JPH04239161A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH04239161A JPH04239161A JP3001886A JP188691A JPH04239161A JP H04239161 A JPH04239161 A JP H04239161A JP 3001886 A JP3001886 A JP 3001886A JP 188691 A JP188691 A JP 188691A JP H04239161 A JPH04239161 A JP H04239161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor element
- resin
- semiconductor
- bonding wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置についてそ
の製造工程に沿って説明する。図５，図６を参照すると
、配線導体１が形成されたプリント基板２を、リードフ
レーム３の基板パッド４に貼り付け、かつプリント基板
２上に半導体素子５をＡｇペースト等で固着した後、金
線等のボンディングワイヤー６により、半導体素子５の
電極パッドとプリント基板２上の配線１の一方の電極及
び配線導体１の他方の電極とリードフレーム３の外部リ
ード７とを電気的に接続する。
の製造工程に沿って説明する。図５，図６を参照すると
、配線導体１が形成されたプリント基板２を、リードフ
レーム３の基板パッド４に貼り付け、かつプリント基板
２上に半導体素子５をＡｇペースト等で固着した後、金
線等のボンディングワイヤー６により、半導体素子５の
電極パッドとプリント基板２上の配線１の一方の電極及
び配線導体１の他方の電極とリードフレーム３の外部リ
ード７とを電気的に接続する。
【０００３】さらに、その後、トランスファーモールド
法等により、エポキシ樹脂等で樹脂封止する。その後、
リードフレームから切り離して図５のような樹脂封止型
半導体装置が得られる。このような従来技術は、樹脂封
止型半導体装置の中でも、特に同一封止パッケージの中
に、複数の半導体素子を搭載するハイブリッドＩＣに用
いられていた。
法等により、エポキシ樹脂等で樹脂封止する。その後、
リードフレームから切り離して図５のような樹脂封止型
半導体装置が得られる。このような従来技術は、樹脂封
止型半導体装置の中でも、特に同一封止パッケージの中
に、複数の半導体素子を搭載するハイブリッドＩＣに用
いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、半導体素子の高消費電力化に伴う、低
熱抵抗化の要求に対し、半導体素子をガラスエポキシ等
のプリント基板上に搭載するため、半導体素子を鉄−ニ
ッケル合金や銅等のリードフレームに直接、銀ペースト
等で固着した場合に比べて、半導体装置の熱放散性が悪
く、半導体素子の信頼性を著しく劣化させるため、高消
費電力の半導体素子を搭載することが困難であった。ま
た、この従来の構造では、１つの半導体素子の大きさに
対応して、１つのプリント基板が必要となるため、半導
体素子の多様化に対応するためには、多数のプリント基
板が必要となり、コスト高になってしまうという欠点を
有していた。
半導体装置では、半導体素子の高消費電力化に伴う、低
熱抵抗化の要求に対し、半導体素子をガラスエポキシ等
のプリント基板上に搭載するため、半導体素子を鉄−ニ
ッケル合金や銅等のリードフレームに直接、銀ペースト
等で固着した場合に比べて、半導体装置の熱放散性が悪
く、半導体素子の信頼性を著しく劣化させるため、高消
費電力の半導体素子を搭載することが困難であった。ま
た、この従来の構造では、１つの半導体素子の大きさに
対応して、１つのプリント基板が必要となるため、半導
体素子の多様化に対応するためには、多数のプリント基
板が必要となり、コスト高になってしまうという欠点を
有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子搭載台と、半導体素子に対応する
形状の貫通孔および表面に設けられた配線体を有し、裏
面を前記半導体素子搭載台に接着された絶縁性フィルム
と、前記半導体素子搭載台の前記貫通孔部に接着された
半導体素子と、前記配線導体と前記半導体素子とを結ぶ
第１ボンディングワイヤーと、前記配線導体と第２ボン
ディングワイヤーで結ばれた外部リードとを有するとい
うものである。
体装置は、半導体素子搭載台と、半導体素子に対応する
形状の貫通孔および表面に設けられた配線体を有し、裏
面を前記半導体素子搭載台に接着された絶縁性フィルム
と、前記半導体素子搭載台の前記貫通孔部に接着された
半導体素子と、前記配線導体と前記半導体素子とを結ぶ
