空蒸着装置に関する。
に用いられる電子ビーム加熱式真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来技術】電子ビーム加熱式真空蒸着法は、高真空中
で電子ビームを蒸発物質に照射して加熱し、蒸発した原
子を対向して設置した基板などの被蒸着物上に付着させ
る方法である。この方法は、半導体製造プロセスにおい
て、半導体ウェハ上に電極などの薄膜を形成する場合な
どに用いられている。従来の電子ビーム加熱式真空蒸着
装置は、例えば図４に示す様な構造をしている。即ち、
真空容器１中に蒸発源として蒸発物質２を入れる坩堝３
、蒸発物質２を付着させる基板４、電子ビーム発生用の
フィラメント５が設けられている。フィラメント５から
の電子流６は磁石（図示されず）により収束偏向させら
れて、坩堝３中の蒸発物質２に集中する。電子流６によ
り加熱されて蒸発した蒸発物質２ａは、基板４上に凝集
し、薄膜を形成する。
で電子ビームを蒸発物質に照射して加熱し、蒸発した原
子を対向して設置した基板などの被蒸着物上に付着させ
る方法である。この方法は、半導体製造プロセスにおい
て、半導体ウェハ上に電極などの薄膜を形成する場合な
どに用いられている。従来の電子ビーム加熱式真空蒸着
装置は、例えば図４に示す様な構造をしている。即ち、
真空容器１中に蒸発源として蒸発物質２を入れる坩堝３
、蒸発物質２を付着させる基板４、電子ビーム発生用の
フィラメント５が設けられている。フィラメント５から
の電子流６は磁石（図示されず）により収束偏向させら
れて、坩堝３中の蒸発物質２に集中する。電子流６によ
り加熱されて蒸発した蒸発物質２ａは、基板４上に凝集
し、薄膜を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電子ビーム加熱式真空蒸着装置には次のような問題点が
あった。即ち、電子流が坩堝中の蒸発物質に当たると、
反射電子が発生し、この反射電子が基板などの被蒸着物
に当たり、被蒸着物にダメージを与えたり、汚染したり
する。例えば、白金を蒸発物質とすると、入射した電子
の４０％程度が反射電子になり、残りの６０％が蒸発物
質の蒸発に利用される。白金の蒸発には１５００℃程度
の温度が必要になるため、反射電子のエネルギーも相当
な量になると考えられる。したがって、反射電子の数％
が被蒸着物に当たっても、被蒸着物が受ける損傷は大き
なものになる。
電子ビーム加熱式真空蒸着装置には次のような問題点が
あった。即ち、電子流が坩堝中の蒸発物質に当たると、
反射電子が発生し、この反射電子が基板などの被蒸着物
に当たり、被蒸着物にダメージを与えたり、汚染したり
する。例えば、白金を蒸発物質とすると、入射した電子
の４０％程度が反射電子になり、残りの６０％が蒸発物
質の蒸発に利用される。白金の蒸発には１５００℃程度
の温度が必要になるため、反射電子のエネルギーも相当
な量になると考えられる。したがって、反射電子の数％
が被蒸着物に当たっても、被蒸着物が受ける損傷は大き
なものになる。
【０００４】
【課題を解決するための手段と作用】本発明は上記問題
点を解決した電子ビーム加熱式真空蒸着装置を提供する
もので、真空容器中に電子ビーム発生用のフランメント
、蒸発物質を有する蒸発源、該蒸発物質からなる薄膜を
付着させる被蒸着物を設け、電子ビームを蒸発源に照射
し、被蒸着物上に薄膜を形成する電子ビーム加熱式真空
蒸着装置において、蒸発源からの反射電子を被蒸着物外
に誘導する電磁界を発生する電極が設けられていること
を特徴とするものである。上述のような電極を設けると
、蒸発源で反射し被蒸着物方向に向かう反射電子は、印
加電界によりその軌道が曲げられて、被蒸着物外に誘導
され、被蒸着物に到達することがない。従って、基板な
どの被蒸着物は反射電子による損傷を免れることができ
る。
点を解決した電子ビーム加熱式真空蒸着装置を提供する
もので、真空容器中に電子ビーム発生用のフランメント
、蒸発物質を有する蒸発源、該蒸発物質からなる薄膜を
付着させる被蒸着物を設け、電子ビームを蒸発源に照射
し、被蒸着物上に薄膜を形成する電子ビーム加熱式真空
蒸着装置において、蒸発源からの反射電子を被蒸着物外
に誘導する電磁界を発生する電極が設けられていること
を特徴とするものである。上述のような電極を設けると
、蒸発源で反射し被蒸着物方向に向かう反射電子は、印
加電界によりその軌道が曲げられて、被蒸着物外に誘導
され、被蒸着物に到達することがない。従って、基板な
どの被蒸着物は反射電子による損傷を免れることができ
る。
【０００５】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１は本発明にかかる電子ビーム加
熱式真空蒸着装置の一実施例の説明図である。図中、１
は真空容器、２は蒸発物質、３は坩堝、４は基板、５は
フィラメント、６は電子流であることは、従来例を示す
図４と同様である。本実施例では、蒸発源となる坩堝３
と基板４の間に２枚の金属板からなる電極７、８を設け
た。電極７、８間に電圧を印加し、電極７を陽電極、８
を陰電極とすると、蒸発源から基板４に向かう反射電子
９は電極７に引きつけられ、基板４に当たることはない
。反射電子９を誘導する電界を発生する電極の構造は上
記実施例に限定されることはなく、各種の構造が考えら
れる。例えば、図２に示すように、基板４を保持する基
板ホルダー１０を陰極にし、基板ホルダー１０に対して
直交するように配置した円筒状の電極１１を陽極にして
もい。あるいは、図３に示すように、中心に穴のあるド
ーナツ状の円盤からなる基板ホルダー１２を陰極にし、
中心の穴に棒状の電極１３を配置し、この電極１３を陽
極にしてもよい。
を詳細に説明する。図１は本発明にかかる電子ビーム加
熱式真空蒸着装置の一実施例の説明図である。図中、１
は真空容器、２は蒸発物質、３は坩堝、４は基板、５は
フィラメント、６は電子流であることは、従来例を示す
図４と同様である。本実施例では、蒸発源となる坩堝３
と基板４の間に２枚の金属板からなる電極７、８を設け
た。電極７、８間に電圧を印加し、電極７を陽電極、８
を陰電極とすると、蒸発源から基板４に向かう反射電子
９は電極７に引きつけられ、基板４に当たることはない
。反射電子９を誘導する電界を発生する電極の構造は上
記実施例に限定されることはなく、各種の構造が考えら
れる。例えば、図２に示すように、基板４を保持する基
板ホルダー１０を陰極にし、基板ホルダー１０に対して
直交するように配置した円筒状の電極１１を陽極にして
もい。あるいは、図３に示すように、中心に穴のあるド
ーナツ状の円盤からなる基板ホルダー１２を陰極にし、
中心の穴に棒状の電極１３を配置し、この電極１３を陽
極にしてもよい。
【０００６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空容器中に電子ビーム発生用のフランメント、蒸発物質
を有する蒸発源、該蒸発物質からなる薄膜を付着させる
被蒸着物を設け、電子ビームを蒸発源に照射し、被蒸着
物上に薄膜を形成する電子ビーム加熱式真空蒸着装置に
おいて、蒸発源からの反射電子を被蒸着物外に誘導する
電磁界を発生する電極が設けられているため、反射電子
は基板などの被蒸着物に当たることはなく、被蒸着物の
損傷を防ぐことができるという優れた効果がある。
空容器中に電子ビーム発生用のフランメント、蒸発物質
を有する蒸発源、該蒸発物質からなる薄膜を付着させる
被蒸着物を設け、電子ビームを蒸発源に照射し、被蒸着
物上に薄膜を形成する電子ビーム加熱式真空蒸着装置に
おいて、蒸発源からの反射電子を被蒸着物外に誘導する
電磁界を発生する電極が設けられているため、反射電子
は基板などの被蒸着物に当たることはなく、被蒸着物の
損傷を防ぐことができるという優れた効果がある。
【図１】本発明に係る電子ビーム加熱式真空蒸着装置の
一実施例の説明図である。
一実施例の説明図である。
【図２】本発明に係る電子ビーム加熱式真空蒸着装置に
用いる電極構造の一実施例の説明図である。
用いる電極構造の一実施例の説明図である。
【図３】本発明に係る電子ビーム加熱式真空蒸着装置に
用いる電極構造の他の実施例の説明図である。
用いる電極構造の他の実施例の説明図である。
【図４】従来の電子ビーム加熱式真空蒸着装置の説明図
である。
である。
１ 真空容器
２、２ａ 蒸発物質
３ 坩堝
４ 基板
５ フィラメント
６ 電子流７、８
、１１、１３ 電極
６ 電子流７、８
、１１、１３ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器中に電子ビーム発生用のフラ
ンメント、蒸発物質を有する蒸発源、該蒸発物質からな
る薄膜を付着させる被蒸着物を設け、電子ビームを蒸発
源に照射し、被蒸着物上に薄膜を形成する電子ビーム加
熱式真空蒸着装置において、蒸発源からの反射電子を被
蒸着物外に誘導する電磁界を発生する電極が設けられて
いることを特徴とする電子ビーム加熱式真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1485491A JPH04236773A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 電子ビーム加熱式真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1485491A JPH04236773A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 電子ビーム加熱式真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04236773A true JPH04236773A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11872622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1485491A Pending JPH04236773A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 電子ビーム加熱式真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04236773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106289A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Jeol Ltd | 真空蒸着装置 |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP1485491A patent/JPH04236773A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106289A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Jeol Ltd | 真空蒸着装置 |
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