JPH04237128A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04237128A JPH04237128A JP547191A JP547191A JPH04237128A JP H04237128 A JPH04237128 A JP H04237128A JP 547191 A JP547191 A JP 547191A JP 547191 A JP547191 A JP 547191A JP H04237128 A JPH04237128 A JP H04237128A
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に平坦性が重要な絶縁膜の形成方法に関する。
関し、特に平坦性が重要な絶縁膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細化に伴い多結晶シリコ
ン配線や金属配線の表面に形成される層間絶縁膜は、ま
すますの平坦性が要求されている。現在この層間絶縁膜
にボロンリンケイ酸膜（以下ＢＰＳＧ膜と記す）が多く
用いられており、ＢＰＳＧ膜形成後熱処理によりＢＰＳ
Ｇ膜をリフローさせ、その表面を平坦にする方法が用い
られている。
ン配線や金属配線の表面に形成される層間絶縁膜は、ま
すますの平坦性が要求されている。現在この層間絶縁膜
にボロンリンケイ酸膜（以下ＢＰＳＧ膜と記す）が多く
用いられており、ＢＰＳＧ膜形成後熱処理によりＢＰＳ
Ｇ膜をリフローさせ、その表面を平坦にする方法が用い
られている。
【０００３】すなわち図３に示すように、シリコン基板
１の上に酸化膜２を２００ｎｍの厚さに形成し、その上
に幅１．０μｍ，高さ４００ｎｍ，配線間隔１．０μｍ
の多結晶シリコンからなる配線３を形成する。次に減圧
気相成長法により原料ガスとしてテトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ），ホスフィン（ＰＨ３ ），トリメトキシ
ボロン（ＴＭＢ）及び酸素を用いて、温度６２０℃，圧
力０．４Ｔｏｒｒで４００ｎｍのＢＰＳＧ膜４を形成す
る。これを９００℃の窒素雰囲気中で３０分熱処理を行
うと、ＢＰＳＧ膜４はリフローし平坦となる。角度αは
ＢＰＳＧ膜４のリフロー程度を示すもので、この従来法
ではαは２２度である。
１の上に酸化膜２を２００ｎｍの厚さに形成し、その上
に幅１．０μｍ，高さ４００ｎｍ，配線間隔１．０μｍ
の多結晶シリコンからなる配線３を形成する。次に減圧
気相成長法により原料ガスとしてテトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ），ホスフィン（ＰＨ３ ），トリメトキシ
ボロン（ＴＭＢ）及び酸素を用いて、温度６２０℃，圧
力０．４Ｔｏｒｒで４００ｎｍのＢＰＳＧ膜４を形成す
る。これを９００℃の窒素雰囲気中で３０分熱処理を行
うと、ＢＰＳＧ膜４はリフローし平坦となる。角度αは
ＢＰＳＧ膜４のリフロー程度を示すもので、この従来法
ではαは２２度である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＢＰＳＧ膜中でリン（
Ｐ）はＰ２ Ｏ５ として存在し、これが次に行う熱処
理工程によりリフロー性を良くする。しかし上述した従
来の方法では、ＢＰＳＧ膜中に酸素と十分に結合してい
ないリンが残るため、リフロー性を悪くしたり、熱処理
後表面にリンが析出する原因になるという問題点があっ
た。
Ｐ）はＰ２ Ｏ５ として存在し、これが次に行う熱処
理工程によりリフロー性を良くする。しかし上述した従
来の方法では、ＢＰＳＧ膜中に酸素と十分に結合してい
ないリンが残るため、リフロー性を悪くしたり、熱処理
後表面にリンが析出する原因になるという問題点があっ
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、ＢＰＳＧ膜形成後に酸素プラズマ処理を行い
、次で熱処理を行うものである。
造方法は、ＢＰＳＧ膜形成後に酸素プラズマ処理を行い
、次で熱処理を行うものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図、図２は実施例で用いる平行
平板型のプラズマ装置の構成図である。
。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図、図２は実施例で用いる平行
平板型のプラズマ装置の構成図である。
【０００７】まず図１（ａ）に示すように、従来と同様
の操作によりシリコン基板１上に厚さ２００ｎｍの酸化
膜２を介して多結晶シリコンからなる配線３を形成する
。次で全面に減圧気相成長法により厚さ４００ｎｍのＢ
ＰＳＧ膜４を形成する。次にこのシリコン基板１を図２
に示したプラズマ装置の保持電極９上に載置する。次で
高周波電源８を用いて保持電極９と対向電極１０間にプ
ラズマを発生させ、反応室１３内へ酸素供給口１１より
酸素を供給して、排気系１２により減圧下で酸素プラズ
マ処理を行い、ＢＰＳＧ膜中の十分に酸素として結合し
ていないリンを酸素と結合させる。
の操作によりシリコン基板１上に厚さ２００ｎｍの酸化
膜２を介して多結晶シリコンからなる配線３を形成する
。次で全面に減圧気相成長法により厚さ４００ｎｍのＢ
ＰＳＧ膜４を形成する。次にこのシリコン基板１を図２
に示したプラズマ装置の保持電極９上に載置する。次で
高周波電源８を用いて保持電極９と対向電極１０間にプ
ラズマを発生させ、反応室１３内へ酸素供給口１１より
酸素を供給して、排気系１２により減圧下で酸素プラズ
マ処理を行い、ＢＰＳＧ膜中の十分に酸素として結合し
ていないリンを酸素と結合させる。
【０００８】次に図１（ｂ）に示すように、このように
酸素プラズマ処理を行ったシリコン基板１を９００℃の
窒素雰囲気中で熱処理を行なう。図中に示す角度αは図
３と同様ＢＰＳＧ膜のリフロー程度を示すものであり、
本実施例による方法ではαは１０度であった。このこと
は、酸素プラズマ処理がリフロー性向上に大きな効果が
あることを示している。
酸素プラズマ処理を行ったシリコン基板１を９００℃の
窒素雰囲気中で熱処理を行なう。図中に示す角度αは図
３と同様ＢＰＳＧ膜のリフロー程度を示すものであり、
本実施例による方法ではαは１０度であった。このこと
は、酸素プラズマ処理がリフロー性向上に大きな効果が
あることを示している。
【０００９】尚、上記実施例においては、プラズマ処理
に平行平板型のプラズマ装置を用いた場合について説明
したが、外部電極方式の円筒型プラズマ装置を用いても
よいことは勿論である。
に平行平板型のプラズマ装置を用いた場合について説明
したが、外部電極方式の円筒型プラズマ装置を用いても
よいことは勿論である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＢＰＳＧ
膜形成後酸素プラズマ処理を行い、次に熱処理を行うこ
とにより、ＢＰＳＧ膜のリフロー性を向上させることが
できるため、より平坦な絶縁膜を有する半導体装置が得
られるという効果がある。
膜形成後酸素プラズマ処理を行い、次に熱処理を行うこ
とにより、ＢＰＳＧ膜のリフロー性を向上させることが
できるため、より平坦な絶縁膜を有する半導体装置が得
られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図である。
プの断面図である。
【図２】本発明の実施例に用いるプラズマ装置の構成図
である。
である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
半導体チップの断面図である。
半導体チップの断面図である。
１ シリコン基板
２ 酸化膜
３ 配線
４ ＢＰＳＧ膜
８ 高周波電源
９ 保持電極
１０ 対向電極
１１ 酸素供給口
１２ 排気系
１３ 反応室
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上にボロンリンケイ酸膜を
形成したのち酸素プラズマ処理を施す工程と、前記半導
体基板に熱処理を施す工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547191A JPH04237128A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547191A JPH04237128A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237128A true JPH04237128A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11612161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP547191A Pending JPH04237128A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04237128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218009A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-08-27 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の層間絶縁膜形成方法 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP547191A patent/JPH04237128A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218009A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-08-27 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の層間絶縁膜形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000201 |