第１ボンディングワイヤーと、前記配線導体と第２ボン
ディングワイヤーで結ばれた外部リードとを有するとい
うものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の第１の実施例の断面図、図２は樹脂封
止前の状態を示す平面図でリードフレームの１こまの１
／４の部分を示している。
。図１は本発明の第１の実施例の断面図、図２は樹脂封
止前の状態を示す平面図でリードフレームの１こまの１
／４の部分を示している。
【０００７】本実施例の半導体装置は、配線導体１を有
し、かつ半導体素子５に対応する大きさで中心部を切断
された絶縁性フィルム９を、リードフレーム３の一部で
あり従来例で述べたところの基板パッドである半導体素
子搭載台部１０に熱圧着などにより接合しているため、
半導体素子５を直接、半導体素子搭載台部１０に銀ペー
スト等により、固着させることができる。このため、従
来例のようにプリント基板に、半導体素子を搭載した場
合に比べて、半導体装置の熱放散性が向上し、２５％以
上の熱抵抗低減が可能になった。また、絶縁性フィルム
９は、厚さ５０μｍ程度のポリイミド等の高分子樹脂に
より構成されており、無電解メッキ等により銅などの配
線導体１が形成されている。さらに、この絶縁性フィル
ム９上の配線導体１を介して、半導体素子５と外部リー
ド７が金線等の第１，第２のボンディングワイヤー６ａ
，６ｂにより、電気的に接続されるという構造を有して
いる。
し、かつ半導体素子５に対応する大きさで中心部を切断
された絶縁性フィルム９を、リードフレーム３の一部で
あり従来例で述べたところの基板パッドである半導体素
子搭載台部１０に熱圧着などにより接合しているため、
半導体素子５を直接、半導体素子搭載台部１０に銀ペー
スト等により、固着させることができる。このため、従
来例のようにプリント基板に、半導体素子を搭載した場
合に比べて、半導体装置の熱放散性が向上し、２５％以
上の熱抵抗低減が可能になった。また、絶縁性フィルム
９は、厚さ５０μｍ程度のポリイミド等の高分子樹脂に
より構成されており、無電解メッキ等により銅などの配
線導体１が形成されている。さらに、この絶縁性フィル
ム９上の配線導体１を介して、半導体素子５と外部リー
ド７が金線等の第１，第２のボンディングワイヤー６ａ
，６ｂにより、電気的に接続されるという構造を有して
いる。
【０００８】図３は本発明の第２の実施例を説明するた
めの平面図であり樹脂封止直前の状態を示している。図
４は絶縁性フィルムの形成方法を説明するための平面図
で、半導体素子搭載台部１０に接合する前の絶縁性フィ
ルムの平面図である。
めの平面図であり樹脂封止直前の状態を示している。図
４は絶縁性フィルムの形成方法を説明するための平面図
で、半導体素子搭載台部１０に接合する前の絶縁性フィ
ルムの平面図である。
【０００９】第１の実施例との構造上の相違は、配線導
体１が絶縁性フィルム９ｂの貫通孔側の縁まで延びてい
ることである。第１の実施例よりは第１ボンディングワ
イヤーを短くできる。
体１が絶縁性フィルム９ｂの貫通孔側の縁まで延びてい
ることである。第１の実施例よりは第１ボンディングワ
イヤーを短くできる。
【００１０】次に、この実施例の製造方法について説明
する。
する。
【００１１】まず図４に示すような絶縁性フィルム９ａ
を準備する。ポリイミドフィルムの中心部１３から４方
へ放射状に延びる配線導体１ａを多数設ける。次に切断
ライン１２の位置でポリイミドフィルムを切断し矩形状
貫通孔を設ける。次に、リードフレーム３の半導体素子
統裁部１０に熱圧着などにより接合する。半導体素子５
をマウントし、半導体素子５のボンディングパッドと配
線導体１ａの一端を第１ボンディングワイヤー６ａで接
続し、配線導体１ａの他端とリードフレームの内部リー
ドとを第２ボンディングワイヤー６ｂで接続する。樹脂
封止を行ない、個片化することにより樹脂封止型半導体
装置を得る。
を準備する。ポリイミドフィルムの中心部１３から４方
へ放射状に延びる配線導体１ａを多数設ける。次に切断
ライン１２の位置でポリイミドフィルムを切断し矩形状
貫通孔を設ける。次に、リードフレーム３の半導体素子
統裁部１０に熱圧着などにより接合する。半導体素子５
をマウントし、半導体素子５のボンディングパッドと配
線導体１ａの一端を第１ボンディングワイヤー６ａで接
続し、配線導体１ａの他端とリードフレームの内部リー
ドとを第２ボンディングワイヤー６ｂで接続する。樹脂
封止を行ない、個片化することにより樹脂封止型半導体
装置を得る。
【００１２】切断ライン１２の位置を加減することによ
り、半導体素子５の大きさに合わせて、貫通孔を形成で
きるので、１種類のフィルムで、種々の半導体素子に対
応することができ、第１の実施例に比べて、大幅なコス
ト低減を図れるという利点を有している。
り、半導体素子５の大きさに合わせて、貫通孔を形成で
きるので、１種類のフィルムで、種々の半導体素子に対
応することができ、第１の実施例に比べて、大幅なコス
ト低減を図れるという利点を有している。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、配線導体
を有する絶縁性フィルムに、半導体素子に対応する貫通
孔を設けたものを半導体素子搭載台に接合し、貫通孔部
に露出した半導体素子搭載台に半導体素子をマウントす
る構造にしたことにより、半導体素子搭載台が、ヒート
スプレッダーとして有効に機能し、半導体装置の熱放散
性が大幅に向上したことにより従来品と比べて、２５％
以上の熱抵抗低減ができ、高消費電力の半導体素子の搭
載が可能になった。
を有する絶縁性フィルムに、半導体素子に対応する貫通
孔を設けたものを半導体素子搭載台に接合し、貫通孔部
に露出した半導体素子搭載台に半導体素子をマウントす
る構造にしたことにより、半導体素子搭載台が、ヒート
スプレッダーとして有効に機能し、半導体装置の熱放散
性が大幅に向上したことにより従来品と比べて、２５％
以上の熱抵抗低減ができ、高消費電力の半導体素子の搭
載が可能になった。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の説明に使用する部分断
面図で、樹脂封止直前の状態を示している。
面図で、樹脂封止直前の状態を示している。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための部分平
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの部分平面図である。
めの部分平面図である。
【図５】従来例の断面図である。
【図６】従来例の説明に使用する部分平面図である。
１ 配線導体
２ 基板
３ リードフレーム
４ 基板パッド
５ 半導体素子
６ ボンディングワイヤー
６ａ 第１ボンディングワイヤー６ｂ 第
２ボンディングワイヤー７ 外部リード ８ 封止樹脂 ９ 絶縁性フィルム １０ 半導体素子搭載台 １１ 吊りリード １２ 切断ライン
２ボンディングワイヤー７ 外部リード ８ 封止樹脂 ９ 絶縁性フィルム １０ 半導体素子搭載台 １１ 吊りリード １２ 切断ライン
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子搭載台と、半導体素子に対
応する形状の貫通孔および表面に設けられた配線導体を
有し、裏面を前記半導体素子搭載台に接着された絶縁性
フィルムと、前記半導体素子搭載台の前記貫通孔部に接
着された半導体素子と、前記配線導体と前記半導体素子
とを結ぶ第１ボンディングワイヤーと、前記配線導体と
第２ボンディングワイヤーで結ばれた外部リードとを有
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 絶縁性フィルムは高分子樹脂フィルム
である請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001886A JPH04239161A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001886A JPH04239161A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239161A true JPH04239161A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11514056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3001886A Pending JPH04239161A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239161A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334968A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02307253A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP3001886A patent/JPH04239161A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334968A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02307253A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970506 |