JPH0476203B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476203B2 JPH0476203B2 JP59218118A JP21811884A JPH0476203B2 JP H0476203 B2 JPH0476203 B2 JP H0476203B2 JP 59218118 A JP59218118 A JP 59218118A JP 21811884 A JP21811884 A JP 21811884A JP H0476203 B2 JPH0476203 B2 JP H0476203B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- electron gun
- evaporation source
- gun device
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空中において、原材料物質を蒸発
させ半導体基板上に薄膜を堆積させるとき等に用
いる電子銃装置の改良に関するものである。
させ半導体基板上に薄膜を堆積させるとき等に用
いる電子銃装置の改良に関するものである。
（従来技術とその問題点）
この種の電子銃装置は、第１図（ａ図は正面断
面図、ｂ図は平面図）に示す様に、フイラメント
１から放出される電子２が、磁石３の作る磁界で
曲げられて蒸発源であるるつぼ６内に納められた
蒸発原原材料物質４に照射されている。この照射
の電子衝撃によつて蒸発源原材料物質４が蒸発す
るものであるが、従来はこれと同時にその物質の
一部がイオン化され、そのイオンがるつぼ６やそ
の周辺の構造物をスパツタして不純物を放出し汚
染の原因になつていた。この不純物放出を防止す
る為に、るつぼ６に水冷管５で冷却水を通して冷
却を試みたり、または第１図のように、るつぼの
周囲の一部に蒸発源原材料物質と同一の材料で造
つたシールド環８、シールド壁７を置いてこれら
で防壁をつくりるつぼ中央より散乱した電子の衝
撃によつて放出される不純物による汚染の低減を
計つていた。
面図、ｂ図は平面図）に示す様に、フイラメント
１から放出される電子２が、磁石３の作る磁界で
曲げられて蒸発源であるるつぼ６内に納められた
蒸発原原材料物質４に照射されている。この照射
の電子衝撃によつて蒸発源原材料物質４が蒸発す
るものであるが、従来はこれと同時にその物質の
一部がイオン化され、そのイオンがるつぼ６やそ
の周辺の構造物をスパツタして不純物を放出し汚
染の原因になつていた。この不純物放出を防止す
る為に、るつぼ６に水冷管５で冷却水を通して冷
却を試みたり、または第１図のように、るつぼの
周囲の一部に蒸発源原材料物質と同一の材料で造
つたシールド環８、シールド壁７を置いてこれら
で防壁をつくりるつぼ中央より散乱した電子の衝
撃によつて放出される不純物による汚染の低減を
計つていた。
しかし、イオン化しや蒸発源原材料物質は、る
つぼの周囲にかなり広く分散しており、電子の軌
道２に妨害を与えずにこのイオンの分散を防止す
ることは困難であつた。
つぼの周囲にかなり広く分散しており、電子の軌
道２に妨害を与えずにこのイオンの分散を防止す
ることは困難であつた。
また、蒸発源原材料物質特にシリコンは突沸を
発生し易い高温の溶融体である為に、突沸で発生
した飛沫が周囲へ落下したときに発生する不純物
ガスもまた汚染の原因となつていた。
発生し易い高温の溶融体である為に、突沸で発生
した飛沫が周囲へ落下したときに発生する不純物
ガスもまた汚染の原因となつていた。
以上の様な不具合があるため従来は、電子銃は
不純物の混入を特に嫌う分野では使用できない欠
点があつた。
不純物の混入を特に嫌う分野では使用できない欠
点があつた。
（発明の目的）
本発明はこれらの問題を克服し、イオン化した
蒸発物質によるスパツタや高温溶融物の突沸によ
る不純物の発生を除去した電子銃装置の提供を目
的とする。
蒸発物質によるスパツタや高温溶融物の突沸によ
る不純物の発生を除去した電子銃装置の提供を目
的とする。
（発明の構成）
本発明は、るつぼの露出表面を、このるつぼ内
に納められた原材料と同じ原材料物質で被覆する
ことによつて前記目的を達成したものである。
に納められた原材料と同じ原材料物質で被覆する
ことによつて前記目的を達成したものである。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図に基いて説明する。
第２図（ａ図は正面断面図、ｂ図は平面図）は
本発明の実施例であつて、第１図と同じ機能の部
材には同じ符号を付してある。新しく上面被覆９
と、側面被覆１０が設けられている。
本発明の実施例であつて、第１図と同じ機能の部
材には同じ符号を付してある。新しく上面被覆９
と、側面被覆１０が設けられている。
フイラメント１より放出された電子２は、磁石
３によつて曲げられ、蒸発源原材料物質４に照射
されて電子衝撃によるエネルギーを与える。この
エネルギーの大半は熱となり蒸発源原材料物質の
温度を上昇させるが、蒸発源物質の少量はイオン
となつて外へ放出される。このイオンは水冷され
たるつぼ６の上面を覆つて設けられた蒸発源原材
料物質と同材料の上面被覆９及びシールド環８に
衝突し、スパツタリング現象を起す。また上方に
散乱したイオンはフイラメント１に向う配線等の
電界に引き寄せられて側面被覆１０にも衝突す
る。
３によつて曲げられ、蒸発源原材料物質４に照射
されて電子衝撃によるエネルギーを与える。この
エネルギーの大半は熱となり蒸発源原材料物質の
温度を上昇させるが、蒸発源物質の少量はイオン
