JPS6388829A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JPS6388829A JPS6388829A JP61233504A JP23350486A JPS6388829A JP S6388829 A JPS6388829 A JP S6388829A JP 61233504 A JP61233504 A JP 61233504A JP 23350486 A JP23350486 A JP 23350486A JP S6388829 A JPS6388829 A JP S6388829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- film
- psg
- vapor phase
- approximately
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造工程における半導体ウェハ
ー上に薄膜を成長させる気相成長方法に関するものであ
る。
ー上に薄膜を成長させる気相成長方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年、デバイスの高集積化及び高速化の対応が最も大き
な関心事項として挙げられるが、特にＭＯＳ −Ｌ Ｓ
Ｉの製造工程において、気相成長装置は、選択的にフ
ィールド酸化膜を形成する際の２へ−７ マスクとなる８１３Ｎ４膜（シリコン窒化膜）、あるい
はゲート電極となるＰｏ １ ｙＳ ｉ膜（多結晶シリ
コン膜）等、更には多層配線間の層間絶縁膜となるＰＳ
Ｇ膜（リン硅酸ガラス膜）、Ｐ−８ｉＮ膜（プラズマシ
リコン窒化膜）等の薄膜を形成するために用いられ、ゲ
ート電極となるＰｏ ｌ ｙＳ ｉ膜を成長させた後、
熱酸化、 ８１３Ｎ４膜成長後、ＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜
（ボロンリン硅酸ガラス膜）を気相成長させ熱処理によ
り平坦化させる工程も多く用いられているが、気相成長
時のＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜のステップカバレッジ（段差
被覆特性）が平坦化の度合に影響を及ぼすことは明らか
である。
な関心事項として挙げられるが、特にＭＯＳ −Ｌ Ｓ
Ｉの製造工程において、気相成長装置は、選択的にフ
ィールド酸化膜を形成する際の２へ−７ マスクとなる８１３Ｎ４膜（シリコン窒化膜）、あるい
はゲート電極となるＰｏ １ ｙＳ ｉ膜（多結晶シリ
コン膜）等、更には多層配線間の層間絶縁膜となるＰＳ
Ｇ膜（リン硅酸ガラス膜）、Ｐ−８ｉＮ膜（プラズマシ
リコン窒化膜）等の薄膜を形成するために用いられ、ゲ
ート電極となるＰｏ ｌ ｙＳ ｉ膜を成長させた後、
熱酸化、 ８１３Ｎ４膜成長後、ＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜
（ボロンリン硅酸ガラス膜）を気相成長させ熱処理によ
り平坦化させる工程も多く用いられているが、気相成長
時のＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜のステップカバレッジ（段差
被覆特性）が平坦化の度合に影響を及ぼすことは明らか
である。
以下図面を参照しながら、上述した従来の気相成長方法
及び平坦化熱処理の一例について説明する。
及び平坦化熱処理の一例について説明する。
第３図は従来の気相成長方法及び平坦化熱処理のフロー
チャートを示すものである。
チャートを示すものである。
第３図において、表面段差を有した半導体基板上に常圧
もしくは減圧の気相成長装置により、３６０°Ｃ〜４５
０″Ｃの温度条件で５ｉｎ４（シフ ｙ ） 、 ＰＨ
３３ へ−／ （ホスフィン）、Ｂ２Ｈ６（ジボラン）、０２（酸素）
及びＮ２（窒素）等の不活性ガスを供給して、ＰＳＧ又
はＢＰＳＧが気相成長され、次に熱処理装置により、１
ｂ／ｃｒｔｉ以上の高圧雰囲気９００〜１１００°Ｃ
の温度条件で熱処理される。第４図は、第３図のフロー
チャートに基づき、処理された前記シリコンウェハー上
のステップカバレッジの概略図を示すものであり、アス
ペクト比や気相成長前の段差の形状により、第４図に示
す様な形状となる。第４図において、１は半導体基板、
２は表面段差、３は気相成長膜、４はボイド（空洞）で
ある。
もしくは減圧の気相成長装置により、３６０°Ｃ〜４５
０″Ｃの温度条件で５ｉｎ４（シフ ｙ ） 、 ＰＨ
３３ へ−／ （ホスフィン）、Ｂ２Ｈ６（ジボラン）、０２（酸素）
及びＮ２（窒素）等の不活性ガスを供給して、ＰＳＧ又
はＢＰＳＧが気相成長され、次に熱処理装置により、１
ｂ／ｃｒｔｉ以上の高圧雰囲気９００〜１１００°Ｃ
の温度条件で熱処理される。第４図は、第３図のフロー
チャートに基づき、処理された前記シリコンウェハー上
のステップカバレッジの概略図を示すものであり、アス
ペクト比や気相成長前の段差の形状により、第４図に示
す様な形状となる。第４図において、１は半導体基板、
２は表面段差、３は気相成長膜、４はボイド（空洞）で
ある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような方法で気相成長後、平坦化熱
処理されたＰＳＧやＢＰＳＧ膜は、気相成長時の下地ス
テップに対するオーパーツ・ングの形状のまま熱処理さ
れているので、膜中にボイド（空洞）を含み、後工程で
のアルミ電極配線が断線するという問題点を有していた
。
処理されたＰＳＧやＢＰＳＧ膜は、気相成長時の下地ス
テップに対するオーパーツ・ングの形状のまま熱処理さ
れているので、膜中にボイド（空洞）を含み、後工程で
のアルミ電極配線が断線するという問題点を有していた
。
本発明は上記問題点に鑑み、表面段差を平坦化するため
に用いられるＰＳＧやＢＰＳＧ膜にボイドを発生させな
い気相成長を可能にするものである。
に用いられるＰＳＧやＢＰＳＧ膜にボイドを発生させな
い気相成長を可能にするものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の気相成長方法は、
ＰＳＧやＢＰＳＣｉなどの珪酸ガラス膜によシ平坦化す
る工程において、気相成長と熱処理を２回以上繰り返し
て行なうものである。
ＰＳＧやＢＰＳＣｉなどの珪酸ガラス膜によシ平坦化す
る工程において、気相成長と熱処理を２回以上繰り返し
て行なうものである。
作 用
本発明は上記した方法によって、気相成長膜の成長時の
オーバー・・ングを徐々に少なくし、最終的に平坦化さ
れた膜中でのボイド発生を抑制することができる。
オーバー・・ングを徐々に少なくし、最終的に平坦化さ
れた膜中でのボイド発生を抑制することができる。
実施例
以下本発明の実施例の気相成長方法について、図面を参
照しながら説明する。第１図は本発明の気相成長方法を
用いた場合のフローチャート図、第２図（ａ）〜（ｄ）
は第１図に示す各工程のステップカバレッジの形状の概
略図を示すものである。
照しながら説明する。第１図は本発明の気相成長方法を
用いた場合のフローチャート図、第２図（ａ）〜（ｄ）
は第１図に示す各工程のステップカバレッジの形状の概
略図を示すものである。
第１図および第２図において、表面段差５を有したシリ
コンウェハー６上にまず、減圧ＣＶＤにより、温度４０
０°Ｃ２圧力０．３ ｔｏｎ 、 Ｓ ｉＨ４゜５ ペ
ージ ＰＨ３，０２供給して、約３０００への第１ＰＳＧ７が
成長し、次に熱処理装置によシ、約５ ｂ／ｃｒＡの高
圧雰囲気下でＮ２と０２を用いて９００°Ｃで、第１熱
処理を行ない、更に、上記減圧ＣＶＤによシ約６０００
人の第２ＰＳＧ８を成長し、最後に上記熱処理装置によ
り、第２熱処理を行なった。
コンウェハー６上にまず、減圧ＣＶＤにより、温度４０
０°Ｃ２圧力０．３ ｔｏｎ 、 Ｓ ｉＨ４゜５ ペ
ージ ＰＨ３，０２供給して、約３０００への第１ＰＳＧ７が
成長し、次に熱処理装置によシ、約５ ｂ／ｃｒＡの高
圧雰囲気下でＮ２と０２を用いて９００°Ｃで、第１熱
処理を行ない、更に、上記減圧ＣＶＤによシ約６０００
人の第２ＰＳＧ８を成長し、最後に上記熱処理装置によ
り、第２熱処理を行なった。
以上のように本実施例によれば、ＰＳＧの気相成長と熱
処理を２回繰り返して行なうことによシ、平坦化が徐々
に進行するため、最終的に平坦化された膜中のボイド発
生を抑制することができる。
処理を２回繰り返して行なうことによシ、平坦化が徐々
に進行するため、最終的に平坦化された膜中のボイド発
生を抑制することができる。
なお本実施例においては、ＰＳＧ膜を成長させる減圧Ｃ
ＶＤの場合について述べたが、ＢＰＳＧ膜を成長させる
常圧ＣＶＤの場合にも同様に適用できる。
ＶＤの場合について述べたが、ＢＰＳＧ膜を成長させる
常圧ＣＶＤの場合にも同様に適用できる。
発明の効果
以上のように本発明は、表面段差を有するシリコンウェ
ハー上をリン又はリン及びボロンを含ん６ ｔ、−ノ テップに対するオーパーツ・ングを徐々に少なくしなが
ら、最終的には平坦化された膜中でのボイド発生を抑制
することにより、後工程でのアルミ電極配線の断線を防
止することができる。
ハー上をリン又はリン及びボロンを含ん６ ｔ、−ノ テップに対するオーパーツ・ングを徐々に少なくしなが
ら、最終的には平坦化された膜中でのボイド発生を抑制
することにより、後工程でのアルミ電極配線の断線を防
止することができる。
第１図は本発明の実施例における気相成長方法を用いた
フローチャート図、第２図（ａ）〜（ｄ）は第１図に示
す各工程のステップカバレッジ形状の概略ツブカバレッ
ジの形状を示す概略図である。 ５・・・・・・表面断差、６・・・・・・シリコンウエ
ノ凡−１７・・・・・・第１ＰＳＧ１８・・・・・・第
２ＰＳＧ。
フローチャート図、第２図（ａ）〜（ｄ）は第１図に示
す各工程のステップカバレッジ形状の概略ツブカバレッ
ジの形状を示す概略図である。 ５・・・・・・表面断差、６・・・・・・シリコンウエ
ノ凡−１７・・・・・・第１ＰＳＧ１８・・・・・・第
２ＰＳＧ。
Claims (1)
- 表面段差を有したシリコンウェハー上にリン又はリン及
びボロンを含んだ珪酸ガラス膜を気相成長させる工程に
おいて、気相成長させた後に熱処理を行う一連の工程を
２回以上繰り返して行なうことにより、前記シリコンウ
ェハーの表面段差を平坦化することを特徴とする気相成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233504A JPS6388829A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233504A JPS6388829A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388829A true JPS6388829A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16956063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233504A Pending JPS6388829A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388829A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151032A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO1991011023A1 (fr) * | 1990-01-18 | 1991-07-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Procede de production de dispositifs semi-conducteurs |
| JPH04269420A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO1997024755A1 (en) * | 1995-12-29 | 1997-07-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor structure using modulation doped silicate glasses |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP61233504A patent/JPS6388829A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02151032A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO1991011023A1 (fr) * | 1990-01-18 | 1991-07-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Procede de production de dispositifs semi-conducteurs |
| JPH04269420A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| WO1997024755A1 (en) * | 1995-12-29 | 1997-07-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor structure using modulation doped silicate glasses |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4617087A (en) | Method for differential selective deposition of metal for fabricating metal contacts in integrated semiconductor circuits | |
| US10176980B2 (en) | Selective deposition of silicon oxide films | |
| US4966861A (en) | Vapor deposition method for simultaneously growing an epitaxial silicon layer and a polycrystalline silicone layer over a selectively oxidized silicon substrate | |
| JPH10294291A (ja) | 耐火金属の選択的付着方法および同方法によって形成されるデバイス | |
| US5567661A (en) | Formation of planarized insulating film by plasma-enhanced CVD of organic silicon compound | |
| JPH04307933A (ja) | タングステンプラグの形成方法 | |
| US6908853B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device having reduced contact resistance | |
| JP2519837B2 (ja) | 半導体集積回路およびその製造方法 | |
| JPS6388829A (ja) | 気相成長方法 | |
| JP3344205B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ | |
| JPH0467630A (ja) | 高融点金属成長方法 | |
| JP3004129B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11512877A (ja) | 化学機械研磨のためのキャップされた中間層誘電体 | |
| JP2004165533A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6286818A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2976442B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH0685081A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10284588A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0472718A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0729850A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6376875A (ja) | 気相成長法 | |
| JPH05206111A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2197033C1 (ru) | Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов | |
| JPH0684802A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH0376577B2 (ja) |