となつて外へ放出される。このイオンは水冷され
たるつぼ６の上面を覆つて設けられた蒸発源原材
料物質と同材料の上面被覆９及びシールド環８に
衝突し、スパツタリング現象を起す。また上方に
散乱したイオンはフイラメント１に向う配線等の
電界に引き寄せられて側面被覆１０にも衝突す
る。
また、蒸発源原材料物質４の溶融物の突沸の大
半も電子銃装置の周囲に散乱するが、これらは、
シールド環８、上面被覆９、側面被覆１０に捕捉
される。
半も電子銃装置の周囲に散乱するが、これらは、
シールド環８、上面被覆９、側面被覆１０に捕捉
される。
上記のような構造のため、イオン及び突沸によ
る飛沫は、結局すべて蒸発源原材料物質で作られ
たシールド環８、上面被覆９、側面被覆１０と衝
突し、蒸発物質と同一の物質を真空内に放出する
ことになる。従つて、電子銃及び電子銃装置周辺
からの不純物発生を極めて抑制することができ
る。
る飛沫は、結局すべて蒸発源原材料物質で作られ
たシールド環８、上面被覆９、側面被覆１０と衝
突し、蒸発物質と同一の物質を真空内に放出する
ことになる。従つて、電子銃及び電子銃装置周辺
からの不純物発生を極めて抑制することができ
る。
最近、分子線エピタキシヤル法によつて真空中
でシリコン表面に良質なシリコン膜を形成するこ
とが試みられているが、この場合は、従来の真空
蒸着法に比較して、極力不純物の少ない膜を得る
ことが肝要である。この分野で、以上説明した実
施例の電子銃装置を用いてシリコン基板上にシリ
コン膜を形成したところ、従来法で膜表面に発生
した欠陥の数が108cm-2オーダーであつたものが、
102cm-2オーダーになつた。
でシリコン表面に良質なシリコン膜を形成するこ
とが試みられているが、この場合は、従来の真空
蒸着法に比較して、極力不純物の少ない膜を得る
ことが肝要である。この分野で、以上説明した実
施例の電子銃装置を用いてシリコン基板上にシリ
コン膜を形成したところ、従来法で膜表面に発生
した欠陥の数が108cm-2オーダーであつたものが、
102cm-2オーダーになつた。
（発明の効果）
本発明は上述のとおりであつて、電子の衝撃に
よつて生じたイオンによるスパツタリングや高温
溶融物の突沸にもとずく不純物の発生を抑制する
効果が著るしい。
よつて生じたイオンによるスパツタリングや高温
溶融物の突沸にもとずく不純物の発生を抑制する
効果が著るしい。
第１図は従来の電子銃の正面断面図ａ及び平面
図ｂ。第２図は本発明の実施例の同様の図であ
る。 １……フイラメント、２……電子軌跡、３……
磁石、４……蒸発源原材料物質、５……水冷管、
６……るつぼ、７……シールド壁、８……シール
ド環、９……上面被覆、１０……側面被覆。
図ｂ。第２図は本発明の実施例の同様の図であ
る。 １……フイラメント、２……電子軌跡、３……
磁石、４……蒸発源原材料物質、５……水冷管、
６……るつぼ、７……シールド壁、８……シール
ド環、９……上面被覆、１０……側面被覆。
Claims (1)
- １ 真空中で、高電圧を用いて電子を加速し、こ
の加速された電子で、るつぼ内に納められた原材
料を照射して加熱し、該原材料を蒸発させるよう
にした電子銃装置において、該るつぼの露出表面
を、あらかじめ該原材料の物質で被覆したことを
特徴とする電子銃装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218118A JPS6196722A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 電子銃装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59218118A JPS6196722A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 電子銃装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196722A JPS6196722A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH0476203B2 true JPH0476203B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=16714904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59218118A Granted JPS6196722A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 電子銃装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196722A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421830B2 (ja) * | 1972-07-04 | 1979-08-02 | ||
| JPS511556U (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-08 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59218118A patent/JPS6196722A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6196722A (ja) | 1986-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |